1.一種GaN基發光二極管外延片的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括：
在襯底上依次外延生長緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、應力釋放層、多量子阱層、P型電子阻擋層、P型GaN層；
其中，所述應力釋放層包括依次生長的第一GaN壘層、由交替層疊的InGaN層和GaN層組成的超晶格阱層、第二GaN壘層，所述第一GaN壘層生長采用的載氣為純凈的N2或者H2和N2的混合氣體，所述超晶格阱層生長采用的載氣為純凈的N2，所述第二GaN壘層生長采用的載氣為H2和N2的混合氣體。
2.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于，所述第一GaN壘層生長采用的H2和N2的混合氣體中，H2和N2的流量比為1:4～1:10。
3.根據權利要求1或2所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層生長采用的H2和N2的混合氣體中，H2和N2的流量比為1:4～1:7。
4.根據權利要求1或2所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層的厚度大于所述第一GaN壘層的厚度。
5.根據權利要求1或2所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層的厚度為800～1600nm。
6.根據權利要求1或2所述的生長方法，其特征在于，所述第一GaN壘層、所述超晶格阱層、所述第二GaN壘層中均摻有Si。
7.根據權利要求6所述的生長方法，其特征在于，所述超晶格阱層中Si的摻雜濃度為所述第一GaN壘層中Si的摻雜濃度的1/10。
8.根據權利要求6所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層中Si的摻雜濃度大于所述超晶格阱層中Si的摻雜濃度。
9.根據權利要求6所述的生長方法，其特征在于，所述第二GaN壘層中Si的摻雜濃度與所述第一GaN壘層中Si的摻雜濃度不同。
10.根據權利要求1或2所述的生長方法，其特征在于，所述應力釋放層的生長溫度為900～1050℃。