本發明涉及中藥栽培領域，尤其涉及一種掌葉覆盆子的硬枝扦插栽培方法。
背景技術：
：掌葉覆盆子為薔薇科多年生落葉亞灌木，喜溫，不耐炎熱，不耐寒冷，喜陽光，喜濕，不耐干旱，適宜生長在微酸性土壤上。植株高1.5～3m，莖直立，枝條細長，幼枝綠色，有白粉，有少數微彎倒刺。花期4～5月，果期6～7月。掌葉覆盆子的營養價值豐富，是重要的藥用植物和保健食品。其繁殖方法包括根蘗繁殖、扦插繁殖、壓條繁殖、種子繁殖等，其中扦插繁殖具有簡單易行、繁殖速度快、能保持植物母本遺傳性狀等優點?，F有的覆盆子產業種植過程中存在扦插難以生根、規模化種植程度降低以及產量不高等現象。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種提高了掌葉覆盆子產量的掌葉覆盆子的硬枝扦插栽培方法。本發明是通過以下技術方案解決上述技術問題的：掌葉覆盆子的硬枝扦插栽培方法，包括以下步驟：a、插條采集與處理：11月至12月間選取掌葉覆盆子的一年至兩年生枝條，將每根枝條截成15～20cm，在濕沙中貯藏越冬，次年2月至3月間取出沙藏的枝條，將枝條的基部放入濃度為100mg/l的abt1號生根粉溶液中浸泡8h，然后用清水沖凈，再用10％～15％的硫酸銨溶液浸泡枝條5～10min；b、育苗床的準備：育苗床的底部設排水口，育苗床內采用珍珠巖、煤渣和腐殖土作為栽培基質，在栽培基質上覆蓋地膜，地膜上對應扦插位置開孔，育苗床的上方設遮陽棚，棚內設有噴霧裝置，扦插前對育苗床及棚內環境進行消毒；c、枝條扦插：將步驟a所得的枝條從步驟b所得的育苗床中地膜的孔處插到栽培基質中，扦插之后立即澆水，扦插初期將栽培基質的含水量保持在60％～70％，枝條生根后減少澆水，將栽培基質的含水量保持在40％～50％，扦插期間每4～6d噴灑一次50％的復方多菌靈500倍液，每隔15～20d噴灑一次5mg/l的磷酸二氫鉀溶液；d、移栽：將種植地的土地深翻，施基肥，進行土壤消毒，在11月至次年3月間將枝條從育苗床中移到種植地中定植，定植后將土踩實，澆透水，7～10d后澆第二次水；e、搭設支架：在種植地中搭設支架，將定植后的掌葉覆盆子的一至兩年生枝條綁在支架上；f、修剪整形：春季及時修剪掌葉覆盆子植株上過密的枝條和發生病蟲害的枝條，每株掌葉覆盆子保留7～8根健壯的枝條，采果后剪除第二年生枝條；g、田間管理：每年3月至4月間、5月至6月間和10月至11月間各進行一次中耕除草，每年結合中耕除草進行三次追肥，干旱時澆水保持土壤濕潤，雨季時及時排除積水。作為優化的技術方案，步驟a中將枝條在濕沙中貯藏的方法為：首先挖出寬1.5～2m、深1～1.5m的溝，然后將枝條每20～40根扎為一捆放入溝中，在枝條與枝條以及捆與捆的空隙間充滿濕沙，最后在枝條上方覆蓋厚度為20～30cm的濕沙后填土拍實，填土厚度≥50cm，所述濕沙的含水量為50％～60％。作為優化的技術方案，步驟b中栽培基質的體積比為30％～35％的珍珠巖、20％～25％的煤渣和40％～50％的腐殖土。作為優化的技術方案，步驟c中枝條的扦插深度為6～10cm，株距為5～10cm，行距為10～20cm。作為優化的技術方案，步驟c還包括通過調節噴霧裝置的噴霧量將扦插初期棚內的空氣相對濕度保持在80％～90％，枝條生根后減少噴霧，將棚內的空氣相對濕度保持在60％～70％。作為優化的技術方案，步驟c中當栽培基質的溫度超過28℃時，揭除地膜，打開遮陽棚的兩頭進行通風。作為優化的技術方案，步驟d中所述基肥包括重量比為97.5％～98％的腐熟農家肥、0.4％～0.6％的尿素、0.7％～0.9％的過磷酸鈣、0.6％～0.8％的硫酸鉀和0.3％～0.5％的硫酸鎂，施肥量為2000～3000kg/畝。作為優化的技術方案，步驟d中的定植方法為：首先挖寬30～40cm、深30～40cm的種植坑，然后按行距2～3m、株距0.6～0.8m定植。作為優化的技術方案，步驟g中每次追肥所施的肥包括重量比為50％～55％的尿素、30％～35％的硫酸鉀、5％～10％的硼砂、5％～10％的硫酸鋅，施肥量為20～25kg/畝。作為優化的技術方案，掌葉覆盆子的主要病害為莖腐病，每年春季和冬季各對掌葉覆盆子全株噴灑一次4～5波美度的石硫合劑及15％的三唑酮400倍液，從掌葉覆盆子發芽到初花期每隔10～15d對掌葉覆盆子全株噴灑一次甲基托布津500倍液或福美雙500倍液。本發明的優點在于：提高了掌葉覆盆子枝條扦插的生根率，合理施肥和防治病蟲害，提高了掌葉覆盆子果實的產量，有利于掌葉覆盆子的規?；N植。具體實施方式掌葉覆盆子的硬枝扦插栽培方法，包括以下步驟：a、插條采集與處理：11月至12月間選取掌葉覆盆子的一年生枝條，將每根枝條截成15～20cm，包含3～4個芽位，枝條下端距芽位1～2cm，上端距芽位3～4cm。挖出寬1.5～2m、深1～1.5m的溝，將枝條每20～40根扎為一捆放入溝中，在枝條與枝條以及捆與捆的空隙間充滿濕沙，在枝條上方覆蓋厚度為20～30cm的濕沙后填土拍實，填土厚度≥50cm，所述濕沙的含水量為50％～60％，枝條在濕沙中貯藏越冬，防止冬季被凍傷。次年2月至3月間氣溫回升到15℃左右時，取出沙藏的枝條，將枝條的基部放入濃度為100mg/l的abt1號生根粉溶液中浸泡8h，然后用清水沖凈，再用10％～15％的硫酸銨溶液浸泡枝條5～10min進行消毒，防治病蟲害。下表1為采用不同試劑、不同濃度及不同處理時間的處理方法對掌葉覆盆子枝條扦插生根率的影響，經試驗，在100mg/l的abt1號生根粉溶液中浸泡8h后掌葉覆盆子枝條扦插生根率可達86％。表1采用不同處理方法對掌葉覆盆子枝條扦插生根率的影響b、育苗床的準備：在地勢平坦處用磚砌成長15～20m，寬5～8m，高40～60cm的長方形育苗床，育苗床的底部設有均勻分布的排水口，育苗床內采用體積比為30％～35％的珍珠巖、20％～25％的煤渣和40％～50％的腐殖土作為栽培基質，在栽培基質上覆蓋地膜用于保溫，地膜上對應扦插位置開孔，育苗床的上方設遮陽棚，棚內設有噴霧裝置，扦插前噴灑0.1％～0.2％的高錳酸鉀溶液對育苗床及棚內環境進行消毒，防治病蟲害。下表2為采用不同栽培基質對掌葉覆盆子枝條扦插生根率的影響，經試驗，采用珍珠巖、煤渣和腐殖土的混合基質掌葉覆盆子枝條扦插生根率較高，三者體積比為30％～35％的珍珠巖、20％～25％的煤渣和40％～50％的腐殖土時掌葉覆盆子枝條扦插生根率可達75％。表2采用不同栽培基質對掌葉覆盆子枝條扦插生根率的影響c、枝條扦插：將步驟a所得的枝條從步驟b所得的育苗床中地膜的孔處插到栽培基質中，頂芽眼向上，扦插深度為6～10cm，株距為5～10cm，行距為10～20cm。扦插之后立即澆水，扦插初期將栽培基質的含水量保持在60％～70％，枝條生根后減少澆水，將栽培基質的含水量保持在40％～50％，栽培基質適當干燥促進根系老化。下表3為扦插初期栽培基質中不同含水量對掌葉覆盆子枝條扦插生根率的影響，經試驗，栽培基質的含水量保持在65％時，掌葉覆盆子枝條扦插生根率可達79％。表3扦插初期不同含水量的栽培基質對掌葉覆盆子枝條扦插生根率的影響栽培基質含水量生根率45％62％60％77％65％79％70％78％85％65％通過調節噴霧裝置的噴霧量將扦插初期棚內的空氣相對濕度保持在80％～90％，枝條生根后減少噴霧，將棚內的空氣相對濕度保持在60％～70％，保持適當的空氣相對濕度有利于掌葉覆盆子扦插苗的生長。扦插期間栽培基質的溫度以15～20℃為宜，當栽培基質的溫度超過28℃時，揭除地膜，打開遮陽棚的兩頭進行通風，防止溫度過高使扦插苗受傷。扦插期間每4～6d噴灑一次50％的復方多菌靈500倍液，進行消毒，防治病蟲害；每隔15～20d噴灑一次5mg/l的磷酸二氫鉀溶液，進行葉面施肥，以促進新根生長。d、移栽：選取ph值在5～7，土壤疏松肥沃，排水良好的10°～20°緩坡作為種植地。將種植地的土地深翻30～40cm，施基肥，所述基肥包括占重量比為97.5％～98％的有機肥、0.4％～0.6％的尿素、0.7％～0.9％的過磷酸鈣、0.6％～0.8％的硫酸鉀和0.3％～0.5％的硫酸鎂，施肥量為2000～3000kg/畝，采用0.4％～0.6％的高錳酸鉀溶液或50％的復方多菌靈500倍液對土壤進行消毒。在扦插當年的11月至次年3月間將根系健壯的枝條從育苗床中移到種植地中，挖寬30～40cm、深30～40cm的種植坑，按行距2～3m、株距0.6～0.8m定植，定植后將土踩實，澆透水，7～10d后澆第二次水。e、搭設支架：在種植地中搭設支架，將定植后的掌葉覆盆子的一至兩年生枝條綁在支架上，掌葉覆盆子枝條柔軟，容易下垂或倒伏，影響果實的產量和質量，采用支架支撐枝條，可以保持良好的通風透光性。f、修剪整形：春季及時修剪掌葉覆盆子植株上過密的枝條和發生病蟲害的枝條，每株掌葉覆盆子保留7～8根健壯的枝條，采果后剪除第二年生枝條，保持枝條的合理密度，有利于高產和穩產。g、田間管理：每年3月至4月間、5月至6月間和10月至11月間各進行一次中耕除草。每年結合中耕除草進行三次追肥，每次追肥所施的肥包括占重量比為50％～55％的尿素、30％～35％的硫酸鉀、5％～10％的硼砂、5％～10％的硫酸鋅，施肥量為20～25kg/畝，以提高果實產量以及促成果實膨大。干旱時澆水保持土壤濕潤，雨季時及時排除積水，防止落花落果。h、病蟲害防治：掌葉覆盆子的主要病害為莖腐病，每年春季掌葉覆盆子發芽前和冬季埋土防寒前各對掌葉覆盆子全株噴灑一次4～5波美度的石硫合劑及15％的三唑酮400倍液，從發芽到初花期每隔10～15d對掌葉覆盆子全株噴灑一次甲基托布津500倍液或福美雙500倍液，以防治莖腐病。以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。當前第1頁12