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一種晶閘管投切電容器、過零觸發裝置及觸發方法與流程

文檔序號:12686344閱讀:729來源:國知局
一種晶閘管投切電容器、過零觸發裝置及觸發方法與流程

本發明涉及電力技術領域,尤其涉及一種晶閘管投切電容器、過零觸發裝置及觸發方法。



背景技術:

在現代各種無功補償技術以及裝置中,晶閘管(Thyristor)是常用的電力電子開關器件之一,廣泛應用在交流調壓、直流變換、相控整流、逆變等領域,也是目前無功補償應用最廣的開關器件。

晶閘管投切電容器(Thyristor Switched Capacitor,簡稱TSC)是目前晶閘管技術應用的典型代表。TSC在無功補償領域占據了很大的份額,它的安全及可靠性是人們關注的重點。

TSC使用晶閘管作為投切電容器的無觸點開關,它具有無機械摩損、動作快速、操作無噪聲等優點。TSC本身含有電力電容器,由于電容器本身電壓不能突變,如果直接投入電網可能會引發很大的沖擊電流,通常為了減小電容器投入電網時產生的電流沖擊,通常采用所謂的過零觸發技術投入電容器,即在晶閘管端電壓為零附近進行觸發晶閘管,將電力電容器投入電網。使用這種方式的好處是可以使TSC投入時對電網干擾小,對負載的沖擊也小。

但是,由于技術方面的原因,很多TSC產品在使用過程中仍然存在不足之處,例如,常見的TSC產品在投入后,對于以反并聯方式連接的晶閘管,當其中一個晶閘管在由導通轉為關斷時,由于在晶閘管導通過程中,大量載流子(空穴和電子)注入基極,在該晶閘管關斷過程中,基極的剩余載流子不能馬上消除,而且受限于相關設備的性能及相互的影響,晶閘管將不會在電流過零點處關斷,而是流過反向恢復電流,因而導致晶閘管的關斷時間較長,使得一個晶閘管的關斷時間同時也是另一個晶閘管的開通時間,導致晶閘管在過零觸發過程中產生電壓沖擊現象。



技術實現要素:

本發明的實施例提供一種晶閘管投切電容器、過零觸發裝置及觸發方法,可抑制晶閘管開通過程的電壓沖擊。

為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:

第一方面,提供一種晶閘管投切電容器,包括晶閘管組,所述晶閘管組中的兩個晶閘管以反并聯方式連接,還包括設置在所述晶閘管組中兩個晶閘管的門極之間的連接開關。

優選的,所述連接開關包括第一連接端、第二連接端和控制端;所述第一連接端和所述第二連接端分別與所述晶閘管組中兩個晶閘管的門極連接;所述控制端用于在接收到控制信號后,控制使所述第一連接端和所述第二連接端連接或斷開。

第二方面,提供一種過零觸發裝置,用于對第一方面所述晶閘管投切電容器中的晶閘管進行觸發,包括:控制單元、電壓過零檢測單元和晶閘管觸發單元。

其中,所述控制單元,用于向所述電壓過零檢測單元發送晶閘管閉合指令;在所述晶閘管正常觸發導通后,向連接開關發送連接開關閉合指令;在晶閘管斷開時,向所述晶閘管觸發單元發送晶閘管斷開指令,并向所述連接開關發送連接開關斷開指令。

所述電壓過零檢測單元,用于在接收到所述控制單元發送的所述晶閘管閉合指令后,檢測所述晶閘管兩端的電壓,并在所述晶閘管兩端的電壓滿足觸發條件時,向所述晶閘管觸發單元發送觸發允許信號。

所述晶閘管觸發單元,用于在接收到所述電壓過零檢測單元發送的觸發允許信號后,向所述晶閘管的門極輸入觸發信號;在接收到所述控制單元發送的所述晶閘管斷開指令后,不再向所述晶閘管的門極輸入觸發信號或撤除所述觸發信號。

優選的,所述過零觸發裝置還包括電壓信號采集單元和電流信號采集單元;所述電壓信號采集單元,用于采集所述晶閘管兩端的電壓信號,并進行預處理后發送至所述控制單元;所述電流信號采集單元,用于采集流過所述晶閘管的電流信號,并進行預處理后發送至所述控制單元。

基于此,所述控制單元用于向所述電壓過零檢測單元發送晶閘管閉合指令,向所述晶閘管觸發單元發送晶閘管斷開指令,并向所述連接開關發送連接開關斷開指令,包括:所述控制單元用于對所述電壓信號采集單元和所述電流信號采集單元采集的電壓信號和電流信號進行分析處理,生成所述晶閘管閉合指令,并發送至所述電壓過零檢測單元;以及生成所述晶閘管斷開指令并發送至所述晶閘管觸發單元,生成所述連接開關斷開指令并發送至所述連接開關。

進一步優選的,所述控制單元用于在所述晶閘管正常觸發導通后,向連接開關發送連接開關閉合指令,包括:所述控制單元用于根據所述電流信號采集單元采集的電流信號,當電流值達到預設值時,向所述連接開關發送連接開關閉合指令。

第三方面,提供一種如第一方面所述晶閘管投切電容器中晶閘管的觸發方法,包括:控制單元向所述電壓過零檢測單元發送晶閘管閉合指令;電壓過零檢測單元在接收到所述控制單元發送的所述晶閘管閉合指令后,檢測所述晶閘管兩端的電壓,并在所述晶閘管兩端的電壓滿足觸發條件時,向所述晶閘管觸發單元發送觸發允許信號;晶閘管觸發單元在接收到所述觸發允許信號后,向所述晶閘管的門極輸入觸發信號;在所述晶閘管正常觸發導通后,所述控制單元向連接開關發送連接開關閉合指令;在晶閘管斷開時,所述控制單元向所述晶閘管觸發單元發送晶閘管斷開指令,以使所述晶閘管觸發單元不再向所述晶閘管的門極輸入觸發信號或撤除所述觸發信號;并向所述連接開關發送連接開關斷開指令,以使所述連接開關斷開。

優選的,所述控制單元向所述電壓過零檢測單元發送晶閘管閉合指令,包括:所述控制單元對電壓信號采集單元和電流信號采集單元采集的電壓信號和電流信號進行分析處理,生成所述晶閘管閉合指令,并發送至所述電壓過零檢測單元。

在晶閘管斷開時,所述控制單元向所述晶閘管觸發單元發送晶閘管斷開指令,并向所述連接開關發送連接開關斷開指令,包括:在所述晶閘管斷開時,所述控制單元對所述電壓信號采集單元和所述電流信號采集單元采集的電壓信號和電流信號進行分析處理,生成所述晶閘管斷開指令并發送至所述晶閘管觸發單元,生成所述連接開關斷開指令并發送至所述連接開關。

進一步優選的,在所述晶閘管正常觸發導通后,所述控制單元向連接開關發送連接開關閉合指令,包括:在所述晶閘管正常觸發導通后,所述控制單元根據所述電流信號采集單元采集的電流信號,當電流值達到預設值時,向所述連接開關發送連接開關閉合指令。

本發明實施例提供一種晶閘管投切電容器、過零觸發裝置及觸發方法,通過在晶閘管組中兩個晶閘管的門極之間設置連接開關,當連接開關閉合后,使得后續第一晶閘管和第二晶閘管交替導通,都可以由晶閘管端電壓通過第一晶閘管的門極和陰極之間的電阻、第二晶閘管的門極和陰極之間的電阻,流入第一晶閘管的門極或第二晶閘管的門極,來觸發第一晶閘管或第二晶閘管導通。在此過程中,由于可以采用比現有技術更低的晶閘管端電壓便可使晶閘管導通,而且晶閘管基極的載流子可以通過由連接開關構成的通路快速的轉移,因而可以加快反向恢復過程,從而可有效地抑制后續晶閘管開通過程的電壓沖擊。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種晶閘管投切電容器的拓撲示意圖;

圖2為本發明實施例提供的一種過零觸發裝置的結構示意圖一;

圖3為本發明實施例提供的一種過零觸發裝置的結構示意圖二;

圖4為本發明實施例提供的一種觸發方法的流程示意圖;

圖5為本發明實施例提供的一種控制策略框圖;

圖6為本發明實施例提供的一種時序圖。

附圖標記:

10-晶閘管組;20-連接開關;201-第一連接端;202-第二連接端;T1-第一晶閘管;T2-第二晶閘管;G1-第一晶閘管的門極;G2-第二晶閘管的門極;K1-第一晶閘管的陰極;K2-第二晶閘管的陰極;30-控制單元;40-電壓過零檢測單元;50-晶閘管觸發單元;60-電壓信號采集單元;70-電流信號采集單元。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。

本發明實施例提供一種晶閘管投切電容器,如圖1所示,包括晶閘管組10,晶閘管組10中的兩個晶閘管(記為第一晶閘管T1和第二晶閘管T2)以反并聯方式連接,進一步的,所述晶閘管投切電容器還包括設置在晶閘管組10中兩個晶閘管的門極,即第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2之間的連接開關20。

本發明實施例中,參考圖1所示,晶閘管投切電容器的工作過程可以為:在晶閘管組10中的兩個晶閘管投入時,分別向第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2施加觸發電流,若此時處于電源電壓的正半波周期,則第一晶閘管T1導通,第二晶閘管T2關斷。當第一晶閘管T1上流過的電流過零時,第一晶閘管T1關斷。

之后,當處于電源電壓的負半波周期時,第二晶閘管T2導通,并且在第二晶閘管T2正常導通后,連接開關20閉合。其中,當連接開關20閉合后,原本的觸發電流則不能作用在第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2。

至此,完成第一晶閘管T1和第二晶閘管T2的第一次導通。

在此之后,當第二晶閘管T2上流過的電流過零時,第二晶閘管T2關斷。與此同時,第一晶閘管T1的陽極承受正向電壓,由于連接開關20的閉合,使得第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2連接,因此,施加在第一晶閘管的門極G1的觸發電流Itrigger,可以由A、B端的電壓(記為UAB)通過第一晶閘管的門極G1和陰極K1之間的電阻(記為RKG1)、第二晶閘管的門極G2和陰極K2之間的電阻(記為RKG2)、以及TSC的等值電阻(記為RL)產生,即而RKG1、RKG2經典參數大約是20Ω,晶閘管門極的觸發電流大概是100mA,同時RL很小可以忽略,因而根據前述公式可得出,UAB的電壓為4V左右時,第一晶閘管T1可被觸發導通。其中,相對現有技術中UAB的電壓值,此處的UAB的電壓值更低。

同理,當處于電源電壓的負半波周期時,第二晶閘管T2的陽極承受正向電壓,觸發電流Itrigger施加在第二晶閘管的門極G2,第二晶閘管T2可被觸發導通。

基于此,當連接開關20閉合后,隨著電源電壓的變化,可以實現自動觸發功能,從而實現第一晶閘管T1和第二晶閘管T2的交替導通。

需要說明的是,第一,不對連接開關20的具體參數進行限定,可根據實際情況進行設定。

第二,本發明實施例以經過第一晶閘管T1的第一次導通,并在第二晶閘管T2第一次正常觸發導通后,連接開關20閉合,對晶閘管投切電容器的工作過程進行說明。但本發明實施例并不限此,可經過第一晶閘管T1和第二晶閘管T2的多次交替導通后,使連接開關20閉合。

但是,本領域技術人員應該知道,越早使連接開關20閉合,則可越早抑制后續第一晶閘管T1和第二晶閘管T2開通過程的電壓沖擊。

本發明實施例提供一種晶閘管投切電容器,通過在晶閘管組10中兩個晶閘管的門極之間設置連接開關20,當連接開關20閉合后,使得后續第一晶閘管T1和第二晶閘管T2交替導通,都可以由晶閘管端電壓通過第一晶閘管的門極G1和陰極K1之間的電阻、第二晶閘管的門極G2和陰極K2之間的電阻,流入第一晶閘管的門極G1或第二晶閘管的門極G2,來觸發第一晶閘管T1或第二晶閘管T2導通。在此過程中,由于可以采用比現有技術更低的晶閘管端電壓便可使晶閘管導通,而且晶閘管基極的載流子可以通過由連接開關20構成的通路快速的轉移,因而可以加快反向恢復過程,從而可有效地抑制后續晶閘管開通過程的電壓沖擊。

優選的,如圖1所示,所述連接開關20可以包括第一連接端201、第二連接端202和控制端(圖1中未標識出);第一連接端201和第二連接端202分別與所述晶閘管組10中兩個晶閘管的門極(即,第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2)連接;控制端用于在接收到控制信號后,控制使第一連接端201和第二連接端202連接或斷開。

即,如上述晶閘管投切電容器的工作過程描述,當第二晶閘管T2第一次導通,并且在第二晶閘管T2正常導通后,可以通過向控制端輸入連接開關閉合指令,使連接開關20閉合。在此基礎上,當晶閘管投切電容器中的晶閘管需要切除,即晶閘管不再需要工作時,則可通過向控制端輸入連接開關斷開指令信號,使連接開關20斷開。

本發明實施例還提供一種過零觸發裝置,用于對上述的晶閘管投切電容器(如圖1所示)中的晶閘管進行觸發。如圖2所示,該過零觸發裝置包括控制單元30、電壓過零檢測單元40和晶閘管觸發單元50。

控制單元30,用于向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令;在晶閘管正常觸發導通后,向連接開關20發送連接開關閉合指令;在晶閘管斷開時,向晶閘管觸發單元50發送晶閘管斷開指令,并向連接開關20發送連接開關斷開指令。

電壓過零檢測單元40,用于在接收到控制單元30發送的晶閘管閉合指令后,檢測晶閘管兩端的電壓,并在晶閘管兩端的電壓滿足觸發條件時,向晶閘管觸發單元50發送觸發允許信號。

其中,電壓過零檢測單元40與晶閘管組10中的兩個晶閘管分別連接。即電壓過零檢測單元40檢測的第一晶閘管T1兩端的電壓、第二晶閘管T2兩端的電壓互不影響。

晶閘管觸發單元50,用于在接收到電壓過零檢測單元40發送的觸發允許信號后,向晶閘管的門極輸入觸發信號;在接收到控制單元30發送的晶閘管斷開指令后,不再向晶閘管的門極輸入觸發信號或撤除所述觸發信號。

示例的,當晶閘管組10中的兩個晶閘管(即,圖1中的第一晶閘管T1和第二晶閘管T2)投入時,控制單元30向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令,電壓過零檢測單元40開始檢測第一晶閘管T1和第二晶閘管T2兩端的電壓,并在第一晶閘管T1兩端的電壓滿足觸發條件時,向晶閘管觸發單元50發送第一晶閘管T1觸發允許信號,晶閘管觸發單元50在接收到所述觸發允許信號后,向第一晶閘管的門極G1輸入觸發信號,使第一晶閘管T1導通。之后控制單元30向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令,電壓過零檢測單元40開始檢測第一晶閘管T1和第二晶閘管T2兩端的電壓,并在第二晶閘管T2兩端的電壓滿足觸發條件時,向晶閘管觸發單元50發送第二晶閘管T2觸發允許信號,晶閘管觸發單元50在接收到所述觸發允許信號后,向第二晶閘管的門極G2輸入觸發信號,使第二晶閘管T2導通。當第二晶閘管T2正常觸發導通后,向連接開關20發送連接開關閉合指令,以使第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2連接。之后,隨著電源電壓的變化,可以實現自動觸發功能,從而實現第一晶閘管T1和第二晶閘管T2的交替導通。

當實現自動觸發,以使第一晶閘管T1和第二晶閘管T2交替導通后,若晶閘管組10中的兩個晶閘管需要切除,則控制單元30向晶閘管觸發單元50發送晶閘管斷開指令,以使晶閘管觸發單元50不再向晶閘管的門極輸入觸發信號或撤除所述觸發信號;并向連接開關20發送連接開關斷開指令,以使第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2斷開連接。

需要說明的是,此處以經過第一晶閘管T1和第二晶閘管T2的第一次導通,并在第二晶閘管T2正常導通后,向連接開關20發送連接開關閉合指令為例進行說明。但本發明實施例并不限此,可在第一晶閘管T1和第二晶閘管T2的多次導通后,并在第一晶閘管T1或第二晶閘管T2正常導通時,向連接開關20發送連接開關閉合指令。

但是,本領域技術人員應該知道,越早使連接開關20閉合,則可越早抑制后續第一晶閘管T1和第二晶閘管T2開通過程的電壓沖擊。

本發明實施例提供一種過零觸發裝置,通過控制單元30向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令,使電壓過零檢測單元40在檢測到晶閘管兩端的電壓符合觸發條件時,向晶閘管觸發單元50發送觸發允許信號,以使晶閘管觸發單元50向晶閘管的門極輸入觸發信號,而使相應的晶閘管導通;并且在晶閘管正常導通后,控制單元30通過向連接開關20發送連接開關閉合指令,使得第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2連接,從而使得后續第一晶閘管T1和第二晶閘管T2交替導通,都可以由晶閘管端電壓通過第一晶閘管的門極G1和陰極K1之間的電阻、第二晶閘管的門極G2和陰極K2之間的電阻,流入第一晶閘管的門極G1或第二晶閘管的門極G2,來觸發第一晶閘管T1或第二晶閘管T2導通。在此過程中,由于可以采用比現有技術更低的晶閘管端電壓便可使晶閘管導通,而且晶閘管基極的載流子可以通過由連接開關構成的通路快速的轉移,因而可以加快反向恢復過程,從而可有效地抑制后續晶閘管開通過程的電壓沖擊。

優選的,如圖3所示,所述過零觸發裝置還包括電壓信號采集單元60和電流信號采集單元70。

電壓信號采集單元60,用于采集晶閘管兩端的電壓信號,并進行預處理后發送至控制單元30。

此處,電壓信號采集單元60與晶閘管組10中的兩個晶閘管分別連接。即電壓信號采集單元60檢測的第一晶閘管T1兩端的電壓、第二晶閘管T2兩端的電壓互不影響。

預處理為將模擬信號轉換為數字信號。

電流信號采集單元70,用于采集流過晶閘管的電流信號,并進行預處理后發送至控制單元30。

此處,電流信號采集單元70與晶閘管組10中的兩個晶閘管分別連接。即電流信號采集單元70檢測的第一晶閘管T1的電流、第二晶閘管T2的電流互不影響。

基于此,所述控制單元30用于向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令,向晶閘管觸發單元50發送晶閘管斷開指令,并向連接開關20發送連接開關斷開指令,包括:

所述控制單元30用于對電壓信號采集單元60和電流信號采集單元70采集的電壓信號和電流信號進行分析處理,生成所述晶閘管閉合指令,并發送至電壓過零檢測單元40;以及生成所述晶閘管斷開指令并發送至晶閘管觸發單元50,生成所述連接開關斷開指令并發送至連接開關20。

本發明實施例,通過電壓信號采集單元60采集晶閘管兩端的電壓信號,電流信號采集單元70采集流過晶閘管的電流信號,可使控制單元30基于此生成相應的指令,即晶閘管閉合指令、晶閘管斷開指令、連接開關斷開指令等。

優選的,所述控制單元30用于在晶閘管正常觸發導通后,向連接開關20發送連接開關閉合指令,包括:

所述控制單元30用于根據電流信號采集單元70采集的電流信號,當電流值達到預設值時,向連接開關20發送連接開關閉合指令。

即,當電流信號達到預設值時,認為晶閘管正常觸發導通。

本發明實施例通過電流信號采集單元70采集的電流信號,來判斷晶閘管是否正常觸發導通,使得判斷準確性較高。

本發明實施例還提供一種如上述晶閘管投切電容器(如圖1所示)中晶閘管的觸發方法,如圖4所示,包括如下步驟:

S10、控制單元30向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令。

S20、電壓過零檢測單元40在接收到控制單元30發送的晶閘管閉合指令后,檢測晶閘管兩端的電壓,并在晶閘管兩端的電壓滿足觸發條件時,向晶閘管觸發單元50發送觸發允許信號。

S30、晶閘管觸發單元50在接收到所述觸發允許信號后,向晶閘管的門極輸入觸發信號。

S40、在晶閘管正常觸發導通后,控制單元30向連接開關20發送連接開關閉合指令。

S50、在晶閘管斷開時,控制單元30向晶閘管觸發單元50發送晶閘管斷開指令,以使晶閘管觸發單元50不再向所述晶閘管的門極輸入觸發信號或撤除所述觸發信號;并向連接開關20發送連接開關斷開指令,以使連接開關20斷開。

示例的,當晶閘管組10中的兩個晶閘管(即,圖1中的第一晶閘管T1和第二晶閘管T2)投入時,控制單元30向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令,電壓過零檢測單元40開始檢測第一晶閘管T1和第二晶閘管T2兩端的電壓,并在第一晶閘管T1兩端的電壓滿足觸發條件時,向晶閘管觸發單元50發送第一晶閘管T1觸發允許信號,晶閘管觸發單元50在接收到所述觸發允許信號后,向第一晶閘管的門極G1輸入觸發信號,使第一晶閘管T1導通。之后控制單元30向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令,電壓過零檢測單元40開始檢測第一晶閘管T1和第二晶閘管T2兩端的電壓,并在第二晶閘管T2兩端的電壓滿足觸發條件時,向晶閘管觸發單元50發送第二晶閘管T2觸發允許信號,晶閘管觸發單元50在接收到所述觸發允許信號后,向第二晶閘管的門極G2輸入觸發信號,使第二晶閘管T2導通。當第二晶閘管T2正常觸發導通后,向連接開關20發送連接開關閉合指令,以使第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2連接。之后,隨著電源電壓的變化,可以實現自動觸發功能,從而實現第一晶閘管T1和第二晶閘管T2的交替導通。

當實現自動觸發,以使第一晶閘管T1和第二晶閘管T2交替導通后,若晶閘管組10中的兩個晶閘管需要切除,則控制單元30向晶閘管觸發單元50發送晶閘管斷開指令,以使晶閘管觸發單元50不再向晶閘管的門極輸入觸發信號或撤除所述觸發信號;并向連接開關20發送連接開關斷開指令,以使第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2斷開連接。

本發明實施例提供一種觸發方法,通過控制單元30向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令,使電壓過零檢測單元40在檢測到晶閘管兩端的電壓符合觸發條件時,向晶閘管觸發單元50發送觸發允許信號,以使晶閘管觸發單元50向晶閘管的門極輸入觸發信號,而使相應的晶閘管導通;并且在晶閘管正常導通后,控制單元30通過向連接開關20發送連接開關閉合指令,使得第一晶閘管的門極G1和第二晶閘管的門極G2連接,從而使得后續第一晶閘管T1和第二晶閘管T2交替導通,都可以由晶閘管端電壓通過第一晶閘管的門極G1和陰極K1之間的電阻、第二晶閘管的門極G2和陰極K2之間的電阻,流入第一晶閘管的門極G1或第二晶閘管的門極G2,來觸發第一晶閘管T1或第二晶閘管T2導通。在此過程中,由于可以采用比現有技術更低的晶閘管端電壓便可使晶閘管導通,而且晶閘管基極的載流子可以通過由連接開關構成的通路快速的轉移,因而可以加快反向恢復過程,從而可有效地抑制后續晶閘管開通過程的電壓沖擊。

優選的,控制單元30向電壓過零檢測單元40發送晶閘管閉合指令,包括:所述控制單元30對電壓信號采集單元60和電流信號采集單元70采集的電壓信號和電流信號進行分析處理,生成所述晶閘管閉合指令,并發送至電壓過零檢測單元40。

此處,電壓信號采集單元60用于采集晶閘管兩端的電壓信號,并進行預處理后發送至控制單元30;電流信號采集單元70用于采集流過晶閘管的電流信號,并進行預處理后發送至控制單元30。

在晶閘管斷開時,控制單元30向晶閘管觸發單元50發送晶閘管斷開指令,并向連接開關20發送連接開關斷開指令,包括:在晶閘管斷開時,控制單元30對電壓信號采集單元60和電流信號采集單元70采集的電壓信號和電流信號進行分析處理,生成所述晶閘管斷開指令并發送至晶閘管觸發單元50,生成所述連接開關斷開指令并發送至連接開關20。

本發明實施例,通過電壓信號采集單元60采集晶閘管兩端的電壓信號,電流信號采集單元70采集流過晶閘管的電流信號,可使控制單元30基于此生成相應的指令,即晶閘管閉合指令、晶閘管斷開指令、連接開關斷開指令等。

優選的,在晶閘管正常觸發導通后,控制單元30向連接開關20發送連接開關閉合指令,包括:在晶閘管正常觸發導通后,控制單元30根據電流信號采集單元70采集的電流信號,當電流值達到預設值時,向連接開關20發送連接開關閉合指令。

即,當電流信號達到預設值時,認為晶閘管正常觸發導通。

本發明實施例通過電流信號采集單元70采集的電流信號,來判斷晶閘管是否正常觸發導通,使得判斷準確性較高。

下面參考圖5和圖6,對比現有技術,對本發明的觸發過程進行說明。

如圖5和圖6所示,當控制單元30在t0時刻發出投入信號后,經過(t1-t0)時間延時,電壓過零檢測單元40給晶閘管觸發單元50發送觸發允許信號,此與常規觸發相同。經過(t2-t1)延時后,連接開關20閉合。當連接開關20閉合后,可代替常規的觸發過程。當控制單元30在t3時刻發出切除信號后,經過(t4-t3)延時后過晶閘管觸發單元50不再發出晶閘管觸發信號,同時連接開關20也因收到斷開指令而斷開,從而使得晶閘管失去了觸發信號而在電流過零時斷開,最終達到切除晶閘管的目的。

從圖6的時序圖上看,本發明實施例除了首次使連接開關20閉合的過程需要延時外,本發明與常規的觸發過程基本上不存在延時問題。

以上所述,僅為本發明的具體實施方式,但本發明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內,可輕易想到變化或替換,都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此,本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。

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