專利名稱：二極管射頻檢波電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種二極管射頻檢波電路。
背景技術(shù)：
在靈敏度要求不高的射頻微波電路接收單元中用非線性器件進行檢波解調(diào)調(diào)幅信號是最通用的設(shè)計方法。而用得最多的非線性元器件就是各種二極管。在高頻、微波電路中最為常用的是肖特基二極管和PIN二極管。
目前最常用的肖特基二極管檢波電路，如圖1所示，圖1中的電容起到把射頻信號和基帶信號隔開的作用，電感構(gòu)成肖特基二極管直流偏置回路同時擋住射頻信號對偏置的影響。
目前用肖特基二極管檢波的電路還有很多類似于圖1中的電路。這些電路中無一例外的包括圖1中所示的電感、電容。這種電路簡單可行，但從電路的成本而言，仍存在改良空間。尤其是電路中的電感元件，價格并不便宜。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型就是為了解決二極管檢波電路的成本問題，提供一種二極管射頻檢波電路。
為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出一種二極管射頻檢波電路，包括二極管、接收天線，其特征是還包括電流源IDD，其中接收天線、二極管、電流源IDD串聯(lián)，二極管與電流源IDD的連接端接基帶電路。
由于采用了以上的方案，利用接收天線、二極管和電流源IDD構(gòu)成直流偏置回路，在不用電感的情況下，為二極管提供直流偏置；利用電流源的高阻抗，使得偏置不受高頻交流信號的影響。
因為在電路中省略了造價較高的電感元件，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有成本，面積更小，電路板設(shè)計更簡單的優(yōu)點，從而進一步降低了電路的物料成本。


圖1是常用肖特基二極管射頻檢波電路。
圖2是不含電感的二極管射頻檢波電路。
圖3是圖2中電流源IDD的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面通過具體的實施例并結(jié)合附圖對本實用新型作進一步詳細的描述。
如圖2、3所示，二極管射頻檢波電路，包括二極管1、接收天線2、電流源IDD3，二極管1為肖特基二極管，接收天線2為接收雙振子天線，電流源IDD3為高阻抗電流源，采用集成電路實現(xiàn)，由第一NMOS三極管和第二NMOS三極管兩個共源共柵NMOS三極管構(gòu)成。接收雙振子天線、肖特基二極管、高阻抗電流源IDD3串聯(lián)，其中接收雙振子天線與肖特基二極管正極相連，第一NMOS三極管的漏極與肖特基二極管負極、基帶電路相連，第一NMOS三極管的源極與第二NMOS三極管的漏極相連，第二NMOS三極管的源極接地。接收雙振子天線、肖特基二極1和高阻抗電流源IDD3構(gòu)成直流偏置回路，在不用電感的情況下，為二極管提供直流偏置；高阻抗電流源IDD3的高阻抗使偏置不受高頻交流信號的影響。接收雙振子天線既作為天線本身又作為匹配電路，替代了現(xiàn)有肖特基二極管射頻檢波電路中的匹配電路。第一NMOS三極管的柵極加上偏置電壓V1、第二NMOS三極管的柵極加上偏置電壓V2，偏置電壓V1和V2調(diào)到第一NMOS三極管和第二NMOS三極管都處于飽和區(qū)，同時第一NMOS三極管和第二NMOS三極管寬長比的值調(diào)到足夠大而使高阻抗電流源IDD3的阻抗足夠大為肖特基二極管提供直流偏置。
本實用新型中的二極管不僅限于肖特基二極管。
高阻抗電流源都可以實現(xiàn)偏置不受高頻交流信號的影響的目的，不限于NMOS三極管。
接收天線只要是能夠在天線本身的基礎(chǔ)上能夠替代匹配電路即可，并不限于接收雙振子天線。
本實用新型的優(yōu)點本實用新型因為在電路中省略了造價較高的電感元件，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有成本更低，面積更小，電路板設(shè)計更簡單的優(yōu)點，從而進一步降低了電路的物料成本。
權(quán)利要求1.二極管射頻檢波電路，包括二極管(1)、接收天線(2)，其特征是還包括電流源IDD(3)，其中接收天線(2)、二極管(1)、電流源IDD(3)串聯(lián)，二極管(1)與電流源IDD(3)的連接端接基帶電路。
2.如權(quán)利要求1所述的二極管射頻檢波電路，其特征是所述電流源IDD(3)為高阻抗電流源。
3.如權(quán)利要求2所述的二極管射頻檢波電路，其特征是所述電流源IDD(3)還包括第一NMOS三極管和第二NMOS三極管兩個共源共柵NMOS三極管。
4.如權(quán)利要求1所述的二極管射頻檢波電路，其特征是所述接收天線(2)為接收雙振子天線。
5.如權(quán)利要求1所述的二極管射頻檢波電路，其特征是所述二極管(1)為肖特基二極管。
6.如權(quán)利要求5所述的二極管射頻檢波電路，其特征是所述接收雙振子天線與肖特基二極管正極相連，電流源IDD(3)正極與肖特基二極管負極相連，電流源IDD(3)負極接地。
7.如權(quán)利要求3所述的二極管射頻檢波電路，其特征是所述第一NMOS三極管的漏極與肖特基二極管負極相連，第一NMOS三極管的源極與第二NMOS三極管的漏極相連，第二NMOS三極管的源極接地。
專利摘要本實用新型公開一種二極管射頻檢波電路，包括二極管、接收天線，其特征是還包括電流源IDD，其中接收天線、二極管、電流源IDD串聯(lián)。因為在電路中省略了造價較高的電感元件，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有成本、面積更小，電路板設(shè)計更簡單的優(yōu)點，從而進一步降低了電路的物料成本。
文檔編號H03D1/10GK2660786SQ20032011441
公開日2004年12月1日 申請日期2003年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月29日
發(fā)明者陳松, 馬成炎 申請人:深圳源核微電子有限公司