本公開涉及一種多層電子組件。

背景技術：

1、多層陶瓷電容器(mlcc，一種多層電子組件)是安裝在各種電子產品(諸如，視頻裝置(例如，液晶顯示器(lcd)和等離子體顯示面板(pdp))、計算機、智能電話和移動電話)的印刷電路板上以向其充電或從其放電的片式電容器。

2、多層陶瓷電容器可由于其小尺寸、高電容且易于安裝而用作各種電子裝置中的組件。

3、近來，由于電子裝置已經小型化并且實現了更高的性能，多層陶瓷電容器也趨向于小型化和更高的電容。因此，確保多層陶瓷電容器的高可靠性的重要性日益增加。

4、另外，由于移動裝置的高電壓充電變得更加普遍，因此存在對于緊湊且在高電壓下具有優異可靠性的裝置的需求。

5、當內電極和外電極之間的接觸減少時，內電極和外電極之間的電連接性可能降低，這可能增大等效串聯電阻(esr)，并且當施加高電壓時，可能發生諸如焊縫燒穿(arcburn)的缺陷。

技術實現思路

1、本公開的一方面在于提供一種具有相對高的可靠性的多層電子組件。

2、本公開的一方面在于改善內電極和外電極之間的連接性。

3、根據本公開的一方面，一種多層電子組件包括：主體，包括介電層以及與所述介電層交替設置的內電極；外電極，設置在所述主體上并連接到所述內電極；以及包含ni、al和cu的區域。所述內電極包括ni，并且所述外電極包含al和cu。

4、根據本公開的一方面，一種多層電子組件包括：主體，包括介電層以及與所述介電層交替設置的內電極；以及外電極，設置在所述主體上并且包括連接到所述內電極的基體電極層。所述基體電極層包括al、cu和玻璃。

5、根據本公開的一方面，一種多層電子組件包括：主體，包括介電層和與所述介電層交替設置的內電極，所述內電極包括ni，所述內電極與所述主體的表面間隔開；外電極，設置在所述主體的所述表面上；以及包括ni、al和cu的區域，設置在所述內電極和所述外電極之間，以電連接所述內電極和所述外電極。

技術特征：

1.一種多層電子組件，包括：

2.如權利要求1所述的多層電子組件，其中，包含ni、al和cu的所述區域包括與所述內電極相鄰的第一區域和與所述外電極相鄰的第二區域，并且其中，al-ni合金設置在所述第一區域中，并且al-cu合金設置在所述第二區域中。

3.如權利要求2所述的多層電子組件，其中，包含ni、al和cu的所述區域由al-ni合金和al-cu合金組成。

4.如權利要求2所述的多層電子組件，其中，所述第一區域的ni含量在從所述內電極到所述外電極的方向上減小，并且所述第二區域的cu含量在從所述外電極到所述內電極的方向上減小。

5.如權利要求2所述的多層電子組件，其中，所述第一區域的al含量在從所述內電極到所述外電極的方向上增大，并且所述第二區域的al含量在從所述外電極到所述內電極的方向上增大。

6.如權利要求2所述的多層電子組件，其中，所述第一區域設置在所述主體的內部，并且所述第二區域的至少一部分設置在所述主體的外部。

7.如權利要求2所述的多層電子組件，其中，當所述第一區域和所述第二區域之間的部分被稱為中間區域時，包含在所述中間區域中的al的原子百分比高于包含在所述第一區域和所述第二區域中的al的原子百分比。

8.如權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述中間區域不包含ni和cu。

9.如權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述中間區域的al含量大于等于99at％，并且所述中間區域的至少一部分的al含量為100at％。

10.如權利要求7所述的多層電子組件，其中，在所述第一區域中，在從所述內電極到所述外電極的方向上ni含量減小并且al含量增大，在所述第二區域中，在從所述外電極到所述內電極的方向上cu含量減小并且al含量增大。

11.如權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述第一區域設置在所述主體的內部，并且所述第二區域的至少一部分設置在所述主體的外部。

12.如權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述中間區域位于所述主體的內部。

13.如權利要求1所述的多層電子組件，其中，包含ni、al和cu的所述區域由ni-al-cu合金形成。

14.如權利要求13所述的多層電子組件，其中，在包含ni、al和cu的所述區域中，在從所述內電極到所述外電極的方向上ni含量減小并且cu含量增大。

15.如權利要求13所述的多層電子組件，其中，在包含ni、al和cu的所述區域中，al含量在中央區域中最高，在從所述中央區域朝向所述內電極的方向上減小，并且在從所述中央區域朝向所述外電極的方向上減小。

16.如權利要求1所述的多層電子組件，其中，包含ni、al和cu的所述區域包括與所述內電極相鄰的第一區域、與所述外電極相鄰的第二區域以及所述第一區域和所述第二區域之間的中間區域，其中，al-ni合金設置在所述第一區域中，al-cu合金設置在所述第二區域中，并且ni-al-cu合金設置在所述中間區域中。

17.如權利要求1所述的多層電子組件，其中、包含ni、al和cu的所述區域設置在所述內電極和所述外電極之間。

18.一種多層電子組件，包括：

19.如權利要求18所述的多層電子組件，其中，所述基體電極層與設置在所述內電極之間的所述介電層的端部的至少一部分接觸。

20.如權利要求18所述的多層電子組件，其中，包括在所述基體電極層中的al、cu和玻璃中的至少一種與設置在所述內電極之間的所述介電層的端部的至少一部分接觸。

21.如權利要求18所述的多層電子組件，其中，包含在所述基體電極層中的al的至少一部分與cu合金化。

22.如權利要求18所述的多層電子組件，其中，所述外電極還包括設置在所述基體電極層上的ni鍍層，并且

23.如權利要求18所述的多層電子組件，其中，所述外電極還包括導電樹脂層，所述導電樹脂層設置在所述基體電極層上并且包括導電顆粒和樹脂。

24.如權利要求23所述的多層電子組件，其中，包括在所述導電樹脂層中的所述導電顆粒是cu顆粒，并且

25.如權利要求18所述的多層電子組件，所述多層電子組件還包括包含ni、al和cu并且從所述內電極的端部延伸到所述基體電極層的區域，

26.一種多層電子組件，包括：

27.如權利要求26所述的多層電子組件，其中，所述外電極包括基體電極層，所述基體電極層包括al、cu和玻璃。

28.如權利要求27所述的多層電子組件，其中，所述外電極還包括設置在所述基體電極層上的ni鍍層，并且

29.如權利要求26所述的多層電子組件，其中，設置在所述外電極和所述內電極之間的包括ni、al和cu的所述區域的至少一部分的al含量大于等于99at％。

30.如權利要求26所述的多層電子組件，其中，包括ni、al和cu的所述區域包括與所述內電極相鄰的第一區域、與所述外電極相鄰的第二區域以及所述第一區域和所述第二區域之間的中間區域。

31.如權利要求30所述的多層電子組件，其中，所述第一區域中的ni含量隨著遠離所述內電極而減小，所述第一區域中的al含量隨著遠離所述內電極而增大，所述第二區域中的cu含量在從所述外電極朝向所述內電極的方向上減小，并且所述第二區域中的al含量在從所述外電極朝向所述內電極的方向上增大。

32.如權利要求30所述的多層電子組件，其中，所述中間區域的至少一部分不包含ni和cu。

33.如權利要求30所述的多層電子組件，其中，所述第二區域的至少一部分設置在所述主體的所述表面上并且設置在所述主體的外部，并且所述第一區域的至少一部分設置在所述主體的內部。

技術總結
本公開提供一種多層電子組件，所述多層電子組件包括：主體，包括介電層以及與所述介電層交替設置的內電極；外電極，設置在所述主體上并連接到所述內電極；以及包含Ni、Al和Cu的區域。所述內電極包括Ni，并且所述外電極包含Al和Cu。

技術研發人員：金容敏,姜范錫,具賢熙,李岡夏,李忠垠
受保護的技術使用者：三星電機株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28