本發(fā)明涉及光電半導(dǎo)體,涉及一種多色光電響應(yīng)突觸器件及其制備方法,特別涉及一種基于無鉛鈣鈦礦和有機(jī)半導(dǎo)體的多色光電響應(yīng)突觸器件及其制備方法。
背景技術(shù):
1、基于人工突觸的神經(jīng)形態(tài)器件將存儲(chǔ)和計(jì)算單元一體化,為神經(jīng)形態(tài)計(jì)算提供了高效、低能耗的解決方案,推動(dòng)了智能硬件的發(fā)展。與已被廣泛研究的電信號(hào)調(diào)控的神經(jīng)形態(tài)器件相比,光電突觸器件具有低串?dāng)_、強(qiáng)抗干擾性和低功耗等顯著優(yōu)勢(shì)。多色光電響應(yīng)突觸可以實(shí)現(xiàn)在紫外-可見-近紅外波段的光電響應(yīng),拓寬器件的光響應(yīng)范圍,可以提升其在多種應(yīng)用中的適應(yīng)性。
2、為了實(shí)現(xiàn)多色光電響應(yīng),諸如有機(jī)半導(dǎo)體材料、鈣鈦礦、金屬氧化物、量子點(diǎn)和二維材料等被廣泛應(yīng)用于光電突觸的制備中,這些材料展示了各自的優(yōu)異性能,推動(dòng)了光電突觸技術(shù)的發(fā)展。在這些材料中,有機(jī)半導(dǎo)體材料因其易加工和結(jié)構(gòu)可調(diào)性的特點(diǎn),受到了廣泛關(guān)注,特別是在柔性電子器件和低成本制造方面具有明顯優(yōu)勢(shì);鈣鈦礦材料則憑借其優(yōu)異的光吸收能力和高光電轉(zhuǎn)換效率成為研究熱點(diǎn),然而,其潛在的鉛毒性帶來的環(huán)境問題仍然是制約其應(yīng)用的一大挑戰(zhàn)。此外,相比于被廣泛研究的三端晶體管突觸,兩端結(jié)構(gòu)的突觸器件可以通過簡(jiǎn)單交叉陣列方式制備,便于高密度集成。
3、因此,開發(fā)一種能夠?qū)崿F(xiàn)高密度集成且環(huán)境友好的多色光電響應(yīng)突觸器件極具現(xiàn)實(shí)意義。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、由于現(xiàn)有技術(shù)存在上述缺陷,本發(fā)明提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)高密度集成且環(huán)境友好的多色光電響應(yīng)突觸器件,具體為一種可高密度集成的基于無鉛鈣鈦礦和有機(jī)半導(dǎo)體的多色光電響應(yīng)突觸器件,其克服當(dāng)前多色光電響應(yīng)突觸器件用鈣鈦礦材料存在環(huán)境安全隱患的問題。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
3、一種多色光電響應(yīng)突觸器件,為多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)沿著光線入射方向依次為透明導(dǎo)電電極層、空穴傳輸材料層、無鉛鈣鈦礦層、電子傳輸材料層、有機(jī)半導(dǎo)體電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物層和金屬電極層;
4、所述有機(jī)半導(dǎo)體電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物的有機(jī)半導(dǎo)體給體分子為非富勒烯受體cotic-4f、y6或者ieico-4f,有機(jī)半導(dǎo)體受體分子為pce10、dppdtt或者pdpp4t,有機(jī)半導(dǎo)體給體分子與受體分子的質(zhì)量比為2:1,總濃度為12~18?mg/ml。
5、上述器件是一種垂直結(jié)構(gòu)的兩端器件,有機(jī)電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物層具體為有機(jī)半導(dǎo)體給體分子和受體分子通過電荷轉(zhuǎn)移作用形成的復(fù)合物,其吸光波段可擴(kuò)展至近紅外波段。
6、透明導(dǎo)電電極層作為電極用于收集傳輸電流;空穴傳輸材料層用于傳輸無鉛鈣鈦礦層經(jīng)光照產(chǎn)生的空穴;電子傳輸材料層用于傳輸無鉛鈣鈦礦材料層和有機(jī)半導(dǎo)體電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物層經(jīng)光照產(chǎn)生的電子;金屬電極層為導(dǎo)電金屬;光活性層為無鉛鈣鈦礦層和有機(jī)半導(dǎo)體電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物層,無鉛鈣鈦礦對(duì)紫外可見光波段有吸收響應(yīng),有機(jī)半導(dǎo)體電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物對(duì)至近紅外的光有顯著的吸收和響應(yīng),二者之間形成互補(bǔ)吸收,拓寬了器件的光譜響應(yīng)范圍。同時(shí),無鉛鈣鈦礦的高激子分離速度導(dǎo)致載流子傳輸?shù)牟粚?duì)稱性,為突觸可塑性模擬提供了物理基礎(chǔ)。此外,由于無鉛鈣鈦礦的自濾光作用可以削弱進(jìn)入有機(jī)半導(dǎo)體層的長(zhǎng)波長(zhǎng)光強(qiáng)度,使不同波段的光電響應(yīng)差異增強(qiáng),從而支持顏色識(shí)別和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的光譜信息處理。這種多層協(xié)同設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了人體視覺系統(tǒng)所需要的突觸功能模擬,展現(xiàn)了在光電神經(jīng)計(jì)算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用價(jià)值。
7、本發(fā)明的多色光電響應(yīng)突觸器件,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,其能實(shí)現(xiàn)紫外-可見-近紅外的多色光電突觸功能模擬,且對(duì)可見光波段的紅、綠、藍(lán)三色光可以實(shí)現(xiàn)顏色識(shí)別的功能;相比于以往的光電突觸響應(yīng)器件,其具有多色響應(yīng)、顏色識(shí)別、環(huán)境友好和易于集成的優(yōu)點(diǎn),極具應(yīng)用前景。
8、作為優(yōu)選的技術(shù)方案:
9、如上所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,所述透明導(dǎo)電電極層為fto導(dǎo)電玻璃或者ito導(dǎo)電玻璃。
10、如上所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,所述空穴傳輸材料層為不溶于dmf和dmso溶劑的p型半導(dǎo)體材料。
11、如上所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,所述空穴傳輸材料層為pedot:pss、ptaa或者cuscn。
12、如上所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,所述無鉛鈣鈦礦層為吸收紫外-可見光且環(huán)境友好的無毒鉍基鈣鈦礦csbi3i10、csagbibr6或者csbi3br10。
13、如上所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,所述電子傳輸材料層為不溶解于氯苯或者氯仿的n型半導(dǎo)體材料。
14、如上所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,所述電子傳輸材料層為pdino、pdinn或者pfn-br。
15、如上所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,所述金屬電極層為au、ag或者al。
16、此外,本發(fā)明還提供一種如上所述的多色光電響應(yīng)突觸器件的制備方法,包括以下步驟:
17、(1)制備透明導(dǎo)電電極層;
18、(2)在步驟s1制備的透明導(dǎo)電電極層依次通過旋涂法制備空穴傳輸材料層、無鉛鈣鈦礦層、電子傳輸材料層和有機(jī)半導(dǎo)體電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物層;
19、(3)在有機(jī)半導(dǎo)體電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物層上真空蒸鍍制備金屬電極層。
20、上述方法操作簡(jiǎn)便,成本低廉,應(yīng)用前景好。
21、以上技術(shù)方案僅為本發(fā)明的一種可行的技術(shù)方案而已,本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅限于此,本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際需求合理調(diào)整具體設(shè)計(jì)。
22、上述發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果:
23、(1)本發(fā)明的多色光電響應(yīng)突觸器件,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,其能實(shí)現(xiàn)紫外-可見-近紅外的多色光電突觸功能模擬,且對(duì)可見光波段的紅、綠、藍(lán)三色光可以實(shí)現(xiàn)顏色識(shí)別的功能;
24、(2)本發(fā)明的多色光電響應(yīng)突觸器件,相比于以往的光電突觸響應(yīng)器件,其具有多色響應(yīng)、顏色識(shí)別、環(huán)境友好和易于集成的優(yōu)點(diǎn);
25、(3)本發(fā)明的多色光電響應(yīng)突觸器件的制備方法,操作簡(jiǎn)便,成本低廉,應(yīng)用前景好。
1.一種多色光電響應(yīng)突觸器件,其特征在于,為多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)沿著光線入射方向依次為透明導(dǎo)電電極層、空穴傳輸材料層、無鉛鈣鈦礦層、電子傳輸材料層、有機(jī)半導(dǎo)體電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物層和金屬電極層;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,其特征在于,所述透明導(dǎo)電電極層為fto導(dǎo)電玻璃或者ito導(dǎo)電玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,其特征在于,所述空穴傳輸材料層為不溶于dmf和dmso溶劑的p型半導(dǎo)體材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,其特征在于,所述空穴傳輸材料層為pedot:pss、ptaa或者cuscn。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,其特征在于,所述無鉛鈣鈦礦層為鉍基鈣鈦礦csbi3i10、csagbibr6或者csbi3br10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,其特征在于,所述電子傳輸材料層為不溶解于氯苯或者氯仿的n型半導(dǎo)體材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,其特征在于,所述電子傳輸材料層為pdino、pdinn或者pfn-br。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多色光電響應(yīng)突觸器件,其特征在于,所述金屬電極層為au、ag或者al。
9.一種如權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的多色光電響應(yīng)突觸器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: