本發明涉及硅片生產設備技術領域，尤其是涉及一種硅片水膜去水裝置。

背景技術：

所謂刻蝕，實際上就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發展；刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法，而濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除為被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。

刻蝕機利用水膜噴淋覆蓋技術，在硅片上噴淋水膜，利用SiO2親水性將水吸附在表面，使擴散面PN結不易遭到破壞，在減小漏電同時最大限度的增加受光面積，提升效率。

在非擴散面加上水膜是防止硅片過刻的重要途徑，而在實際生產過程中，硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產成本。

技術實現要素：

本發明要解決的技術問題是：為了解決硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產成本的問題，現提供了一種硅片水膜去水裝置。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種硅片水膜去水裝置，其特征在于：包括水槽，所述水槽的一端為硅片的輸入端，所述水槽的另一端為硅片的輸出端，所述水槽內轉動設置有用于輸送硅片的輸送輥，所述水槽外設有用于驅動輸送輥轉動的電機，所述水槽上設有壓平板，所述壓平板位于所述輸送輥上方，所述壓平板具有水平段和導向段，所述導向段位于水槽上靠近輸入端的一端，所述水平段為平面，所述導向段沿硅片的輸送方向為向下傾斜的第一斜面，所述導向段的低端與所述水平段固定連接，所述壓平板下底面設有分液板，所述分液板位于導向段處，所述分液板下底面與所述水平段下底面相互水平設置，所述分液板沿輸送輥軸向的兩側均設有第二斜面，所述分液板兩側的第二斜面沿硅片的輸送方向由內向外逐漸向上傾斜，所述水槽上設有用于控制壓平板靠近或者遠離輸送輥的調節機構。硅片由水槽的輸入端輸入，通過電機帶動輸送輥轉動并對硅片輸送，然后通過壓平板上的導向段及分液板對硅片上水膜多余的水進行分離排出，再由壓平板上的水平段對硅片上的水膜進行鋪平及抹勻處理，再由水槽的輸出端輸出，使得硅片上的水平保持均勻，保證了在硅片進入蝕刻槽后，硅片上的水膜不會溢出滴落的蝕刻槽內，同時通過控制調節機構，可適用于不同厚度的硅片。

進一步地，所述調節機構包括固定設置在水槽上的支架和螺桿，所述壓平板滑動設置支架上，所述螺桿的一端與所述支架螺紋連接，所述螺桿的另一端與所述壓平板轉動連接。通過調節支架上的螺桿可以調節壓平板與輸送輥之間的間距，方便快捷。

進一步地，所述壓平板上設有滑塊，所述支架上設有沿水槽豎直方向設有滑槽，所述滑塊滑動設置在滑槽內。通過滑塊與滑槽配合，對壓平板起到一定的限位作用，使得壓平板在使用時穩定可靠。

進一步地，所述螺桿遠離壓平板的一端設有手輪。通過調節手輪能夠快速調節壓平板與輸送輥之間的間距。

本發明的有益效果是：本發明硅片水膜去水裝置在使用時，硅片由水槽的輸入端輸入，通過電機帶動輸送輥轉動并對硅片輸送，然后通過壓平板上的導向段及分液板對硅片上水膜多余的水進行分離排出，再由壓平板上的水平段對硅片上的水膜進行鋪平及抹勻處理，再由水槽的輸出端輸出，使得硅片上的水平保持均勻，保證了在硅片進入蝕刻槽后，硅片上的水膜不會溢出滴落的蝕刻槽內，同時通過控制調節機構，可適用于不同厚度的硅片，本發明能夠有效的去除硅片水膜多余的水，使得水膜均勻鋪平在硅片上，良好的適用性，降低了生產成本，避免了硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產成本的問題。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。

圖1是本發明硅片水膜去水裝置的主視圖；

圖2是本發明硅片水膜去水裝置的左視圖；

圖3是本發明硅片水膜去水裝置的內部結構示意圖；

圖4是本發明硅片水膜去水裝置的壓平板及分液板的三維結構示意圖。

圖中：1、水槽，101、輸入端，102、輸出端，2、硅片，3、輸送輥，4、電機，5、壓平板，501、水平段，502、導向段，503、滑塊，6、分液板，7、支架，701、滑槽，8、螺桿，9、手輪。

具體實施方式

現在結合附圖對本發明做進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發明的基本結構，因此其僅顯示與本發明有關的構成。

實施例

如圖2和3所示，一種硅片水膜去水裝置，包括水槽1，所述水槽1的一端為硅片2的輸入端101，所述水槽1的另一端為硅片2的輸出端102，所述水槽1內轉動設置有六根用于輸送硅片2的輸送輥3，所述水槽1外設有用于驅動輸送輥3轉動的電機4，電機4是通過外接電源接入，并通過外部控制器控制電機4的啟閉，電機4和輸送輥3之間及輸送輥3和輸送輥3之間均通過鏈輪鏈條的傳動方式傳動，如圖4所示，所述水槽1上設有壓平板5，所述壓平板5位于所述輸送輥3上方，所述壓平板5具有水平段501和導向段502，所述導向段502位于水槽1上靠近輸入端101的一端，所述水平段501為平面，所述導向段502沿硅片2的輸送方向為向下傾斜的第一斜面，所述導向段502的低端與所述水平段501固定連接，所述壓平板5下底面設有分液板6，所述分液板6位于導向段502處，所述分液板6下底面與所述水平段501下底面相互水平設置，所述分液板6沿輸送輥3軸向的兩側均設有第二斜面，所述分液板6兩側的第二斜面沿硅片2的輸送方向由內向外逐漸向上傾斜，所述水槽1上設有用于控制壓平板5靠近或者遠離輸送輥3的調節機構。

如圖1所示，所述調節機構包括固定設置在水槽1上的支架7和螺桿8，所述壓平板5滑動設置支架7上，所述螺桿8的一端與所述支架7螺紋連接，所述螺桿8的另一端與所述壓平板5轉動連接。所述螺桿8遠離壓平板5的一端設有手輪9。

所述壓平板5上設有滑塊503，所述支架7上設有沿水槽1豎直方向設有相互平行設置的兩條滑槽701，所述滑塊503滑動設置在滑槽701內。

上述硅片水膜去水裝置在使用時，將硅片2上涂覆好水膜，具體操作步驟如下：首先根據硅片2的厚度來控制調節結構，通過調節螺桿8上的手輪9，螺桿8帶動壓平板5位移，同時壓平板5上的滑塊503在支架7上的滑槽701內滑動，使得壓平板5與輸送輥3之間的間距達到硅片2所需的距離，再啟動電機4，電機4帶動水槽1內的輸送輥3轉動，將硅片2放置在水槽1的輸入端101的輸送輥3上，輸送輥3帶動硅片2向輸出端102方向位移，硅片2上的水膜首先與分液板6接觸，分液板6兩側的第二斜面將水膜上多余的水向兩側分離，隨著硅片2的位移，硅片2上的水膜與壓平板5的第一斜邊接觸并再次分離，當硅片2經過壓平板5的水平段501時，由于水平段501為平面，對硅片2上的水膜進行均抹和鋪平，最后硅片2由水槽1的輸出端102輸出，即完成對硅片2上水膜的處理；通過控制調節機構，可適用于不同厚度的硅片2，適用性好，通過滑塊503與滑槽701配合，對壓平板5起到一定的限位作用，使得壓平板5在使用時穩定可靠；與普通的平板相比本發明先通過分液板6兩側的第二斜面將水膜上多余的水向兩側分離，能夠先對一部分水膜上的水進行分離，而普通平板在分離多余的水膜時，平板有可能會將水膜分離過多，導致硅片2上水膜不均勻。

上述依據本發明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項發明技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項發明的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。