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一種半導體集成OLED顯示器及其制作方法與流程

文檔序號:11101773閱讀:838來源:國知局
一種半導體集成OLED顯示器及其制作方法與制造工藝

本發明涉及一種顯示器領域,尤其涉及一種半導體集成OLED顯示器及其制作方法。



背景技術:

OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示器,也稱為有機電致發光顯示器,是一種新興的平板顯示裝置,具有功耗低、自發光且發光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快,而且易于實現彩色顯示、易于實現和集成電路驅動器相匹配、易于實現柔性顯示等優點。其中硅基OLED微顯示技術是OLED光電子技術與硅基集成電路微電子技術的結合,主要應用在微顯示領域。是利用成熟的CMOS集成電路工藝,芯片制作完好后,再進行OLED 器件的制作,從而提高了整個顯示器的良率。OLED微顯示器體積小,非常便于攜帶,并且其憑借小體積提供的近眼顯示效果較為理想,伴隨虛擬現實的快速發展需求,OLED微顯示器將呈現快速發展趨勢。

目前白光AMOLED顯示器是一般由RGB三層發光層串聯來產生RGB三基色,通過調整RGB三層發光層的含量來匹配出白光。傳統的發光層為串聯結構,因相同驅動電流作用下各層退化程度不同,尤其以藍光的壽命衰退速度較為迅速,這樣就致使一段時間后器件的顏色坐標發生偏移,從而影響整個發光器件的性能及使用壽命。



技術實現要素:

本發明正是針對現有技術存在的不足,提供了一種半導體集成OLED顯示器及其制作方法。

為解決上述問題,本發明所采取的技術方案如下:

一種半導體集成OLED顯示器,包括襯底基板,所述襯底基板上具有CMOS驅動電路,所述襯底基板上依次形成有像素陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、色彩過濾層和保護蓋,所述發光層包括紅光發光層、綠光發光層和藍光發光層,所述藍光發光層包括至少兩層發光層,所述紅光發光層和綠光發光層串聯后與藍光發光層并列連接;所述色彩過濾層包括紅光過濾層和綠光過濾層。

優選地,在所述發光層中,所述藍光發光層占發光層總長度的1/3。

優選地,在所述發光層中,所述藍光發光層的厚度與紅光發光層、綠光發光層的總厚度相等。

優選地,所述色彩過濾層對應藍光發光層的位置采用透明材料制成。

優選地,所述色彩過濾層對應藍光發光層的位置開設有通孔。

優選地,所述紅光過濾層和綠光過濾層分別采用紅光像素和綠光像素的感光材料。

優選地,所述襯底基板為含CMOS驅動電路的硅基襯底基板。

優選地,所述保護蓋采用透明玻璃制成。

本發明還提出一種制造半導體集成OLED顯示器的方法,包括以下步驟:提供一襯底基板,對該襯底基板進行包括清洗、干燥的預處理;

在襯底基板上涂抹反光阻,所述反光阻的涂抹厚度為0.08-1.121um,在已涂抹反光阻的襯底基板上涂抹正光阻,所述正光阻的涂抹厚度為1.0-1.5um,均勻度不小于0.5%;

將已涂抹反光阻和正光阻的襯底基板置于曝光機內進行曝光處理,曝光強度為300mj/cm2;

將曝光后的襯底基板置于顯影液中進行顯影處理,顯影處理時間為2min,顯影處理完成對該襯底基板進行水洗;

將水洗后的襯底基板置于烤箱內進行脫水處理,脫水處理的溫度為900-1100℃,脫水處理的時間為25-35min;

將脫水處理后的襯底基板置于等離子清洗機內進行等離子清洗處理,清洗處理的溫度為110-130℃,清洗處理的時間為1-2min;

在襯底基板上定義陽極區,將鉻或鋁或鉬鍍膜于陽極區,形成陽極層;

在已鍍膜的襯底基板上蒸鍍隔離層;

在制作上隔離層的襯底基板上逐層蒸鍍有機功能材料,并依次形成像素陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層;所述發光層包括紅光發光層、綠光發光層和藍光發光層,所述藍光發光層包括至少兩層發光層,所述紅光發光層和綠光發光層串聯后與藍光發光層并列連接,所述藍光發光層占發光層總長度的1/3;

將包括紅光像素和綠光像素的色彩感光材料貼合在已蒸鍍有機功能材料的襯底基板上,形成色彩過濾層;所述紅光感光材料對應紅光像素電極位置,所述綠光感光材料對應綠光像素電極位置,藍光發光層對應色彩過濾層的位置為透明材料或通孔;

將保護片貼合到包含色彩過濾層的襯底基板上,形成保護蓋。

本發明與現有技術相比較,本發明的實施效果如下:

藍光發光層包括至少兩層發光層,在取得同樣顯示效果的前提下,能夠降低通過藍光發光層的電流,從而延長藍光發光層的使用壽命,進而延長整個顯示器的使用壽命。

通過藍光發光層的電流被有效降低,該顯示器中藍光發光層對應的色彩過濾層的位置不需要增加藍光過濾層來保證顯示效果;此外色彩過濾層對應藍色發光層的位置可直接采用透明材料制成,或者色彩過濾層對應藍色發光層的位置為一通孔。此設計方式能夠節省生產制造成本,并有助于節約能耗。

附圖說明

圖1為本發明所述一種半導體集成OLED顯示器示意圖。

具體實施方式

下面將結合具體的實施例來說明本發明的內容。

如圖1所示為本發明所述一種半導體集成OLED顯示器,包括襯底基板1,所述襯底基板1上具有CMOS驅動電路,所述襯底基板上依次形成有像素陽極層2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層、電子傳輸層6、電子注入層7、陰極層8、色彩過濾層和保護蓋10,所述發光層包括紅光發光層51、綠光發光層52和藍光發光層53,所述藍光發光層53包括至少兩層發光層,所述紅光發光層51和綠光發光層52串聯后與藍光發光層53并列連接;所述色彩過濾層包括紅光過濾層91和綠光過濾層92。

在有的實施例中,色彩過濾層對應藍光發光層53的位置開設有通孔。

上述方案中,所述綠光過濾層92位于所述紅光過濾層91與所述通孔之間,也可以是所述紅光過濾層91位于所述綠光過濾層92與通孔之間,雖然圖1中標示了綠光過濾層92位于所述紅光過濾層91與所述通孔之間,但是本技術方案的內容并不限于此。本領域的技術人員可根據實際生產工藝,自行調整紅光過濾層91和綠光過濾層92的相對位置。

在有的實施例中,色彩過濾層對應藍光發光層53的位置采用透明材料制成。

上述方案中,所述綠光過濾層92位于所述紅光過濾層91與透明材料之間,也可以是所述紅光過濾層91位于所述綠光過濾層92與透明材料之間,雖然圖1中標示了綠光過濾層92位于所述紅光過濾層91與透明材料之間,但是本技術方案的內容并不限于此。本領域的技術人員可根據實際生產工藝,自行調整紅光過濾層91和綠光過濾層92的相對位置。

本方案中,藍光發光層53包括至少兩層發光層,在取得同樣顯示效果的前提下,能夠降低通過藍光發光層53的電流,從而延長藍光發光層53的使用壽命,進而延長整個顯示器的使用壽命。

通過藍光發光層53的電流被有效降低,該顯示器中藍光發光層53對應的色彩過濾層的位置不需要增加藍光過濾層來保證顯示效果;此外色彩過濾層對應藍色發光層53的位置可直接采用透明材料制成,或者色彩過濾層對應藍色發光層53的位置為一通孔。此設計方式能夠節省生產制造成本,并有助于節約能耗。

在有的實施例中,所述藍光發光層53的厚度與紅光發光層51、綠光發光層52的總厚度相等。

在有的實施例中,所述藍光發光層53占發光層總長度的1/3,能夠保證該顯示器的顯示效果。

在有的實施例中,所述紅光過濾層91和綠光過濾層92分別采用紅光像素和綠光像素的感光材料。

在有的實施例中,所述襯底基板為含CMOS驅動電路的硅基襯底基板。

在有的實施例中,所述保護蓋10采用透明玻璃制成。

本發明還提出一種半導體集成OLED顯示器,包括以下步驟:

參照圖1,本發明還提出一種制造半導體集成OLED顯示器的方法,包括以下步驟:

提供一襯底基板1,對該襯底基板1進行包括清洗、干燥的預處理;

在襯底基板1上涂抹反光阻,所述反光阻的涂抹厚度為0.08-1.121um,在已涂抹反光阻的襯底基板1上涂抹正光阻,所述正光阻的涂抹厚度為1.0-1.5um,均勻度不小于0.5%;

將已涂抹反光阻和正光阻的襯底基板1置于曝光機內進行曝光處理,曝光強度為300mj/cm2;

將曝光后的襯底基板1置于顯影液中進行顯影處理,顯影處理時間為2min,顯影處理完成對該襯底基板進行水洗;

將水洗后的襯底基板1置于烤箱內進行脫水處理,脫水處理的溫度為900-1100℃,脫水處理的時間為25-35min;

將脫水處理后的襯底基板1置于等離子清洗機內進行等離子清洗處理,清洗處理的溫度為110-130℃,清洗處理的時間為1-2min;

在襯底基板上定義薄膜晶體管2區和陽極區,將鉻或鋁或鉬鍍膜于陽極區,形成陽極層3;

在已鍍膜的襯底基板上蒸鍍隔離層;

在制作上隔離層的襯底基板上逐層蒸鍍有機功能材料,并依次形成空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極層8;所述發光層包括紅光發光層51、綠光發光層52和藍光發光層53,所述綠光發光層52包括至少兩層發光層,所述紅光發光層51和綠光發光層52串聯后與藍光發光層53并列連接,所述藍光發光層53占發光層總長度的1/3;

將包括紅光像素和綠光像素的色彩感光材料貼合在已蒸鍍有機功能材料的襯底基板上,形成色彩過濾層;所述紅光感光材料對應紅色像素電極位置,所述綠光感光材料對應綠光像素電極位置,藍光發光層53對應色彩過濾層的位置為透明材料或通孔;

將保護片貼合到包含色彩過濾層的襯底基板1上,形成保護蓋10。

本發明提出的半導體集成OLED顯示器,能夠降低通過藍光發光層的電流,從而延長藍光發光層的使用壽命,進而延長整個顯示器的使用壽命;無需單獨設計藍光濾光層,有助于節約生產制造成本,并有助于節約能耗。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已,并不用以限制本發明,凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等,均應包含在本發明的保護范圍之內。

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