1.一種低噪聲放大器，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第一負載電阻、第二負載電阻、反饋電阻、等效射頻電阻、第一耦合電容、第二耦合電容、等效射頻信號源、第一差分信號輸出端、第二差分信號輸出端、電源、第一偏置電壓端和第二偏置電壓端；其中，
等效射頻信號源的一端與等效射頻電阻的一端相連接，通過等效射頻電阻輸入信號；等效射頻信號源的另一端接地；
等效射頻電阻的另一端與第一耦合電容的一端相連；第一耦合電容的另一端與第二耦合電容的一端、第一晶體管的漏極、第三晶體管的漏極共同連接于一節(jié)點，第二耦合電容的另一端與反饋電阻的一端、第二晶體管的柵極連接于一節(jié)點；
反饋電阻的另一端連接于第二偏置電壓；
第一晶體管的柵極連接第一偏置電壓，第一晶體管的漏極連接第一差分信號輸出端、且還連接于第一負載電阻的一端；
第二晶體管的源極接地，第二晶體管的漏極連接第二差分信號輸出端、且還連接于第二負載電阻的一端；
第一負載電阻的另一端與第二負載電阻的另一端共同連接至電源的正極；
第三晶體管的柵極與第一晶體管的漏極相連，第三晶體管的源極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管均為NMOS晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述等效射頻電阻為30～75歐姆。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述等效射頻信號源的射頻范圍為50MHz～5.5GHz。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一負載電阻為3～10千歐姆。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第二負載電阻為3～10千歐姆。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述反饋電阻為1～5千歐姆。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一耦合電容的范圍為2～20pF，第二耦合電容的范圍為2～20pF。