本發明涉及電極，特別是涉及一種精細電極的制作方法以及電子元件。

背景技術：

隨著電子元件產品小型化的發展趨勢以及高性能的發展要求，要求電極制作越來越精細，并且電導率要求越來越高。目前行業內有兩種普遍的電極制作方式，一種為網版印刷工藝，一種為黃光工藝。印刷工藝受網版以及印刷漿料印刷特性的限制，無法制作精細電極，目前可達到極限水平為線寬/線間距＝30μm/30μm，而黃光工藝雖然可達到線寬/線間＝14μm/11μm的電極水平，但是由于受光刻銀漿本身特性的影響，工藝本身無法繼續制作更精細電極。另外，以上兩種電極制作工藝均采用銀漿制作電極，銀漿由于需要有印刷特性，所以銀粉固含量無法達到百分之百，所以銀漿燒結后一般電阻率均較高，無法滿足元器件日益對于高電導率電極的需求。

技術實現要素：

本發明所要解決的技術問題是：彌補上述現有技術的不足，提出一種電子元件電極的制作方法及電子元件，可制得精細化的電極，且制得的電極的電導率較高，電極之間的填充也較致密。

本發明的技術問題通過以下的技術方案予以解決：

一種電子元件電極的制作方法，包括以下步驟：S1，在用于制作電子元件的基板上鋪設感光絕緣材料，并在所述感光絕緣材料上濺射金屬材料，形成一層金屬層；S2，在所述金屬層上鋪光阻劑；S3，對光阻劑進行曝光、顯影，根據曝光時所使用的掩膜板中的電極圖案去除電極圖案區域以外的光阻劑；S4，蝕刻去除未被光阻劑覆蓋的金屬層，保留光阻劑覆蓋的金屬層；S5，去除金屬層上的光阻劑；S6，鋪設感光絕緣材料；S7，對感光絕緣材料進行曝光、顯影，根據步驟S3中的電極圖案進行顯影，去除電極圖案區域對應的感光絕緣材料，在保留的感光絕緣材料之間形成電極溝槽；S8，電鍍處理，在所述電極溝槽中電鍍沉積金屬材料，形成電極。

優選地，

步驟S1中，所述基板為氧化鋁基板或者硅片。

步驟S1或者步驟S6中，所述感光絕緣材料為聚酰亞胺樹脂或者環氧樹脂。

步驟S1中，濺射的金屬材料為銅，銀，錫，鉻或金。

步驟S2中，所述光阻劑為感光膠或者感光干膜。

步驟S4中，采用金屬層的金屬材料對應的蝕刻液進行蝕刻去除金屬層。

步驟S5中，采用堿性溶液去除所述光阻劑。

步驟S6中，鋪設厚度大于等于10μm的感光絕緣材料。

步驟S8中，沉積的金屬材料為銅或者銀。

一種電子元件，包括電極，所述電極為根據如上所述的制作方法制得的。

本發明與現有技術對比的有益效果是：

本發明的電子元件電極的制作方法及電子元件，在基板上成型電極。成型時，先通過濺射金屬材料、光阻劑曝光顯影，形成后續電鍍附著基礎的金屬層基底。然后鋪設感光絕緣材料以及曝光、顯影，形成電極溝槽，之后直接在電極溝槽中沉積金屬材料即可。由于采用光刻以及電鍍技術，所以可以實現線寬、線間距精細化的處理，尤其可達到均小于10μm，深寬比至少為1的精細化電極圖案的制作。同時，電極電導率可以接近純金屬電導率。另外，采用本發明電極成型方式，線間距對應的區域是先鋪設感光絕緣材料，然后在電極溝槽的區域電鍍沉積金屬材料，不必在沉積形成電極之后通過擠壓填充的方式在線間距之間填充絕緣材料，避免了事后填充出現的不飽滿問題。本發明可以實現線間距的致密填充，尤其是寬度≤5μm，深寬比大于1的線間距的填充。

【附圖說明】

圖1是本發明具體實施方式的電極制作方法的工藝流程圖；

圖2是本發明具體實施方式在基板上層層堆積電極后的結構示意圖。

【具體實施方式】

下面結合具體實施方式并對照附圖對本發明做進一步詳細說明。

具體實施方式一

如圖1所示，為本發明的具體實施方式的電極的制作方法，包括以下步驟：

S1，在用于制作電子元件的基板100上鋪設感光絕緣材料200，并在所述感光絕緣材料200上濺射金屬材料，形成一層金屬層300。

基板可為氧化鋁基板或者硅片等具有強度，平整性以及不易變形的基板。感光絕緣材料200可為聚酰亞胺樹脂，環氧樹脂等具有高絕緣特性以及低介電常數材料。濺射時，濺射的金屬材料可為銅，銀，錫，鉻，金等金屬。濺射形成的金屬層的厚度可根據實際需要設置。優選地，金屬層300的厚度＜1μm。這樣，后續形成的電極主要由電鍍沉積的金屬材料形成，從而電導率較高。

S2，在所述金屬層上鋪光阻劑400。

光阻劑400可為感光膠或者感光干膜。光阻劑可以是正性或者負性，并具有一定抗腐蝕性，同時耐堿性較差。光阻劑400的厚度＜5μm。

S3，對光阻劑進行曝光、顯影，根據曝光時所使用的掩膜板中的電極圖案去除電極圖案區域以外的光阻劑。

曝光、顯影以去除部分光阻劑，保留余下的光阻劑。根據光阻劑的正性或者負性特性，選擇掩膜板中的電極圖案區域透光或者不透光，從而保留電極圖案區域下的光阻劑。具體地，電極圖案可選擇線寬、線間距均為10μm的電極圖案。曝光能量、顯影時間根據光阻劑厚度可進行調整。

S4，蝕刻去除未被光阻劑覆蓋的金屬層，保留光阻劑覆蓋的金屬層。

該步驟中，將電極圖案區域以外的，也即未被光阻劑覆蓋的裸露的金屬層蝕刻去除，裸露出底部的感光絕緣材料層。經過蝕刻后形成具有一定厚度(一般＜1μm)的電極圖案。蝕刻液的種類可根據金屬層材料確定，例如，銅層可采用其對應的蝕刻藥水進行蝕刻。蝕刻液的濃度可根據蝕刻效率進行調整。蝕刻時間可根據濺射金屬層厚度進行調整。

S5，去除金屬層上的光阻劑。

將前述曝光顯影保留的光阻劑，也即金屬層上的光阻劑去除。可采用堿性溶液去除光阻劑。

S6，鋪設感光絕緣材料。鋪設感光絕緣材料，包覆金屬層。該步驟中，優選地，鋪設的感光絕緣材料的厚度在10μm以上，這樣，后續形成的電極溝槽、電極等的厚度也在10μm以上，從而便于制得深寬比較大的電極。

S7，對感光絕緣材料進行曝光、顯影，根據步驟S3中的電極圖案進行顯影，去除電極圖案區域對應的感光絕緣材料，在保留的感光絕緣材料之間形成電極溝槽。

同樣地，根據感光絕緣材料的正性或者負性特性，選擇顯影時掩膜板中的電極圖案區域透光或者不透光，從而去除電極圖案區域下的感光絕緣材料，在保留的感光絕緣材料之間形成電極溝槽，溝槽的底部為步驟S4中通過蝕刻而保留下來的金屬層，其也對應電極圖案。曝光能量、顯影時間根據感光絕緣材料厚度可進行調整。

S8，電鍍處理，在所述電極溝槽中電鍍沉積金屬材料，形成電極。

電鍍沉積的金屬可以是銀、銅等金屬。在感光絕緣材料曝光、顯影后形成的電極溝槽中進行電鍍，通過電鍍的方式在溝槽中沉積銀或者銅等金屬。沉積后，即形成電極。且電極與電極之間已填充好絕緣材料。

本具體實施方式的電極制作方法，通過感光絕緣材料采用光刻工藝制作電極溝槽，感光絕緣材料解析度較高，可制作線寬、線間距較精細化的電極圖案，特別是線寬、線間距＜10μm，深寬比大于1的電極圖案。另外，由于感光絕緣材料曝光顯影后的溝槽輪廓接近矩形，所以使得制作的電極輪廓較方正。由于采用電鍍的方法沉積電極，所以電極的導電率可以接近純金屬的電導率，電極的電導率較高。而且由于制作電極時是在已形成線寬、線間距的電極溝槽中進行電鍍，相鄰兩個電極之間間距已經填充滿絕緣材料，所以不存在相鄰兩個電極之間絕緣材料填充不致密問題，利用該制作方式還可以實現線間距≤10μm，深度為10μm線間距的制作以及絕緣材料的致密填充。

以上為單層電極的制作方法，后續可以在此層電極基礎上制作層間連接點并層層循環制作直至達到設計要求為止。如圖2所示，為在基板上層層堆積形成電極的結構示意圖。BAR塊成型后進行去基板，再將BAR塊分切0402尺寸產品，最終產品進行端電極電鍍。

采用傳統網版印刷工藝或者黃光工藝無法制作本具體實施方式的精細電極圖案。通過采用本具體實施方式的電極制作工藝，可實現線寬、線間距＝10μm/10μm的電極圖案的制作，電極邊緣平整整齊，線間距內絕緣材料填充致密，提高了絕緣可靠性。同時由于線寬、線厚一致性好，產品電性合格率高。另外采用該制作方法使得產品Q值在各個頻段均得到較大提升。

具體實施方式二

一種公制0201封裝的貼片高頻電感制作方法，電極的制作過程同具體實施方式一。區別在于：電極線寬、線間距為5μm。用本具體實施方式的電極制作工藝，較比傳統制作工藝，可制得上述精細化電極圖案，且電極電導率高，可以實現較低DCR的制作。由于可以制作更精細電極，所以可實現單層更多圈電極的制作，所以可以制作更大電感量的電感產品。

具體實施方式三

一種公制0605封裝的貼片共模扼流器的制作方法，電極的制作過程同具體實施方式一。區別在于：高頻電感產品里面有一組電極線圈，共模扼流器產品中兩組互相獨立的線圈。線圈線寬、線間距設計為10μm、5μm，電極厚度10μm。較比傳統制作工藝，由于可以實現單層更多圈電極的制作，可以制作更大共模阻抗的產品，同時由于線間距更小，使得產品的差模損耗更小，截止頻率更大。

以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明，不能認定本發明的具體實施只局限于這些說明。對于本發明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下做出若干替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應當視為屬于本發明的保護范圍。