本公開涉及但不限于顯示，尤其涉及一種發(fā)光芯片、顯示裝置和制造方法。

背景技術(shù)：

1、微發(fā)光二極管(micro?light?emitting?diode，簡(jiǎn)稱micro-led)是指高密度集成的發(fā)光二極管陣列，陣列中的發(fā)光二極管像素點(diǎn)距離在10微米量級(jí)，每一個(gè)發(fā)光二極管像素都能自發(fā)光。micro-led具有高亮、高光效、低功耗等特點(diǎn)，但是目前應(yīng)用micro-led的顯示器全彩化顯示效果不理想，而且生產(chǎn)成本也較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以下是對(duì)本文詳細(xì)描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

2、本公開所要解決的技術(shù)問題是，提供一種發(fā)光芯片、顯示裝置和制造方法，采用多個(gè)不同顏色光的發(fā)光層組合的形式，而非單光發(fā)光二極管(light?emitting?diode，簡(jiǎn)稱led)形式，并且具有透反層，過濾得到需要的顏色光線，實(shí)現(xiàn)全彩化方案，具有更優(yōu)的顯示效果，而且不需要加量子點(diǎn)(quantum?dot，qd)實(shí)現(xiàn)全彩化，使得生產(chǎn)成本大大降低。

3、本公開至少一實(shí)施例提供了一種發(fā)光芯片，包括基板和位于基板同一側(cè)的第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元；

4、所述第一發(fā)光單元包括設(shè)置在所述基板上的第一發(fā)光層，所述第一發(fā)光單元被配置為出射第一顏色光；

5、所述第二發(fā)光單元包括第二發(fā)光層和第一透反層，所述第二發(fā)光層設(shè)置在所述基板上，所述第一透反層設(shè)置在所述第二發(fā)光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述第一透反層被配置為濾除第一顏色光，使所述第二發(fā)光單元出射第二顏色光；

6、所述第三發(fā)光單元包括第三發(fā)光層和第二透反層，所述第三發(fā)光層設(shè)置在所述基板上，所述第二透反層設(shè)置在所述第三發(fā)光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述第二透反層被配置為濾除所述第一顏色光和/或第二顏色光，使第三發(fā)光單元出射第三顏色光。

7、在一些示例性實(shí)施例中，所述第一發(fā)光層包括依次設(shè)置在所述基板上的第一電極層、第一半導(dǎo)體層和第二電極層；

8、所述第二發(fā)光層包括依次設(shè)置在所述基板上的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層和第二半導(dǎo)體層，所述第一透反層位于所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

9、所述第三發(fā)光層包括依次設(shè)置在所述基板上的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層，所述第三發(fā)光層在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層一側(cè)設(shè)有層疊設(shè)置的所述第二半導(dǎo)體和第三半導(dǎo)體層，或者所述第三發(fā)光層在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層一側(cè)設(shè)有第三半導(dǎo)體層，所述第二透反層位于所述第三半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)。

10、在一些示例性實(shí)施例中，所述第二發(fā)光層還包括覆蓋所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第二電極層的表面的第三電極層，在所述第二發(fā)光層中，所述第一透反層覆蓋所述第三電極層遠(yuǎn)離所述第二半導(dǎo)體層的表面，所述第三電極層和所述第一電極層電連接；

11、所述第三發(fā)光層還包括第三電極層和第四電極層，所述第三發(fā)光層中，所述第一電極層、所述第一半導(dǎo)體層、所述第二電極層、所述第二半導(dǎo)體、所述第三電極層、所述第三半導(dǎo)體層和所述第四電極層在遠(yuǎn)離所述基板的方向上依次設(shè)置，所述第一電極層和所述第三電極層電連接，所述第二電極層和所述第四電極層電連接，所述第二透反層覆蓋所述第四電極層遠(yuǎn)離所述第三半導(dǎo)體層的表面。

12、在一些示例性實(shí)施例中，還包括第一金屬走線、第二金屬線走和第三金屬走線；

13、所述第一金屬走線位于所述第二發(fā)光層的側(cè)向，所述第一金屬走線的一端連接所述第一電極層，所述第一金屬走線的另一端連接所述第三電極層，所述第一半導(dǎo)體層、第二電極層和第二半導(dǎo)體層在面向所述第一金屬走線的一側(cè)設(shè)有第一絕緣層；

14、所述第二金屬走線和所述第三金屬走線分別位于所述第三發(fā)光層上相對(duì)的兩個(gè)側(cè)向；

15、在所述第三發(fā)光層中，所述第二金屬走線的一端連接所述第一電極層，所述第二金屬走線的另一端連接所述第三電極層，所述第一半導(dǎo)體層、第二電極層和第二半導(dǎo)體層在面向所述第二金屬走線的一側(cè)設(shè)有第二絕緣層；所述第三金屬走線一端連接所述第二電極層，所述第三金屬走線的另一端連接所述第四電極層，所述第二半導(dǎo)體層、所述第三電極層和所述第三半導(dǎo)體層在面向所述第三金屬走線的一側(cè)設(shè)有第三絕緣層。

16、在一些示例性實(shí)施例中，在所述第二發(fā)光層中，所述第一電極層、所述第一半導(dǎo)體層、所述第二電極層、所述第二半導(dǎo)體層和所述第三電極層在所述基板上的正投影都位于所述第一電極層在所述基板上的正投影內(nèi)；

17、在所述第三發(fā)光層中，所述第二半導(dǎo)體、所述第三電極層、所述第三半導(dǎo)體層和所述第四電極層在所述基板上的正投影都位于所述第二電極層在所述基板上的正投影內(nèi)，所述第二電極層和所述第一半導(dǎo)體層在所述基板上的正投影都位于所述第一電極層在所述基板上的正投影內(nèi)。

18、在一些示例性實(shí)施例中，在所述第三發(fā)光單元中，所述第二半導(dǎo)體層設(shè)置為覆蓋所述第二電極層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層的表面，所述第三半導(dǎo)體層設(shè)置為覆蓋所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第二電極層的表面；

19、所述第二透反層覆蓋所述第三半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第二電極層的表面，所述第二透反層設(shè)置為透紅阻藍(lán)綠膜。

20、在一些示例性實(shí)施例中，在所述第三發(fā)光單元中，所述第三半導(dǎo)體層設(shè)置為覆蓋所述第二電極層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層的表面；

21、所述第二透反層覆蓋所述第三半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第二電極層的表面，所述第二透反層設(shè)置為透紅阻藍(lán)膜。

22、在一些示例性實(shí)施例中，還包括第四金屬走線和第五金屬走線；

23、所述第二發(fā)光層在所述基板上分別與所述第一發(fā)光層和所述第三發(fā)光層間隔設(shè)置，所述第四金屬走線位于所述第一發(fā)光層和所述第三發(fā)光層之間，所述第二發(fā)光層的第二電極層設(shè)置為通過所述第四金屬走線與所述第一發(fā)光層的第二電極層電連接；

24、所述第五金屬走線位于所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層之間，所述第二發(fā)光層的第二電極層設(shè)置為通過所述第五金屬走線與所述第三發(fā)光層的第二電極層電連接。

25、在一些示例性實(shí)施例中，所述第一半導(dǎo)體層包括在遠(yuǎn)離所述基板方向上依次設(shè)置的第一n型接觸層、第一量子阱和第一p型接觸層；

26、所述第二半導(dǎo)體層包括在遠(yuǎn)離所述基板方向上依次設(shè)置的第二p型接觸層、第二量子阱和第二n型接觸層；

27、所述第三半導(dǎo)體層包括在遠(yuǎn)離所述基板方向上依次設(shè)置的第三p型接觸層、第三量子阱和第三n型接觸層。

28、在一些示例性實(shí)施例中，所述第一半導(dǎo)體層包括在遠(yuǎn)離所述基板方向上依次設(shè)置的第一n型接觸層、第一量子阱和第一p型接觸層；

29、所述第二半導(dǎo)體層包括在遠(yuǎn)離所述基板方向上依次設(shè)置的第二p型接觸層、第二量子阱和第二n型接觸層；

30、所述第三半導(dǎo)體層包括在遠(yuǎn)離所述基板方向上依次設(shè)置的第三n型接觸層、第三量子阱和第三p型接觸層。

31、在一些示例性實(shí)施例中，所述第一顏色光設(shè)置為藍(lán)光，所述第二顏色光設(shè)置為綠光，所述第三顏色光設(shè)置為紅光；

32、所述第一透反層設(shè)置為導(dǎo)電的透綠光膜，所述第二透反層設(shè)置為導(dǎo)電的透紅光膜。

33、在一些示例性實(shí)施例中，還包括反射膜，所述反射膜設(shè)置為至少包裹所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元的側(cè)向。

34、在一些示例性實(shí)施例中，還包括封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述基板上且覆蓋所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元。

35、本公開至少一實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括上述的發(fā)光芯片。

36、本公開至少一實(shí)施例提供了一種制造方法，應(yīng)用于上述的發(fā)光芯片，包括：

37、沉積形成復(fù)合膜層，在襯底上依次沉積第一導(dǎo)電層、第一外延層、第二導(dǎo)電層、第二外延層、第三導(dǎo)電層、第三外延層和第四導(dǎo)電層，得到復(fù)合膜層；

38、刻蝕復(fù)合膜層，將所述復(fù)合膜層刻蝕出發(fā)光層圖案；發(fā)光層圖案包括相互間隔的所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層，第一發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層和第二電極層；第二發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層、第二半導(dǎo)體層和第三電極層；第三發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層、第二半導(dǎo)體層、第三電極層、第三半導(dǎo)體層和第四電極層；

39、沉積絕緣膜并刻蝕得到絕緣層圖案，所述絕緣層圖案包括第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層；所述第一絕緣層覆蓋第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和第二電極層面向第二發(fā)光單元的端面；第二絕緣層覆蓋第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和第二電極層面向第二發(fā)光層的端面；第三絕緣層覆蓋第二半導(dǎo)體層、第三半導(dǎo)體層和第三電極層背向第二發(fā)光層的端面；

40、沉積金屬層并刻蝕得到金屬走線圖案，所述金屬走線圖案包括第一金屬走線、第二金屬走線和第三金屬走線，所述第一金屬走線對(duì)應(yīng)所述第一絕緣層且連接所述第二發(fā)光層的第三電極層和第一電極層；所述第二金屬走線對(duì)應(yīng)所述第二絕緣層且連接所述第三發(fā)光層的第三電極層和第一電極層；所述第三金屬走線對(duì)應(yīng)所述第三絕緣層且連接所述第三發(fā)光層的第四電極層和第二電極層；

41、在金屬走線圖案上沉積第一透反薄膜并刻蝕得到第一透反圖案，所述第一透反圖案包括第一透反層；

42、在第一透反圖案上沉積第一透反薄膜并刻蝕得到第二透反圖案，所述第二透反圖案包括第二透反層，形成獨(dú)立的所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元；

43、進(jìn)行封裝，在襯底上旋轉(zhuǎn)填充封裝結(jié)構(gòu)，使得所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元都嵌入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)；

44、將所述襯底剝離并轉(zhuǎn)移到所述基板上。

45、本公開至少一實(shí)施例提供了一種制造方法，應(yīng)用于上述的發(fā)光芯片，包括：

46、沉積形成復(fù)合膜層，在襯底上依次沉積第一導(dǎo)電層、第一外延層、第二導(dǎo)電層、第二外延層、第三外延層，得到復(fù)合膜層；

47、刻蝕復(fù)合膜層，將所述復(fù)合膜層刻蝕出發(fā)光層圖案；發(fā)光層圖案包括相互間隔的所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層，第一發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層和第二電極層；第二發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層、第二半導(dǎo)體層；第三發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層、第二半導(dǎo)體層、第三半導(dǎo)體層；

48、沉積絕緣膜并刻蝕得到絕緣層圖案，所述絕緣層圖案包括第四絕緣層、第五絕緣層、第六絕緣層和第七絕緣層；所述第四絕緣層覆蓋所述第一發(fā)光層的第一電極層、第一半導(dǎo)體層面向所述第二發(fā)光層的端面，所述第五絕緣層覆蓋所述第二發(fā)光層的第一電極層和第一半導(dǎo)體層面向所述第一發(fā)光層的端面；所述第六絕緣層覆蓋所述第二發(fā)光層的第一電極層和第一半導(dǎo)體層面向所述第三發(fā)光層的端面，所述第七絕緣層覆蓋所述第三發(fā)光層的第一電極層和第一半導(dǎo)體層面向所述第二發(fā)光層的端面；

49、沉積金屬層并刻蝕得到金屬走線圖案，所述金屬走線圖案包括第四金屬走線和第五金屬走線，所述第四金屬走線連接所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的第二電極層；所述第五金屬走線連接所述第三發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的第二電極層；

50、在金屬走線圖案上沉積第一透反薄膜并刻蝕得到第一透反圖案，所述第一透反圖案包括第一透反層；

51、在第一透反圖案上沉積第一透反薄膜并刻蝕得到第二透反圖案，所述第二透反圖案包括第二透反層，形成獨(dú)立的所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元；

52、進(jìn)行封裝，在襯底上旋轉(zhuǎn)填充封裝結(jié)構(gòu)，使得所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元都嵌入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)；

53、將所述襯底剝離并轉(zhuǎn)移到所述基板上。

54、本公開至少一實(shí)施例提供了一種制造方法，應(yīng)用于上述的發(fā)光芯片，包括：

55、沉積形成復(fù)合膜層，在襯底上依次沉積第一導(dǎo)電層、第一外延層、第二導(dǎo)電層、第二外延層，得到復(fù)合膜層；

56、刻蝕復(fù)合膜層，將所述復(fù)合膜層刻蝕出第一發(fā)光層圖案；第一發(fā)光層圖案包括相互間隔的所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和第三發(fā)光坯料層，所述第一發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層和第二電極層；所述第二發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層、第二半導(dǎo)體層；所述第三發(fā)光坯料層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層；

57、在所述第一發(fā)光層圖案上沉積第三外延層并刻蝕得到第二發(fā)光層圖案；第二發(fā)光層圖案包括相互間隔的所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層，所述第三發(fā)光層包括層疊的第一電極層、第一半導(dǎo)體層、第二電極層和第三半導(dǎo)體層；

58、沉積絕緣膜并刻蝕得到絕緣層圖案，所述絕緣層圖案包括第四絕緣層、第五絕緣層、第六絕緣層和第七絕緣層；所述第四絕緣層覆蓋所述第一發(fā)光層的第一電極層、第一半導(dǎo)體層面向所述第二發(fā)光層的端面，所述第五絕緣層覆蓋所述第二發(fā)光層的第一電極層和第一半導(dǎo)體層面向所述第一發(fā)光層的端面；所述第六絕緣層覆蓋所述第二發(fā)光層的第一電極層和第一半導(dǎo)體層面向所述第三發(fā)光層的端面，所述第七絕緣層覆蓋所述第三發(fā)光層的第一電極層和第一半導(dǎo)體層面向所述第二發(fā)光層的端面；

59、沉積金屬層并刻蝕得到金屬走線圖案，所述金屬走線圖案包括第四金屬走線和第五金屬走線，所述第四金屬走線連接所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的第二電極層；所述第五金屬走線連接所述第三發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的第二電極層；

60、在金屬走線圖案上沉積第一透反薄膜并刻蝕得到第一透反圖案，所述第一透反圖案包括第一透反層；

61、在第一透反圖案上沉積第一透反薄膜并刻蝕得到第二透反圖案，所述第二透反圖案包括第二透反層，形成獨(dú)立的所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元；

62、進(jìn)行封裝，在襯底上旋轉(zhuǎn)填充封裝結(jié)構(gòu)，使得所述第一發(fā)光單元、所述第二發(fā)光單元和所述第三發(fā)光單元都嵌入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)；

63、將所述襯底剝離并轉(zhuǎn)移到所述基板上。

64、在閱讀并理解了附圖和詳細(xì)描述后，可以明白其他方面。