本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種轉接板的rdl成形方法。

背景技術：

高性能極大規模集成電路發展亟需先進封裝技術推動，三維系統級封裝技術(threedimensionalsysteminpackage，3dsip)因具有高集成度、低功耗、低信號損耗和噪聲、小型化、輕型化等特點，成為新一代的三維高密度集成技術。硅通孔轉接板技術(though-silicon-viainterposer，tsvinterposer)作為3dsip技術的主流分支，也已成為國內外學術界和工業界最熱門的研究方向，對于推動集成電路行業發展具有重要現實意義和戰略意義。

在基于tsv轉接板的3d封裝結構上，微組裝技術及轉接板的可靠性上存在著一些挑戰，如采用新的封裝結構和材料，采用大尺寸大功率裸片和小尺寸細間距芯片。在此基礎上，轉接板還需鋪設再分布層(redistributionlayer，rdl)，以此，來增加轉接板上的輸入/輸出接口(input/output，io)數量。rdl是材料頂層或者底層上面的一層金屬，例如鋁(al)，亦即，rdl通常鋪設在轉接板正面和/或背面。現有技術中，由于通常將rdl設置在轉接板正面和/或背面，為了滿足io數量的需求，通常需要鋪設多層rdl，由此導致轉接板厚度增加，造成了封裝電路的結構復雜，集成度低。

因此，如何提高轉接板上的rdl集成程度成為亟待解決的技術問題。

技術實現要素：

因此，本發明要解決的技術問題在于如何提高轉接板上的rdl集成程度，從而提供一種轉接板的rdl成形方法。

根據第一方面，本發明實施例提供了一種轉接板的rdl成形方法，包括：

對轉接板的正面進行不完全刻穿的刻蝕得到第一刻蝕紋路；對轉接板的背面進行不完全刻穿的刻蝕得到第二刻蝕紋路；導通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路；在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路；分別對第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路進行rdl處理。

可選地，導通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路包括：聯通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路；對第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路的聯通處進行填銅導通。

可選地，在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路包括：將第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間的填銅至少部分刻蝕形成第三刻蝕紋路。

可選地，在在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路之后，在分別對第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路進行rdl處理之前，還包括：在第三刻蝕紋路上填充絕緣材料。

可選地，轉接板為硅基轉接板。

可選地，絕緣材料為環氧樹脂注塑化合物。

根據本發明實施例提供的轉接板的rdl成形方法，對轉接板的正面以及背面進行不完全刻穿的刻蝕得到第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路，而后，由于導通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路，在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路，由此，在轉接板內部可以形成rdl線路，相對于現有技術中，在轉接板的正面和/或背面形成rdl線路的方式，本實施例提供的方案在轉接板內部形成rdl線路，提高了單一轉接板的rdl線路數量，從而能夠提高單一轉接板上單位面積上所能承載的io數量，提高了轉接板的集成度。

作為可選的技術方案，由于在第三刻蝕紋路的一側填充絕緣材料，使得轉接板內部rdl線路有穩定的構造。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

在本發明的描述中，需要說明的是，術語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

圖1為本發明實施例中一種轉接板的rdl成形方法的流程圖。

圖2為本發明實施例中一種轉接板的正視結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

為了提高轉接板上的rdl集成程度，本實施例提供一種轉接板的rdl成形方法，請參考圖1，為該轉接板的rdl成形方法流程圖，本實施例中，所稱轉接板優選為硅基轉接板，該轉接板的rdl成形方法包括：

步驟s1，對轉接板的正面進行不完全刻穿的刻蝕得到第一刻蝕紋路。請參考圖2，為本實施例的一種轉接板的正視結構示意圖，本實施例中，以轉接板為硅基轉接板為例進行說明。在具體實施例中，可以采用例如光刻的方式對轉接板的正面進行刻蝕得到第一刻蝕紋路101。

步驟s2，對轉接板的背面進行不完全刻穿的刻蝕得到第二刻蝕紋路。請參考圖2，在具體實施例中，可以采用例如光刻的方式對轉接板的背面進行刻蝕得到第二刻蝕紋路102。本實施例中，第一刻蝕紋路101和第二刻蝕紋路102分別位于轉接板相對的兩側。

需要說明的是，本實施例中，并不限制步驟s1和步驟s2之間的執行先后順序。

步驟s3，導通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路。在具體實施例中，可以通過填金屬例如填銅的方式來導通第一刻蝕紋路101和第二刻蝕紋路102。

步驟s4，在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路。本實施例中，在導通第一刻蝕紋路101和第二刻蝕紋路102之后，可以在第一刻蝕紋路101和第二刻蝕紋路102之間進行刻蝕等方式來形成第三刻蝕紋路103。

步驟s5，對第一刻蝕紋路、第二刻蝕紋路和第三刻蝕紋路進行封裝處理。

在可選的實施例中，在執行步驟s3的操作時，導通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路包括：聯通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路，對第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路的聯通處進行填銅導通。本實施例中，所稱聯通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路是指使得第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間具有通路。具體地，可以對轉接板進行例如光刻，使第一刻蝕紋路與第二刻蝕紋路形成通孔，而后對通孔進行電鍍填銅，從而使得第一刻蝕紋路與第二刻蝕紋路導通。本實施例中，聯通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路時，可以是第一紋路至少有一處向第二紋路聯通，也可以至少是第二紋路至少有一處向第一紋路聯通。

在可選的實施例中，在執行步驟s4的操作時，在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路包括：將第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間的填銅至少部分刻蝕形成第三刻蝕紋路。

為了使得轉接板內部rdl線路有穩定的構造，在可選的實施例中，在將第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間的填銅至少部分刻蝕后，可以在刻蝕的部分填充絕緣材料。在具體實施例中，在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路之后，在對第一刻蝕紋路、第二刻蝕紋路和第三刻蝕紋路進行封裝處理之前，還包括：在第三刻蝕紋路的一側填充絕緣材料，第三刻蝕紋路的一側為第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間的被至少部分刻蝕銅的一側。本實施例中，對第三刻蝕紋路可以使用例如環氧樹脂注塑化合物(epoxymoldingcompond.，emc)填充，在轉接板內部形成一個穩定的構造，從而使得轉接板能夠實現內部rdl線路。

上述實施例公開的轉接板的rdl成形方法，在硅基轉接板內部通孔中填銅導通，刻蝕部分填銅后再使用絕緣材料填充，形成穩定的rdl線路，本發明提供的實施例，相比于現有技術中的硅基轉接板，通過硅基轉接板單位面積的io數量的增加以提高轉接板的集成度。

顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發明創造的保護范圍之中。