本發明涉及農業技術領域,具體為一種北方寒區基于側深施肥的水稻施肥方法。
背景技術:
水稻原產亞洲熱帶,在中國廣為栽種后,逐漸傳播到世界各地,水稻所結稻粒去殼后稱大米或米,世界上近一半人口,都以大米為食,與其它作物相比,稻米中所含營養組分的可消化率和吸收率較高,最適于人體的需要。近30年來,我國北方寒區水稻種植面積迅猛擴大,北方引進水稻后,由于北方生育期短,直接播種水稻產量低、品質差,所以北方水稻采用兩段式栽培,第一段為大棚育秧期,當秧苗經過35~40天的生長,為三葉一心期時,進行本田插秧,進入第二階段栽培。水稻插秧后,由于地溫低,水稻返青慢,影響水稻秧苗返青和生長,水稻正常生長發育需要較多的營養元素,尤其對氮、磷、鉀三種元素的需要量大,單純依靠土壤供給,不能滿足水稻生長發育的需要,目前常采用分次多次的方式施用化肥,以保證水稻充足的養分供給。水稻常規施肥技術為水稻泡田后插秧前3~5天施肥,通過人工撒施的方法將肥料施于土壤表面,插秧時放水使肥料流失一部分。由此造成的不利影響為,施肥不均、肥料施于地表很快溶解在泡田水中,在水稻插秧前施肥,當插秧放水時,一部分肥料隨水流失,造成肥料損失,肥料施在土壤表面,距離水稻根系遠,根系吸收的肥料少,肥料利用率低,加劇農業面源污染。
技術實現要素:
本發明為了解決上述不足,提供了一種北方寒區基于側深施肥的水稻施肥方法,解決水稻栽培中由于過多施用化肥造成的肥料利用率低、農業面源污染嚴重的問題,達到化肥減施、提高利用率的目的。
本發明的上述目的通過以下的技術方案來實現:
一種北方寒區基于側深施肥的水稻施肥方法,包括以下過程:
在水稻插秧同時進行側深施肥,施肥的區域為,在水稻秧苗根部一側的距離3厘米、深5厘米處的土壤中;沿苗帶進行條帶施肥。
進一步的,施肥量比當地常規施肥減施化肥10%。
具體操作,可以在水稻插秧機上安裝水稻側深施肥機械裝置,施肥方法為條帶法,施肥時間為水稻施肥與插秧同時進行,施肥量比當地常規施肥減施化肥10%,施肥位置為肥料施于水稻秧苗根部一側的3厘米、深5厘米處的土壤中。
本發明提供的一種北方寒區基于側深施肥的水稻施肥方法,通過水稻基肥施肥方法、施肥時間、施肥量和施肥位置的優化,水稻平均增產3.21%,經濟效益值增加700元/公頃以上,更重要的是提高肥料利用率,減輕農業面源污染,維護農業可持續發展,經濟效益和生態效益顯著。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明進一步詳述。
2015-2016年試驗在黑龍江省農墾科學院水稻科技園區完成;試驗土壤為白漿土,基礎肥力為:有機質19.5g/kg,全氮1.089g/kg,速效磷12.1mg/kg,速效鉀204mg/kg,ph7.0。
供試品種:2015年為墾稻24,2016年為墾稻26;供試肥料為尿素(n含量46.4%)、磷酸二銨(n含量18%、p2o5含量46%)和硫酸鉀(k2o含量60%)。
試驗共設2個處理方法,3次重復:處理方法1:本發明的一種北方寒區基于側深施肥的水稻施肥方法;處理方法2、水稻常規施肥技術。
處理方法1說明:采用本發明的水稻側深施肥技術,應用水稻插秧施肥機施肥,肥料施于水稻秧苗根部一側的3厘米、深5厘米處的土壤中。基肥施用量234公斤/公頃。
處理方法2說明:水稻泡田后插秧前施肥,采用人工撒施的方法將肥料施于土壤表層,插秧前放水。基肥施用量260公斤/公頃。
試驗結果:
試驗各處理在水稻秧苗期植株性狀測定數據:
于水稻分蘗期測定了水稻秧苗素質,試驗結果表明,處理1效果好于處理2,處理1的水稻秧苗分蘗數、株高和地上下干重均高于處理2,水稻返青快,水稻秧苗素質好,具體結果見表1、表2。
表1水稻分蘗期生長發育調查結果(2015年)
表2水稻分蘗期生長發育調查結果(2016年)
試驗各處理在水稻主要生育期田間植株性狀測定數據:
于水稻分蘗期、幼穗分化期和抽穗期考查了水稻植株性狀,處理1水稻干重好于處理2,見表3、表4。
表3水稻干物質積累調查結果(2015年;單位:g/株)
表4水稻干物質積累調查結果(2016年;單位:g/株)
試驗各處理在水稻產量性狀:
水稻產量構成因子考種結果表明,處理1的水稻植株分蘗、穗粒數、粒重和千粒重高于對照,見表5。
表5水稻產量構成因子分析(2016年)
水稻測產結果表明,處理1具有節肥增產作用,產量較對照增產3.21%,見表6。
表6水稻產量性狀分析(2016年)
注:各處理產量計算結果水分均已扣除。小區測產面積:10平方米
綜上所述,實施本發明實施例所得的一種北方寒區基于側深施肥的水稻化肥減施技術比常規施肥節省化肥10%,并可提高水稻秧苗素質,插秧后秧苗緩苗快,水稻增產3.21%,經濟效益值增加700元/公頃以上。
以上所述僅為本發明的實施例,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書及實施例內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。