1.一種制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，包括：
配料、熔煉、速凝鑄片；
采用物理氣相沉積方法，在惰性氣氛下將重稀土粒子或者高熔質粒子沉積在釹鐵硼薄片上；
進行破碎制粉、取向成型、燒結熱處理，制備釹鐵硼磁體。
2.如權利要求1所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：重稀土粒子采用Dy或者Tb元素的粒子，高熔質粒子采用W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga元素的粒子。
3.如權利要求1所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：惰性氣氛采用真空、充入氬氣或充入氦氣。
4.如權利要求1所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：物理氣相沉積的溫度為300～500℃，沉積速率為0.01～50μm/min。
5.如權利要求1至4任一項所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，沉積微量重稀土粒子的步驟包括：
選擇所需重稀土靶材；
將釹鐵硼合金薄片和重稀土靶材置于物理氣相沉積裝置內；
抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；
調節參數，對釹鐵硼薄片加熱，加熱溫度300～500℃；
開啟物理氣相沉積裝置，利用物理氣相沉積將靶材粒子沉積在釹鐵硼薄片上；
停止物理氣相沉積，待釹鐵硼薄片溫度降至室溫后取出；
將制得的釹鐵硼薄片破碎制粉、取向壓制成型、真空燒結、回火熱處理，獲得最終釹鐵硼磁體。
6.如權利要求5所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：物理氣相沉積采用磁控濺射沉積、離子鍍沉積或者蒸發源沉積；粒子沉積速率為0.01～50μm/min。
7.如權利要求6所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：重稀土靶材為Dy或Tb中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。
8.如權利要求1至4任一項所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，沉積高熔質粒子的步驟包括：
選擇所需高熔質靶材；
將釹鐵硼合金薄片和高熔質靶材分別置于物理氣相沉積裝置內；
抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；
調節參數，對釹鐵硼薄片加熱，加熱溫度300～500℃；
開啟物理氣相沉積裝置，利用物理氣相沉積將靶材粒子沉積在釹鐵硼薄片上；
停止物理氣相沉積，待釹鐵硼薄片溫度降至室溫后取出；
將制得的釹鐵硼薄片破碎制粉、取向壓制成型、真空燒結、回火熱處理，獲得最終釹鐵硼磁體。
9.如權利要求8所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：高熔質靶材采用W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。
10.如權利要求8所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：物理氣相沉積采用磁控濺射沉積、離子鍍沉積或者蒸發源沉積，粒子沉積速率為0.01～50μm/min。