1.一種半導體集成OLED顯示器，包括襯底基板，所述襯底基板上具有CMOS驅動電路，所述襯底基板上依次形成有像素陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、色彩過濾層和保護蓋，其特征在于，所述發光層包括紅光發光層、綠光發光層和藍光發光層，所述藍光發光層包括至少兩層發光層，所述紅光發光層和綠光發光層串聯后與藍光發光層并列連接；所述色彩過濾層包括紅光過濾層和綠光過濾層。
2.根據權利要求1所述的半導體集成OLED顯示器，其特征在于，在所述發光層中，所述藍光發光層占發光層總長度的1/3。
3.根據權利要求1所述的半導體集成OLED顯示器，其特征在于，在所述發光層中，所述藍光發光層的厚度與紅光發光層、綠光發光層的總厚度相等。
4.根據權利要求1-3任一項所述的半導體集成OLED顯示器，其特征在于，所述色彩過濾層對應藍光發光層的位置采用透明材料制成。
5.根據權利要求1-3任一項所述的半導體集成OLED顯示器，其特征在于，所述色彩過濾層對應藍光發光層的位置開設有通孔。
6.根據權利要求1所述的半導體集成OLED顯示器，其特征在于，所述紅光過濾層和綠光過濾層分別采用紅光像素和綠光像素的感光材料。
7.根據權利要求1所述的半導體集成OLED顯示器，其特征在于，所述襯底基板為含CMOS驅動電路的硅基襯底基板。
8.根據權利要求1所述的半導體集成OLED顯示器，其特征在于，所述保護蓋采用透明玻璃制成。
9.一種制造半導體集成OLED顯示器的方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一襯底基板，對該襯底基板進行包括清洗、干燥的預處理；
在襯底基板上涂抹反光阻，所述反光阻的涂抹厚度為0.08-1.121um，在已涂抹反光阻的襯底基板上涂抹正光阻，所述正光阻的涂抹厚度為1.0-1.5um,均勻度不小于0.5%；
將已涂抹反光阻和正光阻的襯底基板置于曝光機內進行曝光處理，曝光強度為300mj/cm2；
將曝光后的襯底基板置于顯影液中進行顯影處理，顯影處理時間為2min，顯影處理完成對該襯底基板進行水洗；
將水洗后的襯底基板置于烤箱內進行脫水處理，脫水處理的溫度為900-1100℃，脫水處理的時間為25-35min；
將脫水處理后的襯底基板置于等離子清洗機內進行等離子清洗處理，清洗處理的溫度為110-130℃，清洗處理的時間為1-2min；
在襯底基板上定義陽極區，將鉻或鋁或鉬鍍膜于陽極區，形成陽極層；
在已鍍膜的襯底基板上蒸鍍隔離層；
在制作上隔離層的襯底基板上逐層蒸鍍有機功能材料，并依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層電子注入層和陰極層；所述發光層包括紅光發光層、綠光發光層和藍光發光層，所述藍光發光層包括至少兩層發光層，所述紅光發光層和綠光發光層串聯后與藍光發光層并列連接，所述藍光發光層占發光層總長度的1/3；
將包括紅光像素和綠光像素的色彩感光材料貼合在已蒸鍍有機功能材料的襯底基板上，形成色彩過濾層；所述紅光感光材料對應紅光像素電極位置，所述綠光感光材料對應綠光像素電極位置，藍光發光層對應色彩過濾層的位置為透明材料或通孔；
將保護片貼合到包含色彩過濾層的襯底基板上，形成保護蓋。