本發明涉及換能器領域，更準確地說，本發明涉及一種發聲裝置；本發明還涉及一種電子設備。

背景技術：

發聲裝置是電子設備中的重要聲學部件，作為一種把電信號轉變為聲信號的換能器件，其已經普遍應用在手機、筆記本電腦等電子產品上。現有的揚聲器模組，包括外殼，以及設置在外殼內的振動系統、磁路系統，其中振動系統包括振膜以及設置在振膜上用于驅動振膜發聲的音圈，磁路系統包括磁鐵、華司等。線圈的一端連接在振膜上，另一端伸入至磁路系統的磁間隙內。

這種發聲裝置的結構較為復雜，使得發聲裝置的體積較大，而且多為人工流水線組裝，自動化程度不高，遠遠不能滿足現代化的發展需求。

技術實現要素：

本發明的一個目的是提供一種MEMS發聲裝置的新技術方案。

根據本發明的第一方面，提供了一種MEMS發聲裝置，包括襯底，在所述襯底上通過沉積、刻蝕的方式設置有背極、振膜，所述背極、振膜之間通過絕緣層進行支撐；所述襯底上設置有與背極、振膜對應設置的背腔；所述背極、振膜被配置為：在背極、振膜上施加交流電信號，以在背極與振膜之間形成電勢差。

可選地，所述振膜整體由導電材料構成。

可選地，所述振膜包括非導電層以及導電層，所述導電層設置在非導電層的下方、上方或者內部。

可選地，所述導電層通過沉積、印刷、噴涂、電鍍或者化學鍍的方式與非導電層結合在一起。

可選地，還包括基板以及與基板構成封裝結構的殼體，所述襯底位于封裝結構內并安裝在基板上，在所述殼體上設置有音孔。

可選地，所述基板為電路板。

可選地，所述振膜包括位于邊緣用于連接的連接部，位于中心位置的振動部，以及位于連接部與振動部之間的折環部。

可選地，在所述背極上設置有貫通孔。

可選地，所述背極、振膜被配置為：在背極、振膜上施加有直流的預偏置電壓。

根據本發明的另一方面，還提供了一種電子設備，包括如上述的MEMS發聲裝置。

本發明的發聲裝置，所述背極、振膜被配置為：在背極、振膜上持續施加交流的電信號，以在所述背極與振膜之間形成電勢差，由于該平板電容器中的一個極板采用振膜的方式，在該電勢差的作用下，使得振膜可以朝向或者遠離背極的方向移動，從而實現了振膜的振動發聲。本發明的發聲裝置可以應用到各電子設備中，為此本發明還提供了一種電子設備，其包括上述的發聲裝置。

本發明的發明人發現，在現有技術中，發聲裝置的結構較為復雜，其體積較大，而且多為人工流水線組裝，自動化程度不高，遠遠不能滿足現代化的發展需求。因此，本發明所要實現的技術任務或者所要解決的技術問題是本領域技術人員從未想到的或者沒有預期到的，故本發明是一種新的技術方案。

通過以下參照附圖對本發明的示例性實施例的詳細描述，本發明的其它特征及其優點將會變得清楚。

附圖說明

被結合在說明書中并構成說明書的一部分的附圖示出了本發明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發明的原理。

圖1是本發明發聲裝置的結構示意圖。

圖2是本發明發聲裝置另一實施例的結構示意圖。

具體實施方式

現在將參照附圖來詳細描述本發明的各種示例性實施例。應注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本發明的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發明及其應用或使用的任何限制。

對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。

應注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

參考圖1，本發明提供了一種MEMS發聲裝置，其包括襯底7、振膜4、背極3等。本發明的襯底7可以采用單晶硅，這種硅襯底的材料屬于本領域技術人員的公知常識。所述背極3、振膜4可通過沉積、刻蝕的方式形成在襯底7上，且所述背極3與振膜4之間通過第一絕緣部5(例如氧化硅材料)進行支撐，使得背極3、振膜4之間均具有一定的間隙。

所述背極3與振膜4構成了平板電容器結構，該平板電容器結構例如可以是背極3在上、振膜4在下的方式，也可以是背極3在下、振膜4在上的方式。為了便于描述，現以背極3在下、振膜4在上的平板電容器結構為例來描述本發明的技術方案。

為了保證該平板電容器結構與襯底7之間的絕緣，在襯底7與平板電容器結構之間設置有第二絕緣部6。其中，為了使本發明的平板電容器結構發揮作用，在所述襯底7上還設置有背腔結構，這種背腔結構的設計屬于本領域技術人員的公知常識，在此不再具體說明。

本發明的振膜4可以為一平整的膜層，在本發明一個優選的試實施方式中，參考圖2，所述振膜4包括位于邊緣位置的連接部40，以及位于中部位置的振動部41，以及位于振動部41與連接部40之間的折環部42。所述振膜4的連接部40搭載在第一絕緣部5上，振膜4中部區域的振動部41可以懸置在背極3的上方；折環部42可以呈波紋狀或者鋸齒狀，通過該折環部42可以提高振膜4的振動效果。

在本發明一個具體的實施方式中，所述背極3可以采用多晶硅或者金屬材料等本領域技術人員所熟知的導電材料。在制作的時候，可以在襯底7上方的第二絕緣部6上沉積背極層，然后通過刻蝕的方式形成背極3的圖案。

所述振膜4通過沉積、刻蝕的方式形成在背極3上，例如可在第一絕緣部5上沉積振膜層，并通過刻蝕的方式形成振膜4的圖案，之后通過將位于背極3與振膜4之間的第一絕緣部5部分腐蝕掉，從而將振膜4釋放出來。這種MEMS工藝中沉積、刻蝕、腐蝕犧牲層的方式屬于本領域技術人員的公知常識，在此不再具體說明。

本發明的振膜4為導電振膜，其可以采用導電金屬、多晶硅等本領域技術人員所熟知的導電材料等。在本發明一個具體的實施方式中，所述振膜4整體采用導電材料，也就是說，振膜4僅由導電材料構成；第一絕緣層5設置在所述振膜4與背極3之間，以保證二者之間的絕緣。

在本發明另一個具體的實施方式中，所述振膜4包括導電層以及非導電層，該非導電層例如可以采用本領域技術人員所熟知的非導電振膜材料。非導電層通過MEMS工藝進行沉積，所述導電層可設置在非導電層的下方、上方或者內部。優選的是，根據導電層與非導電層之間的關系以及導電層的材質，所述導電層可以選擇通過沉積、印刷、噴涂、光刻膠、電鍍或者化學鍍的方式與非導電層結合在一起。

例如在制作的時候，可以首先沉積導電層，在導電層的上方沉積非導電層，從而得到導電層在下、非導電層在上的振膜結構。

或者是，首先沉積非導電層，在非導電層的上方沉積、印刷、噴涂、光刻膠、電鍍或者化學鍍的方式形成導電層，從而得到導電層在上、非導電層在下的振膜結構。

或者是，首先沉積非導電層，在非導電層的上方沉積、印刷、噴涂、光刻膠、電鍍或者化學鍍的方式形成導電層，在導電層上繼續沉積一層非導電層，從而形成了夾心的多層結構。

本發明的發聲裝置，所述背極3、振膜4被配置為：在背極3、振膜4上持續施加交流的電信號，以在所述背極3與振膜4之間形成電勢差，由于該平板電容器中的一個極板采用振膜4的方式，在該電勢差的作用下，使得振膜4可以朝向或者遠離背極的方向移動，從而實現了振膜的振動發聲。

在本發明一個優選的實施方式中，所述背極3、振膜4被配置為：在背極3、振膜4之間施加有直流的預偏置電壓，在該偏置電壓的作用下，使振膜4與背極3之間可以保持在一個預緊的狀態；再通過施加的交流電信號實現振膜4的振動發聲，提高了振膜4的振動效果。

本發明的這種發聲裝置，可以應用到受話器或者揚聲器當中，其突破了傳統線圈、磁鐵的安裝結構，使其體積更小，而且可以采用MEMS工藝進行制造。

本發明的發聲裝置，還可以包括基板1以及設置在基板1上的殼體2；該基本1優選為電路板，所述殼體2固定在基板1上后，形成了封裝結構。襯底7、背極3、振膜4等結構均設置在封裝結構的內部，例如可以將襯底7貼裝在基板1上，使得基板1封閉住襯底7的背腔，以完成發聲裝置的封裝。其中，在所述殼體2上還設置有音孔20，以便振膜4發出的聲音可以流出。優選的是，可在基板1上與背極3對應的位置上設置泄壓孔10，通過該泄壓孔10可以均衡發聲裝置后聲腔中的氣壓，以提高振膜4的振動效果。

本發明的發聲裝置，可以對背極3進行圖案化，以在背極3上形成有貫通孔30，通過該貫通孔30使得外界與振膜4連通起來，也就是說，使得發聲裝置具有較大的后聲腔，以提高發聲裝置的發音效果。

本發明的發聲裝置可以應用到各電子設備中，為此本發明還提供了一種電子設備，其包括上述的發聲裝置。

雖然已經通過例子對本發明的一些特定實施例進行了詳細說明，但是本領域的技術人員應該理解，以上例子僅是為了進行說明，而不是為了限制本發明的范圍。本領域的技術人員應該理解，可在不脫離本發明的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本發明的范圍由所附權利要求來限定。