技術總結
根據本發明的方法將多個晶圓結合以形成晶圓堆疊體，所述晶圓各自包含多個集成電路管芯。該堆疊體中，通過現有的直接接合技術將管芯接合在一起。根據本發明，在各個結合步驟之前，沿著所要結合的兩個管芯的周界制作單片化槽，以達到下述程度：在單片化槽中，從所要結合的兩個表面移除管芯的半導體基材部分之外的管芯的所有材料。優選通過光刻和蝕刻步驟來完成該過程，穿過材料向下蝕刻，直至到達基材部分。在結合步驟中，直接結合的表面上的單片化槽相互對齊，且堆疊體中的所有單片化槽相互之間同樣地對齊。在制作例如凸起或支柱的接觸結構后，在堆疊體的頂層制作額外的單片化槽，其與之前制作的單片化槽對齊。通過蝕刻步驟來實現管芯堆疊體從晶圓堆疊體的分離，其中將與對齊的單片化槽相對應的區域中的堆疊體的基材材料移除。

技術研發人員：J·德沃斯;E·貝內
受保護的技術使用者：IMEC非營利協會
文檔號碼：201611013640
技術研發日：2016.11.17
技術公布日：2017.05.24