制造半導體器件的方法
制造半導體器件的方法
【專利摘要】目的在于增強組裝半導體器件的可靠性。提供有一種布線襯底，該布線襯底包括目標標記，該目標標記不設置在劃片區域的延伸線上，而設置在劃片區域的延伸線與第一最外外圍焊區行的第一虛構延伸線之間以及劃片區域的延伸線與第二最外外圍焊區行的第二虛構延伸線之間，劃片區域設置在第一半導體器件區域和第二半導體器件區域之間。此外，在安裝半導體芯片之后，執行接線鍵合、執行樹脂密封和安裝焊料球。此后，基于目標標記指定劃片區域并且沿著劃片區域切割布線襯底。
【專利說明】制造半導體器件的方法
[0001]相關申請的相交引用
[0002]這里通過引用并入2013年7月26日提交的日本專利申請N0.2013-155546的全部公開內容，包括說明書、附圖和摘要。
【技術領域】
[0003]本發明涉及制造半導體器件的技術，例如涉及包括布線襯底的半導體器件的組裝，在該布線襯底上在其外圍部分中形成目標標記。
【背景技術】
[0004]在日本專利公開N0.2008-34681(專利文獻I)中，描述了一種涉及布線襯底(多層襯底)的技術，在該布線襯底上在其外圍部分(定位在多個器件區周圍的部分)中的每個劃片區域(劃線區域、切割區域)的延伸線上形成目標標記(目標圖案)(例如參見專利文獻I的圖16和圖18)。
[0005][專利文獻]
[0006][專利文獻I]日本專利公開N0.2008-34681
[0007]根據本發明人的研究，例如專利文獻I中圖18所示，目標標記(目標標記的至少一部分)存在于布線襯底的劃片區域的延伸線上。此外，已知當在布線襯底的切割工藝(劃片工藝)中使用的劃片刀(可旋轉切割刀)磨損時，如本申請的圖34至圖36所示產生由目標標記42的一部分形成的雜質(廢物)43。
【發明內容】
[0008]與此同時，由于雜質43的產生是降低半導體器件的可靠性的因素，所以需要抑制雜質43的產生。
[0009]根據本說明書的描述和附圖，其它目的和新特征將變得清楚。
[0010]在根據一個實施例的制造半導體器件的方法中，提供有一種布線襯底，該布線襯底包括:第一器件區域和第二器件區域，設置在下表面上；劃片區域，設置在第一器件區域和第二器件區域之間；以及目標標記，未設置在劃片區域的延伸線上，而是設置在劃片區域的延伸線與第一最外外圍凸塊焊區行的延伸線之間。此外，在制造半導體器件的方法中，將第一半導體芯片安裝在第一上表面側器件區中，將第二半導體芯片安裝在第二上表面側器件區中，并且此后利用樹脂密封第一半導體芯片和第二半導體芯片。此外，在制造半導體器件的方法中，在分別形成多個第一外部端子和多個第二外部端子之后，在第一凸塊焊區和第二凸塊焊區上，基于目標標記指定劃片區域，并且通過使用劃片刀沿著劃片區域切割布線襯底。
[0011]根據上述實施例，可以實現組裝半導體器件時可靠性的增強。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1是示出一個實施例的半導體器件的結構示例的平面圖；
[0013]圖2是示出圖1的半導體器件的結構示例的后視圖；
[0014]圖3是示出圖1的半導體器件的結構示例的截面圖；
[0015]圖4是示出圖1的半導體器件的結構示例的側視圖；
[0016]圖5是透過密封體的示出圖1的半導體器件結構的平面圖；
[0017]圖6是示出圖1的半導體器件的組裝過程示例的流程圖；
[0018]圖7是示出在組裝圖1的半導體器件時使用的布線襯底的芯片安裝表面側的結構不例的平面圖；
[0019]圖8是示出在組裝圖1的半導體器件時使用的布線襯底的安裝表面側的結構示例的后視圖；
[0020]圖9是示出圖8中的放大方式的A部分的局部放大平面圖；
[0021]圖10是示出圖9中襯底區域中的回刻蝕之后的布線圖案示例的局部放大平面圖；
[0022]圖11是示出沿著圖10的A-A線切割的結構示例的局部截面圖；
[0023]圖12是示出在組裝圖1的半導體器件I的襯底制備工藝中制備的布線襯底的結構示例的局部放大截面圖；
[0024]圖13是示出在組裝圖1的半導體器件中的裸片鍵合之后的結構示例的局部放大截面圖；
[0025]圖14是示出在組裝圖1的半導體器件中的接線鍵合之后的結構示例的局部放大截面圖；
[0026]圖15是示出圖12所示布線襯底的結構示例的局部放大平面圖；
[0027]圖16是示出在圖13所示的裸片鍵合之后襯底的整個結構的示例的平面圖；
[0028]圖17是示出在圖13所示的裸片鍵合之后的結構示例的局部放大平面圖；
[0029]圖18是示出在圖14所示的接線鍵合之后襯底的整個結構的示例的平面圖；
[0030]圖19是示出在圖14所示的接線鍵合之后的結構示例的局部放大平面圖；
[0031]圖20是示出在組裝圖1的半導體器件中的模制之后的結構示例的局部放大截面圖；
[0032]圖21是示出在組裝圖1的半導體器件中的球焊接之后的結構示例的局部放大截面圖；
[0033]圖22是透過密封體的示出在圖20所示的模制之后的結構示例的局部放大平面圖；
[0034]圖23是示出在組裝圖1的半導體器件中的單片化期間結構的示例的局部放大截面圖；
[0035]圖24是示出在組裝圖1的半導體器件中的單片化之后結構的示例的局部放大截面圖；
[0036]圖25是示出在圖23所示的單片化期間結構的示例的局部放大平面圖；
[0037]圖26是示出在圖20所示單片化期間安裝表面側的襯底結構(無回刻蝕)的示例的局部放大平面圖；
[0038]圖27是示出在沿著圖26的A-A線切割之后的結構示例的截面圖；
[0039]圖28是示出變型5中布線襯底的安裝表面側的結構的局部放大平面圖；
[0040]圖29是示出變型6中目標標記的結構的局部放大平面圖；
[0041]圖30是示出變型6中目標標記的另一結構的局部放大平面圖；
[0042]圖31是示出變型6中目標標記的另一結構的局部放大平面圖；
[0043]圖32是示出變型6中目標標記的另一結構的局部放大平面圖；
[0044]圖33是示出變型6中目標標記的另一結構的局部放大平面圖；
[0045]圖34是示出根據比較示例的切割襯底時的結構的局部截面圖；
[0046]圖35是示出根據比較示例的切割襯底時的結構的局部截面圖；以及
[0047]圖36是示出根據比較示例的切割襯底時的結構的局部截面圖。
【具體實施方式】
[0048]在下面的實施例中，除了具體需要時，否則原則上不重復相同或相似部分的說明。
[0049]此外，為方便起見，必要時將下列實施例劃分成多個部分或實施例地進行說明。除了特別清楚表明的情況外，它們并不是相互不相關，而是一個具有諸如是另一個的一些或全部的修改、細節和補充說明之類的關系。
[0050]在下列實施例中，當提及元件等的數目(包括數、數值、數量、范圍等)時，除了特別清楚指定它們的情況以及理論上它們清楚地限于特定數目的情況外，它們可以不限于特定數目，而是可以大于或小于該特定數目。
[0051]在下列實施例中，無需說，除了特別清晰指出、從理論角度認為明確是必不可少等的情況外，元件(包括要素步驟等)不一定是必不可少的。
[0052]在下列實施例中，無需說，當圍繞構成組件等提及“由A形成”、“由A制成”、“具有A”、“包含A”時，除了特別明確指出是單獨的構成組件的情況外，并不排除其它構成組件。類似地，在下列實施例中，當提及構成組件等的形狀、位置關系等時，除了特別明確指出的情況和從理論角度認為明確不正確的情況外，應包括與該形狀基本類似或相像的形狀。該論述也適用于上述的數值和范圍。
[0053]以下將基于【專利附圖】
【附圖說明】本發明的實施例。與此同時，在用于說明實施例的所有附圖中，相同的符號附接到具有相同功能的部件，并且省略其重復說明。為了使附圖明白易懂，即使是平面圖也可以附加陰影。
[0054](實施例)
[0055]<半導體器件>
[0056]圖1是示出實施例的半導體器件的結構示例的平面圖，圖2是示出圖1的半導體器件的結構示例的后視圖，圖3是示出圖1的半導體器件的結構示例的截面圖，圖4是示出圖1的半導體器件的結構示例的側視圖，圖5是透過密封體的示出圖1的半導體器件結構的平面圖。
[0057]圖1至圖5所示的本實施例的半導體器件是其中在布線襯底3上安裝(鍵合、耦合、安裝)半導體芯片2的半導體器件(半導體封裝)，并且是其中利用密封樹脂密封半導體芯片2的半導體器件。
[0058]與此同時，在本實施例中，將在采用其中設置在布線襯底3的下表面側上的多個外部端子是焊料球6的情況作為半導體器件的示例的同時給出說明。也就是，在本實施例中，將在采用BGA(球柵陣列)1作為半導體器件示例的同時給出說明。
[0059]此外，本實施例的BGA1是通過一次樹脂模制多個器件區域、使之經受球(外部端子)焊接、然后在其組裝中經劃片將其單片化而組裝的。
[0060]關于BGA1的配置，其包括半導體芯片2、支撐或安裝半導體芯片2的布線襯底3以及將暴露于半導體芯片2的表面(主表面)2b的多個電極2a電稱合到與之對應的布線襯底3的多個耦合端子(鍵合引線)15的多個鍵合接線(以下簡稱為接線)4。
[0061]此外，BGA1具有密封體5和多個焊料球6，密封體5覆蓋布線襯底3的包括半導體芯片2和接線4的上表面3a，多個焊料球6以區域陣列布局設置在布線襯底3的下表面3b上作為外部端子。
[0062]半導體芯片2是通過在半導體襯底(半導體晶片)的主表面上形成各種半導體元件或半導體集成電路并且然后在根據需要執行半導體襯底的背面研磨之后通過劃片等將半導體襯底分隔成每個半導體芯片2得到的，該半導體襯底在與其厚度相交的方向上具有規則方形(或可以是矩形)的平面形狀并且例如由單晶硅等形成。
[0063]此外，半導體芯片2還具有彼此面對的前表面(半導體元件形成側上的表面、主表面、上表面)2b和后表面(在與半導體元件形成側相對側上的表面、安裝表面、下表面)2c,半導體芯片2安裝(布置)在布線襯底3的上表面(芯片支撐表面)3a之上，使得半導體芯片2的表面2b面朝上，并且使得半導體芯片2的后表面2c經由粘附材料(裸片鍵合材料、接合材料)8粘附并固定到布線襯底3的上表面3a。
[0064]例如，可以使用膜狀(裸片鍵合膜、裸片附接膜)等的粘附材料或者絕緣或導電膏劑材料作為粘附材料8?？梢詫⒄掣讲牧?的厚度設定為例如約20 μ m到30 μ m。半導體芯片2具有暴露于其前表面2b的多個電極(鍵合焊盤、焊盤電極)2a，并且這些電極2a電耦合到形成在半導體芯片2的表面層部分內部或半導體芯片2的表面層部分中的半導體元件或半導體集成電路。
[0065]此外，布線襯底3具有作為一個主表面的上表面3a、作為與上表面3a相對表面的下表面3b、形成為暴露于上表面3a的耦合端子15以及形成為暴露于下表面3b的多個焊區(凸塊焊區、焊區部分)16。
[0066]布線襯底3具有絕緣基礎材料層(絕緣襯底、芯材料)11、形成在基礎材料層11的上表面側和下表面側上的導體層(導體圖案、導體膜圖案、布線層)12和作為形成為覆蓋導體層12的絕緣層(絕緣體層、絕緣膜)的焊料抗蝕劑層(絕緣膜、焊料抗蝕劑層)14。作為另一形式，布線襯底3也可以通過多層布線襯底形成，該多層布線襯底是通過疊置多個絕緣層和多個布線層形成的。
[0067]對導體層12進行構圖，并形成導體圖案用作布線襯底3的端子、布線或布線層。此夕卜，導體層12由導電材料形成并且可以例如通過鍍覆方法形成的銅薄膜等形成。
[0068]此外，在布線襯底3的上表面側上形成用于電耦合接線4的多個耦合端子(電極、鍵合引線、焊盤電極)15。另一方面，在布線襯底3的下表面側上形成用于連接焊料球6的多個導電焊區(電極、焊盤、端子)16。此外，電耦合基礎材料層11的上表面側上的耦合端子15和基礎材料層11的下表面側上的焊區16。
[0069]因此，半導體芯片2的電極2a經由多個接線4電耦合到布線襯底3的耦合端子15，并且經由布線襯底3的導體層12電耦合到布線襯底3的焊區16。
[0070]與此同時，接線4由諸如金接線之類的金屬細接線形成。
[0071]此外，焊料抗蝕劑層14具有如保護導體層12的絕緣層(絕緣膜)這樣的功能、由諸如有機樹脂材料之類的絕緣體材料形成、并且形成在基礎材料層11的上表面側和下表面側上使得覆蓋導體層12。與此同時，焊料抗蝕劑層14的厚度可以設定為例如約20 μ m到30 μ m。此外，經由粘附材料8在布線襯底3的上表面3a側上的焊料抗蝕劑層14之上安裝半導體芯片2。
[0072]此外，形成焊區16使得暴露于布線襯底3的下表面3b并且布置成陣列形狀，并且焊料球(球電極、突出電極、電極、外部端子、用于外部耦合的端子)6耦合(形成)到每個焊區16。因此，多個焊料球6以陣列形狀布置在布線襯底3的下表面3b上。
[0073]此外，焊料球6可以用作BGA1的外部端子(用于外部耦合的端子)。因此，本實施例的BGA1具有布線襯底3的下表面3b的、分別形成在焊區16之上的、用于外部耦合的多個端子(這里為焊料球6)。因此，半導體芯片2的電極2a經由接線4電耦合到布線襯底3的耦合端子15，并且經由布線襯底3的導體層12電耦合到布線襯底3的焊區16和連接到焊區16的焊料球6。
[0074]與此同時，這同樣適用于具有導體焊區的LGA(焊區柵格陣列)結構的半導體器件的情況，該導體焊區作為用于外部耦合的端子不連接到作為外部耦合端子的焊料球。
[0075]此外，接線4耦合到暴露于在布線襯底3的上表面側上形成的焊料抗蝕劑層14的開口的耦合端子15，并且為了使接線4到耦合端子15的耦合容易或可靠，在耦合端子15的上表面(接線4的耦合表面)上，形成金鍍層(或鎳鍍層(下層側)和金鍍層(上層側)的置層I吳)等。
[0076]而且，密封體(密封樹脂、密封樹脂部分、密封部分)5由諸如熱固化樹脂材料之類的樹脂材料形成，并且也可以包含填料等。例如，密封體5也可以使用包含填料的環氧樹脂等來形成。密封體5形成在布線襯底3的上表面3a之上，使得覆蓋半導體芯片2和接線4。也就是，密封體5形成在布線襯底3的上表面3a之上并且密封和保護半導體芯片2和接線4。
[0077]<制造半導體器件的方法>
[0078]圖6是示出圖1的半導體器件的組裝過程的示例的流程圖。
[0079]沿著圖6的流程圖將說明制造本實施例的半導體器件的方法。
[0080]1、提供襯底的工藝
[0081]圖7是示出在組裝圖1的半導體器件時使用的布線襯底的芯片安裝表面側的結構示例的平面圖，圖8是示出在組裝圖1的半導體器件時使用的布線襯底的安裝表面側的結構示例的后視圖，圖9是示出圖8中的放大方式的A部分的局部放大平面圖，圖10是示出圖9中襯底區域中的回刻蝕之后的布線圖案示例的局部放大平面圖，圖11是示出沿著圖10的A-A線切割的結構示例的局部截面圖。
[0082]首先，提供圖7和圖8所示的布線襯底(布線襯底母體)31 (圖6中的步驟S1)。通過使用布線襯底(布線襯底母體)31將給出實施例的說明，在該實施例中，如圖7和圖8所示提供多個半導體器件區域(器件區域、襯底區域、單元襯底區域)31b和32b以及設置在半導體器件區域31b和32b中的相鄰半導體器件區域之間的劃片區域(劃線區域、切割區域)。
[0083]這里，本實施例的布線襯底31是在圖3至圖5的每一個中所示的布線襯底3的母體。換言之，包括在半導體器件中的布線襯底3是布線襯底(布線襯底母體)31的一部分。因此，包括在半導體器件中的布線襯底3對應于在稍后將提及的切割工藝(單片化工藝)中通過切割布線襯底31分隔開的半導體器件區域31b。
[0084]與此同時，在本實施例中，將對在平面圖中以矩陣形狀(格柵形狀)提供將在布線襯底(布線襯底母體)31上設置的半導體器件區域31b給出說明，但該形狀并不限于此，可以按行設置該區域。
[0085]此外，在說明組裝工藝的細節時，將對如下這樣的實施例給出說明，其中在布置成矩陣形狀的半導體器件區域31b中采用例如定位在半導體器件區域31ba附近的半導體器件區域31ba(參見圖7和圖8)和半導體器件區域31bb作為代表。
[0086]布線襯底31包括上表面(芯片安裝表面)31a和在與上表面31a相對側上的下表面(安裝表面)32a。在上表面31a上，如圖7所示，設置有半導體器件區域(上表面側器件區域)31ba和設置在半導體器件區域31ba附近的半導體器件區域(上表面側器件區域)31bb。
[0087]此外，如稍后將提及的圖9和圖12所示，在半導體器件區域31ba和半導體器件區域31bb之間設置劃片區域(上表面側劃片區域)31c。
[0088]而且，在半導體器件區域31ba中，如圖7所示，設置多個耦合端子(鍵合引線、電極)15a。而且，在半導體器件區域31bb中，設置多個耦合端子(鍵合引線、電極)15b。此外，在上表面31a側上，形成焊料抗蝕劑層(絕緣膜)14 (參見圖3)，使得露出耦合端子15 (15a和 15b)。
[0089]另一方面，如圖8所示，下表面32a具有設置在圖7中重疊半導體器件區域31ba的位置中的半導體器件區域(器件區域)32ba和設置在圖7中重疊半導體器件區域31bb的位置中的半導體器件區域(器件區域)32bb。與此同時，在平面圖中，半導體器件區域(器件區域)32bb設置在半導體器件區域(器件區域)32ba附近。
[0090]此外，在下表面32a上，如圖9所示，在半導體器件區域32ba和半導體器件區域32bb之間設置劃片區域(劃線區域、切割區域)32c。
[0091]本實施例的劃片區域32c是設計成將利用在稍后將提及的切割工藝(參見稍后提及的圖23)中使用的劃片刀9切割(去除)的區域。因此，在本實施例中，劃片區域32c的寬度對應于劃片刀9的寬度，也就是圖9所示的刀寬度(切割寬度)32h。
[0092]然而，在一些情況下，由于布線襯底31的制造工藝中產生的絕緣膜(圖11所示的焊料抗蝕劑層14)的位置移位、將使用的劃片刀9的松散等，可以在從設計的劃片區域32c偏移一定程度的位置中執行切割。
[0093]此外，在本實施例的布線襯底31的下表面32a上，如圖8和圖9所示，圍繞半導體器件區域32ba和32bb以及劃片區域32c設置外圍部分(框架部分)32d。此外，在外圍部分(框架部分)32d中，設置目標標記(目標圖案)32e，該目標標記32e不設置在劃片區域32c的延長線L0上。
[0094]與此同時，在另一表達中，外圍部分(框架部分)32d是在平面圖中設置在半導體器件區域(器件區)32ba、半導體器件區域(器件區)32bb和劃片區域(劃線區域、切割區域)32c周圍的框架部分。換言之，外圍部分(框架部分)32d是平面圖中圍繞半導體器件區域(器件區)32ba、半導體器件區域(器件區)32bb和劃片區域32c的部分。
[0095]這里，目標標記32e是用于得到劃片線(切割部分)的指示符(標記)，在上述切割工工藝中上述劃片刀9沿著該劃片線行進，并且相應地，響應于將得到的每個劃片線并且在彼此面對的部分中，將成對的目標標記32e設置在劃片線的兩端處。
[0096]因此，在切割工藝中，通過圖像識別方法等識別目標標記32e來得到劃片線，并且基于識別結果，通過劃片刀9沿著劃片線的旋轉和行進執行切割。
[0097]此外，如圖8所示，在下表面32a上的半導體器件區域32ba和32bb的每一個中，形成焊區(凸塊焊區、電極)16。具體地，如圖9所示，在下表面32a上，形成以矩陣形狀設置在半導體器件區域32ba中的多個焊區(凸塊焊區、電極)16a、以矩陣形狀設置在半導體器件區域32bb中的多個焊區(凸塊焊區、電極)16b和圖11所示的形成在下表面32a側上使得露出焊區16a和16b的焊料抗蝕劑層(絕緣膜)14。
[0098]也就是，如圖8所示，在布線襯底31的下表面32a上，半導體器件區域32ba和32bb中的每一個在平面圖中是四邊形的，并且在半導體器件區域32ba和32bb中的每一個中，以矩陣形狀(格柵形狀)布置用于外部端子的焊區16。
[0099]在布線襯底31的下表面32a上的外圍部分32d中，設置有在半導體器件的組裝工藝中在制造襯底時使用的對準圖案32g、在傳送期間使用的定位孔33和導向孔34等。然而,可以不設置對準圖案32g。
[0100]另一方面，如圖7所示，在布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域3lba和31bb的每一個中，形成多個耦合端子15。具體地，在布線襯底31的上表面31a上，半導體器件區域31ba和31bb中的每一個在平面圖中是矩形的，并且沿著半導體器件區域31ba和31bb中的每一個的外圍部分(沿著四個邊)設置耦合端子15。
[0101]接下來，將詳細說明在布線襯底31的下表面32a上形成的目標標記32e。
[0102]如圖9所示，目標標記32e由導電部件(金屬)形成并且從布線襯底31的焊料抗蝕劑層14(參見圖11)的開口 32露出，使得可以識別圖像。也就是，目標標記32e是從焊料抗蝕劑層14的開口 32露出的部分，并且本實施例的目標標記32e由包含例如銅(Cu)作為主要組分的材料形成。
[0103]此外，布線襯底31的焊區16a具有布置在焊區16a中最外外圍行中的最外外圍焊區行(最外外圍凸塊焊區行)16c。與此同時，在圖9中，對最外外圍焊區行16c中的焊區16a附加陰影，并且最外外圍焊區行16c是最靠近劃片區域32c定位的焊區行。類似地，焊區16b具有布置在焊區16b中最外外圍行中的最外外圍焊區行(最外外圍凸塊焊區行)16d。與此同時，也對最外外圍焊區行16d中的焊區16b附加陰影，并且最外外圍焊區行16d也是最靠近劃片區域32c定位的焊區行。
[0104]此外，在平面圖中，本實施例的目標標記32e設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間以及劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間。
[0105]也就是，目標標記32e不設置在劃片區域32c的延伸線L0上，而設置在劃片區域32c的延伸線L0外部且在最外外圍焊區行16c和16d的虛構延伸線L1和L2內部。
[0106]這里，本實施例中的虛構延伸線L1是指接觸最靠近半導體器件區域32ba的焊區16a中最外外圍焊區行16c的焊區16a的劃片區域32c的部分的切線延伸上的虛構線。類似地，本實施例中的虛構延伸線L2是指接觸最靠近半導體器件區域32bb的焊區16b中最外外圍焊區行16d的焊區16b的劃片區域32c的部分的切線延伸上的虛構線。
[0107]本實施例的目標標記32e包括第一圖案32ea和第二圖案32eb，第二圖案32eb設置在第一圖案32ea附近并且與第一圖案32ea間隔開(分開)。
[0108]也就是，第一圖案32ea和第二圖案32eb彼此分開設置，使得劃片刀9在切割期間行進通過第一圖案32ea和第二圖案32eb之間的區域。因此，第一圖案32ea和第二圖案32eb之間的空間(分開距離)大于劃片區域32c的寬度(與圖案的延伸方向相交的方向上的長度或彼此相鄰的半導體器件區域之間的空間)。
[0109]因此，由于在切割期間劃片刀9不在目標標記32e上通過，所以劃片刀9從不切割劃片區域32c中的導電部件(金屬)，并且可以抑制圖36所示的雜質43的產生。
[0110]此外，當使用另一表達時,構成目標標記32e的第二圖案32eb和第一圖案32ea之間的空間小于最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間的空間。
[0111]因此，在本實施例的目標標記32e中，其在第一圖案32ea中的主要部分在平面圖中設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間。另一方面，目標標記32e在第二圖案32eb中的主要部分在平面圖中設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間。
[0112]與此同時，當針對目標標記32e采用電鍍方法時，圖10所示的用于鍍覆的饋線32i連接到目標標記32e并進行繪制。在這種情況下，當指定劃片區域32c時，通過主要部分執行識別。這里，第一圖案32ea和第二圖案32eb中的主要部分是指至少對于圖案的識別而言所必需的部分。
[0113]也就是，目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb是從布線襯底31的下表面32a側上形成的圖11中的焊料抗蝕劑層14的開口 32f露出的部分，但當圖10所示的用于鍍覆的饋線32i連接到目標標記32e時，不是暴露于開口 32f的所有圖案都必需是目標標記32e。也就是，在暴露于焊料抗蝕劑層14的開口 32f的圖案中，識別所必需的最小圖案部分可以被定義為目標標記32e。
[0114]例如，目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb中的每一個的主要部分的平面形狀優選地由矩形形成，該矩形具有在沿著劃片區域32c的延伸線L0的方向上延伸的長邊。
[0115]然而，在本實施例中，例如通過刻蝕形成目標標記32e，并且因而使目標標記32e的圖案的相應拐角圓化，但也在將形狀考慮為矩形的同時給出說明。
[0116]這里，在圖9所示的示例中，在平面圖中在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間設置第一圖案32ea，而在平面圖中在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間設置第二圖案32eb。
[0117]此外，本實施例的目標標記32e的第一圖案32ea由沿著劃片區域32c的延伸方向延伸的第一延伸部分32eaa和與第一延伸部分32eaa相交的第二延伸部分32eab構成。也就是，第一圖案32ea具有通過圖案的彼此相交得到的相交部分32eac。
[0118]另一方面，目標標記32e的第二圖案32eb也由沿著劃片區域32c的延伸方向延伸的第一延伸部分32eba和與第一延伸部分32eba相交的第二延伸部分32ebb以及通過第一延伸部分32eba和第二延伸部分32ebb的相交得到的相交部分32ebc構成。也就是，第二圖案32eb也具有通過圖案的彼此相交得到的相交部分32ebc。
[0119]如上所述，在本實施例的目標標記32e中，其第一圖案32ea和第二圖案32eb 二者分別具有相交部分32eac和32ebc。也就是，本實施例的目標標記32e具有包括相交部分32eac和32ebc的平面形狀。例如，目標標記具有十字形狀、Η字母形狀、T字母形狀等。
[0120]目標標記32e具有包括上述相交部分32eac和32ebc的形狀，并且在切割工藝中，當將識別目標標記32e時，識別相交部分32eac和32ebc，并且因而可以高精度地執行對布線襯底31的Θ移位的確定。此外，可以更高精度地執行對將利用劃片刀9切割的位置(線)的識別。
[0121]與此同時，目標標記32e中的相交部分并不必然設置在第一圖案32ea和第二圖案32eb 二者中，而可以設置在至少一個圖案中，或者第一圖案32ea和第二圖案32eb 二者可以不具有相交部分。
[0122]此外，如圖10和圖11所示，關于在本實施例中使用的布線襯底31，在其劃片區域32c中，通過刻蝕等去除用于鍍覆的饋線32i。具體地，在焊區16的每個表面上形成鍍膜，并且在形成鍍膜的工藝中，使用在劃片區域32c中形成的饋線32i形成鍍膜。與此同時，在形成上述鍍膜的工藝中，在布線襯底31的上表面之上形成焊料抗蝕劑層14。此外，在形成上述鍍膜之后，通過刻蝕等去除饋線32i和覆蓋饋線32i的焊料抗蝕劑層14。也就是，在組裝半導體器件時使用的布線襯底31中，先前已經去除設置在其劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線32i。因此，如圖11所示，劃片區域32c處于其中露出基礎材料層(絕緣層)11的表面的狀態中，該基礎材料層11定位于布線襯底31的上表面側上形成的焊料抗蝕劑層(絕緣膜、保護膜)14的下層(內部層)中。
[0123]〈從裸片鍵合工藝到切割工藝〉
[0124]圖12是示出在組裝圖1的半導體器件1的襯底制備工藝中制備的布線襯底的結構示例的局部放大截面圖，圖13是示出在組裝圖1的半導體器件中的裸片鍵合之后的結構示例的局部放大截面圖，圖14是示出在組裝圖1的半導體器件中的接線鍵合之后的結構示例的局部放大截面圖，圖15是示出圖12所示布線襯底的結構示例的局部放大平面圖。此夕卜，圖16是示出在圖13所示的裸片鍵合之后襯底的整個結構的示例的平面圖，圖17是示出在圖13所示的裸片鍵合之后的結構示例的局部放大平面圖，圖18是示出在圖14所示的接線鍵合之后襯底的整個結構的示例的平面圖，圖19是示出在圖14所示的接線鍵合之后的結構示例的局部放大平面圖。
[0125]此外，圖20是示出在組裝圖1的半導體器件中的模制之后的結構示例的局部放大截面圖，圖21是示出在組裝圖1的半導體器件中的球焊接之后的結構示例的局部放大截面圖。而且，圖22是透過密封體的示出在圖20所示的模制之后的結構示例的局部放大平面圖，圖23是示出在組裝圖1的半導體器件中的單片化期間結構的示例的局部放大截面圖，圖24是示出在組裝圖1的半導體器件中的單片化之后結構的示例的局部放大截面圖，圖25是示出在圖23所示的單片化期間結構的示例的局部放大平面圖。
[0126]與此同時，在圖12至圖14、圖20、圖21、圖23和圖24中，示出有同一區域(跨兩個半導體器件區域31ba(32ba)和31bb(32bb)延伸的區域)的相應工藝步驟中的截面，其中雖然是截面圖，但為了使附圖明白易懂省略陰影。
[0127]2.裸片鍵合工藝
[0128]在圖6的步驟S1中制備布線襯底(參見圖12和圖15)31之后，通過執行裸片鍵合工藝，經由如圖13、圖16和圖17所示的粘附材料8，在布線襯底31的上表面31a的半導體器件區域31ba之上安裝和鍵合半導體芯片2 (裸片鍵合、芯片安裝)(圖6中的步驟S2)。此外，經由粘附材料8在布線襯底31的半導體器件區域31bb之上安裝和鍵合半導體芯片7。
[0129]與此同時，作為粘附材料8，可以使用膏體狀粘附材料、膜狀粘附材料等。
[0130]3.接線鍵合工藝
[0131]如圖14、圖18和圖19所示，通過執行接線鍵合，經由接線4將半導體芯片2的每個電極2a電耦合到與此對應形成在布線襯底31上的耦合端子15(圖6中的步驟S3)。也就是，布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域31ba中的多個耦合端子15經由接線4電耦合到在其半導體器件區域31ba上鍵合的半導體芯片2的電極2a。類似地，耦合端子15經由接線4電耦合到在半導體器件區域31bb之上鍵合的半導體芯片7的電極7a。
[0132]4.密封工藝
[0133]接下來，如圖20和圖22所示，執行模制工藝(樹脂模制工藝，例如轉移模制工藝)。在本工藝中，形成有公共密封體(密封樹脂、密封部分、公共密封部分)13，該公共密封體13密封安裝在布線襯底31之上的多個半導體芯片2和7(圖6中的步驟S4)。也就是，本實施例的模制工藝采用MAP (模制陣列封裝)系統。
[0134]在步驟S4的模制工藝中，執行公共密封(公共模制)，其中利用密封樹脂公共地密封在布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域31ba和半導體器件區域31bb。也就是，在布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域31ba和半導體器件區域31bb的整個之上，形成公共密封體13以便覆蓋半導體器件區域31ba和31bb中的半導體芯片2和7以及接線4。
[0135]因此，形成公共密封體13以便覆蓋布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域31ba和31bb。形成公共密封體13的密封樹脂由諸如熱固化樹脂材料等的樹脂材料形成，并且也可以包含填料等。例如，公共密封體13可以通過使用包含填料的環氧樹脂形成。
[0136]與此同時，通過布線襯底31之上的布線襯底31和公共密封體13 (也包括密封在公共密封體13中的半導體芯片2和7以及接線4)，形成圖20所示的密封結構體(組裝體)17。也就是，將其中在多層布線襯底31之上形成公共密封體13的結構體稱為密封結構體17。
[0137]此外，通過本模制工藝的樹脂密封，在布線襯底31的上表面31a上，也利用公共密封體13密封其劃片區域31c的上側。
[0138]5.外部端子的形成工藝
[0139]如圖21所示，焊料球(外部端子、焊料材料、鍍膜)6作為導電部件連接到布線襯底31的下表面32a上的焊區(參見圖20)16(圖6中的步驟S5)。在步驟S5中的焊料球6的連接工藝中，例如使布線襯底31的下表面32a面朝上，將焊料球6a布置(安裝)在布線襯底31的下表面32a上的半導體器件區域32ba中的每個焊區16a之上，并利用焊劑等暫時固定，并且此外，將焊料球6b布置(安裝)在半導體器件區域32bb中的每個焊區16b之上并且利用焊劑等暫時固定。
[0140]然后，執行回流處理(焊料回流處理、熱處理)以使焊料熔融，并且因而可以將焊料球6a和6b分別與布線襯底31的下表面32a上的焊區16a和16b鍵合。此后，根據需要，也可以通過清洗工藝去除粘附到焊料球6表面的焊劑等。因而，鍵合(形成)焊料球6作為半導體器件的外部端子(用于外部耦合的端子)。
[0141]與此同時，在本實施例中，說明了其中鍵合焊料球6作為半導體器件的外部端子的情況，但情況并不限于此。例如，也可以代替焊料球6通過印制方法在焊區16之上供給焊料來形成由焊料構成的半導體器件的外部端子(凸塊電極、焊料凸塊)。在這種情況下，通過在布線襯底31的下表面32a之上的半導體器件區域32ba和32bb中的每個焊區16a和16b之上供給焊料，并且然后執行焊料回流處理，可以在每個焊區16之上形成由焊料構成的外部端子(凸塊電極、焊料凸塊)。
[0142]此外，關于半導體器件的外部端子(這里為焊料球6)的材料，可以使用含鉛焊料或不包含鉛的無鉛焊料，并且也可以通過鍍覆形成半導體器件的外部端子(凸塊電極)。
[0143]與此同時，當將使用焊料時，優選地使用基本不含鉛(Pb)的無鉛焊料，這也可以應對環境污染問題。這里，無鉛焊料是指其中鉛(Pb)含量為0.lwt%或更低并且該含量被定義為RoHS (有害物質禁用指令)指令標準的焊料。
[0144]接下來，根據需要，執行標記處理以將諸如產品號之類的標記附接在公共密封體13的上表面(表面)上(圖6中的步驟S6)。在步驟S6中，例如可應用通過激光器執行標記處理的激光標記，并且也可應用利用油墨執行標記處理的油墨標記。
[0145]6.切割工藝
[0146]首先，將使用圖23至圖25說明整個切割工藝。也就是，通過使用劃片刀(切割機、刀片)9等，沿著布線襯底31的下表面32a上的半導體器件區域32ba和半導體器件區域32bb之間的劃片區域(劃片線、相應半導體器件區域的邊界部分)32c，從布線襯底31的下表面32a側執行劃片(切割、修整)。因此，切割(分開)形成在劃片區域之上的公共密封體13和布線襯底31的一部分(對應于劃片區域的部分)(圖6中的步驟S7)。
[0147]例如，在步驟S7中，如圖23所示，可以在公共密封體13的上表面至固定帶(用于固定的帶、劃片帶)10的粘貼固定公共密封體13的狀態下執行通過劃片刀9的劃片工藝。
[0148]因此，沿著劃片區域32c切割公共密封體13和布線襯底31，并且將每個半導體器件區域切割和分隔成單獨(單片化)的半導體器件(BGA1)(單片化)。也就是，將公共密封體13和布線襯底31切割和分隔成相應的半導體器件區域，并且由半導體器件區域中的每一個形成BGA1。
[0149]可以通過上述的切割/單片化制造如圖1至圖5所示的BGA 1。
[0150]接下來將說明切割工藝的細節。
[0151]在布線襯底31的切割工藝(劃片工藝)中，基于圖9所示的目標標記(目標圖案)32e指定每個劃片區域32c，并且此后沿著劃片區域32c切割布線襯底31。這里，在本切割工藝中，使用圖25所示的劃片刀(可旋轉切割刀)9切割布線襯底31。
[0152]首先，利用圖像識別部分(諸如相機)檢查圖8所示的彼此面對的成對目標標記32e，并且基于檢查的目標標記32e識別劃片區域32c。此后，基于得到的劃片區域(劃片線)32c切割布線襯底31。此時，通過使用圖25所示的劃片刀(可旋轉切割刀)9，使劃片刀9從一個目標標記32e向另一目標標記32e行進。也就是，通過使劃片刀9沿著劃片區域32c行進，切割布線襯底31。
[0153]這里，劃片刀9具有作為圖9所示的刀寬度32h的劃片區域32c的寬度(第一寬度)。
[0154]本實施例提及的“使劃片刀9行進”是指，通過將劃片刀(可旋轉切割刀)9固定在預定位置中并移動未圖示的用于支撐(固定)布線襯底31的切割設備臺，將可旋轉切割刀插入到布線襯底31中并且因而執行布線襯底31的切割。在這種情況下，在本實施例中，由于公共密封安裝在布線襯底31之上的半導體芯片，所以不僅切割(去除)布線襯底31而且切割(去除)公共密封體13內待去除的重疊布線襯底31的劃片區域32c的部分。
[0155]與此同時，在本實施例中，檢查布線襯底31的所有目標標記32e并在指定相應劃片區域32c之后執行劃片，但方法并不限于此。指定劃片區域32c的一些部分并且然后在切割劃片區域32c之后指定后續的劃片區域32c也是可以的。
[0156]接下來將詳細說明本發明人發現的問題。
[0157]通過在切割工藝中重復劃片工藝，如圖34所示，劃片刀44的邊緣44a磨損(由虛線所示的部分)。此外，當劃片刀44磨損時，在劃片刀44的中心部分與形成在布線襯底41上的目標標記42的中心部分接觸之后，劃片刀44的邊緣44a與目標標記42的外圍部分接觸。
[0158]因此，如圖35所示，目標標記42的一部分被移出(drive out)到其外周。此外，如圖36所示，當劃片刀44進一步進入布線襯底41時，已經移出的目標標記42的一部分與目標標記42分開，由此成為雜質(金屬碎屑，金屬片)43。此后，產生的雜質43散布或粘附到劃片刀44的表面。
[0159]與此同時，同樣在雜質43粘附到劃片刀44的表面的情況下，當劃片刀44定位在彼此相鄰的器件區域(也就是，在劃片區域32c中)之間時雜質43可能從劃片刀44的表面剝離。此外，當雜質43在相應器件區(半導體器件區域)中的電極之間或外部端子之間延伸通過時，產生短路。而且，當如本實施例的情況那樣，雜質43是由銅(Cu)形成的金屬碎屑時，在后續清洗工藝中可能無法去除電極或外部端子之間粘附的金屬雜質(雜質43)。
[0160]然而，由于在本實施例的制造半導體器件的方法中無目標標記42設置在布線襯底31的劃片區域32c和其延伸線L0之上，所以當在切割工藝中使用劃片刀9執行切割時，劃片刀9從不在目標標記32e之上通過。
[0161]也就是，由于在切割工藝中劃片刀9從不切割未覆蓋有絕緣膜等的目標標記32e，所以即使劃片刀9的邊緣部分磨損時，目標標記32e(導電部件)也從不被移出，并且可以抑制由圖36所示的導電部件產生雜質43。
[0162]因此，由于在組裝BGA1時可以抑制短路等的產生，所以可以實現組裝BGA(半導體器件)1的可靠性的增強。
[0163]此外，如圖9所示，目標標記32e設置在最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間。因此，當檢查目標標記32e時可以使圖像識別區域變窄，并且作為結果，可以高精度(高分辨率)地執行當將識別目標標記32e時的圖像處理。
[0164]也就是，如果目標標記32e與半導體器件區域(或劃片區域32c)隔開太多，則需要當將檢查目標標記32e時的圖像識別區域寬，這使得圖像處理的識別精度(分辨率)為低。然而，在本實施例的制造半導體器件的方法中，可以如上所述高識別精度(高分辨率)地執行圖像處理。
[0165]因此，可以聞精度地執行布線襯底31的定位和劃片刀9的行進。
[0166]此外，如圖9所不，目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb分別具有相交部分32eac和32ebc，并且因而當在切割工藝中識別目標標記32e時，可以識別相交部分32eac和32ebc的拐角部分。
[0167]也就是，由于變得可以識別第一圖案32ea和第二圖案32eb中的X方向和與之相交的Y方向的相交點，所以可以更高精度地執行對布線襯底31的Θ移位的確定和對將利用劃片刀9切割的位置(線、劃片線)的識別。
[0168]此外，在目標標記32e中，由于第一圖案32ea和第二圖案32eb彼此分開并且分開的距離大于劃片刀9的寬度(刀寬度32h)，并且因而在切割中，劃片刀9可以在第一圖案32ea和第二圖案32eb之間穿過。也就是，如果不產生劃片刀9的移位，則劃片刀9既不與第一圖案32ea接觸也不與第二圖案32eb接觸。
[0169]因此，可以容易地執行切割之后的故障分析。也就是，工作人員可以利用眼睛容易地檢查劃片刀9是否根據設計在作為彼此面對的兩個圖案的第一圖案32ea和第二圖案32eb之間行進。
[0170]作為結果，在切割工藝中，變得可以通過給出對工作的快速反饋來響應異常值等的產生。
[0171]〈變型〉
[0172]以上盡管已經基于本發明的實施例具體地說明了本發明人實現的本發明，但無需說，本發明并不限于至此描述的實施例，而是可以在不偏離其宗旨的范圍內進行各種改變。
[0173](變型1)
[0174]在上述實施例中，作為制造半導體器件的方法，說明了采用MAP系統的組裝，但半導體器件的組裝并不限于MAP系統。也可以采用單獨模制系統的組裝，其中單獨地樹脂模制布線襯底中的單獨半導體器件區域，并且此后通過劃片的切割獲取單獨的半導體器件。
[0175](變型2)
[0176]在上述實施例中，作為半導體器件的示例，說明了具有焊料球6的BGA的情況，但半導體器件并不限于BGA的情況。上述半導體器件可以是LGA(焊區柵格陣列)，其中代替諸如焊料球6的突出形狀的導電部件，在焊區的表面上形成諸如鍍膜的導電部件，或者焊區的表面不覆蓋有導電部件。
[0177](變型3)
[0178]在上述實施例中，說明了其中在襯底制備工藝中制備的布線襯底31是其中在其劃片區域32c中通過刻蝕等預先去除用于鍍覆的饋線的襯底的情況，但可以在制備其中用于鍍覆的饋線設置在劃片區域32c中的狀態的布線襯底之后，通過刻蝕等去除劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線。
[0179](變型4)
[0180]圖26是示出在圖20所示單片化期間安裝表面側的襯底結構(無回刻蝕)的示例的局部放大平面圖，圖27是示出在沿著圖26的A-A線切割之后的結構示例的截面圖。
[0181]在上述實施例中，說明了其中在襯底制備工藝中制備的布線襯底31是其中在其劃片區域32c中預先去除用于鍍覆的饋線的襯底的情況，但如圖26和圖27所示，設置在劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線32i可以保留而不去除。
[0182]然而，在該情況中，必需利用焊料抗蝕劑層(絕緣膜、保護膜)14覆蓋設置在劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線32i。因此，與上述實施例中不同，如圖27所示，焊料抗蝕劑層(絕緣膜、保護膜)14不僅存在于相應器件區(相應半導體器件區域)之上，而且存在于劃片區域32c之上。
[0183]此外，由于設置在劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線32i覆蓋有焊料抗蝕劑層14，也就是，被焊料抗蝕劑層14壓住，所以即使在切割工藝中通過使用具有磨損邊緣的劃片刀9切割布線襯底31，饋線也不置于移出狀態，并且作為結果，不產生圖36所示的雜質43。
[0184](變型5)
[0185]圖28是示出變型5中布線襯底的安裝表面側的結構的局部放大平面圖。
[0186]在上述實施例中，說明了以下情況，其中目標標記32e不設置在劃片區域32c的延伸線L0上，而是在平面圖中被設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間以及被設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間。
[0187]然而，在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間以及在延伸線L0與虛構延伸線L2之間，僅需要布置至少識別構成目標標記32e的圖案所必需的主要部分便已足夠。
[0188]例如，當用于鍍覆的饋線32i耦合到目標標記32e時，如圖28所示的目標標記32e中與第一延伸部分(主要部分)32eaa相交的第二延伸部分32eab的一部分和與第一延伸部分(主要部分)32eba相交的第二延伸部分32ebb的一部分中的每一個可以跨虛構延伸線L1和L2在遠離延伸線L0的方向上延伸。
[0189](變型6)
[0190]圖29至圖33是示出變型6中的目標標記結構的局部放大平面圖。
[0191]在上述實施例中，目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb中的每一個分開地布置在劃片區域32c的延伸線L0的兩側上，而在圖29所示的示例中，第一圖案32ea和第二圖案32eb中的每一個僅設置在劃片區域32c的延伸線L0的一側上。
[0192]例如，在圖29所示的示例中，目標標記32e的第二圖案32eb設置在劃片區域32c的延伸線L0與圖28的最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間，并且第二圖案32eb包括第一延伸部分32eba和第二延伸部分32ebb。
[0193]因此，第二圖案32eb設置有相交部分32ebc。
[0194]即使在目標標記32e僅設置在劃片區域32c的延伸線L0的一側上的情況中，由于具有相交部分32ebc，也可以識別目標標記32e。
[0195]圖30所示的示例對應于如下情況:其中目標標記32e僅是沿著與劃片區域32c的延伸線L0相同的方向的第一延伸部分32eba。也就是，示例對應于其中目標標記32e是僅在一個方向延伸的第一延伸部分32eba的圖案的情況。
[0196]在該情況中，優選的是在焊料抗蝕劑層14的開口 32f的區域中布置第一延伸部分32eba的所有外圍部分(側)。該側或拐角的直立部分的識別使得目標標記32e的識別成為可能。
[0197]與此同時，在其中目標標記32e的所有外圍部分(側)布置在焊料抗蝕劑層14的開口 32f區域中的圖案的情況中，將通過非電鍍系統形成鍍覆。
[0198]圖31所示的示例對應于如下情況，其中目標標記32e設置在劃片區域32c的延伸線L0的兩側上并且由設置在一側上的第一圖案32ea和設置在另一側上的第二圖案32eb構成，其中這些圖案的尺寸彼此不同。
[0199]也就是，第一圖案32ea的尺寸和第二圖案32eb的尺寸可以彼此不同。在圖31所示的示例中，第一圖案32ea和第二圖案32eb 二者分別設置有相交部分32eac和32ebc，并且通過識別第一延伸部分32eaa和32eba或相交部分32eac和32ebc的每個長邊，可以更高精度地不僅識別目標標記32e，而且指定劃片線。
[0200]圖32所示的示例對應于如下情況，其中在目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb中的第一圖案32ea設置有相交部分32eac，并且第二圖案32eb大于第一圖案32ea，并且僅第二圖案32eb的一側布置在焊料抗蝕劑層14的開口 32f中。
[0201]同樣在目標標記32e的情況中，通過對第二圖案32eb的一側(長邊)的直立部分和第一圖案32ea的相交部分32eac的識別等，可以高精度地識別目標標記32e。
[0202]圖33所示的示例對應于如下情況，其中僅第二圖案32eb設置為目標標記32e并且僅第二圖案32eb的一側(長邊)暴露于焊料抗蝕劑層14的開口 32f。
[0203]同樣在該情況中，通過對第二圖案32eb的一側(長邊)的直立部分的識別，可以可靠地識別目標標記32e。
[0204](變型7)
[0205]此外，在不偏離上述實施例中說明的技術構思的宗旨的范圍內可以組合和應用每種變型。
【權利要求】
1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟: (a)提供布線襯底,所述布線襯底包括上表面、與所述上表面相對的下表面、設置在所述下表面上的第一器件區域、設置在所述下表面上且設置在所述第一器件區域附近的第二器件區域、設置在所述第一器件區域和所述第二器件區域之間的劃片區域、設置在所述下表面上并且設置在所述第一器件區域、所述第二器件區域和所述劃片區域周圍的外圍部分、設置在所述外圍部分中并且不設置在所述劃片區域的延伸線上的目標標記、以矩陣形狀設置在所述第一器件區域中的多個第一凸塊焊區、以矩陣形狀設置在所述第二器件區域中的多個第二凸塊焊區、以及形成在所述下表面之上使得露出所述第一凸塊焊區和所述第二凸塊焊區的絕緣膜；其中: 所述第一凸塊焊區具有第一最外外圍凸塊焊區行，所述第一最外外圍凸塊焊區行布置在所述第一凸塊焊區中的最外外圍行中并且最靠近所述劃片區域， 所述第二凸塊焊區具有第二最外外圍凸塊焊區行，所述第二最外外圍凸塊焊區行布置在所述第二凸塊焊區中的最外外圍行中并且最靠近所述劃片區域，以及 所述目標標記在平面圖中被設置在所述劃片區域的延伸線與所述第一最外外圍凸塊焊區行和所述第二最外外圍凸塊焊區行的延伸線中的每個延伸線之間， (b)在所述步驟(a)之后，將第一半導體芯片和第二半導體芯片中的每一個安裝在所述布線襯底的上表面上； (C)在所述步驟(b)之后，利用樹脂密封所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片； (d)在所述步驟(c)之后，分別在所述第一凸塊焊區和所述第二凸塊焊區上形成多個第一外部端子和多個第二外部端子；以及 (e)在所述步驟(d)之后，基于所述目標標記指定所述劃片區域，并且沿著所述劃片區域切割所述布線襯底，其中 在所述步驟(e)中，使用劃片刀切割所述布線襯底。
2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法， 其中在所述布線襯底的上表面之上形成絕緣膜； 其中在所述第一凸塊焊區和所述第二凸塊焊區的表面中的每個表面上形成鍍膜； 其中在形成所述鍍膜的步驟中，通過使用在所述劃片區域中形成的饋線來形成所述鍍膜；以及 其中在形成所述鍍膜之后，去除在所述布線襯底的所述劃片區域中形成的所述饋線和覆蓋所述饋線的所述絕緣膜。
3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法， 其中在所述布線襯底的劃片區域中，設置用于鍍覆以電連接到所述第一凸塊焊區中的每一個和所述第二凸塊焊區中的每一個的饋線；以及 其中所述饋線覆蓋有所述絕緣膜。
4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法， 其中所述目標標記包括第一圖案和第二圖案，所述第二圖案設置在所述第一圖案附近并且與所述第一圖案分開。
5.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法， 其中所述第一圖案和所述第二圖案的尺寸彼此不同。
6.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法， 其中所述第一圖案和所述第二圖案中的任一個具有第一延伸部分和第二延伸部分，所述第一延伸部分沿著所述劃片區域的延伸方向延伸，所述第二延伸部分與所述第一延伸部分相交。
7.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法， 其中所述第一圖案和所述第二圖案中的每一個具有第一延伸部分和第二延伸部分，所述第一延伸部分沿著所述劃片區域的延伸方向延伸，所述第二延伸部分與所述第一延伸部分相交。
【文檔編號】H01L21/58GK104347437SQ201410361182
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月25日 優先權日:2013年7月26日
【發明者】宮木美典, 山田勝 申請人:瑞薩電子株式會社
【專利摘要】目的在于增強組裝半導體器件的可靠性。提供有一種布線襯底，該布線襯底包括目標標記，該目標標記不設置在劃片區域的延伸線上，而設置在劃片區域的延伸線與第一最外外圍焊區行的第一虛構延伸線之間以及劃片區域的延伸線與第二最外外圍焊區行的第二虛構延伸線之間，劃片區域設置在第一半導體器件區域和第二半導體器件區域之間。此外，在安裝半導體芯片之后，執行接線鍵合、執行樹脂密封和安裝焊料球。此后，基于目標標記指定劃片區域并且沿著劃片區域切割布線襯底。
【專利說明】制造半導體器件的方法
[0001]相關申請的相交引用
[0002]這里通過引用并入2013年7月26日提交的日本專利申請N0.2013-155546的全部公開內容，包括說明書、附圖和摘要。
【技術領域】
[0003]本發明涉及制造半導體器件的技術，例如涉及包括布線襯底的半導體器件的組裝，在該布線襯底上在其外圍部分中形成目標標記。
【背景技術】
[0004]在日本專利公開N0.2008-34681(專利文獻I)中，描述了一種涉及布線襯底(多層襯底)的技術，在該布線襯底上在其外圍部分(定位在多個器件區周圍的部分)中的每個劃片區域(劃線區域、切割區域)的延伸線上形成目標標記(目標圖案)(例如參見專利文獻I的圖16和圖18)。
[0005][專利文獻]
[0006][專利文獻I]日本專利公開N0.2008-34681
[0007]根據本發明人的研究，例如專利文獻I中圖18所示，目標標記(目標標記的至少一部分)存在于布線襯底的劃片區域的延伸線上。此外，已知當在布線襯底的切割工藝(劃片工藝)中使用的劃片刀(可旋轉切割刀)磨損時，如本申請的圖34至圖36所示產生由目標標記42的一部分形成的雜質(廢物)43。
【發明內容】
[0008]與此同時，由于雜質43的產生是降低半導體器件的可靠性的因素，所以需要抑制雜質43的產生。
[0009]根據本說明書的描述和附圖，其它目的和新特征將變得清楚。
[0010]在根據一個實施例的制造半導體器件的方法中，提供有一種布線襯底，該布線襯底包括:第一器件區域和第二器件區域，設置在下表面上；劃片區域，設置在第一器件區域和第二器件區域之間；以及目標標記，未設置在劃片區域的延伸線上，而是設置在劃片區域的延伸線與第一最外外圍凸塊焊區行的延伸線之間。此外，在制造半導體器件的方法中，將第一半導體芯片安裝在第一上表面側器件區中，將第二半導體芯片安裝在第二上表面側器件區中，并且此后利用樹脂密封第一半導體芯片和第二半導體芯片。此外，在制造半導體器件的方法中，在分別形成多個第一外部端子和多個第二外部端子之后，在第一凸塊焊區和第二凸塊焊區上，基于目標標記指定劃片區域，并且通過使用劃片刀沿著劃片區域切割布線襯底。
[0011]根據上述實施例，可以實現組裝半導體器件時可靠性的增強。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1是示出一個實施例的半導體器件的結構示例的平面圖；
[0013]圖2是示出圖1的半導體器件的結構示例的后視圖；
[0014]圖3是示出圖1的半導體器件的結構示例的截面圖；
[0015]圖4是示出圖1的半導體器件的結構示例的側視圖；
[0016]圖5是透過密封體的示出圖1的半導體器件結構的平面圖；
[0017]圖6是示出圖1的半導體器件的組裝過程示例的流程圖；
[0018]圖7是示出在組裝圖1的半導體器件時使用的布線襯底的芯片安裝表面側的結構不例的平面圖；
[0019]圖8是示出在組裝圖1的半導體器件時使用的布線襯底的安裝表面側的結構示例的后視圖；
[0020]圖9是示出圖8中的放大方式的A部分的局部放大平面圖；
[0021]圖10是示出圖9中襯底區域中的回刻蝕之后的布線圖案示例的局部放大平面圖；
[0022]圖11是示出沿著圖10的A-A線切割的結構示例的局部截面圖；
[0023]圖12是示出在組裝圖1的半導體器件I的襯底制備工藝中制備的布線襯底的結構示例的局部放大截面圖；
[0024]圖13是示出在組裝圖1的半導體器件中的裸片鍵合之后的結構示例的局部放大截面圖；
[0025]圖14是示出在組裝圖1的半導體器件中的接線鍵合之后的結構示例的局部放大截面圖；
[0026]圖15是示出圖12所示布線襯底的結構示例的局部放大平面圖；
[0027]圖16是示出在圖13所示的裸片鍵合之后襯底的整個結構的示例的平面圖；
[0028]圖17是示出在圖13所示的裸片鍵合之后的結構示例的局部放大平面圖；
[0029]圖18是示出在圖14所示的接線鍵合之后襯底的整個結構的示例的平面圖；
[0030]圖19是示出在圖14所示的接線鍵合之后的結構示例的局部放大平面圖；
[0031]圖20是示出在組裝圖1的半導體器件中的模制之后的結構示例的局部放大截面圖；
[0032]圖21是示出在組裝圖1的半導體器件中的球焊接之后的結構示例的局部放大截面圖；
[0033]圖22是透過密封體的示出在圖20所示的模制之后的結構示例的局部放大平面圖；
[0034]圖23是示出在組裝圖1的半導體器件中的單片化期間結構的示例的局部放大截面圖；
[0035]圖24是示出在組裝圖1的半導體器件中的單片化之后結構的示例的局部放大截面圖；
[0036]圖25是示出在圖23所示的單片化期間結構的示例的局部放大平面圖；
[0037]圖26是示出在圖20所示單片化期間安裝表面側的襯底結構(無回刻蝕)的示例的局部放大平面圖；
[0038]圖27是示出在沿著圖26的A-A線切割之后的結構示例的截面圖；
[0039]圖28是示出變型5中布線襯底的安裝表面側的結構的局部放大平面圖；
[0040]圖29是示出變型6中目標標記的結構的局部放大平面圖；
[0041]圖30是示出變型6中目標標記的另一結構的局部放大平面圖；
[0042]圖31是示出變型6中目標標記的另一結構的局部放大平面圖；
[0043]圖32是示出變型6中目標標記的另一結構的局部放大平面圖；
[0044]圖33是示出變型6中目標標記的另一結構的局部放大平面圖；
[0045]圖34是示出根據比較示例的切割襯底時的結構的局部截面圖；
[0046]圖35是示出根據比較示例的切割襯底時的結構的局部截面圖；以及
[0047]圖36是示出根據比較示例的切割襯底時的結構的局部截面圖。
【具體實施方式】
[0048]在下面的實施例中，除了具體需要時，否則原則上不重復相同或相似部分的說明。
[0049]此外，為方便起見，必要時將下列實施例劃分成多個部分或實施例地進行說明。除了特別清楚表明的情況外，它們并不是相互不相關，而是一個具有諸如是另一個的一些或全部的修改、細節和補充說明之類的關系。
[0050]在下列實施例中，當提及元件等的數目(包括數、數值、數量、范圍等)時，除了特別清楚指定它們的情況以及理論上它們清楚地限于特定數目的情況外，它們可以不限于特定數目，而是可以大于或小于該特定數目。
[0051]在下列實施例中，無需說，除了特別清晰指出、從理論角度認為明確是必不可少等的情況外，元件(包括要素步驟等)不一定是必不可少的。
[0052]在下列實施例中，無需說，當圍繞構成組件等提及“由A形成”、“由A制成”、“具有A”、“包含A”時，除了特別明確指出是單獨的構成組件的情況外，并不排除其它構成組件。類似地，在下列實施例中，當提及構成組件等的形狀、位置關系等時，除了特別明確指出的情況和從理論角度認為明確不正確的情況外，應包括與該形狀基本類似或相像的形狀。該論述也適用于上述的數值和范圍。
[0053]以下將基于【專利附圖】
【附圖說明】本發明的實施例。與此同時，在用于說明實施例的所有附圖中，相同的符號附接到具有相同功能的部件，并且省略其重復說明。為了使附圖明白易懂，即使是平面圖也可以附加陰影。
[0054](實施例)
[0055]<半導體器件>
[0056]圖1是示出實施例的半導體器件的結構示例的平面圖，圖2是示出圖1的半導體器件的結構示例的后視圖，圖3是示出圖1的半導體器件的結構示例的截面圖，圖4是示出圖1的半導體器件的結構示例的側視圖，圖5是透過密封體的示出圖1的半導體器件結構的平面圖。
[0057]圖1至圖5所示的本實施例的半導體器件是其中在布線襯底3上安裝(鍵合、耦合、安裝)半導體芯片2的半導體器件(半導體封裝)，并且是其中利用密封樹脂密封半導體芯片2的半導體器件。
[0058]與此同時，在本實施例中，將在采用其中設置在布線襯底3的下表面側上的多個外部端子是焊料球6的情況作為半導體器件的示例的同時給出說明。也就是，在本實施例中，將在采用BGA(球柵陣列)1作為半導體器件示例的同時給出說明。
[0059]此外，本實施例的BGA1是通過一次樹脂模制多個器件區域、使之經受球(外部端子)焊接、然后在其組裝中經劃片將其單片化而組裝的。
[0060]關于BGA1的配置，其包括半導體芯片2、支撐或安裝半導體芯片2的布線襯底3以及將暴露于半導體芯片2的表面(主表面)2b的多個電極2a電稱合到與之對應的布線襯底3的多個耦合端子(鍵合引線)15的多個鍵合接線(以下簡稱為接線)4。
[0061]此外，BGA1具有密封體5和多個焊料球6，密封體5覆蓋布線襯底3的包括半導體芯片2和接線4的上表面3a，多個焊料球6以區域陣列布局設置在布線襯底3的下表面3b上作為外部端子。
[0062]半導體芯片2是通過在半導體襯底(半導體晶片)的主表面上形成各種半導體元件或半導體集成電路并且然后在根據需要執行半導體襯底的背面研磨之后通過劃片等將半導體襯底分隔成每個半導體芯片2得到的，該半導體襯底在與其厚度相交的方向上具有規則方形(或可以是矩形)的平面形狀并且例如由單晶硅等形成。
[0063]此外，半導體芯片2還具有彼此面對的前表面(半導體元件形成側上的表面、主表面、上表面)2b和后表面(在與半導體元件形成側相對側上的表面、安裝表面、下表面)2c,半導體芯片2安裝(布置)在布線襯底3的上表面(芯片支撐表面)3a之上，使得半導體芯片2的表面2b面朝上，并且使得半導體芯片2的后表面2c經由粘附材料(裸片鍵合材料、接合材料)8粘附并固定到布線襯底3的上表面3a。
[0064]例如，可以使用膜狀(裸片鍵合膜、裸片附接膜)等的粘附材料或者絕緣或導電膏劑材料作為粘附材料8?？梢詫⒄掣讲牧?的厚度設定為例如約20 μ m到30 μ m。半導體芯片2具有暴露于其前表面2b的多個電極(鍵合焊盤、焊盤電極)2a，并且這些電極2a電耦合到形成在半導體芯片2的表面層部分內部或半導體芯片2的表面層部分中的半導體元件或半導體集成電路。
[0065]此外，布線襯底3具有作為一個主表面的上表面3a、作為與上表面3a相對表面的下表面3b、形成為暴露于上表面3a的耦合端子15以及形成為暴露于下表面3b的多個焊區(凸塊焊區、焊區部分)16。
[0066]布線襯底3具有絕緣基礎材料層(絕緣襯底、芯材料)11、形成在基礎材料層11的上表面側和下表面側上的導體層(導體圖案、導體膜圖案、布線層)12和作為形成為覆蓋導體層12的絕緣層(絕緣體層、絕緣膜)的焊料抗蝕劑層(絕緣膜、焊料抗蝕劑層)14。作為另一形式，布線襯底3也可以通過多層布線襯底形成，該多層布線襯底是通過疊置多個絕緣層和多個布線層形成的。
[0067]對導體層12進行構圖，并形成導體圖案用作布線襯底3的端子、布線或布線層。此夕卜，導體層12由導電材料形成并且可以例如通過鍍覆方法形成的銅薄膜等形成。
[0068]此外，在布線襯底3的上表面側上形成用于電耦合接線4的多個耦合端子(電極、鍵合引線、焊盤電極)15。另一方面，在布線襯底3的下表面側上形成用于連接焊料球6的多個導電焊區(電極、焊盤、端子)16。此外，電耦合基礎材料層11的上表面側上的耦合端子15和基礎材料層11的下表面側上的焊區16。
[0069]因此，半導體芯片2的電極2a經由多個接線4電耦合到布線襯底3的耦合端子15，并且經由布線襯底3的導體層12電耦合到布線襯底3的焊區16。
[0070]與此同時，接線4由諸如金接線之類的金屬細接線形成。
[0071]此外，焊料抗蝕劑層14具有如保護導體層12的絕緣層(絕緣膜)這樣的功能、由諸如有機樹脂材料之類的絕緣體材料形成、并且形成在基礎材料層11的上表面側和下表面側上使得覆蓋導體層12。與此同時，焊料抗蝕劑層14的厚度可以設定為例如約20 μ m到30 μ m。此外，經由粘附材料8在布線襯底3的上表面3a側上的焊料抗蝕劑層14之上安裝半導體芯片2。
[0072]此外，形成焊區16使得暴露于布線襯底3的下表面3b并且布置成陣列形狀，并且焊料球(球電極、突出電極、電極、外部端子、用于外部耦合的端子)6耦合(形成)到每個焊區16。因此，多個焊料球6以陣列形狀布置在布線襯底3的下表面3b上。
[0073]此外，焊料球6可以用作BGA1的外部端子(用于外部耦合的端子)。因此，本實施例的BGA1具有布線襯底3的下表面3b的、分別形成在焊區16之上的、用于外部耦合的多個端子(這里為焊料球6)。因此，半導體芯片2的電極2a經由接線4電耦合到布線襯底3的耦合端子15，并且經由布線襯底3的導體層12電耦合到布線襯底3的焊區16和連接到焊區16的焊料球6。
[0074]與此同時，這同樣適用于具有導體焊區的LGA(焊區柵格陣列)結構的半導體器件的情況，該導體焊區作為用于外部耦合的端子不連接到作為外部耦合端子的焊料球。
[0075]此外，接線4耦合到暴露于在布線襯底3的上表面側上形成的焊料抗蝕劑層14的開口的耦合端子15，并且為了使接線4到耦合端子15的耦合容易或可靠，在耦合端子15的上表面(接線4的耦合表面)上，形成金鍍層(或鎳鍍層(下層側)和金鍍層(上層側)的置層I吳)等。
[0076]而且，密封體(密封樹脂、密封樹脂部分、密封部分)5由諸如熱固化樹脂材料之類的樹脂材料形成，并且也可以包含填料等。例如，密封體5也可以使用包含填料的環氧樹脂等來形成。密封體5形成在布線襯底3的上表面3a之上，使得覆蓋半導體芯片2和接線4。也就是，密封體5形成在布線襯底3的上表面3a之上并且密封和保護半導體芯片2和接線4。
[0077]<制造半導體器件的方法>
[0078]圖6是示出圖1的半導體器件的組裝過程的示例的流程圖。
[0079]沿著圖6的流程圖將說明制造本實施例的半導體器件的方法。
[0080]1、提供襯底的工藝
[0081]圖7是示出在組裝圖1的半導體器件時使用的布線襯底的芯片安裝表面側的結構示例的平面圖，圖8是示出在組裝圖1的半導體器件時使用的布線襯底的安裝表面側的結構示例的后視圖，圖9是示出圖8中的放大方式的A部分的局部放大平面圖，圖10是示出圖9中襯底區域中的回刻蝕之后的布線圖案示例的局部放大平面圖，圖11是示出沿著圖10的A-A線切割的結構示例的局部截面圖。
[0082]首先，提供圖7和圖8所示的布線襯底(布線襯底母體)31 (圖6中的步驟S1)。通過使用布線襯底(布線襯底母體)31將給出實施例的說明，在該實施例中，如圖7和圖8所示提供多個半導體器件區域(器件區域、襯底區域、單元襯底區域)31b和32b以及設置在半導體器件區域31b和32b中的相鄰半導體器件區域之間的劃片區域(劃線區域、切割區域)。
[0083]這里，本實施例的布線襯底31是在圖3至圖5的每一個中所示的布線襯底3的母體。換言之，包括在半導體器件中的布線襯底3是布線襯底(布線襯底母體)31的一部分。因此，包括在半導體器件中的布線襯底3對應于在稍后將提及的切割工藝(單片化工藝)中通過切割布線襯底31分隔開的半導體器件區域31b。
[0084]與此同時，在本實施例中，將對在平面圖中以矩陣形狀(格柵形狀)提供將在布線襯底(布線襯底母體)31上設置的半導體器件區域31b給出說明，但該形狀并不限于此，可以按行設置該區域。
[0085]此外，在說明組裝工藝的細節時，將對如下這樣的實施例給出說明，其中在布置成矩陣形狀的半導體器件區域31b中采用例如定位在半導體器件區域31ba附近的半導體器件區域31ba(參見圖7和圖8)和半導體器件區域31bb作為代表。
[0086]布線襯底31包括上表面(芯片安裝表面)31a和在與上表面31a相對側上的下表面(安裝表面)32a。在上表面31a上，如圖7所示，設置有半導體器件區域(上表面側器件區域)31ba和設置在半導體器件區域31ba附近的半導體器件區域(上表面側器件區域)31bb。
[0087]此外，如稍后將提及的圖9和圖12所示，在半導體器件區域31ba和半導體器件區域31bb之間設置劃片區域(上表面側劃片區域)31c。
[0088]而且，在半導體器件區域31ba中，如圖7所示，設置多個耦合端子(鍵合引線、電極)15a。而且，在半導體器件區域31bb中，設置多個耦合端子(鍵合引線、電極)15b。此外，在上表面31a側上，形成焊料抗蝕劑層(絕緣膜)14 (參見圖3)，使得露出耦合端子15 (15a和 15b)。
[0089]另一方面，如圖8所示，下表面32a具有設置在圖7中重疊半導體器件區域31ba的位置中的半導體器件區域(器件區域)32ba和設置在圖7中重疊半導體器件區域31bb的位置中的半導體器件區域(器件區域)32bb。與此同時，在平面圖中，半導體器件區域(器件區域)32bb設置在半導體器件區域(器件區域)32ba附近。
[0090]此外，在下表面32a上，如圖9所示，在半導體器件區域32ba和半導體器件區域32bb之間設置劃片區域(劃線區域、切割區域)32c。
[0091]本實施例的劃片區域32c是設計成將利用在稍后將提及的切割工藝(參見稍后提及的圖23)中使用的劃片刀9切割(去除)的區域。因此，在本實施例中，劃片區域32c的寬度對應于劃片刀9的寬度，也就是圖9所示的刀寬度(切割寬度)32h。
[0092]然而，在一些情況下，由于布線襯底31的制造工藝中產生的絕緣膜(圖11所示的焊料抗蝕劑層14)的位置移位、將使用的劃片刀9的松散等，可以在從設計的劃片區域32c偏移一定程度的位置中執行切割。
[0093]此外，在本實施例的布線襯底31的下表面32a上，如圖8和圖9所示，圍繞半導體器件區域32ba和32bb以及劃片區域32c設置外圍部分(框架部分)32d。此外，在外圍部分(框架部分)32d中，設置目標標記(目標圖案)32e，該目標標記32e不設置在劃片區域32c的延長線L0上。
[0094]與此同時，在另一表達中，外圍部分(框架部分)32d是在平面圖中設置在半導體器件區域(器件區)32ba、半導體器件區域(器件區)32bb和劃片區域(劃線區域、切割區域)32c周圍的框架部分。換言之，外圍部分(框架部分)32d是平面圖中圍繞半導體器件區域(器件區)32ba、半導體器件區域(器件區)32bb和劃片區域32c的部分。
[0095]這里，目標標記32e是用于得到劃片線(切割部分)的指示符(標記)，在上述切割工工藝中上述劃片刀9沿著該劃片線行進，并且相應地，響應于將得到的每個劃片線并且在彼此面對的部分中，將成對的目標標記32e設置在劃片線的兩端處。
[0096]因此，在切割工藝中，通過圖像識別方法等識別目標標記32e來得到劃片線，并且基于識別結果，通過劃片刀9沿著劃片線的旋轉和行進執行切割。
[0097]此外，如圖8所示，在下表面32a上的半導體器件區域32ba和32bb的每一個中，形成焊區(凸塊焊區、電極)16。具體地，如圖9所示，在下表面32a上，形成以矩陣形狀設置在半導體器件區域32ba中的多個焊區(凸塊焊區、電極)16a、以矩陣形狀設置在半導體器件區域32bb中的多個焊區(凸塊焊區、電極)16b和圖11所示的形成在下表面32a側上使得露出焊區16a和16b的焊料抗蝕劑層(絕緣膜)14。
[0098]也就是，如圖8所示，在布線襯底31的下表面32a上，半導體器件區域32ba和32bb中的每一個在平面圖中是四邊形的，并且在半導體器件區域32ba和32bb中的每一個中，以矩陣形狀(格柵形狀)布置用于外部端子的焊區16。
[0099]在布線襯底31的下表面32a上的外圍部分32d中，設置有在半導體器件的組裝工藝中在制造襯底時使用的對準圖案32g、在傳送期間使用的定位孔33和導向孔34等。然而,可以不設置對準圖案32g。
[0100]另一方面，如圖7所示，在布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域3lba和31bb的每一個中，形成多個耦合端子15。具體地，在布線襯底31的上表面31a上，半導體器件區域31ba和31bb中的每一個在平面圖中是矩形的，并且沿著半導體器件區域31ba和31bb中的每一個的外圍部分(沿著四個邊)設置耦合端子15。
[0101]接下來，將詳細說明在布線襯底31的下表面32a上形成的目標標記32e。
[0102]如圖9所示，目標標記32e由導電部件(金屬)形成并且從布線襯底31的焊料抗蝕劑層14(參見圖11)的開口 32露出，使得可以識別圖像。也就是，目標標記32e是從焊料抗蝕劑層14的開口 32露出的部分，并且本實施例的目標標記32e由包含例如銅(Cu)作為主要組分的材料形成。
[0103]此外，布線襯底31的焊區16a具有布置在焊區16a中最外外圍行中的最外外圍焊區行(最外外圍凸塊焊區行)16c。與此同時，在圖9中，對最外外圍焊區行16c中的焊區16a附加陰影，并且最外外圍焊區行16c是最靠近劃片區域32c定位的焊區行。類似地，焊區16b具有布置在焊區16b中最外外圍行中的最外外圍焊區行(最外外圍凸塊焊區行)16d。與此同時，也對最外外圍焊區行16d中的焊區16b附加陰影，并且最外外圍焊區行16d也是最靠近劃片區域32c定位的焊區行。
[0104]此外，在平面圖中，本實施例的目標標記32e設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間以及劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間。
[0105]也就是，目標標記32e不設置在劃片區域32c的延伸線L0上，而設置在劃片區域32c的延伸線L0外部且在最外外圍焊區行16c和16d的虛構延伸線L1和L2內部。
[0106]這里，本實施例中的虛構延伸線L1是指接觸最靠近半導體器件區域32ba的焊區16a中最外外圍焊區行16c的焊區16a的劃片區域32c的部分的切線延伸上的虛構線。類似地，本實施例中的虛構延伸線L2是指接觸最靠近半導體器件區域32bb的焊區16b中最外外圍焊區行16d的焊區16b的劃片區域32c的部分的切線延伸上的虛構線。
[0107]本實施例的目標標記32e包括第一圖案32ea和第二圖案32eb，第二圖案32eb設置在第一圖案32ea附近并且與第一圖案32ea間隔開(分開)。
[0108]也就是，第一圖案32ea和第二圖案32eb彼此分開設置，使得劃片刀9在切割期間行進通過第一圖案32ea和第二圖案32eb之間的區域。因此，第一圖案32ea和第二圖案32eb之間的空間(分開距離)大于劃片區域32c的寬度(與圖案的延伸方向相交的方向上的長度或彼此相鄰的半導體器件區域之間的空間)。
[0109]因此，由于在切割期間劃片刀9不在目標標記32e上通過，所以劃片刀9從不切割劃片區域32c中的導電部件(金屬)，并且可以抑制圖36所示的雜質43的產生。
[0110]此外，當使用另一表達時,構成目標標記32e的第二圖案32eb和第一圖案32ea之間的空間小于最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間的空間。
[0111]因此，在本實施例的目標標記32e中，其在第一圖案32ea中的主要部分在平面圖中設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間。另一方面，目標標記32e在第二圖案32eb中的主要部分在平面圖中設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間。
[0112]與此同時，當針對目標標記32e采用電鍍方法時，圖10所示的用于鍍覆的饋線32i連接到目標標記32e并進行繪制。在這種情況下，當指定劃片區域32c時，通過主要部分執行識別。這里，第一圖案32ea和第二圖案32eb中的主要部分是指至少對于圖案的識別而言所必需的部分。
[0113]也就是，目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb是從布線襯底31的下表面32a側上形成的圖11中的焊料抗蝕劑層14的開口 32f露出的部分，但當圖10所示的用于鍍覆的饋線32i連接到目標標記32e時，不是暴露于開口 32f的所有圖案都必需是目標標記32e。也就是，在暴露于焊料抗蝕劑層14的開口 32f的圖案中，識別所必需的最小圖案部分可以被定義為目標標記32e。
[0114]例如，目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb中的每一個的主要部分的平面形狀優選地由矩形形成，該矩形具有在沿著劃片區域32c的延伸線L0的方向上延伸的長邊。
[0115]然而，在本實施例中，例如通過刻蝕形成目標標記32e，并且因而使目標標記32e的圖案的相應拐角圓化，但也在將形狀考慮為矩形的同時給出說明。
[0116]這里，在圖9所示的示例中，在平面圖中在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間設置第一圖案32ea，而在平面圖中在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間設置第二圖案32eb。
[0117]此外，本實施例的目標標記32e的第一圖案32ea由沿著劃片區域32c的延伸方向延伸的第一延伸部分32eaa和與第一延伸部分32eaa相交的第二延伸部分32eab構成。也就是，第一圖案32ea具有通過圖案的彼此相交得到的相交部分32eac。
[0118]另一方面，目標標記32e的第二圖案32eb也由沿著劃片區域32c的延伸方向延伸的第一延伸部分32eba和與第一延伸部分32eba相交的第二延伸部分32ebb以及通過第一延伸部分32eba和第二延伸部分32ebb的相交得到的相交部分32ebc構成。也就是，第二圖案32eb也具有通過圖案的彼此相交得到的相交部分32ebc。
[0119]如上所述，在本實施例的目標標記32e中，其第一圖案32ea和第二圖案32eb 二者分別具有相交部分32eac和32ebc。也就是，本實施例的目標標記32e具有包括相交部分32eac和32ebc的平面形狀。例如，目標標記具有十字形狀、Η字母形狀、T字母形狀等。
[0120]目標標記32e具有包括上述相交部分32eac和32ebc的形狀，并且在切割工藝中，當將識別目標標記32e時，識別相交部分32eac和32ebc，并且因而可以高精度地執行對布線襯底31的Θ移位的確定。此外，可以更高精度地執行對將利用劃片刀9切割的位置(線)的識別。
[0121]與此同時，目標標記32e中的相交部分并不必然設置在第一圖案32ea和第二圖案32eb 二者中，而可以設置在至少一個圖案中，或者第一圖案32ea和第二圖案32eb 二者可以不具有相交部分。
[0122]此外，如圖10和圖11所示，關于在本實施例中使用的布線襯底31，在其劃片區域32c中，通過刻蝕等去除用于鍍覆的饋線32i。具體地，在焊區16的每個表面上形成鍍膜，并且在形成鍍膜的工藝中，使用在劃片區域32c中形成的饋線32i形成鍍膜。與此同時，在形成上述鍍膜的工藝中，在布線襯底31的上表面之上形成焊料抗蝕劑層14。此外，在形成上述鍍膜之后，通過刻蝕等去除饋線32i和覆蓋饋線32i的焊料抗蝕劑層14。也就是，在組裝半導體器件時使用的布線襯底31中，先前已經去除設置在其劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線32i。因此，如圖11所示，劃片區域32c處于其中露出基礎材料層(絕緣層)11的表面的狀態中，該基礎材料層11定位于布線襯底31的上表面側上形成的焊料抗蝕劑層(絕緣膜、保護膜)14的下層(內部層)中。
[0123]〈從裸片鍵合工藝到切割工藝〉
[0124]圖12是示出在組裝圖1的半導體器件1的襯底制備工藝中制備的布線襯底的結構示例的局部放大截面圖，圖13是示出在組裝圖1的半導體器件中的裸片鍵合之后的結構示例的局部放大截面圖，圖14是示出在組裝圖1的半導體器件中的接線鍵合之后的結構示例的局部放大截面圖，圖15是示出圖12所示布線襯底的結構示例的局部放大平面圖。此夕卜，圖16是示出在圖13所示的裸片鍵合之后襯底的整個結構的示例的平面圖，圖17是示出在圖13所示的裸片鍵合之后的結構示例的局部放大平面圖，圖18是示出在圖14所示的接線鍵合之后襯底的整個結構的示例的平面圖，圖19是示出在圖14所示的接線鍵合之后的結構示例的局部放大平面圖。
[0125]此外，圖20是示出在組裝圖1的半導體器件中的模制之后的結構示例的局部放大截面圖，圖21是示出在組裝圖1的半導體器件中的球焊接之后的結構示例的局部放大截面圖。而且，圖22是透過密封體的示出在圖20所示的模制之后的結構示例的局部放大平面圖，圖23是示出在組裝圖1的半導體器件中的單片化期間結構的示例的局部放大截面圖，圖24是示出在組裝圖1的半導體器件中的單片化之后結構的示例的局部放大截面圖，圖25是示出在圖23所示的單片化期間結構的示例的局部放大平面圖。
[0126]與此同時，在圖12至圖14、圖20、圖21、圖23和圖24中，示出有同一區域(跨兩個半導體器件區域31ba(32ba)和31bb(32bb)延伸的區域)的相應工藝步驟中的截面，其中雖然是截面圖，但為了使附圖明白易懂省略陰影。
[0127]2.裸片鍵合工藝
[0128]在圖6的步驟S1中制備布線襯底(參見圖12和圖15)31之后，通過執行裸片鍵合工藝，經由如圖13、圖16和圖17所示的粘附材料8，在布線襯底31的上表面31a的半導體器件區域31ba之上安裝和鍵合半導體芯片2 (裸片鍵合、芯片安裝)(圖6中的步驟S2)。此外，經由粘附材料8在布線襯底31的半導體器件區域31bb之上安裝和鍵合半導體芯片7。
[0129]與此同時，作為粘附材料8，可以使用膏體狀粘附材料、膜狀粘附材料等。
[0130]3.接線鍵合工藝
[0131]如圖14、圖18和圖19所示，通過執行接線鍵合，經由接線4將半導體芯片2的每個電極2a電耦合到與此對應形成在布線襯底31上的耦合端子15(圖6中的步驟S3)。也就是，布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域31ba中的多個耦合端子15經由接線4電耦合到在其半導體器件區域31ba上鍵合的半導體芯片2的電極2a。類似地，耦合端子15經由接線4電耦合到在半導體器件區域31bb之上鍵合的半導體芯片7的電極7a。
[0132]4.密封工藝
[0133]接下來，如圖20和圖22所示，執行模制工藝(樹脂模制工藝，例如轉移模制工藝)。在本工藝中，形成有公共密封體(密封樹脂、密封部分、公共密封部分)13，該公共密封體13密封安裝在布線襯底31之上的多個半導體芯片2和7(圖6中的步驟S4)。也就是，本實施例的模制工藝采用MAP (模制陣列封裝)系統。
[0134]在步驟S4的模制工藝中，執行公共密封(公共模制)，其中利用密封樹脂公共地密封在布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域31ba和半導體器件區域31bb。也就是，在布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域31ba和半導體器件區域31bb的整個之上，形成公共密封體13以便覆蓋半導體器件區域31ba和31bb中的半導體芯片2和7以及接線4。
[0135]因此，形成公共密封體13以便覆蓋布線襯底31的上表面31a上的半導體器件區域31ba和31bb。形成公共密封體13的密封樹脂由諸如熱固化樹脂材料等的樹脂材料形成，并且也可以包含填料等。例如，公共密封體13可以通過使用包含填料的環氧樹脂形成。
[0136]與此同時，通過布線襯底31之上的布線襯底31和公共密封體13 (也包括密封在公共密封體13中的半導體芯片2和7以及接線4)，形成圖20所示的密封結構體(組裝體)17。也就是，將其中在多層布線襯底31之上形成公共密封體13的結構體稱為密封結構體17。
[0137]此外，通過本模制工藝的樹脂密封，在布線襯底31的上表面31a上，也利用公共密封體13密封其劃片區域31c的上側。
[0138]5.外部端子的形成工藝
[0139]如圖21所示，焊料球(外部端子、焊料材料、鍍膜)6作為導電部件連接到布線襯底31的下表面32a上的焊區(參見圖20)16(圖6中的步驟S5)。在步驟S5中的焊料球6的連接工藝中，例如使布線襯底31的下表面32a面朝上，將焊料球6a布置(安裝)在布線襯底31的下表面32a上的半導體器件區域32ba中的每個焊區16a之上，并利用焊劑等暫時固定，并且此外，將焊料球6b布置(安裝)在半導體器件區域32bb中的每個焊區16b之上并且利用焊劑等暫時固定。
[0140]然后，執行回流處理(焊料回流處理、熱處理)以使焊料熔融，并且因而可以將焊料球6a和6b分別與布線襯底31的下表面32a上的焊區16a和16b鍵合。此后，根據需要，也可以通過清洗工藝去除粘附到焊料球6表面的焊劑等。因而，鍵合(形成)焊料球6作為半導體器件的外部端子(用于外部耦合的端子)。
[0141]與此同時，在本實施例中，說明了其中鍵合焊料球6作為半導體器件的外部端子的情況，但情況并不限于此。例如，也可以代替焊料球6通過印制方法在焊區16之上供給焊料來形成由焊料構成的半導體器件的外部端子(凸塊電極、焊料凸塊)。在這種情況下，通過在布線襯底31的下表面32a之上的半導體器件區域32ba和32bb中的每個焊區16a和16b之上供給焊料，并且然后執行焊料回流處理，可以在每個焊區16之上形成由焊料構成的外部端子(凸塊電極、焊料凸塊)。
[0142]此外，關于半導體器件的外部端子(這里為焊料球6)的材料，可以使用含鉛焊料或不包含鉛的無鉛焊料，并且也可以通過鍍覆形成半導體器件的外部端子(凸塊電極)。
[0143]與此同時，當將使用焊料時，優選地使用基本不含鉛(Pb)的無鉛焊料，這也可以應對環境污染問題。這里，無鉛焊料是指其中鉛(Pb)含量為0.lwt%或更低并且該含量被定義為RoHS (有害物質禁用指令)指令標準的焊料。
[0144]接下來，根據需要，執行標記處理以將諸如產品號之類的標記附接在公共密封體13的上表面(表面)上(圖6中的步驟S6)。在步驟S6中，例如可應用通過激光器執行標記處理的激光標記，并且也可應用利用油墨執行標記處理的油墨標記。
[0145]6.切割工藝
[0146]首先，將使用圖23至圖25說明整個切割工藝。也就是，通過使用劃片刀(切割機、刀片)9等，沿著布線襯底31的下表面32a上的半導體器件區域32ba和半導體器件區域32bb之間的劃片區域(劃片線、相應半導體器件區域的邊界部分)32c，從布線襯底31的下表面32a側執行劃片(切割、修整)。因此，切割(分開)形成在劃片區域之上的公共密封體13和布線襯底31的一部分(對應于劃片區域的部分)(圖6中的步驟S7)。
[0147]例如，在步驟S7中，如圖23所示，可以在公共密封體13的上表面至固定帶(用于固定的帶、劃片帶)10的粘貼固定公共密封體13的狀態下執行通過劃片刀9的劃片工藝。
[0148]因此，沿著劃片區域32c切割公共密封體13和布線襯底31，并且將每個半導體器件區域切割和分隔成單獨(單片化)的半導體器件(BGA1)(單片化)。也就是，將公共密封體13和布線襯底31切割和分隔成相應的半導體器件區域，并且由半導體器件區域中的每一個形成BGA1。
[0149]可以通過上述的切割/單片化制造如圖1至圖5所示的BGA 1。
[0150]接下來將說明切割工藝的細節。
[0151]在布線襯底31的切割工藝(劃片工藝)中，基于圖9所示的目標標記(目標圖案)32e指定每個劃片區域32c，并且此后沿著劃片區域32c切割布線襯底31。這里，在本切割工藝中，使用圖25所示的劃片刀(可旋轉切割刀)9切割布線襯底31。
[0152]首先，利用圖像識別部分(諸如相機)檢查圖8所示的彼此面對的成對目標標記32e，并且基于檢查的目標標記32e識別劃片區域32c。此后，基于得到的劃片區域(劃片線)32c切割布線襯底31。此時，通過使用圖25所示的劃片刀(可旋轉切割刀)9，使劃片刀9從一個目標標記32e向另一目標標記32e行進。也就是，通過使劃片刀9沿著劃片區域32c行進，切割布線襯底31。
[0153]這里，劃片刀9具有作為圖9所示的刀寬度32h的劃片區域32c的寬度(第一寬度)。
[0154]本實施例提及的“使劃片刀9行進”是指，通過將劃片刀(可旋轉切割刀)9固定在預定位置中并移動未圖示的用于支撐(固定)布線襯底31的切割設備臺，將可旋轉切割刀插入到布線襯底31中并且因而執行布線襯底31的切割。在這種情況下，在本實施例中，由于公共密封安裝在布線襯底31之上的半導體芯片，所以不僅切割(去除)布線襯底31而且切割(去除)公共密封體13內待去除的重疊布線襯底31的劃片區域32c的部分。
[0155]與此同時，在本實施例中，檢查布線襯底31的所有目標標記32e并在指定相應劃片區域32c之后執行劃片，但方法并不限于此。指定劃片區域32c的一些部分并且然后在切割劃片區域32c之后指定后續的劃片區域32c也是可以的。
[0156]接下來將詳細說明本發明人發現的問題。
[0157]通過在切割工藝中重復劃片工藝，如圖34所示，劃片刀44的邊緣44a磨損(由虛線所示的部分)。此外，當劃片刀44磨損時，在劃片刀44的中心部分與形成在布線襯底41上的目標標記42的中心部分接觸之后，劃片刀44的邊緣44a與目標標記42的外圍部分接觸。
[0158]因此，如圖35所示，目標標記42的一部分被移出(drive out)到其外周。此外，如圖36所示，當劃片刀44進一步進入布線襯底41時，已經移出的目標標記42的一部分與目標標記42分開，由此成為雜質(金屬碎屑，金屬片)43。此后，產生的雜質43散布或粘附到劃片刀44的表面。
[0159]與此同時，同樣在雜質43粘附到劃片刀44的表面的情況下，當劃片刀44定位在彼此相鄰的器件區域(也就是，在劃片區域32c中)之間時雜質43可能從劃片刀44的表面剝離。此外，當雜質43在相應器件區(半導體器件區域)中的電極之間或外部端子之間延伸通過時，產生短路。而且，當如本實施例的情況那樣，雜質43是由銅(Cu)形成的金屬碎屑時，在后續清洗工藝中可能無法去除電極或外部端子之間粘附的金屬雜質(雜質43)。
[0160]然而，由于在本實施例的制造半導體器件的方法中無目標標記42設置在布線襯底31的劃片區域32c和其延伸線L0之上，所以當在切割工藝中使用劃片刀9執行切割時，劃片刀9從不在目標標記32e之上通過。
[0161]也就是，由于在切割工藝中劃片刀9從不切割未覆蓋有絕緣膜等的目標標記32e，所以即使劃片刀9的邊緣部分磨損時，目標標記32e(導電部件)也從不被移出，并且可以抑制由圖36所示的導電部件產生雜質43。
[0162]因此，由于在組裝BGA1時可以抑制短路等的產生，所以可以實現組裝BGA(半導體器件)1的可靠性的增強。
[0163]此外，如圖9所示，目標標記32e設置在最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間。因此，當檢查目標標記32e時可以使圖像識別區域變窄，并且作為結果，可以高精度(高分辨率)地執行當將識別目標標記32e時的圖像處理。
[0164]也就是，如果目標標記32e與半導體器件區域(或劃片區域32c)隔開太多，則需要當將檢查目標標記32e時的圖像識別區域寬，這使得圖像處理的識別精度(分辨率)為低。然而，在本實施例的制造半導體器件的方法中，可以如上所述高識別精度(高分辨率)地執行圖像處理。
[0165]因此，可以聞精度地執行布線襯底31的定位和劃片刀9的行進。
[0166]此外，如圖9所不，目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb分別具有相交部分32eac和32ebc，并且因而當在切割工藝中識別目標標記32e時，可以識別相交部分32eac和32ebc的拐角部分。
[0167]也就是，由于變得可以識別第一圖案32ea和第二圖案32eb中的X方向和與之相交的Y方向的相交點，所以可以更高精度地執行對布線襯底31的Θ移位的確定和對將利用劃片刀9切割的位置(線、劃片線)的識別。
[0168]此外，在目標標記32e中，由于第一圖案32ea和第二圖案32eb彼此分開并且分開的距離大于劃片刀9的寬度(刀寬度32h)，并且因而在切割中，劃片刀9可以在第一圖案32ea和第二圖案32eb之間穿過。也就是，如果不產生劃片刀9的移位，則劃片刀9既不與第一圖案32ea接觸也不與第二圖案32eb接觸。
[0169]因此，可以容易地執行切割之后的故障分析。也就是，工作人員可以利用眼睛容易地檢查劃片刀9是否根據設計在作為彼此面對的兩個圖案的第一圖案32ea和第二圖案32eb之間行進。
[0170]作為結果，在切割工藝中，變得可以通過給出對工作的快速反饋來響應異常值等的產生。
[0171]〈變型〉
[0172]以上盡管已經基于本發明的實施例具體地說明了本發明人實現的本發明，但無需說，本發明并不限于至此描述的實施例，而是可以在不偏離其宗旨的范圍內進行各種改變。
[0173](變型1)
[0174]在上述實施例中，作為制造半導體器件的方法，說明了采用MAP系統的組裝，但半導體器件的組裝并不限于MAP系統。也可以采用單獨模制系統的組裝，其中單獨地樹脂模制布線襯底中的單獨半導體器件區域，并且此后通過劃片的切割獲取單獨的半導體器件。
[0175](變型2)
[0176]在上述實施例中，作為半導體器件的示例，說明了具有焊料球6的BGA的情況，但半導體器件并不限于BGA的情況。上述半導體器件可以是LGA(焊區柵格陣列)，其中代替諸如焊料球6的突出形狀的導電部件，在焊區的表面上形成諸如鍍膜的導電部件，或者焊區的表面不覆蓋有導電部件。
[0177](變型3)
[0178]在上述實施例中，說明了其中在襯底制備工藝中制備的布線襯底31是其中在其劃片區域32c中通過刻蝕等預先去除用于鍍覆的饋線的襯底的情況，但可以在制備其中用于鍍覆的饋線設置在劃片區域32c中的狀態的布線襯底之后，通過刻蝕等去除劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線。
[0179](變型4)
[0180]圖26是示出在圖20所示單片化期間安裝表面側的襯底結構(無回刻蝕)的示例的局部放大平面圖，圖27是示出在沿著圖26的A-A線切割之后的結構示例的截面圖。
[0181]在上述實施例中，說明了其中在襯底制備工藝中制備的布線襯底31是其中在其劃片區域32c中預先去除用于鍍覆的饋線的襯底的情況，但如圖26和圖27所示，設置在劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線32i可以保留而不去除。
[0182]然而，在該情況中，必需利用焊料抗蝕劑層(絕緣膜、保護膜)14覆蓋設置在劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線32i。因此，與上述實施例中不同，如圖27所示，焊料抗蝕劑層(絕緣膜、保護膜)14不僅存在于相應器件區(相應半導體器件區域)之上，而且存在于劃片區域32c之上。
[0183]此外，由于設置在劃片區域32c中的用于鍍覆的饋線32i覆蓋有焊料抗蝕劑層14，也就是，被焊料抗蝕劑層14壓住，所以即使在切割工藝中通過使用具有磨損邊緣的劃片刀9切割布線襯底31，饋線也不置于移出狀態，并且作為結果，不產生圖36所示的雜質43。
[0184](變型5)
[0185]圖28是示出變型5中布線襯底的安裝表面側的結構的局部放大平面圖。
[0186]在上述實施例中，說明了以下情況，其中目標標記32e不設置在劃片區域32c的延伸線L0上，而是在平面圖中被設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間以及被設置在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間。
[0187]然而，在劃片區域32c的延伸線L0與最外外圍焊區行16c的虛構延伸線L1之間以及在延伸線L0與虛構延伸線L2之間，僅需要布置至少識別構成目標標記32e的圖案所必需的主要部分便已足夠。
[0188]例如，當用于鍍覆的饋線32i耦合到目標標記32e時，如圖28所示的目標標記32e中與第一延伸部分(主要部分)32eaa相交的第二延伸部分32eab的一部分和與第一延伸部分(主要部分)32eba相交的第二延伸部分32ebb的一部分中的每一個可以跨虛構延伸線L1和L2在遠離延伸線L0的方向上延伸。
[0189](變型6)
[0190]圖29至圖33是示出變型6中的目標標記結構的局部放大平面圖。
[0191]在上述實施例中，目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb中的每一個分開地布置在劃片區域32c的延伸線L0的兩側上，而在圖29所示的示例中，第一圖案32ea和第二圖案32eb中的每一個僅設置在劃片區域32c的延伸線L0的一側上。
[0192]例如，在圖29所示的示例中，目標標記32e的第二圖案32eb設置在劃片區域32c的延伸線L0與圖28的最外外圍焊區行16d的虛構延伸線L2之間，并且第二圖案32eb包括第一延伸部分32eba和第二延伸部分32ebb。
[0193]因此，第二圖案32eb設置有相交部分32ebc。
[0194]即使在目標標記32e僅設置在劃片區域32c的延伸線L0的一側上的情況中，由于具有相交部分32ebc，也可以識別目標標記32e。
[0195]圖30所示的示例對應于如下情況:其中目標標記32e僅是沿著與劃片區域32c的延伸線L0相同的方向的第一延伸部分32eba。也就是，示例對應于其中目標標記32e是僅在一個方向延伸的第一延伸部分32eba的圖案的情況。
[0196]在該情況中，優選的是在焊料抗蝕劑層14的開口 32f的區域中布置第一延伸部分32eba的所有外圍部分(側)。該側或拐角的直立部分的識別使得目標標記32e的識別成為可能。
[0197]與此同時，在其中目標標記32e的所有外圍部分(側)布置在焊料抗蝕劑層14的開口 32f區域中的圖案的情況中，將通過非電鍍系統形成鍍覆。
[0198]圖31所示的示例對應于如下情況，其中目標標記32e設置在劃片區域32c的延伸線L0的兩側上并且由設置在一側上的第一圖案32ea和設置在另一側上的第二圖案32eb構成，其中這些圖案的尺寸彼此不同。
[0199]也就是，第一圖案32ea的尺寸和第二圖案32eb的尺寸可以彼此不同。在圖31所示的示例中，第一圖案32ea和第二圖案32eb 二者分別設置有相交部分32eac和32ebc，并且通過識別第一延伸部分32eaa和32eba或相交部分32eac和32ebc的每個長邊，可以更高精度地不僅識別目標標記32e，而且指定劃片線。
[0200]圖32所示的示例對應于如下情況，其中在目標標記32e的第一圖案32ea和第二圖案32eb中的第一圖案32ea設置有相交部分32eac，并且第二圖案32eb大于第一圖案32ea，并且僅第二圖案32eb的一側布置在焊料抗蝕劑層14的開口 32f中。
[0201]同樣在目標標記32e的情況中，通過對第二圖案32eb的一側(長邊)的直立部分和第一圖案32ea的相交部分32eac的識別等，可以高精度地識別目標標記32e。
[0202]圖33所示的示例對應于如下情況，其中僅第二圖案32eb設置為目標標記32e并且僅第二圖案32eb的一側(長邊)暴露于焊料抗蝕劑層14的開口 32f。
[0203]同樣在該情況中，通過對第二圖案32eb的一側(長邊)的直立部分的識別，可以可靠地識別目標標記32e。
[0204](變型7)
[0205]此外，在不偏離上述實施例中說明的技術構思的宗旨的范圍內可以組合和應用每種變型。
【權利要求】
1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟: (a)提供布線襯底,所述布線襯底包括上表面、與所述上表面相對的下表面、設置在所述下表面上的第一器件區域、設置在所述下表面上且設置在所述第一器件區域附近的第二器件區域、設置在所述第一器件區域和所述第二器件區域之間的劃片區域、設置在所述下表面上并且設置在所述第一器件區域、所述第二器件區域和所述劃片區域周圍的外圍部分、設置在所述外圍部分中并且不設置在所述劃片區域的延伸線上的目標標記、以矩陣形狀設置在所述第一器件區域中的多個第一凸塊焊區、以矩陣形狀設置在所述第二器件區域中的多個第二凸塊焊區、以及形成在所述下表面之上使得露出所述第一凸塊焊區和所述第二凸塊焊區的絕緣膜；其中: 所述第一凸塊焊區具有第一最外外圍凸塊焊區行，所述第一最外外圍凸塊焊區行布置在所述第一凸塊焊區中的最外外圍行中并且最靠近所述劃片區域， 所述第二凸塊焊區具有第二最外外圍凸塊焊區行，所述第二最外外圍凸塊焊區行布置在所述第二凸塊焊區中的最外外圍行中并且最靠近所述劃片區域，以及 所述目標標記在平面圖中被設置在所述劃片區域的延伸線與所述第一最外外圍凸塊焊區行和所述第二最外外圍凸塊焊區行的延伸線中的每個延伸線之間， (b)在所述步驟(a)之后，將第一半導體芯片和第二半導體芯片中的每一個安裝在所述布線襯底的上表面上； (C)在所述步驟(b)之后，利用樹脂密封所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片； (d)在所述步驟(c)之后，分別在所述第一凸塊焊區和所述第二凸塊焊區上形成多個第一外部端子和多個第二外部端子；以及 (e)在所述步驟(d)之后，基于所述目標標記指定所述劃片區域，并且沿著所述劃片區域切割所述布線襯底，其中 在所述步驟(e)中，使用劃片刀切割所述布線襯底。
2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法， 其中在所述布線襯底的上表面之上形成絕緣膜； 其中在所述第一凸塊焊區和所述第二凸塊焊區的表面中的每個表面上形成鍍膜； 其中在形成所述鍍膜的步驟中，通過使用在所述劃片區域中形成的饋線來形成所述鍍膜；以及 其中在形成所述鍍膜之后，去除在所述布線襯底的所述劃片區域中形成的所述饋線和覆蓋所述饋線的所述絕緣膜。
3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法， 其中在所述布線襯底的劃片區域中，設置用于鍍覆以電連接到所述第一凸塊焊區中的每一個和所述第二凸塊焊區中的每一個的饋線；以及 其中所述饋線覆蓋有所述絕緣膜。
4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法， 其中所述目標標記包括第一圖案和第二圖案，所述第二圖案設置在所述第一圖案附近并且與所述第一圖案分開。
5.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法， 其中所述第一圖案和所述第二圖案的尺寸彼此不同。
6.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法， 其中所述第一圖案和所述第二圖案中的任一個具有第一延伸部分和第二延伸部分，所述第一延伸部分沿著所述劃片區域的延伸方向延伸，所述第二延伸部分與所述第一延伸部分相交。
7.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法， 其中所述第一圖案和所述第二圖案中的每一個具有第一延伸部分和第二延伸部分，所述第一延伸部分沿著所述劃片區域的延伸方向延伸，所述第二延伸部分與所述第一延伸部分相交。
【文檔編號】H01L21/58GK104347437SQ201410361182
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月25日 優先權日:2013年7月26日
【發明者】宮木美典, 山田勝 申請人:瑞薩電子株式會社
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