技術總結
本發明涉及半導體器件以及制造半導體器件的方法。提供了一種半導體器件，包括半導體層；包括透明材料的保護層；以及密封半導體層和保護層之間的間隙的透明樹脂層。楊氏模量比透明樹脂層高的防碎部件被形成為與分割前的層結構的切割部分中的半導體層，并且在用于分割的所述切割部分中執行切割。

技術研發人員：高地泰三;脅山悟
受保護的技術使用者：索尼公司
文檔號碼：201310367773
技術研發日：2013.08.21
技術公布日：2017.06.16