用于制造電子模塊的方法和電子模塊的制作方法
【專利摘要】本發明涉及用于制造電子模塊的方法和電子模塊。多個半導體芯片中的每一個都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面。所述第二主面包括至少一個電接觸元件。該半導體芯片被放置在載體上。材料層被施加到相鄰半導體芯片之間的中間空間中。該載體被移除，并且第一電氣接觸層被施加至半導體芯片的第一主面以使得所述電氣接觸層與所述電接觸元件中的每一個電連接。
【專利說明】用于制造電子模塊的方法和電子模塊
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及用于制造電子模塊的方法和電子模塊。
【背景技術】
[0002]當制造電子模塊(特別地，半導體芯片模塊)時，半導體芯片的一個或兩個主表面上的接觸元件或接觸焊盤必須被電連接到金屬片或層。當半導體晶體管芯片(特別地，半導體功率晶體管芯片)必須被安裝在電子模塊中時，存在基本挑戰，由于在許多情況下，多個芯片(比如例如晶體管開關)與彼此并聯連接，這意味著并聯開關必須包括關于輸入電阻和擊穿電壓的非常相似且同質的特性。另一挑戰由下述事實產生:比如硅之類的半導體材料例如具有比金屬的熱膨脹系數小得多的熱膨脹系數，以使得在許多情況下，中間層必須被插入到半導體芯片和金屬層之間，以避免半導體材料中的熱感應張力，該熱感應張力可能導致半導體芯片中的破裂并且可能最終導致半導體芯片的最后損壞。對于其他種類的半導體芯片，也可能發生上面的問題。

【發明內容】

[0003]根據本發明的一方面，提供了一種用于制造電子模塊的方法，該方法包括:提供載體；提供多個半導體芯片，每一個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述第一主面包括至少一個電接觸元件；將所述多個半導體芯片放置在所述載體上；將材料層施加到相鄰半導體芯片之間的中間空間中；移除所述載體；以及將第一電氣接觸層施加至所述半導體芯片的第一主面，以使得所述第一電氣接觸層與所述電接觸元件中的每一個電連接。
[0004]根據本發明的另一方面，提供了一種用于制造電子模塊的方法，該方法包括:提供載體；提供多個半導體芯片，每一個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面；將所述多個半導體芯片放置在所述載體上；將材料層施加到相鄰半導體芯片之間的中間空間中；移除所述載體；以及將電氣接觸層施加至所述半導體芯片的第一主面或第二主面中的一個。
[0005]根據本發明的另一方面，提供了一種電子模塊，包括:多個半導體芯片，每個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述第一主面包括至少一個電接觸元件；材料層，被設置在相鄰半導體芯片之間的中間空間中；以及第一電氣接觸層，被設置在所述半導體芯片的第一主面上，以使得所述第一電氣接觸層與所述電接觸元件中的每一個電連接。
[0006]根據本發明的另一方面，提供了 一種電子模塊，包括:多個半導體芯片，每一個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面；材料層，被設置在相鄰半導體芯片之間的中間空間中；以及電氣接觸層，被設置在所述半導體芯片的第一主面或第二主面中的一個上。
[0007]根據本發明的另一方面，提供了一種用于制造電子模塊的方法，該方法包括:提供多個半導體芯片，每個半導體芯片包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述第一主面包括至少一個電接觸元件；在相鄰半導體芯片之間的中間空間中形成材料層；以及在所述半導體芯片的第一主面上形成第一電氣接觸層，以使得所述第一電氣接觸層與所述電接觸元件中的每一個電接觸。
[0008]根據本發明的另一方面，提供了一種用于制造電子模塊的方法，該方法包括:提供多個半導體芯片，每一個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面；在相鄰半導體芯片之間的中間空間中形成材料層；以及在所述半導體芯片的第一主面或第二主面中的一個上形成電氣接觸層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]附圖被包括以便提供對實施例的進一步理解并且被合并到本說明書中并構成其一部分。附圖示意了實施例并且連同描述一起用于解釋實施例的原理。其他實施例以及實施例的許多預期優點將會被容易地認識到，因為通過參考下面的詳細描述，它們變得更容易理解。附圖的元件不必相對于彼此按比例繪制。相似的附圖標記指定對應的類似部分。
[0010]圖1示出用于示意根據本公開的用于制造電子模塊的方法的流程圖；
圖2A-D示出用于示意根據本公開的用于制造電子模塊的方法的示意性橫截面側視圖表不;
圖3A-C示出如圖2D中所示的電子模塊的不同平面的示意性橫截面下視圖表示；
圖4A-D示出用于示意根據本公開的用于制造電子模塊的方法的示意性橫截面側視圖表示；以及
圖5A、B示出根據本公開的電子模塊的頂視圖表示(A)和橫截面側視圖表示(B)?！揪唧w實施方式】
[0011]現在參考附圖來描述方面和實施例，其中，遍及全文，相似附圖標記通常用來指代相似元件。在下面的描述中，為了解釋的目的，闡述了許多特定細節以便提供對實施例的一個或多個方面的透徹理解。然而，對本領域技術人員來說可以顯而易見的是，可以在較少程度的特定細節下實行實施例的一個或多個方面。在其他實例中，以示意性形式來示出已知結構和元件，以便于描述實施例的一個或多個方面。應當理解的是，在不偏離本發明的范圍的情況下，可以利用其他實施例并且可以做出結構或邏輯上的改變。應當進一步注意的是，附圖未按照比例繪制或者不必要按照比例繪制。
[0012]另外，盡管可以關于若干實施方式中的僅一個來公開實施例的特定特征或方面，但是這樣的特征或方面可以與如可期望的其他實施方式的一個或多個其他特征或方面以及針對任何給定或特定應用的優點組合。此外，就在詳細描述或權利要求中使用術語“包含”、“具有”、“帶有”或這些術語的其他變形的范圍來說，這樣的術語意圖以類似于術語“包括”的方式被包括?？梢允褂眯g語“耦合”和“連接”連同派生詞。應當理解的是，這些術語可以被用來指示兩個元件與彼此協作或交互，而不管它們是直接物理或電接觸，還是不與彼此直接接觸。此外，術語“示例性”僅僅意味著作為示例，而不是最佳或最優。因此，不應在限制的意義上采用下面的詳細描述，并且本發明的范圍由所附權利要求限定。
[0013]電子模塊和用于制造電子模塊的方法的實施例可以使用各種類型的半導體芯片。實施例可以使用包括比如垂直或平面MOS晶體管結構之類的MOS晶體管結構的半導體晶體管芯片。垂直晶體管結構可以包括例如IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)結構，或者一般包括下述晶體管結構:其中，至少一個電接觸端子被布置在半導體芯片的第一主面上，并且至少一個其他電接觸端子被布置在與半導體芯片的第一主面相對的該半導體芯片的第二主面上。實施例還可以使用包括比如例如J-FET晶體管結構之類的平面MOS晶體管結構的半導體晶體管芯片。實施例還可以使用包括門極可關斷(GTO)晶閘管的半導體芯片。實施例還可以使用功率晶體管或高電壓晶體管芯片，其中，術語高電壓可以具有高于例如100V的電壓的含義。
[0014]在若干實施例中，層或層堆疊被施加至彼此，或者材料被施加或沉積到層上。應當認識到，如“施加”或“沉積”之類的任何這樣的術語意味著覆蓋將層施加到彼此上的差不多所有種類和技術。特別地，這些術語意味著覆蓋在其中作為整體一次施加層的技術(比如例如層壓技術)以及在其中以順序的方式沉積層的技術(比如例如濺射、電鍍、模塑、CVD等)。
[0015]參考圖1，示出了用于示意根據本公開的用于制造電子模塊的方法的流程圖。圖1的方法100包括:提供載體(10);提供多個半導體芯片，每一個都包括第一主面和與該第一主面相對的第二主面，該第二主面包括至少一個電接觸元件(20);將該多個半導體芯片放置在該載體上(30);將材料層施加到相鄰半導體芯片之間的中間空間中(40);移除該載體
(50);以及將第一電氣接觸層施加至半導體芯片的第一主面，以使得該第一電氣接觸層與電接觸元件中的每一個電連接(60 )。
[0016]上述方法的一個實質方面是:可以借助于芯片嵌入技術(特別地，擴展的晶片級技術)來執行對半導體芯片進行布置和電接觸。可以在半導體晶片上預先制造半導體芯片，并且然后從半導體晶片切掉半導體芯片，以使得這些半導體芯片可以被提供作為分離的且可自由操控的芯片。然后可以將這些芯片放置在載體上。該芯片可以相對較小，即，包括具有處于Imm和5mm之間的范圍內的長度的側邊緣。因此，該方法的一個基本構思是不使用一個大半導體芯片和將該大芯片的部分并聯電連接，而是代之以使用多個小半導體芯片并且借助于芯片嵌入技術(特別地，擴展的晶片級封裝技術)將它們并聯電連接。因此，該方法的一個優點是可以以下面這樣的方式來選擇半導體芯片:在該多個半導體芯片內，將存在關于比如例如輸入電阻RON和擊穿電壓之類的特性參數的高程度的同質性。因此，通過上述方法，可以獲得生產收益的總體增加。此外，通過使用許多小半導體芯片而不是一個大芯片，可以減小芯片和金屬接觸部之間的總體熱機械應力。
[0017]在電子模塊內，半導體芯片可以是相同的。它們可以是功率晶體管芯片、場效應晶體管芯片、垂直晶體管芯片和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片、門極可關斷晶閘管(GTO)芯片和平面晶體管芯片中的一個或多個。特別地，芯片可以包括第一和第二主面中的每一個上的接觸元件。更具體地，芯片可以包括第一主面處的一個電接觸元件和第二主面處的兩個電接觸元件。
[0018]芯片可以以矩陣的形式被放置在載體上，其中相同數目的芯片可以沿著該矩陣的行和列而被布置。
[0019]材料層可以是通常在半導體芯片封裝技術中使用的任何種類的包裝層。特別地，該材料層可以包括環氧材料(特別地，b級環氧材料)、丙烯酸鹽材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料和PBO材料中的一個或多個。
[0020]第一和第二電氣接觸層可以通過流電或電化學沉積或等離子體塵埃沉積而被沉積?？梢允褂勉~或銅合金，作為第一和第二電氣接觸層的材料。
[0021]參考圖2A-D，示出了用于示意根據本公開的用于制造電子模塊的方法的示意性橫截面側視圖表示。根據圖2A，可以提供載體1，并且在該載體I的上表面上，可以以矩陣的形式將多個半導體芯片2布置為例如3X3矩陣。該半導體芯片2可以例如是比如IGBT芯片之類的垂直晶體管芯片。該半導體芯片中的每一個可以包括第二主面上的兩個接觸焊盤2A和2B以及與該第二主面相對的第一主面上的一個接觸焊盤2C。分別地，接觸焊盤2A和2B可以是IGBT的源極和柵極接觸部，并且接觸焊盤2C可以是IGBT的漏極接觸部?？梢越柚诔Ｓ玫氖叭『头胖眉夹g將半導體芯片放置和粘附在載體I上。在將半導體芯片2放置在載體I上之后，可以按照下面這樣的方式將材料層3施加到半導體芯片2上:該材料層3被填充到相鄰半導體芯片2之間的中間空間中并且還覆蓋半導體芯片2的上部第一主面。材料層3可以例如由環氧材料組成。
[0022]在下面的圖2B-2D中，將示出第一電氣接觸層6和第二電氣接觸層5的施加。圖2B示出在移除載體I以及施加包括部分層5A和5B的第二電氣接觸層5和重分布層4之后的中間產品。歸因于材料層3的施加和后續硬化，產生半導體芯片面板，該半導體芯片面板單獨從材料層3得到其硬度，以使得載體I可以被移除。此后，將重分布層4施加至半導體芯片面板的下表面并且因此還施加至半導體芯片2的第二下表面。重分布層4服務于將各個半導體芯片2的接觸焊盤2A和2B與第二電氣接觸層5 (B卩，與其部分層5A和5B中的一個)電連接的目的。重分布層4可以包括金屬化層4A和絕緣層4B。金屬化層4A可以包括布置在第一接觸焊盤2A下面且與其連接的第一區域4A.1和布置在第二接觸焊盤2B下面且與其連接的第二區域4A.2。絕緣層4B可以例如由聚酰亞胺層或者由環氧層或環氧箔制成并且被沉積在金屬化層4A上。如將在圖3A-C中以一些更多細節示出的那樣，絕緣層4B可以包含將第二區域4A.2中的每一個與第二電氣接觸層5的部分層5B相連接的電跡線。第二電氣接觸層5可以通過流電沉積、或者可替換地通過等離子體塵埃沉積、或者可替換地通過印刷的燒結漿料(比如例如印刷的燒結銀漿料)而被沉積到絕緣層4B上。
[0023]圖2C示出在將材料層3的上部分向下移除到半導體芯片2的第一表面直到接觸焊盤2C被暴露之后的半導體芯片面板?？梢酝ㄟ^例如研磨來執行對材料層3的該上部分的移除。
[0024]圖2D示出在將第一電氣接觸層6沉積到半導體芯片面板的上表面上之后的半導體芯片面板。第一電氣接觸層6也可以借助于流電沉積、或者可替換地通過等離子體塵埃沉積、或者可替換地通過印刷的燒結漿料(比如例如印刷的燒結銀漿料)而被沉積。
[0025]參考圖3A-C，示出了用于示意將接觸焊盤2A和2B與第二電氣接觸層5的部分層5A和5B電連接的方式的如圖2D中所指定的平面A-C的橫截面表示。圖3A示出接觸焊盤2A和2B。圖3B示出由第一區域4A.1和4A.2構成的金屬化層4A，其中，分別地，第一區域4A.1與半導體芯片2的第一接觸焊盤2A連接，并且第二區域4A.2與半導體芯片2的第二接觸焊盤2B連接。圖3B還示出將金屬化層4A的第二區域4A.2中的每一個與電直通連接4B.2相連接的多個電跡線4B.1，所述電直通連接4B.2與第二電氣接觸層5的部分層5B連接。圖3C最終示出沿著由第一部分層5A和第二部分層5B構成的第二電氣接觸層5的平面的橫截面。絕緣層4B進一步包含用于將金屬化層4A的第一區域4A.1中的每一個與第二電氣接觸層5的第一部分層5A相連接的電直通連接。
[0026]還有可能的是，半導體芯片使得它們僅在它們的主表面之一上具有接觸焊盤，并且電氣接觸層僅被施加至該特定主表面。該電氣接觸層可以像圖2A-D的第一和第二接觸層6和5中的一個那樣被制造和結構化。如果在該半導體芯片的主表面上存在多于兩個接觸焊盤要被連接到電氣接觸層的部分層，則電氣接觸層還可以具有多于兩個部分層。
[0027]參考圖4A-D，示出了用于示意根據本公開的用于制造電子模塊的方法的示意性橫截面側視圖表示。在下文中，僅示意相對于圖2A-D中所示的實施例的區別。關于其他部分，對圖2A-D的上面的描述進行參考。圖4A-D的實施例的一個實質方面是:使用可由垂直晶體管芯片組成的半導體芯片42，其中，然而，未在芯片42的第一上表面上制造接觸焊盤。該半導體芯片42可以例如由IGBT芯片(諸如在圖2A-D中使用的那些)組成。然而，該半導體芯片42僅在第二下表面(特別地，源極和柵極接觸部)上具有接觸焊盤42A和42B。在移除載體41并且研磨材料層43的上部分直到半導體芯片42的上表面之后，在半導體芯片42的第一上表面上制造接觸焊盤42C (特別地，漏極接觸部)，并且此后將第一電氣接觸層46沉積到半導體芯片面板的上表面上并因此也沉積在半導體芯片42的接觸焊盤42C上。還有可能的是，在制造接觸焊盤42C之前，可以在半導體芯片42中的每一個上執行離子植入步驟，作為在半導體芯片42內制造垂直晶體管結構的最后步驟。重分布層44和第二電氣接觸層45分別對應于圖2A-D的重分布層4和第二電氣接觸層5。
[0028]參考圖5A、B，示出了根據本公開的電子模塊的頂視圖表示(A)和橫截面側視圖表不(B)。圖5的電子模塊500包括:多個半導體芯片502,每一個都包括第一主面和與該第一主面相對的第二主面；被設置在相鄰半導體芯片502之間的中間空間中的材料層503 ;被設置在半導體芯片502的第二主面上的第二電氣接觸層505 ；以及被設置在半導體芯片502的第一主面上的第一電氣接觸層506。
[0029]半導體芯片502可以是功率晶體管或高電壓晶體管芯片中的一個或多個，其中，術語高電壓可以具有高于例如100V的電壓的含義。半導體芯片可以由場效應晶體管芯片、垂直晶體管芯片、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片、門極可關斷(GTO)晶閘管芯片和平面晶體管芯片中的一個或多個組成。特別地，該半導體芯片502可以在功能和結構上相同并且特別地可以以相同的方式來制造。還有可能的是，如圖5A中示出的矩陣的芯片中的至少一個與其他芯片不同并且可以實現不同的功能。這一個半導體芯片可以例如由可被采用以控制半導體芯片502的操作的邏輯芯片組成。
[0030]圖5的電子模塊500還可以包括重分布層504,重分布層504可以包含金屬化層504A和絕緣層504B。金屬化層504A可以包含第一區域504A.1和第二區域504A.2，其中，分別地，第一區域504A.1與接觸焊盤502A連接，并且第二區域504A.2與接觸焊盤502B連接。絕緣層504B可以包含將第二區域502B與第二電氣接觸層505的第二部分層505B相連接的電跡線。隨同本文結合圖2A-D對上面的解釋進行參考。
[0031]分別地，半導體芯片502可以由IGBT芯片組成，并且芯片502的第一主面上的接觸焊盤502C可以由漏極接觸部組成，并且電接觸焊盤52A可以由源極接觸部組成，并且電接觸焊盤52B可以由IGBT芯片的柵極接觸部組成。圖5A、B的電子模塊500的一個重要方面是:所有漏極接觸部502C可以被電連接到一個電氣層506，所有源極接觸部52A可以被電連接到一個電氣層505A，并且所有柵極接觸部52B可以被電連接到一個電氣層505B。
[0032]圖5A、B的電子模塊500的另一個重要方面是:所有半導體芯片502可以從所有四個側分別被嵌入在材料層503中，以使得半導體芯片502的所有四個側面被材料層503覆
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[0033]隨同本文應當注意的是，可以將電子模塊500的另外的特定實施例與如上面結合圖1-4中的一個所描述的特定特征和實施例一起形成。
[0034]盡管已經關于一個或多個實施方式示意和描述了本發明，但是在不偏離所附權利要求的精神和范圍的情況下，可以對所示意的示例做出變更和/或修改。特別地，關于通過上述部件或結構(組件、器件、電路、系統等等)而執行的各種功能，除非以其他方式指示，用來描述這樣的部件的術語(包括對“裝置”的參考)意圖對應于執行所描述的部件的指定功能的任何部件或結構(例如，其在功能上等效)，即使與執行本發明的在本文中示意的示例性實施方式中的功能的所公開的結構在結構上不等效。
【權利要求】
1.一種用于制造電子模塊的方法，該方法包括: 提供載體； 提供多個半導體芯片，每一個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述第一主面包括至少一個電接觸元件； 將所述多個半導體芯片放置在所述載體上； 將材料層施加到相鄰半導體芯片之間的中間空間中； 移除所述載體；以及 將第一電氣接觸層施加至所述半導體芯片的第一主面，以使得所述第一電氣接觸層與所述電接觸元件中的每一個電連接。
2.根據權利要求1所述的方法，其中提供多個半導體芯片包括提供多個下述各項中的一項或多項:功率晶體管芯片、場效應晶體管芯片、垂直晶體管芯片、絕緣柵雙極型晶體管IGBT芯片、和門極可關斷晶閘管芯片。
3.根據權利要求1所述的方法，其中提供多個半導體芯片包括提供包括所述第二主面處的兩個電接觸元件和所述第一主面處的一個電接觸元件的芯片。
4.根據權利要求1所述的方法，其中: 放置所述多個半導體芯片包括將所述多個芯片以矩陣的形式放置在所述載體上。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述材料層包括從由下述各項構成的組中選擇的一個或多個材料:環氧材料、丙烯酸鹽材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料和PBO材料。
6.根據權利要求1所述的方法，其中施加材料包括: 將所述材料層施加到相鄰半導體芯片之間的中間空間中并且施加到所述半導體芯片的第一主面上；以及 從所述半導體芯片的第一主面上移除所述材料層。
7.根據權利要求6所述的方法，其中從所述半導體芯片的第一主面上移除所述材料層包括碾磨、銑削、蝕刻和化學機械拋光CMP中的一個或多個。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體芯片中的每一個都包括所述第二主面處的第一電接觸元件和第二電接觸元件，所述方法還包括: 通過施加與第一電接觸元件相連接的第一部分層和與第二電接觸元件相連接的第二部分層來將第二電氣接觸層施加至所述第二主面。
9.根據權利要求8所述的方法，還包括: 在所述半導體芯片的第二主面上施加重分布層，其中所述重分布層包括金屬化層和絕緣層，所述金屬化層包括第一金屬化區域和第二金屬化區域，所述第一金屬化區域中的每一個與所述第一電接觸元件中的一個連接，并且所述第二金屬化區域中的每一個與所述第二電接觸元件中的一個連接，并且所述第一金屬化區域中的每一個與所述第一部分層連接，并且所述第二金屬化區域中的每一個與所述第二部分層連接。
10.根據權利要求8所述的方法，其中施加第一部分層和第二部分層包括流電沉積、等離子體塵埃沉積和印刷的燒結漿料的沉積中的一個或多個。
11.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一部分層和所述第二部分層包括銅或銅合金
12.根據權利要求1所述的方法，其中施加第一電氣接觸層包括在所述半導體芯片的第一主面上施加鄰接的金屬層或金屬包含層。
13.根據權利要求1所述的方法，其中施加第一電氣接觸層包括流電沉積、等離子體塵埃沉積和印刷的燒結漿料的沉積中的一個或多個。
14.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一電氣接觸層包括銅或銅合金。
15.—種用于制造電子模塊的方法,該方法包括: 提供載體； 提供多個半導體芯片，每一個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面； 將所述多個半導體芯片放置在所述載體上； 將材料層施加到相鄰半導體芯片之間的中間空間中； 移除所述載體；以及 將電氣接觸層施加至所述半導體芯片的第一主面或第二主面中的一個。
16.—種電子模塊,包括: 多個半導體芯片，每個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述第一主面包括至少一個電接觸元件； 材料層，被設置在相鄰半導體芯片之間的中間空間中；以及 第一電氣接觸層，被設置在所述半導體芯片的第一主面上，以使得所述第一電氣接觸層與所述電接觸元件中的每一個電連接。
17.根據權利要求16所述的電子模塊，其中所述多個半導體芯片包括多個下述各項中的一項或多項:功率晶體管芯片、場效應晶體管芯片、垂直晶體管芯片、絕緣柵雙極型晶體管IGBT芯片、和門極可關斷晶閘管芯片。
18.根據權利要求16所述的電子模塊，其中所述多個半導體芯片包括下述芯片:該芯片包括所述第二主面處的兩個電接觸元件和所述第一主面處的一個電接觸元件。
19.根據權利要求16所述的電子模塊，其中所述多個半導體芯片以矩陣的形式被布置。
20.根據權利要求16所述的電子模塊，其中所述材料層包括從由下述各項構成的組中選擇的一個或多個材料:環氧材料、丙烯酸鹽材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料和PBO材料。
21.根據權利要求16所述的電子模塊，其中所述半導體芯片中的每一個都包括所述第二主面處的第一電接觸元件和第二電接觸元件，所述電子模塊還包括: 第二電氣接觸層，其被設置在所述半導體芯片的第二主面上，并且包括與所述第一電接觸元件連接的第一部分層和與所述第二電接觸元件連接的第二部分層。
22.根據權利要求21所述的電子模塊，其中所述第一部分層和所述第二部分層是通過流電沉積、等離子體塵埃沉積和印刷的燒結漿料的沉積中的一個或多個來沉積的。
23.根據權利要求21所述的電子模塊，其中所述第一部分層和所述第二部分層包括銅或銅合金。
24.根據權利要求16所述的電子模塊，其中所述半導體芯片中的每一個包括所述第一主面處的一個電接觸元件，以及 所述第一電氣接觸層包括處于所述半導體芯片的第一主面上的鄰接的金屬層或金屬包含層。
25.根據權利要求24所述的電子模塊，其中所述第一電氣接觸層是通過流電沉積、等離子體塵埃沉積和印刷的燒結漿料的沉積中的一個或多個來沉積的。
26.根據權利要求24所述的電子模塊，其中所述第一電氣接觸層包括銅或銅合金。
27.—種電子模塊,包括: 多個半導體芯片，每一個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面； 材料層，被設置在相鄰半導體芯片之間的中間空間中；以及 電氣接觸層，被設置在所述半導體芯片的第一主面或第二主面中的一個上。
28.一種用于制造電子模塊的方法，該方法包括: 提供多個半導體芯片，每個半導體芯片包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述第一主面包括至少一個電接觸元件； 在相鄰半導體芯片之間的中間空間中形成材料層；以及 在所述半導體芯片的第一主面上形成第一電氣接觸層，以使得所述第一電氣接觸層與所述電接觸元件中的每一個電接觸。
29.根據權利要求28所述的方法，其中所述多個半導體芯片包括多個下述各項中的一項或多項:功率晶體管芯片、場效應晶體管芯片、垂直晶體管芯片、絕緣柵雙極型晶體管IGBT芯片、和門極可關斷晶閘管芯片。
30.根據權利要求28所述的`方法，其中所述多個半導體芯片包括下述芯片:該芯片包括所述第二主面處的兩個電接觸元件和所述第一主面處的一個電接觸元件。
31.根據權利要求28所述的方法，其中所述多個半導體芯片以矩陣的形式被布置。
32.根據權利要求28所述的方法，其中所述材料層包括從由下述各項構成的組中選擇的一個或多個材料:環氧材料、丙烯酸鹽材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料和PBO材料。
33.根據權利要求28所述的方法，其中所述半導體芯片中的每一個都包括所述第二主面處的第一電接觸元件和第二電接觸元件，該方法還包括: 在所述半導體芯片的第二主面上形成第二電氣接觸層，所述第二電氣層包括與所述第一電接觸元件連接的第一部分層和與所述第二電接觸元件連接的第二部分層。
34.根據權利要求33所述的方法，其中所述第一部分層和所述第二部分層是通過流電沉積、等離子體塵埃沉積和印刷的燒結漿料的沉積中的一個或多個來沉積的。
35.根據權利要求33所述的方法，其中所述第一部分層和所述第二部分層包括銅或銅I=1-Wl O
36.根據權利要求28所述的方法，其中所述半導體芯片中的每一個都包括所述第一主面處的一個電接觸元件，以及 所述第一電氣接觸層包括處于所述半導體芯片的第一主面上的鄰接的金屬層或金屬包含層。
37.根據權利要求36所述的方法，其中所述第一電氣接觸層是通過流電沉積、等離子體塵埃沉積和印刷的燒結漿料的沉積中的一個或多個來沉積的。
38.根據權利要求36所述的方法，其中所述第一電氣接觸層包括銅或銅合金。
39.一種用于制造電子模塊的方法，該方法包括: 提供多個半導體芯片，每一個半導體芯片都包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面； 在相鄰半導體芯片之間的中間空間中形成材料層；以及 在所述半導體芯片的 第一主面或第二主面中的一個上形成電氣接觸層。
【文檔編號】H01L21/60GK103632989SQ201310366084
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月21日 優先權日:2012年8月21日
【發明者】G.貝爾, I.埃舍爾-佩佩爾, E.菲爾古特 申請人:英飛凌科技股份有限公司