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用于差分放大器的電路的制作方法

文檔序號:11138009閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種電路,包括:

一對互補晶體管,被配置為具有與差分放大器中的互補晶體管對相匹配的特性并且具有二極管連接的拓撲;以及

反饋信號生成電路,被配置為基于所述一對互補晶體管上的電壓降來生成反饋信號,所述反饋信號被用于調整去往所述差分放大器的供電電壓。

2.根據權利要求1所述的電路,進一步包括:

電壓調節器,被配置為基于所述反饋信號來調節去往所述差分放大器的所述供電電壓。

3.根據權利要求2所述的電路,其中所述電壓調節器被配置為將所述供電電壓調節至與所述反饋信號相同的電壓水平。

4.根據權利要求2所述的電路,其中所述電壓調節器位于與所述差分放大器相同的集成電路(IC)芯片上。

5.根據權利要求1所述的電路,其中所述反饋信號被提供至向所述差分放大器提供所述供電電壓的外部電壓調節器。

6.根據權利要求5所述的電路,其中所述外部電壓調節器在與所述差分放大器的集成電路(IC)芯片的外部。

7.根據權利要求1所述的電路,其中所述反饋信號生成電路包括:

緩存器,被配置為緩存所述一對互補晶體管中的一個晶體管的源電壓;以及

加法器,被配置為基于所述源電壓和所述電壓降來生成所述反饋信號。

8.根據權利要求1所述的電路,其中所述電壓降基于所述一對互補晶體管的特性。

9.根據權利要求1所述的電路,其中所述電壓降包括所述一對互補晶體管上的源極-漏極電壓降。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的電路,其中所述一對互補晶體管包括P型金屬氧化物半導體(MOS)晶體管和N型MOS晶體管。

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