本發明涉及用于3D集成電路芯片的生產的單片化(singulation)方法。

背景技術：

在以晶圓水平進行生產的3D集成電路的制造中，通過結合完整的半導體晶圓[各晶圓在表面具有多個管芯(die)]以形成晶圓堆疊體、然后將堆疊體單片化為分離的3D芯片(3D chip)而組裝了3D堆疊體中的管芯。使用標準切割方法(例如激光切割或刀片切割)將晶圓堆疊體單片化是特別具有挑戰性的。一個具體問題在于，應用于現有集成電路的低k和超低k介電質越來越多孔化和脆弱。另外，標準切割方法需要相對較寬的切割槽(dicing street)，即，相鄰管芯的有源區域之間需要大面積區域以避免損壞管芯。其結果是，大量的晶圓表面積被浪費。

已經描述了借助于等離子體蝕刻的單片化方法來使單個晶圓單片化。但是，在晶圓堆疊體中，所述單片化需要使用不同的蝕刻工具來依次實施多個蝕刻工序，將會導致復雜的工藝和低產量。采用單個蝕刻工具也同樣存在問題，因為難以發現適合蝕刻晶圓堆疊體中存在的多種材料的工具和/或蝕刻工藝。

技術實現要素：

本發明涉及用于將所附權利要求中所述的半導體晶圓堆疊體單片化的方法。根據本發明的方法，將多個晶圓結合以形成晶圓堆疊體，所述晶圓各自包含多個集成電路管芯。該堆疊體中，通過現有的直接結合技術將管芯結合在一起。根據本發明，在各個結合步驟之前，沿著所要結合的兩個管芯的周界制作單片化槽(singulation street)，以達到下述程度：在圍繞管芯的中心有源部分的區域中，從所要結合的表面移除半導體基材材料之外的所有材料。優選通過光刻和蝕刻步驟來完成該過程，穿過材料向下蝕刻直至到達基材部分。在結合步驟中，直接結合的表面上的單片化槽相互對齊，且堆疊體中的所有單片化槽相互之間同樣地對齊。在制作例如凸起或支柱的接觸結構后，在堆疊體的頂層制作額外的單片化槽，其與之前制作的單片化槽對齊。通過單個蝕刻步驟可實現管芯堆疊體從晶圓堆疊體的分離，其中將與對齊的單片化槽相對應的區域中的堆疊體基材材料移除。

本發明特別涉及用于生產晶圓堆疊體并將該堆疊體單片化的方法，晶圓堆疊體的各晶圓包括一個或多個集成電路管芯，且各晶圓包括半導體基材和位于基材的至少一側上的功能層，所述管芯由功能層的劃定部分和基材的劃定部分進行限定，其中，晶圓堆疊體由以下步驟制造：

·將第一晶圓與第二晶圓直接結合的一個或多個步驟，其中，第一晶圓的一個或多個管芯的功能層部分分別與第二晶圓的一個或多個管芯的功能層部分結合，從而形成包括一個或多個結合管芯堆疊體的晶圓堆疊體，和

·直接結合步驟之后，在晶圓堆疊體上形成頂層，所述頂層包括位于結合管芯堆疊體頂部且與下層的結合管芯堆疊體電連接的一個或多個接觸結構，

且其中：

·在各個直接結合步驟之前，在所要結合在一起的兩個晶圓的相向的表面上制作中間單片化槽，其中從相向面的圍住管芯的中心部分的區域中移除功能層的材料。中心部分包含在劃定部分的邊界內。中心部分至少包括管芯的有源部分(即包含管芯的所有有源組件和電路的部分)，

·在各個直接結合步驟之前，該方法包括使所要結合的兩個晶圓的相向表面的中間單片化槽對齊的步驟，

·晶圓堆疊體中形成的結合管芯堆疊體中的所有中間單片化槽之間相互對齊，

·在制造了晶圓堆疊體的頂層后，在晶圓堆疊體中形成的管芯的各堆疊體的頂層中制作上部單片化槽，其中，從頂層的區域移除頂層的材料，上部單片化槽與之前制作的中間單片化槽對齊，

·通過在與對齊的中間和上部單片化槽相對應的區域中對晶圓堆疊體的半導體基材進行蝕刻而使晶圓堆疊體單片化，從而得到了一個或多個單片化的管芯堆疊體。

根據一種實施方式，通過光刻和蝕刻工藝制作中間單片化槽，且光刻和蝕刻工藝所移除的區域中不存在金屬材料。

根據一種實施方式，通過光刻和蝕刻工藝制作上部單片化槽，且光刻和蝕刻工藝所移除的頂層區域中不存在金屬材料。

根據一種實施方式，將光刻掩模施加于頂層，且通過對半導體基材進行蝕刻而將晶圓堆疊體單片化時，掩模仍然存在于頂層上。

根據一種實施方式，通過對半導體基材的與單片化槽相對應的區域中的半導體材料實施單個各向異性蝕刻步驟而完成了晶圓堆疊體的單片化步驟。

根據一種實施方式，在制作了上部單片化槽后，將晶圓堆疊體轉移至背磨膠帶，之后將晶圓堆疊體薄化，然后轉移至切割膠帶，并在晶圓堆疊體粘接于切割膠帶的同時，通過對基材的與對齊的中間和上部單片化槽相對應的區域中的所有半導體材料進行蝕刻而得到了單片化管芯堆疊體。

根據一種實施方式，在制作了上部單片化槽后，對半導體基材的與對齊的中間和上部單片化槽相對應的區域中的半導體材料進行蝕刻，從而從堆疊體中除底部基材之外的每個基材中完全移除所述半導體材料，并從底部基材中移除所述材料至預定深度，之后將堆疊體轉移至背磨膠帶，并將晶圓堆疊體薄化，直到獲得一個或多個單片化管芯堆疊體。

根據一種實施方式，管芯具有多邊形表面區域，且中間和上部單片化槽具有與所述表面區域的邊界平行的邊，單片化槽為弧形的角部區域除外。根據進一步的實施方式，管芯在晶圓上形成相鄰多邊形區域的陣列，且中間和上部單片化槽的邊的至少一部分與兩個相鄰管芯之間的邊界重疊。例如，單片化槽的邊與邊界(邊界兩側之間的角部除外，此處單片化槽是弧形的)重疊。

根據一種實施方式，所要結合的管芯包括管芯密封圈，且其中，中間單片化槽在管芯密封圈外圍且與其同心。

根據一種實施方式，中間和上部單片化槽的寬度為5-15微米。根據一種實施方式，接觸結構包括接觸凸起或支柱。

所述方法可進一步包括形成完全穿過或部分穿過各個結合管芯堆疊體的一個或多個連接結構，以將一個或多個功能層部分與頂層電連接。

根據一種實施方式，第一直接結合步驟在兩個單獨的晶圓之間進行，以形成第一堆疊體，且各個后續的直接結合步驟在單獨的晶圓和之前制備的堆疊體的晶圓之間進行。

根據一種實施方式，至少一個直接結合步驟在第一堆疊體的晶圓和第二堆疊體的晶圓之間進行，所述第一和第二堆疊體已由前述直接結合步驟制得。

附圖說明

圖1示出了半導體晶圓表面的一部分，其包括集成電路管芯的陣列。

圖2示出了在兩個晶圓上制作的兩個管芯的截面，所述兩個晶圓將通過直接結合而結合。

圖3示出了結合之前的兩個管芯上中間單片化槽的制作。

圖4和圖5分別示出了結合工序和兩晶圓結合的晶圓組件中上部晶圓的薄化。

圖6示出了用于完成晶圓堆疊體的半導體穿孔(TSV)和接觸結構的制作。

圖7a和7b示出了堆疊體頂層上的上部單片化槽的制作。

圖8-11示出了根據第一實施方式的管芯堆疊體從晶圓堆疊體的最終分離。

圖12-14示出了根據第二實施方式的管芯堆疊體從晶圓堆疊體的分離。

圖15示出了應用于多于兩個晶圓的堆疊體的本發明的方法。

圖16a示出了本發明的方法中施加的單片化槽的位置，如多個管芯上所觀察到的。圖16b示出了一個實施方式中的單片化槽的位置，其中，單片化槽與相鄰管芯之間的邊界重疊。

發明詳述

在附圖中說明了根據本發明的一種實施方式的方法，該方法用于生產兩個直接結合的晶圓的堆疊體并切割堆疊體以形成分離的3D管芯。該方法不受限于堆疊的晶圓的數量，也可應用于多于兩個晶圓的堆疊體。除非另有說明，本發明不局限于附圖所示或描述的任何細節。附圖用于說明本發明的方法。附圖中的各個組件和層不是按比例繪制的。

圖1示出了集成電路管芯2的(部分)陣列的圖像，在半導體基材上制作特定類型的管芯的生產工序完成時，所述陣列可呈現在晶圓表面。

圖2示出了兩個管芯2a和2b的截面，兩個管芯將通過兩個這種晶圓的直接結合而結合。顯而易見的是，圖2所示的管芯分別是較大晶圓的一部分，且僅示出了各晶圓的一個管芯。各晶圓包括半導體基材和在該基材上形成的與基材直接接觸的“功能層”。功能層與基材直接接觸，且可包含多種層。在圖2所示的特定情況下，功能層是層堆疊體，其包括晶圓上各個管芯的有源組件和互連部分。從而各個管芯2a/2b包括半導體基材部分3a/3b，和本說明書的上下文中所定義的“功能層部分1a/1b”。各個管芯還包括中心部分2'(參照圖1)，所述中心部分至少包括管芯的“有源部分”(即，包含管芯的所有有源組件和電路的部分)。所示實施方式中，管芯2a和2b這兩者的功能層部分1a和1b包括在半導體基材部分3a/3b上制作的生產前段工藝(FEOL)部分和FEOL部分上的生產后段工藝(BEOL)部分。術語FEOL和BEOL在半導體加工領域中是已知的。FEOL是指包括有源組件(例如晶體管或二極管)的部分，BEOL是指包括金屬化堆疊體(即，具有金屬線和嵌在金屬線中的連接孔的介電層堆疊體，所述金屬線和連接孔可通過單鑲嵌技術或雙鑲嵌技術來獲得)的部分。使用附圖標記4a/4b示意性地表示FEOL和BEOL部分，其中FEOL和BEOL之間沒有明顯差別。功能層部分1a/1b還包括再分配層5a/5b，所述再分配層進一步是BEOL部分頂部上的介電層，其中嵌有金屬接觸部6a/6b，配置接觸部6a/6b以將BEOL金屬化層疊體與外部接觸終端連接。在再分配層5a/5b的頂部，功能層部分1a/1b包括適于直接結合的介電連接層7a/7b。本發明上下文中的術語“直接結合”是指結合工藝，其中，使介電平面接合層相互接觸，且其中，可在退火步驟后和/或在熱壓步驟后由連接層之間的相互作用形成結合。直接結合層例如可以是硅氧化物層、硅碳氮化物層(SiCN)或可感光成像(photopatternable)的聚合物膠水層(參考下文)，或者直接結合層可包括不同材料的堆疊體。結合層可以是覆蓋介電層，或者可包括金屬區域和介電質區域，其中金屬與金屬結合，介電質與介電質結合。這種情況下，結合技術仍然稱作“直接結合”，但是也可將其稱作“混合結合(hybrid bonding)”。金屬區域可以和結合層在同一平面中，或者可表示為相對于結合層的給定的布局，例如一個表面上的支柱，所述支柱與其他表面的凹陷區域通過嵌入結合的方式接觸。在后者的情況下，支柱通常被底部填充層(underfill layer)圍住，所述底部填充層可以是上述的聚合物膠水層。因此，底部填充層也符合本說明書的上下文中的直接結合層的定義。

在實施結合步驟之前，沿著各個管芯2a/2b的周界制作單片化槽10a/10b，參見圖3。單片化槽圍住管芯的有源中心部分2'?？稍诠苄镜耐獠窟吔?1a/11b內制作單片化槽，例如(角部區域中除外)與管芯的外部邊界的距離恒定，如圖3中管芯2a/2b中任一者的俯視圖所示。在角部，槽優選是弧形的，如附圖中所示。單片化槽不一定必須完全位于管芯的邊界11a/11b之內(距離a>0)。在最大限度地利用晶圓表面的優選實施方式中，槽實際上可與這些邊界重疊，其中槽與兩個相鄰的管芯使用共同的邊。本說明書的后文會對該實施方式進行說明，但是為了解釋該方法，使用了各個管芯具有單獨的單片化槽10a/10b的實施方式。優選使用光刻和各向異性蝕刻經過功能部分1a/1b(即，經過FEOL/BEOL部分4a/4b、再分配層5a/5b和結合層7a/7b，直至到達基材部分3a/3b的材料)來制作單片化槽。改進管芯設計以使其適合該目的，其意義在于與單片化槽相對應的區域中不存在金屬，因為與單片化槽的介電質部分的蝕刻工藝相同的工藝難以移除這些金屬。因此，兩個單片化槽10a/10b各自由單獨的蝕刻步驟制作。這可通過例如使用Ar和/或O₂作為添加劑的基于C₄F₈的等離子體蝕刻來實現。施加這種類型的蝕刻化學品的條件是本領域已知的，并且不在本文中詳細描述。單片化槽越窄越好，例如在基材3a/3b的厚度為100微米且功能層1a/1b的總介電質厚度為3.5微米的情況下，單片化槽的寬度可以是約10微米。單片化槽10a和10b具有相同的形狀(如管芯表面的平面所示)，從而它們能夠以形成一個單獨的開口區域的方式來相互對齊。

然后通過直接結合將晶圓結合。將上部晶圓2a翻轉并與下部晶圓2b對齊，如圖4所示。需要小心定位晶圓，從而單片化槽10a/10b基本對齊。如圖4所示，使結合層7a/7b相互接觸。優選實施退火步驟以形成牢固的結合。本文未給出該直接結合步驟的細節，因為這些技術是本領域技術人員已知的。

當結合形成后，得到了圖4所示的兩晶圓組件，對齊的單片化槽10a/10b沿著堆疊的管芯2a和2b的周界形成一個開口區域。結合步驟之前所制作的單片化槽10a/10b是指本發明的權利要求中所描述的方法所制作的中間單片化槽。因此，當管芯堆疊體包括多于兩個的管芯時，中間單片化槽形成單片化槽對齊的堆疊體，直接結合表面中形成的各對單片化槽形成上述的單個開口區域。

回到附圖中所示的實施方式，直接結合步驟后得到的組件在之后被薄化，從而移除了上部晶圓的半導體基材3a的一部分，通常使該基材的厚度減少至低于50微米。該薄化步驟的結果示于圖5。

之后形成半導體連接通孔(TSV)15/16/17，如圖6所示。TSV由本領域已知的方法形成。優選在其中使用光刻+蝕刻步驟來形成貫穿上部基材3a并到達接觸部6a和/或6b的開口。將介電質隔離層(也稱作內襯)14順應性地沉積在開口的側壁以及上部基板3a的頂部表面上，之后將晶種層(如果需要，還有阻隔層)沉積在開口內，并通過電鍍合適的金屬(優選銅)來填充開口，然后實施平面化步驟(例如化學機械拋光步驟(CMP))。TSV將堆疊體的兩個管芯2a/2b的金屬接觸部6a/6b相互連接。在附圖所示的示例性方式中，通過一對TSV 15/16和具有兩種不同直徑的TSV 17來完成所述連接。通過在TSV的頂部形成互連部(可通過鑲嵌處理來獲得)而完成了晶圓堆疊體，互連部18被嵌入介電質層19內，所述介電質層還包括朝向接觸墊21的連接部20。接觸結構22(例如凸起或支柱)最終形成在接觸墊21上。層23(包括互連部18，介電質層14/19，連接部20，接觸墊21，凸起或支柱22)是所附權利要求中所述的“頂層”的一個實施方式。制作這種頂層23的工藝是本領域已知的，并且不在本文中詳細描述。介電質層14/19僅是“頂層”的介電質部分的一個示例，不一定包括內襯14(例如，在沉積頂層23的介電質層之前，可首先將襯底從上部表面移除)。

根據本發明，上部單片化槽25形成于晶圓堆疊體的頂層23中的介電質層14/19，如圖7a和7b所示。該上部單片化槽25與結合前制作的第一和第二單片化槽10a/10b具有相同的形狀，并優選具有相同的寬度。上部單片化槽25與之前制作的單片化槽10a/10b對齊。優選通過光刻+各向異性蝕刻步驟制作上部單片化槽25，直至到達薄化的上部基材3a的材料。在完成接觸凸起或支柱22后制作上部單片化槽25。這可通過在支柱22的頂部制作光刻掩模24(優選為抗蝕掩模)來實現，如圖7a所示。在蝕刻步驟后，可將光刻掩模剝離，如圖7b所示?；蛘撸杀Ａ粞谀２⒃诤罄m的工序中剝離，正如本說明書的后文所解釋的那樣。

然后，穿過由對齊的單片化槽所限定的區域中的基材3a/3b通過蝕刻來實施管芯堆疊體的實際單片化。實現該過程的第一實施方式示于圖8-11。圖7b所示的晶圓堆疊體可被翻轉并粘接于背磨膠帶30(參照圖8)，使凸起或支柱22嵌入膠帶并使下部基材3a朝上。在晶圓堆疊體被緊密地粘接于背磨膠帶30的狀態下通過本領域已知的背磨步驟將基材3a薄化，參照圖9。然后將薄化的晶圓堆疊體轉移至切割膠帶31，參照圖10，并且將背磨膠帶30移除。粘接于切割膠帶31的同時，穿過基材3a和3b通過各向異性蝕刻來完成從堆疊體到分離的管芯堆疊體的單片化，從而除去與單片化槽10a/10b/25對齊的這些基材的材料。用于蝕刻半導體材料的蝕刻工藝是高度各向異性的，從而僅必要性地將分別與堆疊的對齊的單片化槽對齊的半導體基材3a和3b的區域35a和35b中的半導體材料移除。同時，蝕刻工藝必須是高度各向異性的和/或對FEOL/BEOL部分4a/4b、再分配層5a/5b、結合層7a/7b和介電質層14/19的材料具有選擇性的，從而這些層中，除了與之前形成的單片化槽10a/10b相對應的區域之外，沒有或僅有很少的材料被移除。換言之，單片化槽25/10a/10b的形狀和尺寸決定了半導體材料從與單片化槽相對應的窄區域的移除。這意味著從區域35a/35b移除基材材料之前不需要涂布光刻掩模。這使得管芯堆疊體被單片化并形成了單片化的3D管芯26，如圖11所示。當基材3a/3b是硅基材時，用于移除與單片化槽對齊的區域35a/35b中的基材材料的蝕刻工藝是本領域已知的等離子體硅蝕刻。優選的等離子體蝕刻工藝采用基于C₄F₈/SF₆的蝕刻化學品，以及交替的Si蝕刻和聚合物沉積循環(所謂的博世工藝(Bosch process))?？蛇M一步通過例如選取和放置方法(pick and place method)對3D管芯26進行操作。

圖7b所示情況之后完成晶圓堆疊體的單片化的方法的另一個實施方式示于圖12-14。根據該實施方式，在晶圓堆疊體自身之上對基材3a/3b進行蝕刻，即不首先將堆疊體轉移至背磨膠帶。這示于圖12：按照之前形成的單片化槽25/10a/10b對基材進行各向異性蝕刻，即，通過與圖10和11所描述的蝕刻工藝類似的工藝實施蝕刻，直至在底部基材3b中達到給定的深度b。然后，將晶圓堆疊體粘接于背磨膠帶30(圖13)，將部分蝕刻后的基材3b薄化直至到達蝕刻后的部分，從而完成單片化并形成分離的3D管芯，參見圖14。在轉移至切割膠帶后(形成與圖11所示的相同的情況)，3D管芯26可再次用于選取和放置方法。

根據一種實施方式，在對由單片化槽限定的區域35a/35b中的基材進行蝕刻之前，用于制作上部單片化槽25的光刻掩模24(參見圖7a)未被剝離，而是在由穿過基材3a/3b的蝕刻完成切割后進行剝離。掩模24能夠在基材3a/3b的蝕刻過程中對頂層23提供額外的保護。將掩模24保持在堆疊體上，直到圖8-11和12-14分別所示的單片化變化形式均能實現單片化之后。在第一種情況下，優選在單片化的管芯堆疊體仍位于切割膠帶31上時將抗蝕層剝離。在第二種情況下，可在向下蝕刻至圖12的深度b后將抗蝕層剝離，或者可在單片化的管芯堆疊體上剝離抗蝕層。

根據本發明，通過在晶圓堆疊體上實施單個蝕刻步驟可實現管芯堆疊體從晶圓堆疊體的分離，所述蝕刻步驟用于對與單片化槽相對應的區域35a/35b中的基材3a/3b進行蝕刻。單個蝕刻步驟是指：使用單個蝕刻工具實施且不從工具移除堆疊體的工序。這種簡化是因為在結合之前已經在承載管芯的晶圓上制作了中間單片化槽10a/10b。因此，在單片化工序中不必將堆疊體從一個蝕刻工具轉移至另一蝕刻工具。一旦形成了堆疊體，則能夠以高產量快速實施單片化。

單片化槽10a和10b不需要100％完美地對齊，原因在于少量的錯位不會妨礙與單片化槽對齊的半導體材料35a/35b的各向異性蝕刻。另外，只要能夠使單片化槽相互對齊，則允許單片化槽的寬度或其他維度存在少許差異。

圖15說明了如何根據本發明將該方法用于多于兩個晶圓的堆疊體的單片化。在所示實施方式中，各自具有兩個晶圓的兩個堆疊體被結合在一起，以形成4晶圓堆疊體。所要結合的兩個2-晶圓堆疊體的相向的面具有功能層49a/49b，其中包括層50a/50b，例如可以是單介電質層。功能層49a/49b還包括直接結合層51a/51b。例如，層50a/50b可以是硅氮化物層，其作為形成防止Cu擴散的屏障的鈍化層起作用，且51a/51b均為硅氧化物層或聚合物層，或者一個為氧化層，另一個為聚合物層。在另一個示例中，層50a/50b是硅氧化物層且51a/51b是SiCN層，其作為結合層起作用且同時形成防止Cu擴散的屏障。以上述方式制作中間單片化槽52a/52b，即，移除沿著管芯周界的窄區域中的功能層部分49a/49b中的材料。然后，通過使直接結合層51a/51b相互接觸來將兩個堆疊體結合，優選在之后實施退火步驟。在TSV完成后，該情況中是一組具有不同直徑的將四個管芯互連的TSV 53(具有襯底，但是圖中未示出)完成后，以及在制造了頂層23并制作了上部單片化槽25后，可通過蝕刻四個晶圓的半導體基材的單個步驟將4-晶圓堆疊體切割，與上述兩晶圓情況中的方式相同。

圖16a是晶圓上多個管芯2的圖像，這種情況示出了四個相鄰管芯2所占區域內部的單片化槽10的位置。管芯優選具有本領域已知的管芯密封圈40。根據一種優選實施方式，單片化槽以密封圈40為中心進行環繞，即，與密封圈相距固定的距離向外偏移。由于單片化槽10的寬度可以是微米級的(例如，基于基材3a/3b的厚度，為5-15微米)，與需要在管芯間保留更大的面積作為切割槽的標準切割技術相比，使用本發明的方法時在晶圓表面的損失方面可獲得重要的益處。通過減少相鄰的單片化槽之間的距離c，晶圓表面的利用率可被進一步優化，直到每個管芯沒有單獨的單片化槽，而是單片化槽與管芯之間的邊界11重疊。這種類型的一個優選實施方式示于圖16b，其中單片化槽的邊(角部除外)與兩個相鄰管芯之間的邊界重疊，且單片化槽的每條邊由兩個相鄰管芯共用。該實施方式中，當完成單片化后，晶圓堆疊體中僅有窄柱體41殘留。或者，通過對此適當地設計光刻掩模(即，將柱體41包括在單片化槽的圖案內)，可在中間單片化槽10的蝕刻過程中移除與這些柱體對應的區域。優選通過設計用于蝕刻中間槽的光刻掩模，以給定的半徑(取決于單片化槽內的表面積)仔細設計中間單片化槽10的弧形角部?；⌒谓遣繒箚纹木询B體中形成的應力最小化。本發明的方法由于能夠設計這些弧形角部而具有優勢，而使用例如刀片切割的傳統切割技術時則無法形成弧形角部。除了矩形形狀的管芯之外，管芯還可以是任意多邊形的形式。本發明的另一優勢在于，管芯的表面區域的形狀不局限于矩形或方形。由于能夠調整單片化槽的形狀而使其與管芯區域的形狀相適應，所以能夠形成任意多邊形。

如上所述，直接結合層可以是適合于該目的的幾種已知類型的介電層中的任一種，例如氧化物層或可感光成像的聚合物膠水層。兩個結合表面上涂布的結合層可相同(例如氧化物-氧化物結合)或不同(例如氧化物-聚合物)。本領域中已知可感光成像的聚合物膠水層是這種類型。當本發明的方法使用后者時，在以下方面可能與上述工藝順序存在區別。優選在制作聚合物層之前首先在功能層中形成中間單片化槽，然后在沉積該聚合物層后單獨在聚合物層中形成單片化槽。根據圖3-6的實施方式，但是其中層7a/7b是可感光成像的聚合物層(此處參照管芯2a進行描述，也可參照相對的管芯2b)，中間切割槽10a首先在由FEOL/BEOL部分4a和再分配層5a構成的堆疊體中形成。然后涂布聚合物結合層，即，也在中間單片化槽10a中涂布。之后可僅通過光刻(即，穿過掩模照射并顯影/剝離聚合物)，利用聚合物的光刻特性從中間單片化槽中移除聚合物。或者，通過適于蝕刻聚合物的蝕刻工藝采用光刻+干式蝕刻從中間切割槽移除聚合物，其中使用與穿過4a和5a部分的蝕刻中相同的光刻掩模?；诰酆衔锏闹苯咏Y合的情況下，本發明的方法的其他特性與上述采用氧化物-氧化物結合的實施方式相同。

雖然已經通過附圖和上述描述詳細地闡述和說明了本發明，但應認為這些闡述和說明是說明性或示例性的，而非限制性的。本領域技術人員在實施要求保護的本發明的過程中，通過研究附圖、公開內容以及所附權利要求書，可以理解和實現公開的實施方式的其它各種變化形式。在權利要求中，術語“包括”并不排除其它要素或步驟，不定冠詞“一種”或“一個”并不排除多個。事實上，互不相同的從屬權利要求中所述的某些測量并不表示這些測量的組合不能用于獲益。權利要求書中的任何引用符號不應理解為限制本發明的范圍。

上述說明詳細描述了本發明的某些實施方式。但是，應理解，無論上文中進行了多么詳細的描述，本發明可以多種方式實施，因此并不限于公開的實施方式。應注意，當描述本發明某些特征或方面時特定術語的使用不應理解為表示該術語在此被重新限定為局限于包括與該術語相關的本發明特點或方面的任何特定特征。

除非具體說明，否則關于另一層或基材“上”的層的存在、沉積或形成的描述包括

·所述層直接(即，物理接觸)存在、形成或沉積于所述其它層或基材，和

·所述層存在、形成或沉積于所述層和所述其它層或基材之間的一個中間層或中間層堆疊體。