本實用新型涉及一種芯片封裝結構，涉及半導體技術領域。

背景技術：

近幾十年來，芯片封裝技術一直隨著集成電路技術的發展而發展。封裝結構是指半導體集成電路芯片用的外殼，其不僅起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其它器件相連接。因此，封裝結構一般包括用于安裝、固定及引線的引線框架，同時還包括用于保護芯片、密封并與引線框架相匹配的封裝體。

傳統的SOP類的封裝結構采用的是全包封設計，沒有外露的散熱結構，主要通過塑封料散熱，而塑封料的導熱性能較差導致此種封裝的散熱性能較差。在功率越來越大、封裝尺寸越來越小的需求下，傳統的SOP 結構的散熱缺點越來越明顯。另外，一些芯片產品需要在一個封裝結構中封裝相互隔離的兩粒芯片。

技術實現要素：

本實用新型目的是提供一種芯片封裝的新型SOP結構，該芯片封裝的新型SOP結構有效避免了導熱絕緣膠外溢而引起的短路故障，提高了產品成品率，使得加工生產更為簡單方便，提高了集成芯片的穩定性和可靠性。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種芯片封裝的新型SOP結構，包括芯片、金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳和環氧樹脂包覆體，所述芯片通過導熱絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央區域，若干個所述左側引腳并排間隔地設置于芯片的左側，若干個所述右側引腳并排間隔地設置于芯片的右側，所述金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，所述左側引腳與金屬焊盤相向的內側端下部開有第二缺口槽，所述右側引腳與金屬焊盤相向的內側端下部開有第三缺口槽，所述環氧樹脂包覆體包覆于芯片、金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳上，所述金屬焊盤、左側引腳和右側引腳各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體的底部；

若干根第一金線兩端分別與芯片和左側引腳電連接，若干根第二金線兩端分別與芯片和右側引腳電連接，所述金屬焊盤上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽，此環形儲膏槽的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽位于芯片正下方并靠近芯片的邊緣區域。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

1. 上述方案中，所述左側引腳、右側引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層。

2. 上述方案中，所述金屬鍍層為錫層或者鎳鈀金層。

3. 上述方案中，所述金屬鍍層與左側引腳或者右側引腳的厚度比為1：6~12。

4. 上述方案中，所述左側引腳和右側引腳的數目均為3~10根。

由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

1. 本實用新型芯片封裝的新型SOP結構，其金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，所述左側引腳與金屬焊盤相向的內側端下部開有第二缺口槽，所述右側引腳與金屬焊盤相向的內側端下部開有第三缺口槽，有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性；其次，其芯片通過導熱絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央區域，金屬焊盤、左側引腳和右側引腳各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體的底部，裸露的金屬焊盤，以便芯片在工作時快速傳導熱量，散熱效果好。

2. 本實用新型芯片封裝的新型SOP結構，其金屬焊盤上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽，此環形儲膏槽的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽位于芯片正下方并靠近芯片的邊緣區域，有效避免了導熱絕緣膠外溢而引起的短路故障，提高了產品成品率，使得加工生產更為簡單方便，提高了集成芯片的穩定性和可靠性。

3. 本實用新型芯片封裝的新型SOP結構，其左側引腳、右側引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層，既降低了器件與PCB的導電接觸電阻，也有利于與PCB之間的焊接強度的提高。

附圖說明

附圖1為本實用新型芯片封裝的新型SOP結構結構示意圖；

附圖2為附圖1的A-A剖面結構示意圖。

以上附圖中：1、芯片；2、金屬焊盤；3、左側引腳；4、右側引腳；5、環氧樹脂包覆體；6、導熱絕緣膠層；7、第一缺口槽；8、第二缺口槽；9、第三缺口槽；10、環形儲膏槽；11、金屬鍍層；15、第一金線；16、第二金線。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述：

實施例1：一種芯片封裝的新型SOP結構，包括芯片1、金屬焊盤2、若干個左側引腳3、若干個右側引腳4和環氧樹脂包覆體5，所述芯片1通過導熱絕緣膠層6固定于金屬焊盤2上表面的中央區域，若干個所述左側引腳3并排間隔地設置于芯片1的左側，若干個所述右側引腳4并排間隔地設置于芯片1的右側，所述金屬焊盤2下部邊緣處開有第一缺口槽7，所述左側引腳3與金屬焊盤2相向的內側端下部開有第二缺口槽8，所述右側引腳4與金屬焊盤2相向的內側端下部開有第三缺口槽9，所述環氧樹脂包覆體5包覆于芯片1、金屬焊盤2、若干個左側引腳3、若干個右側引腳4上，所述金屬焊盤2、左側引腳3和右側引腳4各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體5的底部；

若干根第一金線15兩端分別與芯片1和左側引腳3電連接，若干根第二金線16兩端分別與芯片1和右側引腳4電連接，所述金屬焊盤2上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽10，此環形儲膏槽10的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽10位于芯片1正下方并靠近芯片1的邊緣區域。

上述左側引腳3、右側引腳4的下表面鍍覆有金屬鍍層11，上述金屬鍍層11為錫層。

上述金屬鍍層11與左側引腳3或者右側引腳4的厚度比為1：7。

上述左側引腳3和右側引腳4的數目均為4根。

實施例2：一種芯片封裝的新型SOP結構，包括芯片1、金屬焊盤2、若干個左側引腳3、若干個右側引腳4和環氧樹脂包覆體5，所述芯片1通過導熱絕緣膠層6固定于金屬焊盤2上表面的中央區域，若干個所述左側引腳3并排間隔地設置于芯片1的左側，若干個所述右側引腳4并排間隔地設置于芯片1的右側，所述金屬焊盤2下部邊緣處開有第一缺口槽7，所述左側引腳3與金屬焊盤2相向的內側端下部開有第二缺口槽8，所述右側引腳4與金屬焊盤2相向的內側端下部開有第三缺口槽9，所述環氧樹脂包覆體5包覆于芯片1、金屬焊盤2、若干個左側引腳3、若干個右側引腳4上，所述金屬焊盤2、左側引腳3和右側引腳4各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體5的底部；

若干根第一金線15兩端分別與芯片1和左側引腳3電連接，若干根第二金線16兩端分別與芯片1和右側引腳4電連接，所述金屬焊盤2上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽10，此環形儲膏槽10的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽10位于芯片1正下方并靠近芯片1的邊緣區域。

上述左側引腳3、右側引腳4的下表面鍍覆有金屬鍍層11，上述金屬鍍層11為鎳鈀金層。

上述金屬鍍層11與左側引腳3或者右側引腳4的厚度比為1：9。

上述左側引腳3和右側引腳4的數目均為6根。

采用上述芯片封裝的新型SOP結構時，其有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性；其次，其裸露的金屬焊盤，以便芯片在工作時快速傳導熱量，散熱效果好；再次，有效避免了導熱絕緣膠外溢而引起的短路故障，提高了產品成品率；使得加工生產更為簡單方便，提高了集成芯片的穩定性和可靠性。

上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內容并據以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據本實用新型精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。