技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種GaN基發(fā)光二極管外延片的生長方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述生長方法包括：在襯底上依次外延生長緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、應(yīng)力釋放層、多量子阱層、P型電子阻擋層、P型GaN層；其中，所述應(yīng)力釋放層包括依次生長的第一GaN壘層、由交替層疊的InGaN層和GaN層組成的超晶格阱層、第二GaN壘層，所述第一GaN壘層生長采用的載氣為純凈的N2或者H2和N2的混合氣體，所述超晶格阱層生長采用的載氣為純凈的N2，所述第二GaN壘層生長采用的載氣為H2和N2的混合氣體。本發(fā)明制成的芯片在4000v測試條件下測得抗靜電能力提升30％左右。

技術(shù)研發(fā)人員：李紅麗;胡加輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華燦光電（浙江）有限公司
文檔號碼：201611190103
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.21
技術(shù)公布日：2017.05.24