基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器。該濾波器由于基片集成波導中間為理想磁壁，電力線平行于第一金屬片的對稱中心線，可以由此處將基片集成波導一分為二，并不會改變場模式，這樣在保證擁有基片集成波導相同的性能同時可以大大減小由基片集成波導構(gòu)成的器件的體積；而且通過接地孔能有效降低插入損耗，提高Q值；另外，通過第一隔直電容、第二隔直電容和第三微波傳輸線、第四微波傳輸線，加上行成半模的基片集成波導，能夠方便有效的加載直流饋電，方便頻率調(diào)節(jié)；通過第一可變電容和第二可變電容，能夠使得基于半模基片集成波導的濾波器的通帶產(chǎn)生頻率調(diào)節(jié)。適合在射頻器件領(lǐng)域推廣運用。
【專利說明】基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于射頻器件領(lǐng)域，具體涉及一種基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通 濾波器。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著現(xiàn)代微波毫米波電路系統(tǒng)的高速發(fā)展，其功能越來越復雜、電性能指標越來 越高，同時其體積越來越小、重量越來越輕。低成本、高性能、高成品率的微波毫米波技 術(shù)對于開發(fā)商業(yè)化的低成本微波毫米波寬帶系統(tǒng)非常關(guān)鍵。基片集成波導（Substrate Integrated Waveguide, SIW)技術(shù)是近幾年提出的一種可以集成于介質(zhì)基片中的具有低插 損、低輻射、高功率容量等特性的新的導波結(jié)構(gòu)，它可以有效地實現(xiàn)無源和有源集成，使微 波毫米波系統(tǒng)小型化，甚至可把整個微波毫米波系統(tǒng)制作在一個封裝內(nèi)；而且它的傳播特 性與矩形金屬波導類似，所以由其構(gòu)成的微波毫米波甚至亞毫米波部件及子系統(tǒng)具有高Q 值、高功率容量、易與其它平面電路和芯片集成等優(yōu)點，同時由于整個結(jié)構(gòu)完全為介質(zhì)基片 上的金屬化通孔陣列所構(gòu)成，所以這種結(jié)構(gòu)可以利用普通PCB工藝、LTCC工藝、甚至薄膜電 路工藝精確實現(xiàn)。
[0003] 利用基片集成波導技術(shù)制作的濾波器也具有基片集成波導的特性，能夠使得濾波 器具有高Q值，高功率容量，易與其它平面電路和芯片集成等優(yōu)點。在此基礎上所發(fā)展的可 調(diào)諧濾波器也引來了越來越多的研究者的注意。但隨著通信系統(tǒng)的進一步發(fā)展，電可調(diào)諧 濾波器的需求日益增加，而利用基片集成波導技術(shù)制作的濾波器大多數(shù)屬于不可調(diào)諧濾波 器。在部分的基于基片集成波導的濾波器中，有存在著體積偏大、Q值較低、調(diào)節(jié)范圍不寬、 不方便加載調(diào)節(jié)電壓等問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種體積較小、插入損耗低、Q值較高、方便有 效的加載直流饋電且能夠產(chǎn)生頻率調(diào)節(jié)的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器。
[0005] 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為：該基于半模基片集成波導的電可調(diào) 諧帶通濾波器，包含上層微帶結(jié)構(gòu)、中間層介質(zhì)基板和下層接地金屬，所述上層微帶結(jié)構(gòu)包 括第一金屬片，所述第一金屬片上設置有多個接地孔，所述第一金屬片的下方分別設置有 第三微波傳輸線和第四微波傳輸線，所述第三微波傳輸線連接在第一金屬片的左端，第四 微波傳輸線連接在第一金屬片的右端，并且第三微波傳輸線與第四微波傳輸線沿第一金屬 片的對稱中心線對稱設置，所述第三微波傳輸線的左側(cè)連接有第一微波傳輸線，所述第四 微波傳輸線的右側(cè)連接有第二微波傳輸線，所述第一微波傳輸線與第二微波傳輸線沿第一 金屬片的對稱中心線對稱設置，所述第一微波傳輸線的左端設置有第一輸入輸出端口，第 二微波傳輸線的右端設置有第二輸入輸出端口，第三微波傳輸線的下方依次連接有第一隔 直電容、第五微波傳輸線、第一可變電容、第一接地耦合金屬片，第四微波傳輸線的下方依 次連接有第二隔直電容、第六微波傳輸線、第二可變電容、第二接地耦合金屬片，所述第一 隔直電容與第二隔直電容的容值相同并且沿第一金屬片的對稱中心線對稱設置，所述第五 微波傳輸線與第六微波傳輸線沿第一金屬片的對稱中心線對稱設置，所述第一可變電容與 第二可變電容的容值相同并且沿第一金屬片的對稱中心線對稱設置，所述第一接地耦合金 屬片與第二接地耦合金屬片沿第一金屬片的對稱中心線對稱設置。
[0006] 進一步的是，所述第三微波傳輸線的右側(cè)連接有第一耦合金屬片，第四微波傳輸 線的左側(cè)連接有第二耦合金屬片，所述第一耦合金屬片與第二耦合金屬片沿第一金屬片的 對稱中心線對稱設置。
[0007] 進一步的是，所述第三微波傳輸線與第四微波傳輸線之間設置有多個第七微波傳 輸線，所述第七微波傳輸線連接在第一金屬片上并且第七微波傳輸線的下方依次連接有第 三隔直電容、第八微波傳輸線、第三可變電容、第三接地稱合金屬片，所述第三隔直電容的 容值與第一隔直電容、第二隔直電容的容值相同，第三可變電容的容值與第一可變電容、第 二可變電容的容值相同。
[0008] 進一步的是，所述第一可變電容、第二可變電容、第三可變電容、第一隔直電容、第 二隔直電容、第三隔直電容均是由多個并聯(lián)的電容器組成。
[0009] 進一步的是，所述第一輸入輸出端口、第二輸入輸出端口的端口阻抗均為50歐 姆。
[0010] 進一步的是，所述介質(zhì)基板的介電常數(shù)ε r為2?10,介質(zhì)基板厚度0. 5?5_。 [0011] 本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾 波器由于基片集成波導中間為理想磁壁，電力線平行于第一金屬片的對稱中心線，可以由 此處將基片集成波導一分為二，并不會改變場模式，這樣在保證擁有基片集成波導相同的 性能同時可以大大減小由基片集成波導構(gòu)成的器件的體積；而且通過接地孔能有效降低插 入損耗，提高Q值；另外，通過第一隔直電容、第二隔直電容和第三微波傳輸線、第四微波傳 輸線，加上行成半模的基片集成波導，能夠方便有效的加載直流饋電，方便頻率調(diào)節(jié)；通過 第一可變電容和第二可變電容，能夠使得基于半模基片集成波導的濾波器的通帶產(chǎn)生頻率 調(diào)節(jié)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1是本發(fā)明實施例1所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器的原 理圖；
[0013] 圖2是本發(fā)明實施例1所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器中心 頻率調(diào)節(jié)的傳輸特性和回波損耗曲線圖；
[0014] 圖3是本發(fā)明實施例2所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器的原 理圖；
[0015] 圖4是本發(fā)明實施例2所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器中心 頻率調(diào)節(jié)的傳輸特性和回波損耗曲線圖；
[0016] 附圖標記說明：第一金屬片1、接地孔2、第三微波傳輸線3、第四微波傳輸線4、第 一微波傳輸線5、第二微波傳輸線6、第一輸入輸出端口 7、第二輸入輸出端口 8、第一隔直電 容9、第五微波傳輸線10、第一可變電容11、第一接地稱合金屬片12、第二隔直電容13、第六 微波傳輸線14、第二可變電容15、第二接地稱合金屬片16、第一稱合金屬片17、第二稱合金 屬片18、第七微波傳輸線19、第三隔直電容20、第八微波傳輸線21、第三可變電容22、第三 接地耦合金屬片23。

【具體實施方式】
[0017] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步的說明。
[0018] 如圖1、3所示，該基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器，包含上層微帶 結(jié)構(gòu)、中間層介質(zhì)基板和下層接地金屬，所述上層微帶結(jié)構(gòu)包括第一金屬片1，所述第一金 屬片1上設置有多個接地孔2,所述第一金屬片1的下方分別設置有第三微波傳輸線3和第 四微波傳輸線4,所述第三微波傳輸線3連接在第一金屬片1的左端，第四微波傳輸線4連 接在第一金屬片1的右端，并且第三微波傳輸線3與第四微波傳輸線4沿第一金屬片1的 對稱中心線對稱設置，所述第三微波傳輸線3的左側(cè)連接有第一微波傳輸線5,所述第四微 波傳輸線4的右側(cè)連接有第二微波傳輸線6,所述第一微波傳輸線5與第二微波傳輸線6沿 第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一微波傳輸線5的左端設置有第一輸入輸出 端口 7,第二微波傳輸線6的右端設置有第二輸入輸出端口 8,第三微波傳輸線3的下方依 次連接有第一隔直電容9、第五微波傳輸線10、第一可變電容11、第一接地稱合金屬片12， 第四微波傳輸線4的下方依次連接有第二隔直電容13、第六微波傳輸線14、第二可變電容 15、第二接地耦合金屬片16,所述第一隔直電容9與第二隔直電容13的容值相同并且沿第 一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第五微波傳輸線10與第六微波傳輸線14沿第一 金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一可變電容11與第二可變電容15的容值相同并 且沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一接地耦合金屬片12與第二接地耦合金 屬片16沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置。本發(fā)明所述的基于半模基片集成波導的 電可調(diào)諧帶通濾波器由于基片集成波導中間為理想磁壁，電力線平行于第一金屬片1的對 稱中心線，可以由此處將基片集成波導一分為二，并不會改變場模式，這樣在保證擁有基片 集成波導相同的性能同時可以大大減小由基片集成波導構(gòu)成的器件的體積；而且通過接地 孔2能有效降低插入損耗，提高Q值；另外，通過第一隔直電容9、第二隔直電容13和第三 微波傳輸線3、第四微波傳輸線4,加上行成半模的基片集成波導，能夠方便有效的加載直 流饋電，方便頻率調(diào)節(jié)；通過第一可變電容11和第二可變電容15,能夠使得基于半模基片 集成波導的濾波器的通帶產(chǎn)生頻率調(diào)節(jié)。
[0019] 進一步的是，所述第三微波傳輸線3的右側(cè)連接有第一耦合金屬片17,第四微波 傳輸線4的左側(cè)連接有第二耦合金屬片18,所述第一耦合金屬片17與第二耦合金屬片18 沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置。通過第一接地耦合金屬片12和第二接地耦合金 屬片16,可以減小串聯(lián)電感，能有效的增加基于半模基片集成波導的帶通濾波器的通帶頻 率的可調(diào)范圍。
[0020] 在上述實施方式中，所述第三微波傳輸線3與第四微波傳輸線4之間設置有多個 第七微波傳輸線19,所述第七微波傳輸線19連接在第一金屬片1上并且第七微波傳輸線 19的下方依次連接有第三隔直電容20、第八微波傳輸線21、第三可變電容22、第三接地耦 合金屬片23,所述第三隔直電容20的容值與第一隔直電容9、第二隔直電容13的容值相 同，第三可變電容22的容值與第一可變電容11、第二可變電容15的容值相同。由于方便加 載調(diào)節(jié)電壓，通過設置多個第七微波傳輸線19以及第三隔直電容20、第八微波傳輸線21、 第三可變電容22、第三接地耦合金屬片23能夠擴展更高階數(shù)的濾波器，以提高阻帶內(nèi)較高 的衰減特性。
[0021] 為了便于產(chǎn)生頻率調(diào)節(jié)以及方便頻率的調(diào)節(jié)，所述第一可變電容11、第二可變電 容15、第三可變電容22、第一隔直電容9、第二隔直電容13、第三隔直電容20均是由多個并 聯(lián)的電容器組成。
[0022] 另外，為了匹配阻抗，所述第一輸入輸出端口 7、第二輸入輸出端口 8的端口阻抗 均為50歐姆。所述介質(zhì)基板的介電常數(shù)ε r為2?10,介質(zhì)基板厚度0. 5?5mm。
[0023] 實施例一
[0024] 如圖1所示，本實施例所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器包含 上層微帶結(jié)構(gòu)、中間層介質(zhì)基板和下層接地金屬，所述上層微帶結(jié)構(gòu)包括第一金屬片1，所 述第一金屬片1上設置有多個接地孔2,所述第一金屬片1的下方分別設置有第三微波傳 輸線3和第四微波傳輸線4,所述第三微波傳輸線3連接在第一金屬片1的左端，第四微波 傳輸線4連接在第一金屬片1的右端，并且第三微波傳輸線3與第四微波傳輸線4沿第一 金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第三微波傳輸線3的左側(cè)連接有第一微波傳輸線5， 所述第四微波傳輸線4的右側(cè)連接有第二微波傳輸線6,所述第一微波傳輸線5與第二微 波傳輸線6沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一微波傳輸線5的左端設置有 第一輸入輸出端口 7,第二微波傳輸線6的右端設置有第二輸入輸出端口 8,第三微波傳輸 線3的下方依次連接有第一隔直電容9、第五微波傳輸線10、第一可變電容11、第一接地耦 合金屬片12,第四微波傳輸線4的下方依次連接有第二隔直電容13、第六微波傳輸線14、第 二可變電容15、第二接地稱合金屬片16,所述第一隔直電容9與第二隔直電容13的容值相 同并且沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第五微波傳輸線10與第六微波傳輸線 14沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一可變電容11與第二可變電容15的容 值相同并且沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一接地耦合金屬片12與第二接 地耦合金屬片16沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置。所述第三微波傳輸線3的右側(cè) 連接有第一耦合金屬片17,第四微波傳輸線4的左側(cè)連接有第二耦合金屬片18,所述第一 耦合金屬片17與第二耦合金屬片18沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置。所述第一輸 入輸出端口 7、第二輸入輸出端口 8的端口阻抗均為50歐姆。
[0025] 本實施例所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器的調(diào)節(jié)范圍為 856MHz-1471MHz，介質(zhì)基板的介電常數(shù)為2. 65、損耗因子為0. 001、厚度2mm。第一可變電 容11和第二可變電容15采用SKYW0RKS公司的SMV1405-074,其單個可變范圍為0. 63? 2. 67pF，第一可變電容11和第二可變電容15分別采用了 4個電容器并聯(lián)形成，其可調(diào)范圍 為2. 52?10. 68pF。第一隔直電容9和第二隔直電容13采用ATC公司的600S120FT250XT， 標稱值為12pF，第一隔直電容9和第二隔直電容13分別采用了兩個12pF并聯(lián)，構(gòu)成24pF 電容，在隔離直流的同時，又不減小整個電路串聯(lián)的電容值，使得可調(diào)范圍不受隔直電容的 影響。圖2所示的是該濾波器的仿真的傳輸特性和反射特性圖，橫軸表示頻率，縱軸表示傳 輸特性|S21|和反射特性|S11|。由圖2可以看出，該基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶 通濾波器擁有856MHz-1471MHz的頻率調(diào)節(jié)范圍。其相對帶寬基本保持恒定，穩(wěn)定在6%左 右。在中心頻率變化時，插入損耗在1. 84?3. 69dB范圍變化，通帶內(nèi)最大回波損耗在16? 34dB范圍內(nèi)變化，阻帶衰減40dB。
[0026] 實施例二
[0027] 如圖3所示，本實施例所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器包含 上層微帶結(jié)構(gòu)、中間層介質(zhì)基板和下層接地金屬，所述上層微帶結(jié)構(gòu)包括第一金屬片1，所 述第一金屬片1上設置有多個接地孔2,所述第一金屬片1的下方分別設置有第三微波傳 輸線3和第四微波傳輸線4,所述第三微波傳輸線3連接在第一金屬片1的左端，第四微波 傳輸線4連接在第一金屬片1的右端，并且第三微波傳輸線3與第四微波傳輸線4沿第一 金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第三微波傳輸線3的左側(cè)連接有第一微波傳輸線5， 所述第四微波傳輸線4的右側(cè)連接有第二微波傳輸線6,所述第一微波傳輸線5與第二微 波傳輸線6沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一微波傳輸線5的左端設置有 第一輸入輸出端口 7,第二微波傳輸線6的右端設置有第二輸入輸出端口 8,第三微波傳輸 線3的下方依次連接有第一隔直電容9、第五微波傳輸線10、第一可變電容11、第一接地耦 合金屬片12,第四微波傳輸線4的下方依次連接有第二隔直電容13、第六微波傳輸線14、第 二可變電容15、第二接地稱合金屬片16,所述第一隔直電容9與第二隔直電容13的容值相 同并且沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第五微波傳輸線10與第六微波傳輸線 14沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一可變電容11與第二可變電容15的容 值相同并且沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置，所述第一接地耦合金屬片12與第二接 地耦合金屬片16沿第一金屬片1的對稱中心線對稱設置。所述第三微波傳輸線3與第四 微波傳輸線4之間設置有第七微波傳輸線19,所述第七微波傳輸線19連接在第一金屬片1 上并且第七微波傳輸線19的下方依次連接有第三隔直電容20、第八微波傳輸線21、第三可 變電容22、第三接地耦合金屬片23,所述第三隔直電容20的容值與第一隔直電容9、第二隔 直電容13的容值相同，第三可變電容22的容值與第一可變電容11、第二可變電容15的容 值相同。
[0028] 本實施例所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器的調(diào)節(jié)范圍為 1183MHz-1883MHz，介質(zhì)基板的相對介電常數(shù)為2. 65、損耗因子為0. 001、厚度2mm的介質(zhì) 基板上。其中第一可變電容11、第二可變電容15和第三可變電容22采用SKYW0RKS公司 的SMV1405-074,其單個可變范圍為0. 63?2. 67pF，第一可變電容11、第二可變電容15和 第三可變電容22分別采用了 4個電容器并聯(lián)形成，其可調(diào)范圍為2. 52?10. 68pF。第一 隔直電容9、第二隔直電容13和第三隔直電容20采用的是ATC公司的600S120FT250XT，標 稱值為12pF，第一隔直電容9、第二隔直電容13和第三隔直電容20分別采用了兩個12pF 并聯(lián)，構(gòu)成24pF電容，在隔離直流的同時，又不減小整個電路串聯(lián)的電容值，使得可調(diào)范 圍不受隔直電容的影響。圖4所示的是該濾波器的仿真的傳輸特性和反射特性圖，橫軸 表示頻率，縱軸表示傳輸特性|S21|和反射特性| Sll|。由圖4可以看出，該濾波器擁有 11831抱-188311抱的頻率調(diào)節(jié)范圍。其相對帶寬基本保持恒定，穩(wěn)定在11.5%左右。在中 心頻率變化時，插入損耗在〇. 798?2. 026dB范圍變化，通帶內(nèi)最大回波損耗在21?34dB 范圍內(nèi)變化，阻帶衰減50dB。
[0029] 另外，第一可變電容11、第二可變電容15和第三可變電容22可以采用射頻微機系 統(tǒng)或半導體二極管和三極管來實現(xiàn)。
【權(quán)利要求】
1. 基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器，其特征在于：包含上層微帶結(jié)構(gòu)、 中間層介質(zhì)基板和下層接地金屬，所述上層微帶結(jié)構(gòu)包括第一金屬片（1)，所述第一金屬片 (1)上設置有多個接地孔（2)，所述第一金屬片（1)的下方分別設置有第三微波傳輸線（3) 和第四微波傳輸線（4)，所述第三微波傳輸線（3)連接在第一金屬片（1)的左端，第四微波 傳輸線（4)連接在第一金屬片（1)的右端，并且第三微波傳輸線（3)與第四微波傳輸線（4) 沿第一金屬片（1)的對稱中心線對稱設置，所述第三微波傳輸線（3)的左側(cè)連接有第一微 波傳輸線（5)，所述第四微波傳輸線（4)的右側(cè)連接有第二微波傳輸線（6)，所述第一微波 傳輸線（5)與第二微波傳輸線（6)沿第一金屬片（1)的對稱中心線對稱設置，所述第一微 波傳輸線（5)的左端設置有第一輸入輸出端口（7)，第二微波傳輸線（6)的右端設置有第二 輸入輸出端口（8)，第三微波傳輸線（3)的下方依次連接有第一隔直電容（9)、第五微波傳 輸線（10)、第一可變電容（11)、第一接地耦合金屬片（12)，第四微波傳輸線（4)的下方依 次連接有第二隔直電容（13)、第六微波傳輸線（14)、第二可變電容（15)、第二接地耦合金 屬片（16)，所述第一隔直電容（9)與第二隔直電容（13)的容值相同并且沿第一金屬片（1) 的對稱中心線對稱設置，所述第五微波傳輸線（10)與第六微波傳輸線（14)沿第一金屬片 (1)的對稱中心線對稱設置，所述第一可變電容（11)與第二可變電容（15)的容值相同并且 沿第一金屬片（1)的對稱中心線對稱設置，所述第一接地耦合金屬片（12)與第二接地耦合 金屬片（16)沿第一金屬片（1)的對稱中心線對稱設置。
2. 如權(quán)利要求1所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器，其特征在于： 所述第三微波傳輸線（3)的右側(cè)連接有第一耦合金屬片（17)，第四微波傳輸線（4)的左側(cè) 連接有第二耦合金屬片（18)，所述第一耦合金屬片（17)與第二耦合金屬片（18)沿第一金 屬片（1)的對稱中心線對稱設置。
3. 如權(quán)利要求1所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器，其特征在于： 所述第三微波傳輸線（3)與第四微波傳輸線（4)之間設置有多個第七微波傳輸線（19)，所 述第七微波傳輸線（19)連接在第一金屬片（1)上并且第七微波傳輸線（19)的下方依次連 接有第三隔直電容（20)、第八微波傳輸線（21)、第三可變電容（22)、第三接地耦合金屬片 (23)，所述第三隔直電容（20)的容值與第一隔直電容（9)、第二隔直電容（13)的容值相同， 第三可變電容（22)的容值與第一可變電容（11)、第二可變電容（15)的容值相同。
4. 如權(quán)利要求3所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器，其特征在于： 所述第一可變電容（11)、第二可變電容（15)、第三可變電容（22)、第一隔直電容（9)、第二 隔直電容（13)、第三隔直電容（20)均是由多個并聯(lián)的電容器組成。
5. 如權(quán)利要求4所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器，其特征在于： 所述第一輸入輸出端口（7)、第二輸入輸出端口（8)的端口阻抗均為50歐姆。
6. 如權(quán)利要求5所述的基于半模基片集成波導的電可調(diào)諧帶通濾波器，其特征在于： 所述介質(zhì)基板的介電常數(shù)ε r為2?10,介質(zhì)基板厚度0. 5?5mm。
【文檔編號】H01P1/203GK104157936SQ201410367634
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月29日
【發(fā)明者】馮全源, 田登堯 申請人:西南交通大學