本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備及其自清洗方法。

背景技術(shù)：

1、在集成電路制造過程中，濕法清洗作為一種非常重要的表面處理手段，占大約30％的工序。隨著半導(dǎo)體芯片制造工藝的進(jìn)步，目前主流的清洗設(shè)備為單片清洗設(shè)備。相較槽式而言，單片的工藝腔室更為狹小，內(nèi)部結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜，伴隨單片清洗機(jī)在整個(gè)制程的推廣，會(huì)接觸不同種類，不同的作用，使用溫度不同的藥液，在這個(gè)背景下，市場(chǎng)對(duì)單片清洗機(jī)腔室內(nèi)部有更多，多更高的要求。

2、針對(duì)易蒸發(fā)，工藝溫度高和易飛濺的藥液，工藝腔室內(nèi)可以設(shè)有防護(hù)罩，用于收集藥液。然而，在工藝過程中，藥液容易積存于防護(hù)罩，影響正常的工藝過程，造成晶圓受損。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例的目的是提供一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備及其自清洗方法，至少能夠解決藥液積存于防護(hù)罩而影響工藝過程，造成晶圓受損等問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，包括：腔體、承載裝置、防護(hù)罩和自清洗裝置；

4、所述承載裝置和所述防護(hù)罩均設(shè)于所述腔體內(nèi)，所述防護(hù)罩圍設(shè)于所述承載裝置的外側(cè)，所述防護(hù)罩包括沿所述腔體的軸向排布且用于回收工藝液體的多層回收腔，相鄰兩個(gè)所述回收腔之間具有間隙；

5、所述自清洗裝置包括進(jìn)液組件和噴淋組件，所述噴淋組件設(shè)于所述間隙中，所述進(jìn)液組件與所述噴淋組件連接，用于向所述噴淋組件輸送清洗介質(zhì)，并通過所述噴淋組件向所述間隙噴淋所述清洗介質(zhì)。

6、本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備的自清洗方法，應(yīng)用于上述半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，所述自清洗方法包括：

7、采用設(shè)于所述間隙內(nèi)的所述噴淋組件向所述間隙噴淋清洗介質(zhì)，以通過所述清洗介質(zhì)對(duì)所述間隙中積存的污染物進(jìn)行清洗。

8、本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過進(jìn)液組件向噴淋組件輸送清洗介質(zhì)，并通過噴淋組件向防護(hù)罩的回收腔之間的間隙中噴灑清洗介質(zhì)，以通過清洗介質(zhì)將間隙中積存的污染物清洗掉，從而可以有效緩解污染物在間隙中積存而導(dǎo)致間隙被堵塞的問題，降低甚至消除間隙堵塞對(duì)于晶圓表面流場(chǎng)的影響，緩解顆粒污染問題，并且還可以緩解結(jié)構(gòu)硬件受到污染物腐蝕等問題。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，包括：腔體、承載裝置(300)、防護(hù)罩(200)和自清洗裝置(100)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，所述噴淋組件(120)包括噴淋腔體(121)，所述噴淋腔體(121)設(shè)有進(jìn)口(122)，所述進(jìn)液組件(110)與所述進(jìn)口(122)連通；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，所述噴淋腔體(121)為環(huán)形腔體，在所述腔體的軸向上，所述噴淋腔體(121)的第一端開口的橫街面積小于第二端開口的橫截面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，所述噴淋腔體(121)包括依次相連的傾斜頂壁(1211)、內(nèi)環(huán)壁(1213)、傾斜底壁(1212)和外環(huán)壁(1214)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)液組件(110)包括進(jìn)液支管(111)、進(jìn)氣支管(112)、進(jìn)液總管(113)、水霧發(fā)生器(114)和噴嘴(115)；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)液組件(110)還包括第一控制閥(116)、第二控制閥(117)、第一流量檢測(cè)元件(118)和第二流量檢測(cè)元件(119)；

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，所述噴淋組件(120)包括環(huán)形的噴淋腔體(121)，所述噴淋腔體(121)設(shè)有多個(gè)進(jìn)口(122)，多個(gè)所述進(jìn)口(122)沿所述噴淋腔體(121)的周向均勻排布；

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，所述自清洗裝置(100)還包括排液組件(130)，所述排液組件(130)包括排液盒(131)、排液總管(132)、氣液分離器(133)、廢氣支管(134)和廢液支管(135)；

9.一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備的自清洗方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，其特征在于，所述自清洗方法包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的自清洗方法，其特征在于，所述進(jìn)液組件(110)包括水霧發(fā)生器(114)；

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的自清洗方法，其特征在于，所述水霧發(fā)生器(114)生成所述水霧清洗介質(zhì)，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備及其自清洗方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，包括：腔體、承載裝置、防護(hù)罩和自清洗裝置；所述承載裝置和所述防護(hù)罩均設(shè)于所述腔體內(nèi)，所述防護(hù)罩圍設(shè)于所述承載裝置的外側(cè)，所述防護(hù)罩包括沿所述腔體的軸向排布且用于回收工藝液體的多層回收腔，相鄰兩個(gè)所述回收腔之間具有間隙；所述自清洗裝置包括進(jìn)液組件和噴淋組件，所述噴淋組件設(shè)于所述間隙中，所述進(jìn)液組件與所述噴淋組件連接，用于向所述噴淋組件輸送清洗介質(zhì)，并通過所述噴淋組件向所述間隙噴淋所述清洗介質(zhì)。本申請(qǐng)至少能夠解決藥液在回收層間隙處積存影響工藝過程，造成晶圓受損等問題。

技術(shù)研發(fā)人員：王澤,王巖,章志興
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28