技術領域

本發明涉及農產品種植技術領域，具體涉及一種日光溫室西瓜的育苗方法。

背景技術：

日光溫室西瓜種植的傳統栽培技術，是利用育苗容器直播育苗后進行移栽的方式種植，用種子在育苗容器中直接播種，移栽定植后，西瓜苗生長勢不強，抗逆性弱，抗病性差，成熟期相對較晚，且連作病害率高達50-60%，嚴重影響了生產效益和種植戶的積極性。

技術實現要素：

本發明的目的就是針對上述現有技術中的缺陷，提供了一種日光溫室西瓜的育苗方法，其目的在于改變傳統日光溫室西瓜育苗方法，利用菌根接種和嫁接育苗相結合的方式進行育苗，可提高西瓜根系對土壤養分的吸收能力，減少肥料的投入，降低成本，使壯苗指數提高30%以上，抗逆性和抗病性大大增強，成熟期提早7天以上，可完全克服日光溫室西瓜的連作障礙，顯著增加日光溫室種植西瓜的經濟效益，進一步提高種植戶的積極性。

為了實現上述目的，本發明提供的技術方案為：一種日光溫室西瓜的育苗方法，包括以下步驟：

1）選擇西瓜品種；

2）選擇砧木品種；

3）配制菌根菌育苗基質并選擇育苗容器；

4）對西瓜種子和砧木種子進行預處理，種子發芽后，播種于盛有菌根育苗基質的容器中，放入日光溫室中培育；

5）當砧木苗長至一葉一心、西瓜苗長至子葉展平時，進行嫁接；

6）嫁接完成的西瓜苗，先澆透水，然后放置于小拱棚內，待嫁接苗全部成活后撤去小拱棚，進入正常苗期管理；

7）待嫁接苗正常生長30-35天后，先進行低溫煉苗3-5天，即可在日光溫室中移栽定植。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟1）中，西瓜品種為適合日光溫室種植的品種。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟2）中，砧木品種為西瓜專用砧木品種。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟3）中，菌根菌育苗基質的制備方法為：按每株苗配8-10克叢枝菌根菌的比例將叢枝菌根菌與商品育苗基質充分混配均勻，使其成為接入叢枝菌根菌的菌根菌育苗基質。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟3）中，育苗容器為32穴的塑料育苗穴盤。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟4）中，西瓜種子和砧木種子的預處理是將種子在溫水中浸泡12-18小時，然后再用50%的可濕性多菌靈粉劑配置500倍藥液浸泡1小時后，撈出清水沖洗即可。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟4）中，播種時，砧木種子比西瓜種子早播7-8天，或砧木種子播種后出土時再播西瓜種子，以提高嫁接的成活率；日光溫室內白天溫度20-25℃，夜間溫度15-16℃，濕度為90%以上，以提高西瓜和砧木的種子發芽率。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟5）中，是當砧木生長至第一片真葉展平、西瓜苗生長至子葉展平時，先給砧木苗澆一次透水，使用插接法嫁接，選接穗在子葉下0.8-1cm處下刀45°斜切2段，切口長0.6cm，切好接穗，把切好的接穗上的砧木生長點摘除，用與接穗莖粗相同的竹簽或專用工具從一側子葉基部向對側下方斜插0.5-0.6cm，把切好的接穗插入砧木上拔出竹簽或專用工具的孔內，使接穗的兩片子葉和砧木的兩片子葉呈十字形。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟6）中，是將已嫁接完成的西瓜苗，先澆透水，然后放置至于地面鋪設電加熱線進行保溫保濕的小拱棚內，嫁接后前3天利用遮陽網將小拱棚遮光，3天后掀開遮陽網逐步保證每天見一定時間的光照，見光時間由短到長，8-10天后撤掉遮陽網，并適當降低小拱棚內的溫度和濕度，10-12后嫁接苗全部成活，撤去小拱棚，進入正常苗期管理。

進一步的，上述的一種日光溫室西瓜的育苗方法，所述步驟7）中，待嫁接苗正常生長30-35天后，先進行適宜的低溫煉苗3-5天，當日光溫室內的10厘米地溫穩定在15℃以上時，即可移栽定植。

本發明的有益效果為：本發明提供的一種日光溫室西瓜的育苗方法，選擇的西瓜品種選擇適宜在日光溫室中生產，砧木品種的選擇可以增加西瓜的抗病性、抗逆性和適應性，保持接穗的優良性狀，西瓜成熟時口感風味好，起到促進生長提高產量的作用；菌根育苗基質的配制，利用菌根接種和商品育苗基質相結合的方式進行配制，可提高西瓜根系對土壤養分的吸收能力，減少肥料的投入，降低成本 使壯苗指數提高30%以上，抗逆性和抗病性大大增強，移栽成活率達99%以上，成熟期提早7天以上，克服日光溫室西瓜的連作障礙；西瓜苗嫁接方法的選擇，可以使西瓜嫁接苗的成活率達到95%以上；在西瓜菌根基質和嫁接相結合的育苗方法，可提高西瓜根系對土壤養分的吸收能力，減少肥料的投入，起到降低生產成本、提高壯苗指數，增強抗逆性和抗病性，減少肥料投入，提早成熟期，提高品質增加效益的作用。

應用本發明的方法能在新疆地區達到反季節生產西瓜，并實現日光溫室西瓜的連作，同時降低肥料投入，提高西瓜產量和改善西瓜品質，提高經濟效益。

通過使用本發明的西瓜育苗技術，可以增強西瓜的抗病性、抗逆性、可提高西瓜根系對土壤養分的吸收能力，減少肥料的投入，耐瘠薄力大大提高，降低成本，促使西瓜早發育、發育好，延長西瓜的采收期，西瓜品質、風味和陸地種植的西瓜風味相同，同時商品性也好。

具體實施方式

實施例1：

一種日光溫室西瓜的育苗方法，包括以下步驟：

（1）西瓜品種的選擇：選擇適合日光溫室種植西瓜品種 。

（2）砧木品種的選擇：選擇和上述西瓜品種嫁接親和力強的專用嫁接砧木超豐抗生王（鄭州果樹研究所生產的超豐抗生王）作為砧木品種。

（3）育苗基質的配制及育苗容器的選擇：菌根育苗基質的制備方法為：按每株苗配8-10克菌根菌的比例將菌根菌與合格的商品基質充分混配均勻，就配制出了接種菌根菌的菌根育苗基質， 將配制出的菌根育苗基質裝入32穴的穴盤內壓實后即可。

（4）砧木種子和西瓜種子的預處理：把砧木種在50℃-55℃的水中浸泡10-15分鐘，邊浸邊攪拌，當水溫降至常溫后，再浸種2-3小時，之后，撈出浸種處理過的種子，擦洗干凈種皮表面的粘液并瀝干，用干凈的濕布將西瓜種和砧木種分別包好放在28℃-30℃條件下保溫催芽。 待砧木種子胚根長出0.2-0.3厘米后，把長出0.2-0.3cm胚芽的砧木種點播在盛有菌根育苗基質的32穴的穴盤內，播種深度2cm；待砧木種子出土后，把與砧木種子同樣方法預處理的西瓜種點播在盛有菌根基質的育苗盤內，播種深度1.5cm。

（5）將播種后的育苗穴盤放入日光溫室內，確保適宜的溫濕度。日光溫室內白天溫度20-25℃，夜間溫度15-16℃，濕度為90%以上。

（6）嫁接方法的選擇及嫁接：嫁接選擇的是插接法，1月20號到25號，當西瓜砧木生長至第一片真葉展平、西瓜苗生長至兩片子葉展平時，先給砧木苗澆一次透水，使用插接法嫁接，選接穗在子葉下0.8-1cm處下刀45°斜切2段，切口長0.6cm，切好接穗，把切好的接穗上的砧木生長點去掉，用和接穗莖粗相同的竹簽或專用工具從一側子葉基部向對側下方斜插0.5-0.6cm，竹簽或專用工具不能插破砧木的表皮也不能插到砧木的髓部，把切好的接穗插入砧木上拔出竹簽或專用工具的孔內，使接穗的兩片子葉和砧木的兩片子葉呈十字形。

1月20-25日嫁接西瓜苗，嫁接時期溫度20-25℃；嫁接苗前3天內，進行遮光管理：溫度：白天;25-30℃，夜間20℃以上，濕度90%以上；嫁接3天后進行見光管理：日光溫室內白天溫度：25-32℃，夜間溫度16-18℃，日光溫室的苗床可以適量通風，空氣濕度可下降到75%-85%，同時逐日縮短嫁接苗的遮光時間，早晚苗床接受太陽直射光照1小時左右。以后逐漸延長苗床通風時間和日照時間，8-10天后，撤掉遮光物，對嫁接苗進行自然光照管理。同時及時抹除嫁接砧木生長點發出的贅芽，促進接穗生長。嫁接后的30-35天為嫁接苗管理期。

（7）定植：2月15日-20日，日光溫室內白天溫度控制在28-32℃，夜間溫度為20℃左右，當10厘米地溫穩定在15℃以上時定植，低溫煉苗3-5天后，就可移栽定植了。定植后日光溫室內的相對濕度控制在80%以下。

最后應說明的是：以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。