技術特征：
1.一種半導體器件，包括：半導體層；保護層，包括透明材料；以及透明樹脂層，密封所述半導體層和所述保護層之間的間隙，其中，楊氏模量比所述透明樹脂層高的防碎部件被形成為與分割前的層結構的切割部分中的所述半導體層接觸，并且在用于所述分割的所述切割部分中執行切割。2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述透明樹脂層被插入在所述防碎部件和所述保護層之間。3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，切割前的所述防碎部件的寬度被設置為在用于切割所述防碎部件的切割刀片的厚度B的1.5倍至3.0倍的范圍內，以及其中，所述分割后的所述防碎部件的寬度被設置為在B/2至3B/2的范圍內。4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述透明樹脂層的楊氏模量被設置為等于或小于1.5Gpa，以及其中，所述防碎部件的楊氏模量被設置為等于或大于2.5Gpa。5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述防碎部件包括樹脂。6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述防碎部件包括任何硅氧烷基樹脂、丙烯酸基樹脂和環氧基樹脂。7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述防碎部件的樹脂材料包含填充物。8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述保護層包括玻璃。9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述保護層包括Si基材料。10.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：形成分割前的層結構，其中，半導體層和包括透明材料的保護層之間的間隙以晶片級被透明樹脂密封，從而使得楊氏模量比透明樹脂層高的防碎部件被形成為與用于所述分割的切割部分中的所述半導體層接觸；以及在所述切割部分中對所述分割前的所述層結構進行切割，所述切割部分在形成所述分割前的所述層結構的步驟中形成。