一種mems麥克風結構及其制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種MEMS麥克風芯片，其與集成電路集成于PCB基板上以形成MEMS麥克風結構，所述麥克風芯片包括：半導體襯底；第一介質層；第一器件層，其包括相互分隔的麥克風下電極及電容下極板；第二介質層；第二器件層，其包括相互分隔的麥克風上電極及電容上極板；麥克風上電極位于麥克風下電極的上方并與所述麥克風下電極之間形成空氣隙；電容上極板通過第二介質層支撐于電容下極板的正上方；電容上極板、電容下極板及兩者間的第二介質層形成去耦電容。本發明還提供了一種具有上述麥克風芯片的麥克風結構及制造方法，能夠實現MEMS麥克風結構的輕薄化及制造工藝的簡單化。
【專利說明】一種MEMS麥克風結構及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及微電子機械系統【技術領域】，特別涉及一種MEMS麥克風結構及其制造方法。
【背景技術】
[0002]近年來，隨著移動通信技術的快速發展，消費者越來越多地使用通信設備，如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等；并且這些電子產品體積不斷縮小、性能越來越高，相應的要求配套的電子元件的體積不斷減小、且性能和一致性提高。目前，利用MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System微電子機械系統)工藝集成的MEMS娃電容麥克風是通過與集成電路制造兼容的表面加工或體硅加工工藝制造的麥克風，由于可以利用持續微縮的CMOS工藝技術，MEMS麥克風可以做得很小，使得它可以廣泛地批量應用到手機、筆記本電腦、藍牙耳機、平板電腦和攝像機等電子產品中。
[0003]如圖1所示，MEMS麥克風通常包括PCB基板4，其上安裝有相互電連接的MEMS麥克風芯片I和集成前置放大器的專用集成電路ASIC芯片2，以及去耦電容元件3，PCB基板4被金屬屏蔽罩5覆蓋。其中，MEMS麥克風芯片I是MEMS麥克風的核心器件，此芯片可以完成聲電轉換功能。它包括硅襯底、襯底上設置有上下貫通的腔體，襯底上方設置一個由固定極板11、振動膜12構成的平行板電容器；振動膜11受外界聲音信號影響發生振動，使得平行板電容器的電容值發生變化，產生電信號，實現聲電轉換功能。ASIC芯片2則對MEMS麥克風芯片I轉換得到的電信號進行進一步的處理，以實現其他更多的功能，例如通過網絡與遠端進行通話、或進行語音識別等。去耦電容3則起到隔離信號和地、電源和地之間的噪聲的作用。在圖1所示的MEMS麥克風中，去耦電容3是貼裝于PCB基板4上，如此一來將占用較大面積，不利于MEMS麥克風的輕薄化。為了改善這一缺點，提供了另一種MEMS麥克風結構。請參考圖2，通過在PCB基板4上集成埋層電容3’來替代貼裝的去耦電容元件，然而PCB埋層電容大大增加了 PCB基板加工的工藝復雜性及成本。

【發明內容】

[0004]本發明的目的在于提供一種MEMS麥克風結構及MEMS麥克風芯片的制造方法，用以有效降低工藝復雜度和成本，同時有利于MEMS麥克風結構的輕薄化。
[0005]為達成上述目的，本發明提供一種MEMS麥克風芯片，其與集成電路集成于PCB基板上以形成MEMS麥克風結構，其包括:半導體襯底，其具有腔體；第一介質層，形成于所述襯底上方，具有與所述腔體相通的通孔；第一器件層，形成于所述第一介質層上方，其包括相互分隔的麥克風下電極及電容下極板，所述麥克風下電極位于所述通孔的上方且至少部分與所述第一介質層接觸；第二介質層，形成于所述第一器件層上方；第二器件層，形成于所述第二介質層上方，其包括相互分隔的麥克風上電極及電容上極板，所述麥克風上電極位于所述麥克風下電極的上方并與所述麥克風下電極之間形成空氣隙；所述電容上極板通過所述第二介質層支撐于所述電容下極板的正上方；所述電容上極板、電容下極板及兩者間的所述第二介質層形成去耦電容。
[0006]可選的，所述第一器件層和所述第二器件層的材料為金屬和/或多晶硅材料。
[0007]可選的，所述第一介質層和所述第二介質層的材料為氧化硅。
[0008]可選的，所述麥克風上電極為振動膜，所述麥克風下電極為背電極；或所述麥克風上電極為背電極，所述麥克風下電極為振動膜。
[0009]可選的，所述去耦電容的數量為2個，所述電容上極板包括分開的第一上極板和第二上極板，所述電容下極板包括分開的第一下極板和第二下極板。
[0010]本發明還提供了一種具有上述麥克風芯片的麥克風結構，其包括所述集成電路芯片及所述麥克風芯片，其中，所述去耦電容連接于所述PCB基板的地與電源之間和/或地與信號源之間。
[0011]可選的，所述去耦電容的數量為2個，所述電容上極板包括分開的第一上極板和第二上極板，所述電容下極板包括分開的第一下極板和第二下極板；其中所述第一上極板連接至所述PCB基板的地端或電源端，所述第一下極板連接至所述PCB基板的電源端或地端；所述第二上極板連接至所述PCB基板的地端或信號源端，所述第二下極板連接至所述PCB基板的信號源端或地端。
[0012]本發明還提供了一種麥克風芯片的制造方法，包括以下步驟:在襯底上依次形成第一介質層，圖形化的第一器件層和第二介質層；所述第一器件層定義出相互分隔的麥克風下電極及電容下極板；在所述第二介質層上方形成圖形化的第二器件層；所述第二器件層定義出相互分隔的麥克風上電極及電容上極板，其中所述電容上極板位于所述電容下極板的正上方；所述電容上極板、電容下極板及兩者間的所述第二介質層形成去耦電容；形成所述麥克風上電極、電容上極板、麥克風下電極及電容下極板的電連接引出部；形成貫穿所述襯底的腔體，所述腔體頂部位于所述麥克風下電極以內區域的下方；以及進行釋放工藝，去除所述腔體上方的所述第一介質層和第二介質層，以在所述麥克風上電極與麥克風下電極之間形成空氣隙。
[0013]可選的，所述第一器件層和所述第二器件層的材料為金屬和/或多晶硅材料。
[0014]可選的，所述第一介質層和所述第二介質層的材料為氧化硅。
[0015]可選的，所述去耦電容的數量為2個，所述電容上極板包括分開的第一上極板和第二上極板，所述電容下極板包括分開的第一下極板和第二下極板。
[0016]可選的，所述麥克風上電極為振動膜，所述麥克風下電極為背電極；或所述麥克風上電極為背電極，所述麥克風下電極為振動膜。
[0017]本發明還提供了 一種具有上述麥克風芯片的MEMS麥克風結構的制造方法，包括以下步驟:將所述MEMS麥克風芯片及所述集成電路芯片分別安裝于所述PCB基板上；將所述去耦電容連接于所述PCB基板的地與電源之間和/或地與信號源之間；將所述麥克風上電極及所述麥克風下電極連接至所述集成電路芯片；以及在所述PCB基板上覆蓋金屬屏蔽罩。
[0018]可選的，所述電容上極板包括第一上極板和第二上極板，所述電容下極板包括第一下極板和第二下極板，其中將所述去耦電容連接于所述PCB基板的地與電源之間和/或地與信號源之間的步驟包括:將所述第一上極板連接至所述PCB基板的地端或電源端，所述第一下極板連接至所述PCB基板的電源端或地端；將所述第二上極板連接至所述PCB基板的地端或信號源端，所述第二下極板連接至所述PCB基板的信號源端或地端。
[0019]本發明的優點在于通過將去耦電容集成于MEMS麥克風芯片中，節省了 MEMS麥克風結構的面積，有利于麥克風結構的輕薄化；同時通過在形成MEMS麥克風芯片的背電極與振動膜的同時集成去耦電容的上下極板，制造工藝也更為簡單方便，能夠有效降低工藝成本和復雜度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為現有技術的MEMS麥克風結構的示意圖；
[0021]圖2為現有技術的MEMS麥克風結構的示意圖；
[0022]圖3為本發明一實施例的MEMS麥克風結構的示意圖；
[0023]圖4為本發明一實施例的MEMS麥克風芯片的示意圖；
[0024]圖5為本發明一實施例的MEMS麥克風芯片的俯視圖；
[0025]圖6為本發明一實施例MEMS麥克風芯片制造方法的流程圖；
圖7為本發明另一實施例MEMS麥克風芯片制造方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0026]為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容作進一步說明。當然本發明并不局限于該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護范圍內。
[0027]首先，對本發明一實施例的MEMS麥克風結構進行說明。如圖3所示，MEMS麥克風結構包括麥克風芯片I及集成電路芯片2，本實施例中集成電路芯片2為集成前置放大器的專用集成電路ASIC芯片。麥克風芯片I與ASIC芯片2形成于PCB基板4上且相互連接，PCB基板4被金屬屏蔽罩5覆蓋。其中，麥克風芯片I完成聲電轉換功能，ASIC芯片2則對MEMS麥克風芯片I轉換得到的電信號進行進一步的處理。MEMS麥克風芯片的下電極12(如振動膜)固定形成于襯底上，與襯底上的腔體相對，上電極11 (如背電極)則懸空設置在下電極12上方。振動膜12與背電極11之間為空氣隙，兩者構成麥克風平行板電容器；振動膜12受外界聲音信號影響發生振動，使得麥克風平行板電容器的電容值發生變化，產生電信號，實現聲電轉換功能。背電極11所處的器件層中同時還形成電容上極板13，而振動膜12所處的器件層中同時還形成電容下極板14，上下極板13、14位置及形狀相對應，由此上下極板13，14以及兩者間的絕緣介質形成去耦電容，該去耦電容連接于PCB基板14的地與電源之間和/或地與信號源之間，從而實現將去耦電容集成于MEMS麥克風芯片中，起到隔離PCB基板的信號源和地、電源和地之間的噪聲的作用。當然下極板14與襯底之間的寄生電容也可用作去耦電容，起到去噪作用。
[0028]以下將結合圖4及圖5詳細說明本發明一實施例MEMS麥克風芯片的結構。MEMS麥克風芯片包括半導體襯底101,第一介質層102,第一器件層,第二介質層102’，第二器件層。其中，襯底中形成有腔體106，其形狀可為圓柱形或圓錐形。第一介質層102形成于半導體襯底101上表面，其具有與腔體106連通的通孔。第一器件層中形成相互分隔的麥克風下電極103a以及電容下極板103b。第二器件層中形成相互分隔的麥克風上電極104a以及電容上極板104b。[0029]在本實施例中，將以麥克風下電極為振動膜，麥克風上電極為背電極進行說明。當然，在其他實施例中，也可將振動膜作為上電極，將背電極作為下電極。
[0030]請繼續參考圖4，在第一器件層中，其中振動膜103a位于通孔上方，至少部分與第一介質層的102上表面接觸從而支撐于襯底上。振動膜主體可為圓形，并通過電連接引出部引出而與集成電路芯片相連。由于振動膜中通常也分布有少量氣孔，用于與外界進行氣體交換，因此本實施例中少量氣孔(圖中未不)形成于麥克風下電極。第一器件層的材料例如為導電材料，如Al、W、Cu等金屬，或者多晶娃。第一介質層102和第二介質層102’的材料為絕緣材料，例如為熱氧生長的氧化硅、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法沉積的無摻雜氧化硅(USG)、摻磷的氧化硅(PSG)或摻有硼磷的氧化硅(BPSG)。
[0031]在第二器件層中，背電極104a懸空于振動膜103a上方并與振動膜103a之間形成空氣隙105。在本實施例中，背電極是由第二介質層102’提供支撐以懸空在振動膜上方，在其他實施例中，背電極本身也可形成支撐結構而懸空在振動膜上方(如背電極具有可向下延伸至襯底的側壁)。通常來說，背電極中具有用于進行釋放工藝形成空氣隙的釋放孔，因此本實施例中釋放孔形成于麥克風上電極中(如圖5所示)?？諝庀?05與背電極的釋放孔相通。第二器件層的材料可為導電材料如Al、W、Cu等金屬，或者多晶硅薄膜。背電極主體可為圓形，其通過電連接引出部引出而與集成電路芯片相連。
[0032]電容下極板103b形成于第一器件層中且與麥克風下電極103a相隔離，電容上極板104b形成于第二器件層中并通過第二介質層102’支撐于電容下極板103b的正上方，同樣的電容上極板104b與麥克風上電極104a相隔離。電容上下極板的大小形狀一致，從而由電容上極板104b，下極板103b以及第二介質層102’形成了獨立于麥克風平行板電容器的電容。電容下極板103b及上極板104b可根據需要通過電連接引出部引出至PCB基板的地和信號源端和/或地和電源端，從而用作MEMS麥克風結構的去耦電容。
[0033]如圖5所示，在本實施例中電容下極板和電容上極板的數量均為兩個，其形狀可為矩形或其他形狀，例如為環繞麥克風上下電極結構的環形等，本發明對此未加限定。電容上極板包括分開的第一上極板和第二上極板，電容下極板包括分開的第一下極板和第二下極板。其中，第一上極板和第一下極板分別通過電連接引出部(圖中未示)連接至PCB基板的地和信號源端；第二上極板和第二下極板分別通過電連接引出部(圖中未示)連接至PCB基板的地和電源端。如此一來，第一上極板和第一下極板及兩者之間的第二介質層102’形成的第一去耦電容能夠起到隔離PCB基板中信號源和地之間的噪聲的作用；而第二上極板和第二下極板及第二介質層102’形成的第二去耦電容能夠起到隔離電源和地之間的噪聲的作用。當然，在其他實施例中，電容下極板和電容上極板的數量也可僅為I個，分別連接至PCB基板的電源及地或信號源及地。當第一器件層和第二器件層的材料均為金屬時，去耦電容為MM(Metal-1nsulator-Metal)電容；當第一器件層和第二器件層的材料均為多晶娃時，貝Ij為PIP (Poly-1nsulator-Poly)電容；而當第一器件層為多晶娃,第二器件層為金屬時，去I禹電容為MIP(Metal-1nsulator-Poly)電容。
[0034]綜上所述，本發明利用在第一器件層和第二器件層中形成與麥克風電容器相隔離的平板電極，將去耦電容集成于麥克風芯片中，有效減小了 MEMS麥克風結構所占用的面積。
[0035]下面將結合圖4?圖6對本發明的MEMS麥克風芯片的制造方法進行詳細的說明。[0036]首先，進行步驟SI，在半導體襯底101上依次形成第一介質層102，圖形化的第一器件層和第二介質層102’。具體來說，首先沉積第一介質層102。襯底101的材質可以是硅、鍺或鍺硅。第一介質層102可以為絕緣材料例如熱氧生長的氧化硅、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法沉積的無摻雜氧化硅(USG)、摻磷的氧化硅(PSG)或摻有硼磷的氧化硅(BPSG)。
[0037]接著在第一介質層102上沉積第一器件層并圖形化，以形成相互分隔的麥克風下電極103a和電容下極板103b。在本實施例中，麥克風下電極用作MEMS麥克風芯片的振動膜，因此在下電極中可形成有多個氣孔(圖中未示)以與外界進行氣體交換；當然在其他實施例中麥克風下電極也可用做MEMS麥克風芯片的背電極，并在背電極中形成多個釋放孔。本實施例中，振動膜為圓形，電容下極板的數量為2個，以矩形形狀分布于麥克風下電極的兩側。第一器件層材料可以是Al、W、Cu等金屬的導電材料，或者多晶硅。
[0038]之后，在圖形化的第一器件層和第一介質層102上沉積第二介質層102’。第二介質層102’作為MEMS麥克風芯片的振動膜和背電極之間的犧牲材料，其厚度可定義為最終產品振動膜和背電極之間空氣隙的高度。第二介質層102’同樣可為絕緣材料例如熱氧生長的氧化硅、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法沉積的無摻雜氧化硅(USG)、摻磷的氧化硅(PSG)或摻有硼磷的氧化硅(BPSG)。
[0039]然后，進行步驟S2，在第二介質層102’上沉積第二器件層并圖形化，以形成相互分隔的麥克風上電極104a和電容上極板104b。在本實施例中，上電極用作MEMS麥克風芯片的背電極，背電極中可形成有多個釋放孔。背電極可為圓形，電容上極板104b位于電容下極板103b的正上方，且形狀大小及數量均與電容下極板103b —致。第二器件層的材料可以是Al、W、Cu等金屬，或者多晶硅材料。
[0040]接著，進行步驟S3，形成電容上極板、電容下極板、麥克風上電極及麥克風下電極的電連接引出部，用以與PCB基板及集成電路芯片進行電連接。電連接引出部的形成方法可采用現有技術，例如通過形成延伸至第一器件層的接觸孔暴露出部分電容下極板及麥克風下電極，并填充金屬襯墊(當第一器件層或第二器件層的材料不為金屬材料時)等，其為本領域技術人員所熟知，在此不作贅述。
[0041]再進行步驟S4，形成貫穿所述襯底的腔體。具體來說，首先在上述結構上方涂覆一層易于去除的保護材料，將已完成的結構的正面保護起來，之后在襯底101的背面對應振動膜的區域刻蝕出腔體106，之后去除保護材料。腔體106為圓柱形或圓錐形的空腔，其頂部應位于振動膜區域內側的下方。保護材料可以是光刻膠或藍膜(blue tape)等。
[0042]最后，執行步驟S5，進行釋放工藝，去除腔體106上方的第一介質層102和第二介質層102’，以在麥克風上電極與麥克風下電極之間形成空氣隙。本實施例中可通過釋放孔以及腔體106分別從上方和下方均以濕法腐蝕工藝或氣相腐蝕工藝等釋放工藝進行釋放，將腔體上方的第一介質層102和第二介質層102’去除。用于釋放的濕法腐蝕藥液可為HF溶液或氟化氫HF與氟化銨NH4F的混合溶液Β0Ε。通過對釋放工藝時間的控制，使釋放工藝停止于背電極及振動膜附近，確保電容上極板104b和下極板103b之間的第二介質層102’不會被去除。如此一來，背電極與振動膜之間形成空氣隙105 ;電容上極板103b，電容下極板104b以及其間的第二介質層102’形成去耦電容，從而最終形成如圖4所示的MEMS麥克風芯片。根據第一器件層和第二器件層的材料，所形成的去耦電容可為MIM電容，PIP電容或MIP電容。
[0043]圖7所示為本發明一實施例MEMS麥克風結構的制造方法，該MEMS麥克風結構具有圖4所示的麥克風芯片，制造方法包括:
[0044]步驟Sll:將集成去耦電容的上述MEMS麥克風芯片和集成電路芯片分別安裝于PCB基板上；
[0045]步驟S12:將去耦電容連接于PCB基板的地與電源之間和/或地與信號源之間。在本實施例中，去耦電容為2個，也即是電容上極板包括第一上極板和第二上極板，電容下極板包括第一下極板和第二下極板。因此在進行去耦電容與PCB基板的電連接時，分別將第一去耦電容的第一上下極板連接至PCB基板的電源端和地端；將第二去耦電容的第二上下極板連接至PCB基板的信號源端和地端，從而第一去耦電容起到隔離PCB基板中信號源和地之間的噪聲的作用；而第二去耦電容起到隔離電源和地之間的噪聲的作用。
[0046]步驟S13:將麥克風上電極及麥克風下電極連接至集成電路芯片；以及
[0047]步驟S14:在PCB基板上覆蓋金屬屏蔽罩。
[0048]綜上所述，與現有技術相比，本發明所提供的MEMS麥克風結構將去耦電容集成于麥克風芯片中，不僅節省了去耦電容的占用面積，有利于麥克風結構的輕薄化，且制造工藝簡單，能夠有效降低加工難度以及成本。
[0049]雖然本發明已以較佳實施例揭示如上，然所述諸多實施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發明，本領域的技術人員在不脫離本發明精神和范圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發明所主張的保護范圍應以權利要求書所述為準。
【權利要求】
1.一種MEMS麥克風芯片，其與集成電路集成于PCB基板上以形成MEMS麥克風結構，其特征在于，所述麥克風芯片包括: 半導體襯底，其具有腔體； 第一介質層，形成于所述襯底上方，具有與所述腔體相通的通孔； 第一器件層，形成于所述第一介質層上方，其包括相互分隔的麥克風下電極及電容下極板，所述麥克風下電極位于所述通孔的上方且至少部分與所述第一介質層接觸； 第二介質層，形成于所述第一器件層上方； 第二器件層，形成于所述第二介質層上方，其包括相互分隔的麥克風上電極及電容上極板，所述麥克風上電極位于所述麥克風下電極的上方并與所述麥克風下電極之間形成空氣隙；所述電容上極板通過所述第二介質層支撐于所述電容下極板的正上方；所述電容上極板、電容下極板及兩者間的所述第二介質層形成去耦電容。
2.如權利要求1所述的MEMS麥克風芯片，其特征在于，所述第一器件層和所述第二器件層的材料為金屬和/或多晶硅材料。
3.如權利要求1所述的MEMS麥克風芯片，其特征在于，所述第一介質層和所述第二介質層的材料為氧化硅。
4.如權利要求1所述的MEMS麥克風芯片，其特征在于， 所述麥克風上電極為振動膜，所述麥克風下電極為背電極；或所述麥克風上電極為背電極，所述麥克風下電極為振動膜。
5.如權利要求1所述的MEMS麥克風芯片，其特征在于，所述去耦電容的數量為2個，所述電容上極板包括分開的第一 上極板和第二上極板，所述電容下極板包括分開的第一下極板和第二下極板。
6.一種如權利要求1至5任一項所述的MEMS麥克風結構，其包括所述集成電路芯片及所述麥克風芯片，其特征在于，所述去耦電容連接于所述PCB基板的地與電源之間和/或地與信號源之間。
7.如權利要求6所述的MEMS麥克風結構，其特征在于，所述去耦電容的數量為2個，所述電容上極板包括分開的第一上極板和第二上極板，所述電容下極板包括分開的第一下極板和第二下極板；其中所述第一上極板連接至所述PCB基板的地端或電源端，所述第一下極板連接至所述PCB基板的電源端或地端；所述第二上極板連接至所述PCB基板的地端或信號源端，所述第二下極板連接至所述PCB基板的信號源端或地端。
8.—種MEMS麥克風芯片的制造方法，所述麥克風芯片與集成電路集成于PCB基板上以形成MEMS麥克風結構，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上依次形成第一介質層，圖形化的第一器件層和第二介質層；所述第一器件層定義出相互分隔的麥克風下電極及電容下極板； 在所述第二介質層上方形成圖形化的第二器件層；所述第二器件層定義出相互分隔的麥克風上電極及電容上極板，其中所述電容上極板位于所述電容下極板的正上方；所述電容上極板、電容下極板及兩者間的所述第二介質層形成去耦電容； 形成所述麥克風上電極、電容上極板、麥克風下電極及電容下極板的電連接引出部； 形成貫穿所述襯底的腔體，所述腔體頂部位于所述麥克風下電極以內區域的下方；以及進行釋放工藝，去除所述腔體上方的所述第一介質層和第二介質層，以在所述麥克風上電極與麥克風下電極之間形成空氣隙。
9.如權利要求8所述的MEMS麥克風芯片的制造方法，其特征在于，所述第一器件層和所述第二器件層的材料為金屬和/或多晶硅材料。
10.如權利要求8所述的MEMS麥克風芯片的制造方法，其特征在于，所述第一介質層和所述第二介質層的材料為氧化硅。
11.如權利要求8所述的MEMS麥克風芯片的制造方法，其特征在于，所述去耦電容的數量為2個，所述電容上極板包括分開的第一上極板和第二上極板，所述電容下極板包括分開的第一下極板和第二下極板。
12.如權利要求8所述的MEMS麥克風芯片的制造方法，其特征在于，所述麥克風上電極為振動膜，所述麥克風下電極為背電極；或所述麥克風上電極為背電極，所述麥克風下電極為振動月吳。
13.—種如權利要求8所述的MEMS麥克風結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 將所述MEMS麥克風芯片及所述集成電路芯片分別安裝于所述PCB基板上； 將所述去耦電容連接于所述PCB基板的地與電源之間和/或地與信號源之間； 將所述麥克風上電極及所述麥克風下電極連接至所述集成電路芯片；以及 在所述PCB基板上覆蓋金屬屏蔽罩。
14.如權利要求13所述的 MEMS麥克風結構的制造方法，其特征在于，所述電容上極板包括第一上極板和第二上極板，所述電容下極板包括第一下極板和第二下極板，其中將所述去耦電容連接于所述PCB基板的地與電源之間和/或地與信號源之間的步驟包括: 將所述第一上極板連接至所述PCB基板的地端或電源端，所述第一下極板連接至所述PCB基板的電源端或地端； 將所述第二上極板連接至所述PCB基板的地端或信號源端，所述第二下極板連接至所述PCB基板的信號源端或地端。
【文檔編號】H04R31/00GK103491490SQ201310360141
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年8月16日 優先權日:2013年8月16日
【發明者】葉紅波, 王勇 申請人:上海集成電路研發中心有限公司