本發明涉及半導體封裝領域，尤其涉及一種用于bot封裝的雙面有芯板結構及其制造方法。

背景技術：

為了滿足電子產品越來越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向發展，芯片的小型化、智能化使得芯片封裝引腳的數量在提升的同時，封裝引腳的尺寸也在快速下降；同時，系統級封裝sip(systeminapackage)又要求將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件封裝成一個功能系統，這就提出了在一個封裝基板上實現多個高性能芯片的封裝要求。

當芯片的芯片焊盤間距小于50μm的情況下，封裝必須采用bot(bumpontrace)技術，將芯片表面的銅柱凸點直接鍵合在基板精細線路上，要求基板鍵合線路尺寸小于25μm。現有技術在有芯基板上制造精細線路是通過msap或sap工藝實現的，而這種制造方法制造的線路當線寬/線距小于20μm/20μm時，如圖1所示，線路120僅底部接觸其底部絕緣樹脂110，因此，線路的結合力非常小，在采用bot封裝結構時，20μm以下的線路和焊球焊接過程中，有線路剝離的風險，而且線路越細，風險越大。

埋入線路技術ets(embeddedtracesubstrate)，是無芯(coreless)基板的一種特殊線路結構，因其可以做到最小線寬線距15μm/15μm以下，而且線路控制精度高，線路嵌入樹脂中。所謂嵌入樹脂中是指線路的上面被樹脂包覆，線路結合力大。

但常規的埋入線路技術(ets)采用承載板雙面壓合埋入方式，在承載板表面首先制作兩層超薄銅箔，在超薄銅箔小面制造高精度的細線路，通過絕緣樹脂壓合形成線路埋入絕緣樹脂的結構，再在絕緣樹脂上制造后面的線路，后面線路加工完成后將承載板兩側加工好的兩張無芯基板揭下來，形成兩張帶有超薄銅箔埋入線路的無芯基板結構，再將超薄銅箔蝕刻掉，由于腐蝕劑的作用，埋入線路表面也會被腐蝕掉部分高度，所以形成了圖2所示的埋入線路結構，埋入線路結構220的特點在于線路表面處于埋入絕緣樹脂210上表面下方。這種埋入線路結構只能在無芯基板加工中形成。只能應用于無芯基板加工制造中，而且只能用于第一層線路，第一層以后的線路中無法使用因此，bot技術只能在基板的一側加工。埋入線路技術因此在應用中受到很大限制。

由于常規的埋入線路技術(ets)無法應用于現有的有芯板，且只能在基板的一側加工，因此bot技術只能在基板的一側使用，同時常規的半加成(sap)工藝制造的高密度精細線路與芯片焊接時又存在較大的結合力缺陷。因此需要一種新型的封裝基板結構和制造方法來解決以上問題。

技術實現要素：

針對現有技術中存在的技術問題，本發明的一個實施例提供一種雙面有芯板結構，包括：在所述雙面有芯板結構兩面上的至少兩層半固化基板；半埋入到所述半固化基板中的半埋入線路；其中，所述半埋入線路的第一面位于與所述線路同側的所述半固化基板的表面之上，所述半埋入線路的與所述第一面相對的第二面位于與所述線路同側的所述半固化基板的表面之下，所述半埋入線路的側面的一部分位于所述線路同側的所述半固化基板的表面之上，所述半埋入線路的側面的另一部分被所述半固化基板包裹；以及阻焊層，所述阻焊層至少部分地覆蓋所述半埋入線路的表面，并且暴露焊盤窗口。

在本發明的實施例中，半固化基板為半固化絕緣樹脂片。

在本發明的實施例中，半固化基板為bt或fr4半固化片。

在本發明的實施例中，該雙面有芯板結構還包括夾在所述至少兩層半固化基板之間的一層或多層內層基板。內層基板材料與所述半固化基板材料相同或不同。所述內層基板是芯板，所述芯板通過去除雙面覆銅板的表面銅箔來獲取。

在本發明的實施例中，半埋入線路埋入半固化基板的深度由半固化基板內部結構決定。

在本發明的實施例中，雙面有芯板結構還包括一個或多個導電通孔和/或內部線路，所述導電通孔用于連接基板內部線路和/或半埋入線路。

在本發明的實施例中，雙面有芯板結構還包括在所述半埋入線路上通過bot倒裝焊的芯片。

本發明的另一個實施例提供一種雙面有芯板結構的制造方法，包括：通過第一壓合工藝在內層基板的兩面上壓合半固化基板和表面銅箔，其中所述第一壓合保持所述半固化基板的半固化狀態不變；去除所述半固化基板的表面銅箔；在已去除銅箔的半固化基板的表面沉積形成第一電鍍種子層；在所述第一電鍍種子層上光刻形成第一電鍍掩膜和第一電鍍窗口；在所述第一電鍍窗口上電鍍形成導電線路；去除所述第一電鍍掩膜；去除所述第一電鍍掩膜下方的所述第一電鍍種子層；通過第二壓合工藝壓合所述導電線路，其中所述第二壓合工藝使所述導電線路半埋入所述半固化基板中，并使所述半固化基板的半固化材料固化。

在本發明的另一個實施例中，該方法還包括：在已固化的基板上形成保護膜；在已固化的基板上鉆孔；沉積第二電鍍種子層；光刻形成第二電鍍掩膜和第二電鍍窗口；通過電鍍填孔，用于所述基板內部互連或元件安裝定位；去除所述第二電鍍掩膜；去除所述第二電鍍掩膜下的第二電鍍種子層；在所述半固化封裝基板上下兩面的非焊接區域制作阻焊層，并且暴露焊盤窗口。

在本發明的另一個實施例中，在已固化的基板上形成保護膜包括通過化學鍍銅形成銅層作為保護膜。

在本發明的另一個實施例中，沉積形成第一電鍍種子層為化學鍍銅或濺射電鍍種子層。

在本發明的另一個實施例中，化學鍍銅工藝進一步包括中和、酸浸、清潔、微蝕、預浸、活化、還原、化銅、水洗。

在本發明的另一個實施例中，去除第一、第二電鍍種子層為閃蝕法，以減少刻蝕液對導電線路的腐蝕。

在本發明的另一個實施例中，在制作阻焊層后，在半埋入導電線路和或焊盤上制作表面涂敷有機保護皮膜osp、niau或nipdau。。

通過本發明的實施例提供的雙面半埋入線路高密度基板結構具有如下優點：

1.本發明所述結構的基板表面的兩層線路均是半埋入基板的線路，基板表面線路部分嵌入到底層樹脂絕緣層中，其與基板結合力顯著增大，滿足bot倒裝封裝要求。

2.本發明所述結構的基板可以由芯板、芯板兩側的固化的半固化片已經部分嵌入固化的半固化片樹脂中的表面兩層線路以及覆蓋在線路表面的阻焊保護層構成，其中半固化片的材料可以和芯板材料相同，也可以不同。

4.本發明所述結構的基板的兩層半埋入線路上表面高出線路底部絕緣樹脂裸露表面，而不是常規埋入線路技術形成的埋入線路裸露表面低于絕緣樹脂表面。可以直接滿足芯片的bot倒裝封裝。

5.本發明所述結構的基板中制作半埋入線路所用的絕緣層樹脂可以是常規基板材料：abf，bt半固化片，fr半固化片以及其他電路板用樹脂半固化片。

6.本發明所述結構的基板的半埋入線路的埋入深度，即本發明基板結構中的r值的大小，由半固化絕緣樹脂的材料決定。

7.本發明所述結構的基板，在基板的通孔加工前，對整個表面進行化學鍍銅，進行保護，這是常規技術中沒有的工藝。其作用包括：a)在機械鉆孔中起到對基板表面樹脂層表面和線路的保護，以免外力損傷；b)機械鉆孔后，通孔內需要做除膠渣處理，在除膠渣過程中，化學鍍銅層保護基板表面的樹脂層不被除膠渣溶液腐蝕。

8.本發明所述的基板結構雙面均采用半埋入線路結構，因此雙面均能進行窄節bot倒裝封裝，封裝密度更大，集成度更高，3d封裝尺寸更小。

附圖說明

為了進一步闡明本發明的各實施例的以上和其它優點和特征，將參考附圖來呈現本發明的各實施例的更具體的描述。可以理解，這些附圖只描繪本發明的典型實施例，因此將不被認為是對其范圍的限制。在附圖中，為了清楚明了，相同或相應的部件將用相同或類似的標記表示。

圖1示出的是現有技術的sap工藝制造的線路結構圖。

圖2示出的是現有技術的ets工藝制造的埋入線路結構圖。

圖3示出的是本發明半埋入線路結構的俯視圖和剖面示意圖。

圖4示出的是本發明半埋入線路與半固化基板結構尺寸關系示意圖。

圖5示出的是根據本發明的另一個實施例的雙面半埋入線路結構剖面示意圖。

圖6示出的是本發明又一個實施例制造的作為無芯板置于兩層半固化基板內側的基板結構剖面示意圖。

圖7示出的是本發明再一個實施例制造用于bot封裝的雙面有芯板結構剖面示意圖。

圖8示出的是根據本發明再一個實施例制造用于bot封裝的雙面有芯板結構的流程圖。

圖9a至圖9s示出的是根據本發明再一個實施例制造用于bot封裝的雙面有芯板結構過程的剖面示意圖。

具體實施方式

在以下的描述中，參考各實施例對本發明進行描述。然而，本領域的技術人員將認識到可在沒有一個或多個特定細節的情況下實施各實施例或者與其它替換和/或附加方法、材料或組件一起實施各實施例。在其它情形中，未示出或未詳細描述公知的結構、材料或操作以免使本發明的各實施例的諸方面晦澀。類似地，為了解釋的目的，闡述了特定數量、材料和配置，以便提供對本發明的實施例的全面理解。然而，本發明可在沒有特定細節的情況下實施。此外，應理解附圖中示出的各實施例是說明性表示且不一定按比例繪制。

在本說明書中，對“一個實施例”或“該實施例”的引用意味著結合該實施例描述的特定特征、結構或特性被包括在本發明的至少一個實施例中。在本說明書各處中出現的短語“在一個實施例中”并不一定全部指代同一實施例。

需要說明的是，本發明的實施例以特定順序對工藝步驟進行描述，然而這只是為了方便區分各步驟，而并不是限定各步驟的先后順序，在本發明的不同實施例中，可根據工藝的調節來調整各步驟的先后順序。

為了克服常規的埋入線路技術(ets)無法應用于現有的有芯板，只能在基板一側使用，從而導致bot技術只能在基板一側使用，同時常規的半加成(sap)工藝制造的高密度精細線路與芯片焊接時又存在較大的結合力缺陷問題，本發明的一個實施例提供一種在基板兩側將線路部分埋入下面的絕緣樹脂的雙面有芯板結構及其制造方法，在雙面有芯基板上分別形成半埋入線路結構，在封裝基板的雙面同時實現了線路半埋入結構，增加線路與基板的結合力，解決bot技術無法在封裝基板雙面同時使用的問題。

圖3示出了根據本發明的一個實施例的半埋入線路結構300的俯視圖和剖面示意圖。半埋入線路結構300包括半固化基板310和半埋入線路320。

在本發明的實施例中，半固化基板指的是：樹脂膠液經熱處理(預烘)后，樹脂進入b階段而制成的薄片材料，半固化基板在加熱加壓下會軟化，冷卻后會反應固化。

半固化基板310的材料為半固化絕緣材料，可選用結構中包含玻纖布和半固化樹脂以及樹脂填料顆粒的bt或fr4半固化片，也可選用結構中不含增強材料的abf半固化片或其他所有電路板材料的半固化絕緣樹脂片。在本發明的具體實施例中，半固化基板的一側或者內部可選的包括其他電路基板以起到機械支撐或其他作用，同時其他電路基板中還可以埋置無源元件以及導電線路以提高系統的封裝效率，無源元件可以是電感、電容、電阻、濾波器、天線等。

半埋入線路320置于半固化基板310的一側或兩側，其中置于封裝基板兩側的基板結構示意圖，如圖5所示。

半埋入線路320上表面高于線路底部半固化基板310的上表面330，側面的一部分位于半固化基板310的上表面330之上，側面的另一部分被半固化基板310包覆。該種半埋入的線路結構嵌入到其下面的封裝基板絕緣樹脂中，線路的底面和部分側面與樹脂接觸，頂面，即鍵合面裸露，使得線路結合力得到大幅度提升，避免鍵合過程中以及鍵合后，由于鍵合力和封裝應力導致線路脫落開裂形成的可靠性問題。在本發明的實施例中，半埋入線路320的最小線寬線距可小于15μm/15μm，線路的厚度在18μm至20μm的范圍內。

圖4示出半埋入線路320與半固化基板310所對應結構的尺寸關系示意圖。半埋入線路320總高度為h，埋入半固化基板310的高度為r，露出封裝基板表面330的線路高度為h，其中h>r，h>h，r和h的大小由基板加工工藝和半固化基板310的樹脂材料決定。即半埋入線路320的整體高度中有多少線路高度埋入半固化基板310樹脂層主要是由線路底部樹脂材料決定的。埋入深度r>0，露出線路高度h>0。

圖5示出的是根據本發明的另一個實施例中形成的雙面半埋入線路結構500的剖面示意圖。雙面半埋入線路結構500包括封裝基板510和兩面半埋入線路520。

圖6示出的是根據本發明的又一個實施例中形成的作為無芯板置于兩層半固化基板內側的基板結構600的剖面示意圖。作為無芯板置于兩層半固化基板內側的基板結構600包括封裝基板610、封裝基板620以及分別半埋入封裝基板610和封裝基板620內側的半埋入線路630。半埋入線路630的一面在封裝基板610之外，半埋入線路630的另一面在封裝基板620之外，且半埋入線路630的側面分別部分的嵌入到半固化封裝基板610和半固化封裝基板620的樹脂內部。與本發明的其他實施例相同，封裝基板610、620可包含bt或fr4材料的半固化片，也可包含abf的半固化片，以及其他所有電路板材料的半固化絕緣樹脂片。

圖7示出的是根據本發明的又一個實施例中形成的一種用于bot封裝的雙面有芯板結構700的剖面示意圖。

如圖7所示，用于bot封裝的雙面有芯板結構700包括上下兩層半固化材料絕緣層701和702，此處701和702在特殊情況下可以為一層或多層半固化材料絕緣層；在上下兩層半固化材料絕緣層701和702的表面分別半埋入有一條或多條半埋入線路703和704；在上下兩層半固化材料絕緣層701和702的表面分別部分的覆蓋有阻焊層(綠油層)705和706；在上下兩層半固化材料埋入線路絕緣層701和702的表面分別布局有若干埋入線路焊盤和通孔焊盤707和708；在埋入線路焊盤和通孔焊盤707和708，以及半埋入線路703和704的表面開有焊盤窗口709和710。

半固化材料絕緣層701和702可選bt或fr4半固化片，也可選用abf半固化片或其他所有電路板材料的半固化絕緣樹脂片，但優選材料為bt或fr4半固化片。其功能需要滿足后續高溫壓合工藝時壓入線路。此外，如圖7所示，半固化材料絕緣層701和702之間可選地包含有內層基板711，內層基板711可選地包含有內層線路和/或埋置無源元件以提高系統的封裝效率，無源元件可以是電感、電容、電阻、濾波器、天線等。

半埋入線路703和704在雙面有芯板結構700的上下兩側，半埋入線路703和704的外表面分別位于半固化材料絕緣層701和702表面之外，從而裸露出來。此外，由于半埋入線路703和704半埋入絕緣層701和702的樹脂內部，顯著增強了線路與絕緣層的結合力，滿足雙面有芯板結構700的后續多個芯片的雙面bot封裝要求。

進一步的，如圖7所示，雙面有芯板結構700內部可選擇的包含有一個或多個導電通孔712以及內部線路，所述導電通孔712用于基板內部互連和/或元件安裝定位等。

下面結合圖8和圖9a至圖9s，介紹根據本發明的一個實施例制造用于bot封裝的雙面有芯板結構700的過程。圖8示出根據本發明的一個實施例制造用于bot封裝的雙面有芯板結構700的流程圖，圖9a至圖9s示出根據本發明的一個實施例制造用于bot封裝的雙面有芯板結構700的過程的剖面示意圖。

該方法通過將一張雙面覆銅板剝去表面銅箔作為芯板，在芯板兩面低溫壓合半固化片和銅箔，在半固化片表面做sap加工高密度細線路，再通過高溫壓合將半固化的半固化片表面的細線路壓入半固化片中，并將半固化片固化形成埋入線路。

采用低溫壓合半固化片表面形成細線路，再經過高溫壓合將線路嵌入半固化片樹脂中，并將半固化片固化的方式將另一面的線路嵌入線路線面絕緣樹脂中，形成雙面埋入線路結構。

如流程圖8所示，首先，在步驟801中，準備雙面覆銅板，雙面覆銅板的結構剖面示意圖如圖9a所示，由內層基板901和覆蓋于內層基板901上下兩面的銅箔902構成。

接下來，在步驟802中，如圖9b所示，將雙面覆銅板的表面銅箔902去除，內層基板901作為芯板，具體去除工藝可以通過包括但不限于刻蝕等工藝實現。

然后，在步驟803中，如圖9c所示，在內層基板901的上下兩面低溫壓合銅箔904和半固化片903，其中，銅箔904分別位于壓合后的基板的最外側。半固化片可選bt或fr4半固化片，也可選用abf半固化片或其他所有電路板材料的半固化絕緣樹脂片，但優選材料為bt或fr4半固化片。芯板材料可以與半固化片材料相同，也可以不同。壓合可以使用真空壓膜機壓合或者在層壓機中低溫壓合，確保半固化片處于半固化狀態。除該種方法之外，本領域技術人員應該理解到，也可以通過其他現有工藝和現有基板材料制作形成具備半固化性能，并滿足后續加工工藝機械支撐或其要求的半固化基板，以上說明不能作為對本發明技術方案的限制。

接下來，在步驟804中，如圖9d所示，將去除銅箔904，具體去除工藝同樣可以通過包括但不限于刻蝕等工藝實現。

然后，在步驟805中，如圖9e所示，在已去除表面銅箔904的基板的上下兩層半固化片903的外表面沉積形成電鍍種子層905。在通常工藝中，一般通過化學鍍銅以形成銅電鍍種子層。然而本領域的技術人員應該意識到，但本發明的保護范圍不限于此，例如，也可以通過濺射等其他已知工藝形成銅電鍍種子層或其他線路電鍍種子層。此外，常規的化學鍍銅工藝包括：蓬松，除膠、中和、酸浸、清潔、微蝕、預浸、活化、還原、化銅，水洗等步驟，但本發明所述方法在未固化的半固化片表面進行化學鍍銅，不做除膠和蓬松工序，僅做：中和、酸浸、清潔、微蝕、預浸、活化、還原、化銅，水洗。其目的是防止改變半固化片表面的粗糙度，從而提高后續制造的線路與半固化片間的結合力。與現有技術的化學鍍銅工藝相比，本發明公開的化學鍍銅工藝不僅簡化工藝步驟，而且獲得了性能更好的結構。

接下來，在步驟806中，如圖9f所示，通過光刻工藝在半固化片903的電鍍種子層905上形成電鍍掩膜906和電鍍窗口907。具體光刻工藝可以通過干膠貼膜或者光刻膠旋涂，再通過后續的曝光、顯影等工藝實現，以確保在非線路區域形成電鍍掩膜。

然后，在步驟807中，如圖9g所示，對形成電鍍掩膜906和電鍍窗口907的半固化片基板進行電鍍，形成導電線路908。在通常工藝中，一般為鍍銅，然而本領域的技術人員應該意識到，但本發明的保護范圍不限于此，例如，也可以電鍍其他導電材料以形成導電線路。

接下來，在步驟808中，如圖9h所示，去除電鍍掩膜906。裸露出導電線路908和前述的電鍍種子層905。

然后，在步驟809中，如圖9i所示，通過閃蝕法去除電鍍掩膜906下方的種子層905。閃蝕法主要通過控制刻蝕時間等參數快速去除種子層，以減少對導電線路的過度腐蝕，具體工藝不再詳細描述。

在本發明的實施例中，通過上述工藝形成的線路的最小線寬線距可小于15μm/15μm，線路的厚度在18μm至20μm的范圍內。

接下來，在步驟810中，如圖9j所示，通過高溫壓合將電鍍形成的導電線路908壓入半固化片903的樹脂中形成半埋入線路908，半固化片903在加熱加壓下會軟化，此時通過加壓將線路908壓入半固化片903的樹脂，冷卻后半固化片固化。半埋入線路908埋入半固化片903的樹脂的深度取決于線路908下方的絕緣層的材料。對于abf半固化片，線路大部分高度均被埋入到樹脂中。對于bt或fr4半固化片，半固化片中的玻纖布厚度決定線路埋入深度。比如：40μm厚度的半固化片，采用1027玻纖布厚度為30μm，埋入樹脂的深度不小于5μm。如果采用1015的半固化片，埋入樹脂層的線路深度為最小10μm。埋入深度和線路密度和線路厚度均有關系。具體埋入的效果一方面要求導線的頂面需要高出半固化片的樹脂表面，另一方面需要導線的底面和部分側面埋入半固化篇的樹脂內。

同時，在步驟810中，高溫壓合工藝能使半固化片903固化。

然后，在步驟811中，如圖9k所示，對整個基板表面進行化學鍍銅，在整體基板表面形成一層銅膜909，其作用是對基板完成后續工藝進行保護，這是常規技術中沒有的工藝。銅膜909作用包括：a)在機械鉆孔中起到對基板表面樹脂層表面和線路的保護，以免外力損傷；b)機械鉆孔后，通孔內需要做除膠渣處理，在除膠渣過程中，化學鍍銅層保護基板表面的樹脂層不被除膠渣溶液腐蝕。在本發明的具體實施例中，銅膜909的厚度為1μm。

接下來，在步驟812中，如圖9l所以，對完成半埋入線路908制作和整個基板表面化學鍍銅膜909保護的基板進行一個或多個通孔910的制造并去除膠渣。通孔工藝可以采用激光通孔，但也可以采用機械鉆孔等其他基板通孔工藝進行。

然后，在步驟813中，如圖9m所示，在完成通孔910制作的整個基板和通孔910內表面通過化學鍍沉積形成電鍍種子層911。

接下來，在步驟814中，如圖9n所示，通過光刻圖形形成工藝在基板的電鍍種子層911上形成電鍍掩膜912。具體圖形形成工藝可以通過干膠貼膜再通過后續的光刻、顯影等工藝實現，以確保在非通孔填充和/或線路區域形成電鍍掩膜。

然后，在步驟815中，如圖9o所示，對形成電鍍掩膜912的基板進行電鍍，形成銅填充盲孔913。銅填充盲孔913用于基板內部互連和/或元件安裝定位等。

接下來，在步驟816中，如圖9p所示，去除電鍍掩膜912。裸露出導電線路908、銅填充盲孔913和前述的電鍍種子層911。

然后，在步驟817中，如圖9q所示，通過閃蝕法去除電鍍掩膜912下的種子層911。

接下來，在步驟818中，如圖9r所示，在完成步驟817的基板表面制作阻焊層(綠油層)914，并在無阻焊層(綠油層)914覆蓋的銅填充盲孔焊盤913和半埋入導線908的表面制作表面涂覆保護。表面涂覆材料為osp(有機保護皮膜)或niau、nipdau等。

至此，如本發明所述的一種用于bot封裝的雙面有芯板結構700制作完成。

最后，在步驟819中，如圖9s所示，使用雙面bot技術在該用于bot封裝的雙面有芯板結構700的上下兩面的半埋入線路908上，直接bot倒裝焊多個芯片915和916。

本發明上述的制造方法，從步驟802到步驟810步，稱之為sesap(supereasysemiadditiveprocess)工藝，包括在內層線路表面低溫壓合半固化的絕緣樹脂材料和銅箔，保持半固化樹脂的半固化狀態，去除銅箔后，在半固化的樹脂上化學鍍銅形成電鍍種子層，在種子層上光刻進行圖形電鍍形成線路，剝膜并去除干膜下面覆蓋的種子層后，將基板整體在高溫壓機中將線路壓入半固化樹脂層，并將樹脂層固化形成線路；在步驟810之后，屬于在固化的基板材料上進行通用的sap或msap工藝加工，從而形成對應的通孔、電極、阻焊層等封裝基板必要結構。

通過本發明的實施例提供的雙面半埋入線路高密度基板結構具有如下優點：

1.本發明所述結構的基板表面的兩層線路均是半埋入基板的線路，基板表面線路部分嵌入到底層樹脂絕緣層中，其與基板結合力顯著增大，滿足bot倒裝封裝要求。

2.本發明所述結構的基板可以由芯板、芯板兩側的固化的半固化片已經部分嵌入固化的半固化片樹脂中的表面兩層線路以及覆蓋在線路表面的阻焊保護層構成，其中半固化片的材料可以和芯板材料相同，也可以不同。

4.本發明所述結構的基板的兩層半埋入線路上表面高出線路底部絕緣樹脂裸露表面，而不是常規埋入線路技術形成的埋入線路裸露表面低于絕緣樹脂表面。可以直接滿足芯片的bot倒裝封裝。

5.本發明所述結構的基板中制作半埋入線路所用的絕緣層樹脂可以是常規基板材料：abf，bt半固化片，fr半固化片以及其他電路板用樹脂半固化片。

6.本發明所述結構的基板的半埋入線路的埋入深度，即本發明基板結構中的r值的大小，由半固化絕緣樹脂的材料決定。

7.本發明所述結構的基板，在基板的通孔加工前，對整個表面進行化學鍍銅，進行保護，這是常規技術中沒有的工藝。其作用包括：a)在機械鉆孔中起到對基板表面樹脂層表面和線路的保護，以免外力損傷；b)機械鉆孔后，通孔內需要做除膠渣處理，在除膠渣過程中，化學鍍銅層保護基板表面的樹脂層不被除膠渣溶液腐蝕。

8.本發明所述的基板結構雙面均采用半埋入線路結構，因此雙面均能進行窄節bot倒裝封裝，封裝密度更大，集成度更高，3d封裝尺寸更小。

盡管上文描述了本發明的各實施例，但是，應該理解，它們只是作為示例來呈現的，而不作為限制。對于相關領域的技術人員顯而易見的是，可以對其做出各種組合、變型和改變而不背離本發明的精神和范圍。因此，此處所公開的本發明的寬度和范圍不應被上述所公開的示例性實施例所限制，而應當僅根據所附權利要求書及其等同替換來定義。