本發明涉及一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法，屬于LED封裝
技術領域：
。
背景技術：
：LED目前所用封裝材料有環氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有機硅等高透明材料，其中環氧樹脂與有機硅材料作為主要的封裝材料，環氧樹脂內應力過大，黃變，耐高低溫性能差，耐老化性能差，而目前的有機硅材料，內應力小，耐高低溫性能好，不黃變，透光率也高于環氧樹脂，因此迅速取代環氧樹脂，被廣泛用于LED封裝領域，但是有機硅材料特別是低折射率有機硅材料因為低交聯密度導致透氧透濕，在含硫氣體作用下，會部分穿透封裝材料，在銀層與硅膠界面因為無粘接性，易生成硫化銀，導致銀層發黑，另外，uv照射后，光通量迅速下降。因此，提高LED封裝用有機硅材料的耐硫化耐UV性能迫在眉睫。技術實現要素：本發明針對現有LED封裝用有機硅材料在使用過程中存在的不足，提供一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法。本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法，其特征在于，包括如下步驟：1)清潔LED支架表面；2)配制涂層：將含氫硅樹脂和溶劑均勻混合，其中，含氫硅樹脂的重量分數為20～25wt％；3)將步驟2)中所得的涂層均勻噴涂至芯片表面；4)向步驟3)所得的芯片表面進行均勻的電子束照射，使涂層固化形成致密的二氧化硅結構；5)后清除多余涂層，點上封裝用的有機硅材料，固化成型。進一步，所述含氫硅樹脂的結構式如下：進一步，所述電子束為500-1000mW，電子束的照射時間為3-5秒。進一步，所述的溶劑是指正庚烷、乙醚或丙酮中的一種。本發明的有益效果是：1)使用本發明的方法制備得到的封裝后的LED克服了傳統有機硅材料封裝后的透氣透濕，含硫氣體作用下會部分穿透封裝材料的弊端，耐硫化性好；2)經長時間紫外線UV照射后，光通量仍能保持穩定；3)銀層與硅膠界面粘結性好，不易生成硫化銀。具體實施方式以下結合實例對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。本發明實施例1-3中所使用的含氫硅樹脂的結構式如下：實施例1：一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步驟：1)清潔LED支架表面；2)配制涂層：將25份含氫硅樹脂和75份溶劑無水乙醚均勻混合得涂層；3)將步驟2)中所得的涂層均勻噴涂至芯片表面；4)向步驟3)所得的芯片表面進行均勻的電子束照射，電子束為500mW，照射時間為5秒，使涂層固化形成致密的二氧化硅結構；5)后清除多余涂層，點上封裝用的有機硅材料，固化成型。實施例2：一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步驟：1)清潔LED支架表面；2)配制涂層：將23份含氫硅樹脂和77份溶劑無水正庚烷均勻混合得涂層；3)將步驟2)中所得的涂層均勻噴涂至芯片表面；4)向步驟3)所得的芯片表面進行均勻的電子束照射，電子束為700mW，照射時間為4秒，使涂層固化形成致密的二氧化硅結構；5)后清除多余涂層，點上封裝用的有機硅材料，固化成型。實施例3：一種提高LED封裝用有機硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步驟：1)清潔LED支架表面；2)配制涂層：將20份含氫硅樹脂和80份溶劑無水丙酮均勻混合得涂層；3)將步驟2)中所得的涂層均勻噴涂至芯片表面；4)向步驟3)所得的芯片表面進行均勻的電子束照射，電子束為1000mW，照射時間為3秒，使涂層固化形成致密的二氧化硅結構；5)后清除多余涂層，點上封裝用的有機硅材料，固化成型。對比例：清潔LED支架表面后直接點上封裝用的有機硅材料，固化成型。為了驗證本發明提供的方法的有益效果，我們對使用本發明的方法固化后的產品進行了耐硫和耐UV的測試，具體測試方法如下：耐硫化：固化后成品，取10pcs測試光通量作為初始數據，用雙面膠貼在保鮮盒盒子蓋上，支架膠面朝下，保鮮盒尺寸是10cm*10cm*5cm，加入硫粉2g，硫粉均勻鋪在盒子底部且成粉狀而非塊狀，盒子要密封性好，置于80℃烘箱,8H后取出。耐UV：將樣品放入UV老化箱中，溫度為50℃，波長280-400nm，放置24h后取出，測試光通量，計算光衰。實施例1-3與對比例所得產品的光通量及光衰測試結果如表1所示：表1：實施例1-3及對比例所得產品的光通量和光衰數據光通量(％)光衰(％)實施例199.40.6實施例299.20.8實施例399.10.9對比例88.211.8以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。當前第1頁1 2 3