1.一種粘接片，其中，通過包括自粘接片切出粘接薄膜的步驟和對具有引線框、配置在所述引線框上的所述粘接薄膜和配置在所述粘接薄膜上的硅芯片的結構體進行加熱的步驟的方法而形成具有所述引線框、配置在所述引線框上的粘接層和配置在所述粘接層上的硅芯片的裝置時，
所述粘接層與所述引線框的界面熱阻為0.15K/W以下，
所述界面熱阻與所述粘接層的內部熱阻的合計即總熱阻為0.55K/W以下。
2.根據權利要求1所述的粘接片，其包含樹脂成分，
所述樹脂成分包含玻璃化轉變溫度為0℃以下、重均分子量為85萬～140萬的丙烯酸類橡膠，
所述丙烯酸類橡膠不含有羧基和縮水甘油基，
所述樹脂成分100重量％中的所述丙烯酸類橡膠的含量為5重量％～30重量％。
3.根據權利要求1所述的粘接片，其包含填料，
所述填料包含氧化鋁填料，
所述氧化鋁填料為利用不含有環氧基、二胺基和硫醇基的硅烷偶聯劑進行了前處理而得到的表面處理填料。
4.根據權利要求1所述的粘接片，其包含平均粒徑為0.5μm～1μm的球狀填料，
所述球狀填料的含量為75重量％以上。
5.根據權利要求4所述的粘接片，其中，所述球狀填料的球形度為0.85以上。
6.根據權利要求1所述的粘接片，其包含在室溫下為液態的第1環氧樹脂，
所述第1環氧樹脂的環氧當量為175g/eq.以上。
7.根據權利要求6所述的粘接片，其包含在室溫下為固體的第2環氧樹脂，
所述第2環氧樹脂的環氧當量為200g/eq.以下。
8.根據權利要求1所述的粘接片，其厚度為15μm以下。
9.根據權利要求1所述的粘接片，其包含硅烷偶聯劑，所述硅烷偶聯劑具有選自由硫醇、二噻吩和四噻吩組成的組中的至少1種骨架。
10.一種切割帶一體型粘接片，其包含：
包括基材和配置在所述基材上的粘合劑層的切割帶，和
配置在所述粘合劑層上的、權利要求1～9中任一項所述的粘接片。
11.一種薄膜，其包含：
隔膜，和
配置在所述隔膜上的、權利要求10所述的切割帶一體型粘接片。
12.一種半導體裝置的制造方法，其包括如下工序：
將半導體晶圓壓接于權利要求1～9中任一項所述的粘接片的工序；
在將所述半導體晶圓壓接于所述粘接片的工序之后，通過進行芯片分割而形成包含半導體芯片和配置在所述半導體芯片上的粘接薄膜的芯片接合用芯片的工序；和
將所述芯片接合用芯片壓接于引線框的工序。
13.一種半導體裝置，其是通過權利要求12所述的制造方法而得到的。