本發明涉及植物組織培養,具體涉及一種寬葉山蒿的組織培養方法。
背景技術:
1、寬葉山蒿(artemisia?stolonifera)別名九牛草,為菊科(compositae)蒿屬(artemisia)多年生草本植物,同屬植物艾(artemisia?argyi?lévl.et?van.)近源種,其干燥葉在一些地區被當做艾葉使用。秋季開花,生于枝梢,夏秋季采全草,春初夏采幼苗,篩絨或曬干用。苦、溫,有小毒,具有溫經止血、散寒止痛的功效,主要用于吐血、衄血、崩漏、經寒不調、宮冷不孕等。寬葉山蒿作為優質灸材資源,具有較高的經濟價值和研究前景,因其種子萌發困難,目前野生種質資源全國分布稀少。因此有必要對其資源進行保護。近年來,寬葉山蒿資源開發有一定規模。在我國江西省建立了一定規模的寬葉山蒿gap種植基地,對寬葉山蒿野生資源保護起到了一定的促進作用。目前寬葉山蒿主要通過根狀莖進行擴繁,由于根狀莖擴繁后代發生性狀分離,不利于優質種質資源保護,因此建立了寬葉山蒿組織快繁體系,為種質資源保護及良種繁育提供保障和技術支撐。
2、目前由于寬葉山蒿母本資源稀少,種子萌發困難,根狀莖繁殖耗時長后代性狀分離嚴重,繁殖數量有限,遠遠滿足不了市場推廣需求,急需組培快繁技術進行種苗擴增。經文獻檢索發現目前尚未有關于寬葉山蒿組培快繁技術的相關報道。試驗表明,現發表的關于蒿屬植物組織快繁方法并不適用寬葉山蒿,易出現外植體污染率高、外植體褐化、培養基發黃、芽生長緩慢、生根時間長、成苗質量差的缺點。
3、為了克服寬葉山蒿組培快繁技術匱乏、解決種子萌發困難的問題。本研究目的在于構建一種高效的寬葉山蒿離體快繁技術體系,有效縮短繁育周期,降低生產種植成本,為寬葉山蒿的引種馴化、種苗繁育、種質資源保護及產業化發展提供了技術保障。
技術實現思路
1、本發明的目的在于至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種寬葉山蒿的組織培養方法。
2、本發明的技術解決方案如下:
3、一種寬葉山蒿的組織培養方法,包括以下步驟:
4、s1:選取寬葉山蒿幼嫩莖段作為外植體,并對外植體進行消毒處理;
5、s2:將經s1處理后的幼嫩莖段接種到誘導增殖培養基進行增殖培養,培養至側芽并生長到5-6cm;
6、s3:將s2中生長出的側芽切下,接種至生根培養基中進行生根培養;
7、所述生根培養基中含有活性炭;
8、s4:經s3生根培養后,置于自然光照下煉苗,洗凈根部培養基,移栽至基質中存活。
9、作為本發明的優選方案,步驟s1中,所述消毒處理具體為:
10、將外植體用洗潔精水溶液浸泡,清水反復沖洗后擦干水分,然后在超凈臺內做消毒處理:先乙醇消毒,無菌水沖洗;然后使用hgcl2消毒,無菌水沖洗;繼續naclo消毒,無菌水沖洗;最后植菌清消毒,無菌水反復沖洗。
11、作為本發明的優選方案,步驟s2中,增殖培養具體為:
12、先在25-28℃條件下全暗培養3天,然后置于光照強度為1900-2300lx,培養溫度為25-27℃條件下培養,每天光照8-12小時,培養2周可誘導形成側芽,在該培養基繼續增殖培養,培養至側芽增長至5-6cm。
13、作為本發明的優選方案,步驟s2中,誘導增殖培養基為:ms、0.05-0.2mg/l?6-ba、0.05-0.1mg/l?kt、30g/l蔗糖、4g/l瓊脂,ph值為5.7-5.9。
14、作為本發明的優選方案,步驟s3中,所述生根培養具體為:先在25℃條件下全暗培養2天,然后置于光照強度為2500-3000lx、培養溫度為25℃的條件下培養至生根,每天光照12小時。
15、作為本發明的優選方案,步驟s3中,所述生根培養基為:1/2ms、0.1mg/l?naa、3g/l活性炭、4g/l瓊脂,ph值為5.7-5.9。
16、作為本發明的優選方案,步驟s4中,所述基質包括質量比9:1的營養土、珍珠巖。
17、本發明的有益效果是:本發明具有誘導速度快,耗時短,誘導率高,叢芽生長健壯,生根率高,根系發達,移栽成活率高,生產成本低的優點。此外,適當寬葉山蒿生根培養過程中激素水平并添加少量活性炭,能顯著提高寬葉山蒿移栽煉苗成活率,保持幼苗生長健壯,品質統一。本發明從外植體誘導增殖到移栽煉苗成活僅需60天左右,解決了種子萌發困難,有效縮短了繁育周期,降低了生產種植成本,為寬葉山蒿的引種馴化、種苗繁育、種質資源保護及產業化發展提供了技術保障。
1.一種寬葉山蒿的組織培養方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據權利要求1所述的一種寬葉山蒿的組織培養方法,其特征在于,步驟s1中,所述消毒處理具體為:
3.根據權利要求1所述的一種寬葉山蒿的組織培養方法,其特征在于步驟s2中,增殖培養具體為:
4.根據權利要求1所述的一種寬葉山蒿的組織培養方法,其特征在于,步驟s2中,誘導增殖培養基為:ms、0.05-0.2mg/l?6-ba、0.05-0.1mg/l?kt、30g/l蔗糖、4g/l瓊脂,ph值為5.7-5.9。
5.根據權利要求1所述的一種寬葉山蒿的組織培養方法,其特征在于,步驟s3中,所述生根培養具體為:先在25℃條件下全暗培養2天,然后置于光照強度為2500-3000lx、培養溫度為25℃的條件下培養至生根,每天光照10-12h。
6.根據權利要求1所述的一種寬葉山蒿的組織培養方法,其特征在于,步驟s3中,所述生根培養基為:1/2ms、0.1-1.0mg/l?naa、3g/l活性炭、4g/l瓊脂,ph值為5.9。
7.根據權利要求1所述的一種寬葉山蒿的組織培養方法,其特征在于,步驟s4中,所述基質包括質量比1-9:1-3的營養土、珍珠巖。