本發明涉及顯示技術領域。更具體地，涉及一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置、陣列基板的制造方法以及顯示面板的制造方法。

背景技術：

液晶顯示裝置是一種廣泛應用的顯示裝置。液晶顯示裝置主要包括陣列基板和與陣列基板相對設置的彩膜基板。液晶顯示裝置通常包括垂直電場型液晶顯示裝置和水平電場型液晶顯示裝置。在垂直電場型液晶顯示裝置中，像素電極和公共電極分別設置于陣列基板和與彩膜基板上。而在水平電場型液晶顯示裝置中，像素電極和公共電極都設置在液晶顯示裝置的陣列基板上。

對于水平電場型液晶顯示裝置，公共電極和像素電極位于顯示裝置的陣列基板的不同膜層中，公共電極和像素電極之間形成有邊緣電場電容和存儲電容。邊緣場電容提供用于控制液晶分子的偏轉的電壓。存儲電容可以減小邊緣場電容的漏電，以增加像素電極的電壓保持能力。

技術實現要素：

本發明的實施例提供了一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置、陣列基板的制造方法以及顯示面板的制造方法，能夠解決現有技術中的公共電極和像素電極之間的存儲電容的電位下降導致的液晶偏轉下降的問題。

本發明的一個目的在于提供一種陣列基板。

本發明的第一方面提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括：襯底基板，設置在所述襯底基板上的第一電極，設置在所述第一電極上的第一絕緣層，設置在所述第一絕緣層上的第二電極，所述第二電極沿平行于所述襯底基板的表面的方向而彼此間隔設置，所述第一電極具有在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述第二電極相重疊的重疊部，其中，所述第一電極為公共電極和像素電極中的一者，所述第二電極為公共電極和像素電極中的另一者，其中，所述第一電極的所述重疊部和所述第二電極的至少一者具有朝向所述襯底基板的凹陷，且所述凹陷的開口的面積大于所述凹陷的底部的面積。

在一個實施例中，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極，所述陣列基板還包括：位于所述襯底基板和所述像素電極之間的第二絕緣層。

在一個實施例中，所述凹陷包括被設置在所述公共電極中的第一凹陷。

在一個實施例中，所述凹陷還包括設置在所述像素電極的所述重疊部中的第二凹陷。

在一個實施例中，所述第一絕緣層與所述陣列基板的薄膜晶體管的鈍化層被一體形成，所述第二絕緣層與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層被一體形成。

在一個實施例中，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極，所述陣列基板還包括：位于所述公共電極和所述第一絕緣層之間的第三絕緣層。

在一個實施例中，所述凹陷包括設置在所述像素電極中的第三凹陷。

在一個實施例中，所述第一絕緣層與所述陣列基板的薄膜晶體管的鈍化層被一體形成，所述第三絕緣層與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層被一體形成。

在一個實施例中，所述凹陷的深度不超過500nm，且所述第二電極的長度與所述第二電極之間的間隔的比值為3/5。

本發明的另一個目的在于提供一種顯示面板。

本發明的第二方面提供了一種顯示面板。所述顯示面板包括如上所述的陣列基板。

本發明的又一個目的在于提供一種顯示裝置。

本發明的第三方面提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括如上所述的顯示面板。

本發明的又一個目的在于提供一種陣列基板的制造方法。

本發明的第四方面提供了一種陣列基板的制造方法。所述陣列基板的制造方法包括：在襯底基板上設置第一電極，在所述第一電極上設置第一絕緣層，在所述第一絕緣層上設置沿著平行于所述襯底基板的表面的方向上彼此間隔開的第二電極，所述第一電極具有在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述第二電極相重疊的重疊部，其中，所述第一電極被設置為公共電極和像素電極中的一者，所述第二電極被設置為公共電極和像素電極中的另一者，其中，所述第一電極和所述第二電極被配置為：所述第一電極的所述重疊部和所述第二電極的至少一者具有朝向所述襯底基板的凹陷，且所述凹陷的開口的面積大于所述凹陷的底部的面積。

在一個實施例中，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極，并且其中，在所述襯底基板上設置第一電極包括：

在所述襯底基板上設置第二絕緣材料層；

對所述第二絕緣材料層進行構圖，以形成具有第一凹槽的第二絕緣層，且所述第一凹槽在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述凹陷相重疊；

在所述第二絕緣層上設置所述像素電極。

在一個實施例中，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極，并且其中，在所述襯底基板上設置第一電極包括：在所述襯底基板上設置第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上設置所述像素電極，

并且其中，在所述第一絕緣層上設置所述第二電極包括：

在所述像素電極上設置第一絕緣材料層；

對所述第一絕緣材料層進行構圖，以形成有第二凹槽的第一絕緣層，且所述第二凹槽在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述凹陷相重疊。

在一個實施例中，所述第一絕緣層與所述陣列基板的薄膜晶體管的鈍化層被一體形成，所述第二絕緣層與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層被一體形成。

在一個實施例中，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極，并且其中，在所述公共電極上設置所述第一絕緣層包括：在所述公共電極上設置第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上設置第一絕緣材料層；

對所述第一絕緣材料層進行刻蝕，以形成具有第三凹槽的第一絕緣層，且所述第三凹槽在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述凹陷相重疊。

在一個實施例中，所述第一絕緣層與所述陣列基板的薄膜晶體管的鈍化層被一體形成，所述第三絕緣層與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層被一體形成。

在一個實施例中，所述凹陷的深度不超過500nm，且所述第二電極的長度與所述第二電極之間的間隔的比值為3/5。

本發明的另一個目的在于提供一種顯示面板的制造方法。

本發明的第五方面提供了一種顯示面板的制造方法。所述顯示面板的制造方法包括如上所述的陣列基板的制造方法。

本發明的實施例提供的陣列基板、顯示面板、顯示裝置、陣列基板的制造方法以及顯示面板的制造方法，通過在襯底基板上設置第一電極，在所述第一電極上設置第一絕緣層，在所述第一絕緣層上設置沿著平行于所述襯底基板的表面的方向上彼此間隔開的第二電極，其中，所述第一電極被設置為公共電極和像素電極中的一者，所述第二電極被設置為公共電極和像素電極中的另一者，所述第一電極具有在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述第二電極相重疊的重疊部，其中，所述第二電極和所述第一電極被配置為：所述第一電極的所述重疊部和所述第二電極的至少一者具有朝向所述襯底基板的凹陷，且所述凹陷的開口的面積大于所述凹陷的底部的面積，能夠增加了第一電極和第二電極之間的存儲電容，并且能夠避免在采用平坦的電極時為了增加存儲電容而帶來的透光率下降的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明的實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖進行簡要說明，應當知道，以下描述的附圖僅僅涉及本發明的一些實施例，而非對本發明的限制，其中：

圖1為根據本發明的一個實施例的陣列基板的截面示意圖；

圖2為根據本發明的一個實施例的陣列基板的截面示意圖；

圖3為根據本發明的一個實施例的陣列基板的截面示意圖；

圖4為根據本發明的一個實施例的陣列基板的示意圖；

圖5為根據本發明的一個實施例的陣列基板的示意圖；

圖6為根據本發明的一個實施例的陣列基板的示意圖；

圖7為根據本發明的一個實施例的陣列基板的制造方法的流程圖；

圖8為根據本發明的一個實施例的陣列基板的制造方法的流程圖；

圖9為根據本發明的一個實施例的陣列基板的制造方法的流程圖；

圖10為根據本發明的一個實施例的陣列基板的制造方法的流程圖；

圖11為示出了根據本發明實施例的陣列基板的邊緣電場示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將接合附圖，對本發明的實施例的技術方案進行清楚、完整的描述。顯然，所描述的實施例是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本發明的實施例，本領域技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，也都屬于本發明保護的范圍。

除非上下文中另外明確地指出，否則在本文和所附權利要求中所使用的詞語的單數形式包括復數，反之亦然。相似地，措辭“包含”和“包括”將解釋為包含在內而不是獨占性地。同樣地，術語“包括”和“或”應當解釋為包括在內的，除非本文中明確禁止這樣的解釋。在本文中使用術語“實例”之處，特別是當其位于一組術語之后時，所述“實例”僅僅是示例性的和闡述性的，且不應當被認為是獨占性的或廣泛性的。

出于下文表面描述的目的，如其在附圖中被標定方向那樣，術語“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“頂”、“底”及其派生詞應涉及發明。術語“上覆”、“在……頂上”、“定位在……上”或者“定位在……頂上”意味著諸如第一結構的第一要素存在于諸如第二結構的第二要素上，其中，在第一要素和第二要素之間可存在諸如界面結構的中間要素。術語“接觸”意味著連接諸如第一結構的第一要素和諸如第二結構的第二要素，而在兩個要素的界面處可以有或者沒有其它要素。

本發明的一個實施例提供了一種陣列基板。該陣列基板包括：襯底基板，設置在所述襯底基板上的第一電極，設置在所述第一電極上的第一絕緣層，設置在所述第一絕緣層上的第二電極，所述第二電極沿平行于所述襯底基板的表面的方向而彼此間隔設置，所述第一電極具有在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述第二電極相重疊的重疊部，其中，所述第一電極為公共電極和像素電極中的一者，所述第二電極為公共電極和像素電極中的另一者，并且其中，所述第二電極和所述第一電極的所述重疊部的至少一者具有朝向所述襯底基板的凹陷，且所述凹陷的開口的面積大于所述凹陷的底部的面積。

圖1為根據本發明的一個實施例的陣列基板的截面示意圖。如圖1所示，根據本發明實施例的陣列基板包括襯底基板100、設置在襯底基板100上的第一電極101、設置在第一電極101上的第一絕緣層103以及設置在第一絕緣層103上的第二電極102。從圖1可以看出，第二電極102沿平行于襯底基板100的表面的方向而彼此間隔設置，第一電極101具有在垂直于襯底基板100的表面的方向上與第二電極102相重疊的重疊部101P。第一電極101可以為公共電極和像素電極中的一者，第二電極102可以為公共電極和像素電極中的另一者。

在圖1的實施例中，第二電極102具有朝向所述襯底基板的凹陷G而第一電極101的重疊部101P不具有朝向所述襯底基板的凹陷僅為示例性的，只要第二電極102和重疊部101P中的至少一者具有凹陷即可。從圖1可以看出，第二電極102的凹陷G的開口的面積大于所述凹陷的底部的面積。需要說明，本發明對凹陷的深度不做特別限制，可以根據實際需要來設置凹陷的深度。

圖2為根據本發明的一個實施例的陣列基板的截面示意圖。圖2以第一電極101為像素電極、第二電極102為公共電極為示例。從圖2可以看出，陣列基板還可以包括位于襯底基板100和第一電極101(即，像素電極)之間的第二絕緣層104。在圖2示出的實施例中，以凹陷包括被設置在第二電極102(即，公共電極)中的第一凹陷G1為實例。

圖2中的d是指第二電極102在沒有凹陷情況下的第一電極和第二電極之間的距離，d’是第二電極102在有凹陷情況下的第一電極和第二電極之間的等效距離。可以看出，具有凹陷情況下的第一電極和第二電極102之間的等效距離d’要小于在沒有凹陷情況下的二者之間的距離d。因此，形成凹陷能夠減小第一電極101和第二電極102之間的距離，從而增加第一電極101和第二電極102之間的存儲電容。同時，能夠避免在采用平坦的電極時為了增加存儲電容而增大W/S的比值所帶來的透光率下降的問題。

圖3為根據本發明的一個實施例的陣列基板的截面示意圖。圖3同樣以第一電極101為像素電極、第二電極102為公共電極為示例。在圖3所示的實施例中，不僅僅第二電極102(即，公共電極)具有凹陷，第一電極101(即，像素電極)的重疊部101P也具有凹陷。從圖3可以看出，凹陷包括設置在第二電極102(即，公共電極)中的第一凹陷G1和設置在第一電極101(即，像素電極)中的第二凹陷G2。在圖3的陣列基板中，第一電極101中的第二凹陷G2的底部達到第二絕緣層104的底表面僅為示例，而非對第二凹陷的深度的限制，可以根據實際需要來設置第二凹陷的深度。同理，第二電極102中的第一凹陷G1的深度也可以根據實際需要來設置。

圖3中的W是指第二電極102在沒有第一凹陷G1情況下的長度，W’是第二電極102在有第一凹陷G1情況下的長度，S為兩個第二電極102之間的間隔。可以看出，具有凹陷的情況下的第二電極102的長度W’要大于在沒有凹陷情況下的長度W。因此，由于第一電極的重疊部和第二電極都具有凹陷，能夠增加第一電極101和第二電極102之間的縱向交疊面積。從而，相對于圖2所示的結構，圖3的結構能夠進一步增加第一電極101和第二電極102之間的存儲電容，同時能夠避免在采用平坦的電極時為了增加存儲電容而增大W/S的比值所帶來的透光率下降的問題。

在一個實施例中，凹陷的深度可以不超過500nm，且第二電極的長度W與第二電極之間的間隔S的比值可以為3/5。

圖4為根據本發明的一個實施例的陣列基板的示意圖。相比于圖1-圖3的結構，圖4進一步示出了位于左側區域的陣列基板的薄膜晶體管(TFT)區。如圖4所示，陣列基板的TFT區包括柵極金屬層105、位于柵極金屬層105之上的柵極絕緣層GI、位于柵極絕緣層GI之上的有源層107、位于有源層107之上的源極/漏極層106和位于源極/漏極層106之上的鈍化層107。可以看出，在圖4所示的實施例中，第一絕緣層103與陣列基板的薄膜晶體管的鈍化層PVX可以被一體形成，第二絕緣104層與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層GI可以被一體形成。

圖5為根據本發明的一個實施例的陣列基板的示意圖。圖5以第一電極101為公共電極、第二電極102為像素電極為示例。如圖5所示，陣列基板還包括位于第一電極101(即，公共電極)和第一絕緣層103之間的第三絕緣層104’。凹陷可以包括設置在第二電極102(即，像素電極)中的第三凹陷G3，第一電極101(即，公共電極)的重疊部101P可以不設置有凹陷。需要指出，在圖的陣列基板中，第二電極102中的第三凹陷G3的底部達到第一絕緣層103的底表面僅為示例，而非對第三凹陷的深度的限制，可以根據實際需要來設置第三凹陷的深度。

圖6為根據本發明的一個實施例的陣列基板的示意圖。圖6示出了位于左側區域的陣列基板的薄膜晶體管(TFT)區。如圖6所示，陣列基板的TFT區包括柵極金屬層105、位于柵極金屬層105之上的柵極絕緣層GI、位于柵極絕緣層GI之上的有源層107、位于有源層107之上的源極/漏極層106和位于源極/漏極層106之上的鈍化層107。可以看出，在圖6所示的實施例中，第一絕緣層101可以與陣列基板的薄膜晶體管的鈍化層PVX被一體形成，第三絕緣層104’可以與薄膜晶體管的柵極絕緣層GI被一體形成。

本發明的一個實施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括如上所述的陣列基板。本發明的又一個實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的顯示面板。

本發明的另一個實施例提供了一種陣列基板的制造方法。

圖7為根據本發明的一個實施例的陣列基板的制造方法的流程圖。如圖7所示，包括：

S1、在襯底基板上設置第一電極；

S3、在第一電極上設置第一絕緣層；

S5、在第一絕緣層上設置沿著平行于所述襯底基板的表面的方向上彼此間隔開的第二電極，

其中，第一電極被設置為公共電極和像素電極中的一者，第二電極被設置為公共電極和像素電極中的另一者，所述第一電極具有在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述第二電極相重疊的重疊部，并且其中，第一電極和第二電極被配置為：第一電極的所述重疊部和第二電極的至少一者具有朝向襯底基板的凹陷，且凹陷的開口的面積大于凹陷的底部的面積。

圖8為根據本發明的一個實施例的陣列基板的制造方法的流程圖。圖8以第一電極為像素電極且第二電極為公共電極為示例。在圖8的實施例中，在襯底基板上設置第一電極包括：在所述襯底基板上設置第二絕緣材料層；對所述第二絕緣材料層進行構圖，以形成具有第一凹槽的第二絕緣層，且所述第一凹槽在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述凹陷相重疊；以及，在第二絕緣層上設置所述像素電極。可以看出，在圖8的實施例中，陣列基板的制造方法可以具體包括下列步驟：

S801、在襯底基板上設置第二絕緣材料層；

S802、對第二絕緣材料層進行構圖，以形成具有第一凹槽的第二絕緣層，且第一凹槽在垂直于襯底基板的表面的方向上與凹陷相重疊。

S81、在第二絕緣層上設置像素電極

S83、在像素電極上設置第一絕緣層；

S85、在第一絕緣層上設置公共電極，

圖9為根據本發明的一個實施例的陣列基板的制造方法的流程圖。圖9以第一電極為像素電極且第二電極為公共電極為示例。在圖9的實施例中，在襯底基板上設置第一電極包括：在所述襯底基板上設置第二絕緣層；在所述第二絕緣層設置所述像素電極。并且其中，在所述第一絕緣層設置所述第二電極包括：在所述像素電極上設置第一絕緣材料層；

對所述第一絕緣材料層進行構圖，以形成有第二凹槽的第一絕緣層，且第二凹槽在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述凹陷相重疊。可以看出，在圖9的實施例中，陣列基板的制造方法可以具體包括下列步驟：

S90、在襯底基板上設置第二絕緣層；

S91、在第二絕緣層上設置像素電極；

S931、在像素電極上形成第一絕緣材料層；

S932、對第一絕緣材料層進行構圖，以形成有第二凹槽的第一絕緣層，且所述第二凹槽在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述凹陷相重疊；

S95、在第一絕緣層上設置公共電極層。

在一個實施例中，第一絕緣層可以與陣列基板的薄膜晶體管的鈍化層被一體形成，第二絕緣層可以與薄膜晶體管的柵極絕緣層被一體形成。

圖10為根據本發明的一個實施例的陣列基板的制造方法的流程圖。圖10以第一電極為公共電極且第二電極為像素電極為示例。在圖10的實施例中，在所述公共電極上設置所述第一絕緣層包括：在所述公共電極上設置第三絕緣層；在所述第三絕緣層上設置第一絕緣材料層；對所述第一絕緣材料層進行刻蝕，以形成具有第三凹槽的第一絕緣層，且所述第三凹槽在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述凹陷相重疊。在圖10的實施例中，陣列基板的制造方法可以具體包括下列步驟：

S101、在襯底基板上設置公共電極；

S102、在公共電極上設置第三絕緣層；

S1031、在第三絕緣層上設置第一絕緣材料層；

S1032、對第一絕緣材料層進行刻蝕，以形成具有第三凹槽的第一絕緣層，且所述第三凹槽在垂直于所述襯底基板的表面的方向上與所述凹陷相重疊；

S105、在第一絕緣層上設置像素電極。

在一個實施例中，第一絕緣層可以與陣列基板的薄膜晶體管的鈍化層被一體形成，第三絕緣層可以與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層被一體形成。

在一個實施例中，凹陷的深度可以不超過500nm，所述第二電極的長度與所述第二電極之間的間隔的比值可以為3/5。第一電極和第二電極的材料可以包括諸如氧化銦錫(Indium tin oxide，ITO)、石墨烯的透明導電材料，也可以包括其它合適的材料。

本發明的實施例還提供了顯示面板、顯示裝置以及顯示面板的制造方法。本發明的實施例中的顯示面板包括如上所述的陣列基板。本發明的實施例中的顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。

圖11為示出了根據本發明實施例的陣列基板的邊緣電場示意圖。在采用了本發明的陣列基板的顯示裝置中，通過第一電極101和第二電極102之間形成的邊緣電場來控制液晶分子的偏轉。通過減少第一電極101和第二電極102之間的距離和/或增加第一電極101和第二電極102之間的縱向交疊面積來增加了第一電極101和第二電極102之間的存儲電容，從而能夠增強由存儲電容導致的邊緣電場，進而更好地控制液晶的偏轉，而不影響顯示裝置的透光率。

已經描述了某特定實施例，這些實施例僅通過舉例的方式展現，而且不旨在限制本發明的范圍。事實上，本文所描述的新穎實施例可以以各種其它形式來實施；此外，可在不脫離本發明的精神下，做出以本文所描述的實施例的形式的各種省略、替代和改變。所附權利要求以及它們的等價物旨在覆蓋落在本發明范圍和精神內的此類形式或者修改。