本發(fā)明屬于芯片封裝，尤其涉及一種五面包封封裝結(jié)構(gòu)、器件及其封裝工藝。

背景技術(shù)：

1、集成電路芯片封裝的目的在于保護(hù)芯片不受外界環(huán)境的干擾，使之能穩(wěn)定、可靠、正常的發(fā)揮電路功能，故，安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的封裝外殼，起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強電熱性能的作用。

2、隨著電子芯片的集成度微型化的發(fā)展，芯片在工作過程中產(chǎn)生的熱量越來越多，高溫不僅會導(dǎo)致芯片性能下降，還可能引起芯片損壞，因此有效的散熱措施至關(guān)重要，現(xiàn)有的散熱結(jié)構(gòu)一般都是直接將芯片及其電性連接結(jié)構(gòu)層層電鍍、包封、研磨后形成一芯片封裝體，在芯片封裝體的外圍安裝或電鍍五面金屬包圍的散熱屏蔽結(jié)構(gòu)，散熱結(jié)構(gòu)與內(nèi)部芯片間隔包封料，散熱屏蔽效果差，工藝復(fù)雜，生產(chǎn)效率低下。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種五面包封封裝結(jié)構(gòu)、器件及其封裝工藝。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的一種五面包封封裝工藝，包括以下步驟：

3、芯片封裝：芯片包封在封裝體a內(nèi)，芯片背面膠層a表面與封裝體a齊平并外露，芯片正面電鍍線路層和導(dǎo)電柱，導(dǎo)電柱表面與封裝體a齊平外露；

4、圍墻電鍍：提供一基板，在基板上電鍍金屬框，金屬框頂面與外露的導(dǎo)電柱齊平；

5、貼裝包封：封裝體a通過膠層a貼裝在圍墻中部基板上，在圍墻內(nèi)填充包封料并固化研磨頂面直至導(dǎo)電柱、金屬框與封裝整體頂面齊平外露，形成封裝體b，封裝體a和b構(gòu)成封裝整體；

6、外層電鍍：剝離基板，在封裝整體的背面刷膠層b，并在膠層b上電鍍金屬面，金屬面覆蓋封裝整體表面并與金屬框密封連接。

7、進(jìn)一步的，所述芯片封裝步驟中，封裝體a預(yù)先通過將芯片背面刷膠層a后，在芯片正面依次層層電鍍線路層和導(dǎo)電柱，并包封研磨暴露出導(dǎo)電柱頂面而得到。

8、進(jìn)一步的，所述圍墻電鍍步驟中，在基板上電鍍的金屬框為一層或多層堆疊。

9、更進(jìn)一步的，所述圍墻電鍍步驟中，多層堆疊的金屬框，金屬框從下層到上層寬度逐漸變小。

10、更進(jìn)一步的，所述圍墻電鍍步驟中，每層金屬框?qū)挾炔罘秶?0～25μm之間，形成寬度臺階。

11、更進(jìn)一步的，所述外層電鍍步驟中，在剝離基板之前，于外露的導(dǎo)電柱和金屬框上電鍍焊腳。

12、更進(jìn)一步的，所述外層電鍍步驟中，膠層b覆蓋膠層a，膠層b外擴于膠層a的邊緣距離≥100μm，膠層a和膠層b均為導(dǎo)熱導(dǎo)電膠。

13、一種五面包封封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝整體，還包括有：

14、封裝體a，所述封裝體a內(nèi)包封有芯片，芯片背面膠層a表面與封裝體a齊平并外露，芯片正面電鍍線路層和導(dǎo)電柱，導(dǎo)電柱表面與封裝體a齊平外露；

15、圍墻，所述圍墻通過電鍍金屬框形成；

16、封裝體b，所述封裝體a通過膠層a貼裝在圍墻中部位置，此時金屬框頂面與外露的導(dǎo)電柱齊平，在圍墻和封裝體a之間填充包封料，并固化為封裝體b，封裝體a和b構(gòu)成封裝整體，研磨頂面直至導(dǎo)電柱、金屬框與封裝整體頂面齊平外露；

17、金屬面，在封裝整體的背面刷膠層b，并在膠層b上電鍍金屬面，金屬面覆蓋封裝整體表面并與金屬框密封連接。

18、進(jìn)一步的，所述封裝體a預(yù)先通過將芯片背面刷膠層a后，在芯片正面依次層層電鍍線路層和導(dǎo)電柱，并包封研磨暴露出導(dǎo)電柱頂面而得到。

19、進(jìn)一步的，所述金屬框為電鍍的一層或多層堆疊。

20、更進(jìn)一步的，所述金屬框多層堆疊時金屬框從下層到上層寬度逐漸變小。

21、更進(jìn)一步的，每層金屬框?qū)挾炔罘秶?0～25μm之間，形成寬度臺階。

22、更進(jìn)一步的，外露的導(dǎo)電柱和金屬框上電鍍焊腳。

23、更進(jìn)一步的，所述膠層b覆蓋膠層a，膠層b外擴于膠層a的邊緣距離≥100μm，膠層a和膠層b均為導(dǎo)熱導(dǎo)電膠。

24、一種封裝器件，包括上述的五面包封封裝結(jié)構(gòu)。

25、本發(fā)明：1.通過先形成封裝半成品結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品各部分可分開進(jìn)行預(yù)處理，大幅提高生產(chǎn)效率，簡化工藝；在膠層a上直接設(shè)置更大尺寸覆蓋的膠層b，可有效緩沖金屬面的應(yīng)力，保護(hù)芯片背面，整個封裝結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定可靠；

26、2.芯片熱量直接通過導(dǎo)熱的膠層a和膠層b傳遞至封裝整體外部的金屬面散發(fā)，散熱性能更好，圍墻和金屬面形成封裝整體的五面包封結(jié)構(gòu)，加強電磁屏蔽作用，密封性良好。

技術(shù)特征：

1.一種五面包封封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的五面包封封裝工藝，其特征在于，所述芯片封裝步驟中，封裝體a預(yù)先通過將芯片背面刷膠層a后，在芯片正面依次層層電鍍線路層和導(dǎo)電柱，并包封研磨暴露出導(dǎo)電柱頂面而得到。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的五面包封封裝工藝，其特征在于，所述圍墻電鍍步驟中，在基板上電鍍的金屬框為一層或多層堆疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的五面包封封裝工藝，其特征在于，所述圍墻電鍍步驟中，多層堆疊的金屬框，金屬框從下層到上層寬度逐漸變小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的五面包封封裝工藝，其特征在于，所述圍墻電鍍步驟中，每層金屬框?qū)挾炔罘秶?0～25μm之間，形成寬度臺階。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的五面包封封裝工藝，其特征在于，所述外層電鍍步驟中，在剝離基板之前，于外露的導(dǎo)電柱和金屬框上電鍍焊腳。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的五面包封封裝工藝，其特征在于，所述外層電鍍步驟中，膠層b覆蓋膠層a，膠層b外擴于膠層a的邊緣距離≥100μm，膠層a和膠層b均為導(dǎo)熱導(dǎo)電膠。

8.一種五面包封封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝整體，其特征在于，還包括有：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的五面包封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝體a預(yù)先通過將芯片背面刷膠層a后，在芯片正面依次層層電鍍線路層和導(dǎo)電柱，并包封研磨暴露出導(dǎo)電柱頂面而得到。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的五面包封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬框為電鍍的一層或多層堆疊。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的五面包封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬框多層堆疊時金屬框從下層到上層寬度逐漸變小。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的五面包封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每層金屬框?qū)挾炔罘秶?0～25μm之間，形成寬度臺階。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的五面包封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，外露的導(dǎo)電柱和金屬框上電鍍焊腳。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的五面包封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述膠層b覆蓋膠層a，膠層b外擴于膠層a的邊緣距離≥100μm，膠層a和膠層b均為導(dǎo)熱導(dǎo)電膠。

15.一種封裝器件，其特征在于，包括權(quán)利要求8-14任意一項所述的五面包封封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種五面包封封裝結(jié)構(gòu)、器件及其封裝工藝，該工藝包括以下步驟：芯片封裝：芯片包封在封裝體A內(nèi)，芯片背面膠層A表面與封裝體A齊平并外露，芯片正面電鍍線路層和導(dǎo)電柱，導(dǎo)電柱表面與封裝體A齊平外露；圍墻電鍍：提供一基板，在基板上電鍍金屬框，金屬框頂面與外露的導(dǎo)電柱齊平；貼裝包封：封裝體A通過膠層A貼裝在圍墻中部基板上，在圍墻內(nèi)填充包封料并固化研磨頂面直至導(dǎo)電柱、金屬框與封裝整體頂面齊平外露，形成封裝體B，封裝體A和B構(gòu)成封裝整體；本發(fā)明通過先形成封裝半成品結(jié)構(gòu)，大幅提高生產(chǎn)效率，簡化工藝；圍墻和金屬面形成封裝整體的五面包封結(jié)構(gòu)，加強電磁屏蔽作用，密封性良好。

技術(shù)研發(fā)人員：張光耀,譚小春
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥矽邁微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28