本發明涉及光電，具體涉及一種減小光電倍增管暗電流影響的方法。

背景技術：

1、光電倍增管在沒有光照時也會有一個微小的電流，這個電流稱為暗電流。光電倍增管的暗電流一般是在幾na到十幾na，但是用積分法在測量低劑量率的輻射場時，脈沖電流每秒的積分值也是在na的數量級，暗電流就會對測量結果有較大的影響。

技術實現思路

1、本發明的目的在于提供一種減小光電倍增管暗電流影響的方法。

2、技術方案如下：

3、本發明提出了一種減小光電倍增管暗電流影響的方法，將光電倍增管的陽極連接一用于抵消暗電流的恒流源；當所述光電倍增管的陽極有脈沖輸出時，將所述光電倍增管的陽極經一積分電路實現輸出；當所述光電倍增管的陽極沒有脈沖輸出時，將所述光電倍增管的陽極接地。

4、進一步的，所述恒流源通過將所述光電倍增管的陽極經一可調電阻r1連接正電壓源實現。

5、進一步的，當所述光電倍增管的陽極沒有脈沖輸出時，在所述光電倍增管的陽極的接地線路上設置一固定電阻r2。

6、進一步的，通過一單刀雙擲模擬開關來控制所述光電倍增管的陽極與所述積分電路或接地連接。

7、進一步的，所述單刀雙擲模擬開關的控制信號由所述光電倍增管的打拿極輸出。

8、進一步的，所述光電倍增管的打拿極輸出的脈沖信號經過隔直電容c1輸入到放大電路中，再由所述放大電路輸出的脈沖輸入到比較器中，觸發所述比較器的閾值后，所述比較器輸出高電平觸發單穩態電路輸出方波信號，以控制所述單刀雙擲模擬開關的連接。

9、與現有技術相比，本發明結構簡單，操作便捷，利用設置恒流源以抵消暗電流，同時利用光電倍增管的打拿極控制單刀雙擲模擬開關，進而實現光電倍增管的陽極沒有脈沖輸出時暗電流不會流入積分電路，減小暗電流對積分結果的貢獻率，解決了暗電流對測量結果有較大影響的問題。

10、說明書附圖

11、圖1為本發明電路結構框圖。

12、圖2為放大電路結構示意圖。

13、圖3為單穩態電路結構示意圖。

14、圖4為積分電路結構示意圖。

技術特征：

1.一種減小光電倍增管暗電流影響的方法，其特征在于：將光電倍增管的陽極連接一用于抵消暗電流的恒流源；當所述光電倍增管的陽極有脈沖輸出時，將所述光電倍增管的陽極經一積分電路實現輸出；當所述光電倍增管的陽極沒有脈沖輸出時，將所述光電倍增管的陽極接地。

2.根據權利要求1所述的一種減小光電倍增管暗電流影響的方法，其特征在于：所述恒流源通過將所述光電倍增管的陽極經一可調電阻r1連接正電壓源實現。

3.根據權利要求1所述的一種減小光電倍增管暗電流影響的方法，其特征在于：當所述光電倍增管的陽極沒有脈沖輸出時，在所述光電倍增管的陽極的接地線路上設置一固定電阻r2。

4.根據權利要求1所述的一種減小光電倍增管暗電流影響的方法，其特征在于：通過一單刀雙擲模擬開關來控制所述光電倍增管的陽極與所述積分電路或接地連接。

5.根據權利要求4所述的一種減小光電倍增管電流影響的方法，其特征在于：所述單刀雙擲模擬開關的控制信號由所述光電倍增管的打拿極輸出。

6.根據權利要求5所述的一種減小光電倍增管電流影響的方法，其特征在于：所述光電倍增管的打拿極輸出的脈沖信號經過隔直電容c1輸入到放大電路中，再由所述放大電路輸出的脈沖輸入到比較器中，觸發所述比較器的閾值后，所述比較器輸出高電平觸發單穩態電路輸出方波信號，以控制所述單刀雙擲模擬開關的連接。

技術總結
本發明涉及光電技術領域，具體涉及一種減小光電倍增管暗電流影響的方法，將光電倍增管的陽極連接一用于抵消暗電流的恒流源；當所述光電倍增管的陽極有脈沖輸出時，將所述光電倍增管的陽極經一積分電路實現輸出；當所述光電倍增管的陽極沒有脈沖輸出時，將所述光電倍增管的陽極接地。與現有技術相比，本發明結構簡單，操作便捷，利用設置恒流源以抵消暗電流，同時利用光電倍增管的打拿極控制單刀雙擲模擬開關，進而實現光電倍增管的陽極沒有脈沖輸出時暗電流不會流入積分電路，減小暗電流對積分結果的貢獻率，解決了暗電流對測量結果有較大影響的問題。

技術研發人員：張華,魏鴻林,丁炳亮,陳明鑾
受保護的技術使用者：福州智元儀器設備有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28