本實用新型涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，具體涉及一種基于導(dǎo)熱基板的芯片級封裝結(jié)構(gòu)，屬于芯片封裝結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展高功率、高亮度、小尺寸的LED產(chǎn)品為其發(fā)展重點，特別是大功率白光LED的出現(xiàn)和發(fā)展，封裝結(jié)構(gòu)從最初的引腳式發(fā)展到系統(tǒng)式封裝，封裝結(jié)構(gòu)的散熱能力逐漸增強(qiáng)，是解決散熱問題的一個途徑，另外封裝基板作為熱量導(dǎo)出的載體，其導(dǎo)熱性能有著至關(guān)重要的作用，而現(xiàn)有的封裝基板的導(dǎo)熱較差。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本實用新型提供了一種基于導(dǎo)熱基板的芯片級封裝結(jié)構(gòu)，解決了封裝基板的導(dǎo)熱的問題。
為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案是：
一種基于導(dǎo)熱基板的芯片級封裝結(jié)構(gòu)，包括熱沉塊和設(shè)置在熱沉塊上的導(dǎo)熱基板，所述的導(dǎo)熱基板上封裝有芯片，芯片上設(shè)有熱傳感器、連接有金線，導(dǎo)熱基板的外側(cè)設(shè)有透明罩罩住芯片。
上述的導(dǎo)熱基板為金屬基復(fù)合材料基板。
上述的金屬基復(fù)合材料基板為Al基復(fù)合材料基板或者Cu基復(fù)合材料基板。
上述的Al基復(fù)合材料基板為向Al基體中加入金剛石以及SiC增強(qiáng)體制成。
上述的Cu基復(fù)合材料基板為向Cu基體中加入C纖維和金剛石制成。
本實用新型至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點：
解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題，采用金屬基復(fù)合材料基板，其散熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)低、與LED芯片系數(shù)匹配，可迅速將芯片的熱量傳遞到熱沉材料進(jìn)行散熱。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本申請的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中，1為熱沉塊，2為導(dǎo)熱基板，3為芯片，4為熱傳感器，5為金線，6為透明罩。
具體實施方式
為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明。
實施例1
參照圖1，為解決上述技術(shù)問題，本申請實施例提供了一種基于導(dǎo)熱基板的芯片級封裝結(jié)構(gòu)，包括熱沉塊1和設(shè)置在熱沉塊1上的導(dǎo)熱基板2，所述的導(dǎo)熱基板2上封裝有芯片3，芯片3上設(shè)有熱傳感器4、連接有金線5，導(dǎo)熱基板2的外側(cè)設(shè)有透明罩6罩住芯片3，基于導(dǎo)熱基板2封裝結(jié)構(gòu)，散熱性能高。
其中，在本實施例中，所述的導(dǎo)熱基板2為金屬基復(fù)合材料基板。
其中，在本實施例中，所述的金屬基復(fù)合材料基板為Al基復(fù)合材料基板或者Cu基復(fù)合材料基板。
其中，在本實施例中，所述的Al基復(fù)合材料基板為向Al基體中加入金剛石以及SiC增強(qiáng)體制成。
其中，在本實施例中，所述的Cu基復(fù)合材料基板為向Cu基體中加入C纖維和金剛石制成。
本實用新型使用時，導(dǎo)熱基板2采用金屬基復(fù)合材料基板，其散熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)低、與LED芯片系數(shù)匹配，可迅速將芯片2的熱量傳遞到熱沉材料1進(jìn)行散熱。
盡管已描述了本實用新型的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本實用新型范圍的所有變更和修改。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。