本技術(shù)涉及電聲換能,特別涉及一種發(fā)聲裝置以及應(yīng)用該發(fā)聲裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù):
1、近年來(lái),便捷電子設(shè)備(例如手機(jī)、耳機(jī)、電腦)已經(jīng)深入人們的日常生活。隨著科技的高速發(fā)展,人們對(duì)電子設(shè)備的音質(zhì)需求也越來(lái)越高,揚(yáng)聲器的全頻化、微型化成為主流需求。
2、目前,電子設(shè)備內(nèi)的box空間越來(lái)越小,發(fā)聲裝置的bl值受空間尺寸限制,致使穿過(guò)音圈的磁力線數(shù)量少,從而導(dǎo)致音圈受到的磁場(chǎng)力較小,使得發(fā)聲裝置的靈敏度低,整體聲學(xué)性能及音效差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用新型的主要目的是提供一種發(fā)聲裝置和電子設(shè)備,旨在提供一種有效提升bl值的發(fā)聲裝置,該發(fā)聲裝置通過(guò)優(yōu)化磁路系統(tǒng)的中心磁部,從而增大bl值,有效改善bl曲線的平坦度,使fr頻響曲線明顯提升以及諧波失真thd有效降低,使整機(jī)音質(zhì)和性能得到更好的提升。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提出一種發(fā)聲裝置,所述發(fā)聲裝置包括:
3、磁路系統(tǒng),所述磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁軛以及設(shè)于所述導(dǎo)磁軛的中心磁部和邊磁部,所述邊磁部位于所述中心磁部的外側(cè),并與所述中心磁部間隔以形成磁間隙,所述中心磁部包括層疊設(shè)置的第一磁組、第二磁組及第三磁組,所述第一磁組連接于所述導(dǎo)磁軛;
4、振動(dòng)系統(tǒng),所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和連接于所述振膜的音圈,所述音圈與所述磁間隙對(duì)應(yīng)設(shè)置;
5、其中,所述第一磁組和所述第三磁組均沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁,所述第二磁組的充磁方向與所述第一磁組和所述第三磁組的充磁方向呈垂直設(shè)置,以使所述中心磁部形成海爾貝克磁路。
6、在一實(shí)施方式中,所述第一磁組的充磁方向與所述第三磁組的充磁方向相反;
7、所述第二磁組沿垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁,所述第二磁組的充磁方向沿著所述第二磁組的周緣向所述第二磁組的中心方向;或者,所述第二磁組具有垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向的第一軸線和第二軸線,且所述第一軸線和所述第二軸線相互垂直,所述第二磁組的充磁方向沿著所述第一軸線和/或第二軸線;
8、所述第二磁組靠近其中心的內(nèi)側(cè)的磁極與所述第一磁組的遠(yuǎn)離所述第二磁組一側(cè)的磁極相同。
9、在一實(shí)施方式中,所述第二磁組包括一個(gè)整體的板狀結(jié)構(gòu)的第二磁鐵,且在板狀結(jié)構(gòu)的所述第二磁鐵的中心開(kāi)設(shè)通孔。
10、在一實(shí)施方式中,所述邊磁部包括層疊設(shè)置的邊磁鐵和邊導(dǎo)磁板,所述邊磁鐵與所述導(dǎo)磁軛連接;
11、所述第一磁組、所述第三磁組及所述邊磁鐵均沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁,所述第一磁組的充磁方向與所述邊磁部的邊磁鐵的充磁方向相反,所述第三磁組的充磁方向與所述邊磁部的邊磁鐵的充磁方向相同。
12、在一實(shí)施方式中,至少部分所述第二磁組沿垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向上的投影與所述音圈沿垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向上的投影重合。
13、在一實(shí)施方式中,所述第一磁組包括一個(gè)整體的板狀結(jié)構(gòu)的第一磁鐵;
14、或,所述第一磁組包括多個(gè)第一磁鐵,多個(gè)所述第一磁鐵相鄰設(shè)置,并位于所述第二磁組和所述導(dǎo)磁軛之間;其中,多個(gè)所述第一磁鐵均沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁,且多個(gè)所述第一磁鐵的充磁方向相同。
15、在一實(shí)施方式中,所述音圈呈矩形環(huán)狀,所述音圈具有首尾相接的長(zhǎng)邊和短邊;
16、所述第二磁組包括兩個(gè)第二磁鐵,兩個(gè)所述第二磁鐵沿所述長(zhǎng)邊的方向相鄰且并行設(shè)置,兩個(gè)所述第二磁鐵均沿所述長(zhǎng)邊的方向充磁,且兩個(gè)所述第二磁鐵的充磁方向相反;
17、或,所述第二磁組包括兩個(gè)第二磁鐵,兩個(gè)所述第二磁鐵沿所述短邊的方向相鄰且并行設(shè)置,兩個(gè)所述第二磁鐵均沿所述短邊的方向充磁,且兩個(gè)所述第二磁鐵的充磁方向相反;
18、或,所述第二磁組包括兩個(gè)第二磁鐵和兩個(gè)第三磁鐵,兩個(gè)所述第二磁鐵沿所述短邊的方向相鄰且并行設(shè)置,兩個(gè)所述第三磁鐵沿所述長(zhǎng)邊的方向設(shè)于兩個(gè)第二磁鐵的兩端,兩個(gè)所述第二磁鐵和兩個(gè)所述第三磁鐵均分別沿所述短邊的方向和所述長(zhǎng)邊的方向充磁,兩個(gè)所述第二磁鐵的充磁方向相反,兩個(gè)所述第三磁鐵的充磁方向相反;
19、或,所述第二磁組沿兩條對(duì)角線分割形成兩個(gè)第二磁鐵和兩個(gè)第三磁鐵,兩個(gè)所述第二磁鐵沿所述短邊的方向并行設(shè)置,兩個(gè)所述第三磁鐵沿所述長(zhǎng)邊的方向并行設(shè)置,兩個(gè)所述第二磁鐵和兩個(gè)所述第三磁鐵均分別沿所述短邊的方向和所述長(zhǎng)邊的方向充磁,兩個(gè)所述第二磁鐵的充磁方向相反,兩個(gè)所述第三磁鐵的充磁方向相反。
20、在一實(shí)施方式中,所述第三磁組包括多個(gè)第四磁鐵,多個(gè)所述第四磁鐵相鄰設(shè)置,并位于所述第二磁組背向所述第一磁組的一側(cè);
21、其中,多個(gè)所述第四磁鐵均沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁,且多個(gè)所述第四磁鐵的充磁方向相同。
22、在一實(shí)施方式中,所述第三磁組背向所述第二磁組一側(cè)的至少部分朝向背離所述第二磁組的一側(cè)凸起形成凸出部。
23、在一實(shí)施方式中,所述第三磁組包括中心部和邊沿部,所述邊沿部環(huán)繞設(shè)于所述中心部的外周,所述中心部背向所述第二磁組的一側(cè)凸出所述邊沿部背向所述第二磁組的一側(cè)并形成所述凸出部;
24、所述邊沿部形成封閉的一體環(huán)狀結(jié)構(gòu);或,所述邊沿部包括多個(gè),相鄰的所述邊沿部首尾相接以形成封閉的環(huán)狀結(jié)構(gòu);或,所述邊沿部包括多個(gè),相鄰的所述邊沿部間隔以形成具有間隙的環(huán)狀結(jié)構(gòu);或,所述邊沿部與所述中心部為一體成型結(jié)構(gòu)。
25、在一實(shí)施方式中,所述發(fā)聲裝置還包括外殼,所述邊磁部包括層疊設(shè)置的邊磁鐵和邊導(dǎo)磁板,所述邊磁鐵與所述導(dǎo)磁軛連接,所述外殼的一端與所述邊導(dǎo)磁板連接,所述外殼的另一端與所述振膜的周緣連接。
26、在一實(shí)施方式中,所述邊導(dǎo)磁板與所述外殼為一體成型結(jié)構(gòu);
27、且/或,所述振膜為環(huán)形,所述振膜的內(nèi)周緣固定于所述磁路系統(tǒng),所述音圈的一端與所述振膜連接,所述音圈的另一端懸設(shè)于所述磁間隙內(nèi)。
28、在一實(shí)施方式中,所述振動(dòng)系統(tǒng)還包括骨架,所述音圈通過(guò)所述骨架與所述振膜連接。
29、在一實(shí)施方式中,所述骨架包括主體部和連接于所述主體部周緣的連接部,所述主體部設(shè)于所述振膜和所述音圈之間;
30、所述振動(dòng)系統(tǒng)還包括定心支片,所述定心支片包括外固定部、內(nèi)固定部以及連接所述外固定部和所述內(nèi)固定部的彈壁部,所述外固定部與所述外殼和/或所述邊磁部連接,所述內(nèi)固定部與所述連接部連接。
31、在一實(shí)施方式中,所述振膜包括內(nèi)環(huán)部、環(huán)繞所述內(nèi)環(huán)部設(shè)置的第一折環(huán)、環(huán)繞所述第一折環(huán)設(shè)置的平直部、環(huán)繞所述平直部設(shè)置的第二折環(huán)以及連接于所述第二折環(huán)外側(cè)的固定部,所述固定部連接于所述外殼,所述平直部與所述骨架連接,所述內(nèi)環(huán)部形成有內(nèi)環(huán)孔,所述內(nèi)環(huán)部連接于所述第三磁組,至少部分所述第三磁組凸設(shè)于所述內(nèi)環(huán)孔。
32、在一實(shí)施方式中,所述內(nèi)環(huán)部、所述第一折環(huán)、所述平直部、所述第二折環(huán)及所述固定部為一體成型結(jié)構(gòu);
33、且/或,所述第一折環(huán)朝向遠(yuǎn)離所述導(dǎo)磁軛的方向凸起,所述第二折環(huán)朝向靠近所述導(dǎo)磁軛的方向凸起;
34、且/或,所述振膜還包括補(bǔ)強(qiáng)部,所述補(bǔ)強(qiáng)部設(shè)于所述平直部和所述骨架之間;
35、且/或,所述固定部遠(yuǎn)離所述第二折環(huán)的一端朝向所述外殼彎折延伸形成彎折部,所述彎折部連接于所述外殼的外壁。
36、本實(shí)用新型還提出一種電子設(shè)備,所述電子設(shè)備包括上述所述的發(fā)聲裝置。
37、本實(shí)用新型技術(shù)方案的發(fā)聲裝置通過(guò)將磁路系統(tǒng)設(shè)置為導(dǎo)磁軛以及設(shè)于導(dǎo)磁軛的中心磁部和邊磁部,使得邊磁部位于中心磁部的外側(cè),并與中心磁部間隔以形成磁間隙,并將振動(dòng)系統(tǒng)的音圈與磁間隙對(duì)應(yīng)設(shè)置,如此在音圈內(nèi)通入電流,使得音圈在磁路系統(tǒng)形成的磁場(chǎng)內(nèi)振動(dòng)并帶動(dòng)振膜振動(dòng)發(fā)聲;同時(shí),通過(guò)將中心磁部設(shè)置為層疊設(shè)置于導(dǎo)磁軛的第一磁組、第二磁組及第三磁組,使得第一磁組和第三磁組均沿振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁,且第二磁組的充磁方向與第一磁組和所述第三磁組的充磁方向呈垂直設(shè)置,以使中心磁部形成海爾貝克磁路,如此利用中心磁部形成的海爾貝克磁路,有效提高磁場(chǎng)強(qiáng)度,增加磁間隙的磁通量的密度,增加穿過(guò)音圈的磁力線數(shù)量,增大音圈受到的磁場(chǎng)力,有效提升bl值,提高發(fā)聲裝置的靈敏度,有效改善bl曲線的平坦度,使fr頻響曲線明顯提升以及諧波失真thd有效降低,使整機(jī)音效和性能得到更好地提升。