本發(fā)明涉及一種基于多層納米流體的二維環(huán)形可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷的實(shí)現(xiàn)方法和裝置，可應(yīng)用于光場(chǎng)控制領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

2006年，文獻(xiàn)1：“j.b.pendryetal,science,2006(312):1780”首次提出利用異向介質(zhì)能夠操控光波的傳播方向，實(shí)現(xiàn)光學(xué)隱身衣概念，引起了人們的廣泛關(guān)注，成為光學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。同年，文獻(xiàn)2：“d.schurigetal,science,2006(314):977”在微波段首次實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了橫電波二維超材料隱身斗篷。2007年，文獻(xiàn)3：“caietal,naturephotonics,2007(1):224”提出了橫磁波二維超材料隱身斗篷。2010年，文獻(xiàn)4：“maetal,naturecommunications,2010(1):124”提出了基于介質(zhì)板的二維孔陣列實(shí)現(xiàn)了電磁波的隱身效果。但是，目前二維光學(xué)隱身結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，還不具備可調(diào)諧的功能(即光學(xué)隱身的開/關(guān)功能)，換句話說光學(xué)隱身斗篷的結(jié)構(gòu)一旦確定以后其隱身性能將會(huì)一直存在是不能改變的，其主要原因是缺乏介電常數(shù)和磁導(dǎo)率系數(shù)可以被主動(dòng)實(shí)時(shí)調(diào)控的天然材料，這直接制約著光學(xué)隱身技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。因此需要設(shè)計(jì)一種簡(jiǎn)單實(shí)用的方法對(duì)光學(xué)隱身斗篷的光學(xué)隱身功能進(jìn)行調(diào)諧，他將對(duì)光學(xué)隱身斗篷的實(shí)際應(yīng)用具有非常重要的意義，大大推進(jìn)其實(shí)用化進(jìn)程。

納米流體在外界光、熱、電、磁、氣壓或應(yīng)力的作用下，其介電常數(shù)和磁導(dǎo)率會(huì)發(fā)生可逆性改變。

本發(fā)明提供一種基于多層納米流體的二維可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷。該二維可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷是將納米流體環(huán)層以x-y水平面中心為軸，在x、y軸線方向逐層延拓形成，通過控制不同環(huán)層中納米流體的納米顆粒特性(粒度/粒度分布及形貌)、流體的結(jié)構(gòu)(顆粒體積分?jǐn)?shù)和分散穩(wěn)定性)以及納米顆粒的化學(xué)組成，可以使每層對(duì)應(yīng)不同的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率，獲得光學(xué)隱身所需的二維介電常數(shù)和磁導(dǎo)率分布，進(jìn)而使光線繞過斗篷區(qū)域后，光場(chǎng)恢復(fù)原來的分布，實(shí)現(xiàn)光學(xué)隱身功能，為處在光學(xué)隱身斗篷中心的物體屏蔽掉外界光線干擾，同時(shí)不影響外界光場(chǎng)分布。同時(shí)，通過循環(huán)控制每個(gè)環(huán)層中納米流體的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率，實(shí)現(xiàn)光學(xué)隱身斗篷的實(shí)時(shí)開/關(guān)性能，從而克服了二維光學(xué)隱身斗篷不能開關(guān)的缺點(diǎn)。本發(fā)明基于納米流體的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率可控原理，可以有效節(jié)省能量，延長(zhǎng)偽裝時(shí)間；在實(shí)現(xiàn)上，采用電、光控開關(guān)等廣泛使用的器件，顯著降低了光學(xué)隱身斗篷的復(fù)雜度和成本，實(shí)際應(yīng)用潛力大。使用本發(fā)明技術(shù)，可以使光學(xué)隱身斗篷在大多數(shù)時(shí)間內(nèi)處于關(guān)閉狀態(tài)(即不隱身)，使對(duì)方探測(cè)到一些無效光學(xué)信息，而在需要的時(shí)候開啟隱身功能讓對(duì)方探測(cè)不到其光學(xué)信號(hào)，有效隱藏各種重要信息，麻痹敵方，使我方行動(dòng)具有突然性。該技術(shù)在實(shí)現(xiàn)光幻想、迷惑紅外光學(xué)檢測(cè)器、和在軍事和民用等光學(xué)隱身設(shè)備中具有巨大應(yīng)用價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：克服現(xiàn)有二維光學(xué)隱身斗篷的隱身功能不具備可調(diào)諧性(即不能開/關(guān)光隱身功能)的缺點(diǎn)，利用納米流體這一常見材料，提供一種實(shí)現(xiàn)可調(diào)控(可開/關(guān))二維光學(xué)隱身斗篷的新技術(shù)，使得系統(tǒng)具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、速度快、便于操作、能耗小、實(shí)時(shí)性強(qiáng)和實(shí)現(xiàn)成本低等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的技術(shù)方案：

一種基于多層納米流體的二維環(huán)形可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷，包括襯底層、間隔環(huán)層、納米流體環(huán)層、納米流體環(huán)層上方的金屬薄層蓋片、控制單元和供能單元；該二維環(huán)形可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷將納米流體環(huán)層以x-y水平面中心為軸，在x、y軸線方向逐層周期延拓形成；每個(gè)納米流體環(huán)層上方均蓋有金屬薄層蓋片，每個(gè)納米流體環(huán)層之間均有間隔環(huán)層隔離；襯底層刻有多層環(huán)形槽，用于承載納米流體，實(shí)現(xiàn)納米流體環(huán)層，被隱藏的目標(biāo)置于二維多層納米流體環(huán)層的中心位置；金屬薄層蓋片表面連接導(dǎo)線，導(dǎo)線另一端依次經(jīng)過控制單元和供能單元接地，通過操控控制單元，調(diào)控供能單元對(duì)每層納米流體環(huán)層的作用時(shí)間，進(jìn)而控制不同納米流體環(huán)層中納米顆粒特性(粒度/粒度分布及形貌)、流體的結(jié)構(gòu)(顆粒體積分?jǐn)?shù)和分散穩(wěn)定性)以及納米顆粒的化學(xué)組成，使每層納米流體環(huán)層對(duì)應(yīng)不同的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率，實(shí)現(xiàn)光學(xué)隱身所需的二維介電常數(shù)和磁導(dǎo)率分布，進(jìn)而使光線繞過二維斗篷區(qū)域后，光場(chǎng)恢復(fù)原來分布，實(shí)現(xiàn)光學(xué)隱身功能。

所述的納米流體環(huán)層的形狀是圓環(huán)、橢圓環(huán)、正方環(huán)、矩形環(huán)或六邊環(huán)，每個(gè)納米流體環(huán)層獨(dú)立控制和工作；所述的納米流體環(huán)層中的納米流體是通過溶質(zhì)溶于溶液形成，其中，溶質(zhì)包括金屬氧化物和金屬氮化物如氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化銅、氧化鐵、氧化銀和氮化鋁等，金屬如金、銀、銅、鐵、鋁等，其他介質(zhì)如半導(dǎo)體材料、碳納米管、金剛石和陶瓷顆粒等；溶液包括水、酒精和油類等。納米流體環(huán)層的寬度為1μm～10cm、深度為20nm～10cm。

所述的金屬薄層蓋片是al片、ag片、au片、cu片或ni片，其寬度為1μm～10cm、厚度為20nm～10cm。

所述的間隔環(huán)層的材質(zhì)是硅酸鈣、多元醇/多異氰酸酯、硬質(zhì)聚氨酯泡沫塑料、聚苯乙烯泡沫塑料、泡沫玻璃、in2o3、sno2或ito，其寬度為1μm～10cm、深度為20nm～10cm。

所述的襯底層是聚亞胺、塑料、bk7光學(xué)玻璃，sio2、si3n4或al2o3；

所述的控制單元是電控、光控、聲控或磁控開關(guān)；所述的供能單元是電能、熱能、光能、真空壓強(qiáng)或核能；

所述的多層納米流體環(huán)層通過材料生長(zhǎng)工藝實(shí)現(xiàn)，包括電子束蒸發(fā)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀、氣相外延生長(zhǎng)和分子束外延方法。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明基于納米流體的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率系數(shù)可調(diào)控原理，可以有效節(jié)省能量，延長(zhǎng)偽裝時(shí)間；在實(shí)現(xiàn)上，采用電、光控開關(guān)等廣泛使用的器件，顯著降低了光學(xué)隱身斗篷的復(fù)雜度和成本，實(shí)際應(yīng)用潛力大。該技術(shù)在實(shí)現(xiàn)光幻想、迷惑紅外光學(xué)檢測(cè)器、和在軍事和民用等光學(xué)隱身設(shè)備中具有巨大應(yīng)用價(jià)值。

本發(fā)明提供一種基于多層納米流體環(huán)層的可調(diào)控二維光學(xué)隱身斗篷，可以通過外加電、熱、光、真空壓強(qiáng)或磁場(chǎng)改變納米流體這一常見材料的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率分布，提供一種實(shí)現(xiàn)可調(diào)控(可開/關(guān))二維光學(xué)隱身斗篷的新技術(shù)，使得系統(tǒng)具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、速度快、便于操作、能耗小、實(shí)時(shí)性強(qiáng)和實(shí)現(xiàn)成本低等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1(a)為本發(fā)明提供的一種基于n層納米流體的二維可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷切面圖(n≥1)。

圖1(b)為本發(fā)明提供的一種基于n層納米流體的二維可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷俯視圖(n≥1)。

圖2(a)為襯底層示意圖。

圖2(b)為n層納米流體環(huán)層(n≥1)示意圖。

圖2(c)為加金屬薄層蓋片的n層納米流體環(huán)層(n≥1)示意圖。

圖2(d)為二維可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷示意圖。

圖3(a)為本發(fā)明提供的一種基于n層納米流體的二維可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷在光學(xué)隱身功能開設(shè)狀態(tài)下(即納米流體處于不同介電常數(shù)和磁導(dǎo)率時(shí))的光場(chǎng)分布情況(n≥1)。

圖3(b)為本發(fā)明提供的一種基于n層納米流體的二維可調(diào)控光學(xué)隱身斗篷在光學(xué)隱身功能關(guān)閉狀態(tài)下(即納米流體處于不同介電常數(shù)和磁導(dǎo)率時(shí))的光場(chǎng)分布情況(n≥1)。

圖中：1襯底層；2n層納米流體環(huán)層(n≥1)；3納米流體環(huán)層；

4金屬薄層蓋片；5間隔環(huán)層；6隱身區(qū)域；7導(dǎo)線；8控制單元；

9供能單元；10地線。

具體實(shí)施方式

為使得本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容更加清晰，以下結(jié)合技術(shù)方案和附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的具體實(shí)施方式。其中的材料生長(zhǎng)技術(shù)包括：電子束蒸發(fā)，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀，氣相外延生長(zhǎng)，和分子束外延技術(shù)等常用技術(shù)。其中的掩模工藝包括電子束曝光和聚焦離子束曝光等常用技術(shù)。其中的刻蝕工藝包括濕法刻蝕和干法刻蝕，如酸法刻蝕、電子束刻蝕、聚焦離子束刻蝕和反應(yīng)離子束刻蝕等常用工藝。

實(shí)施例1

首先，通過材料生長(zhǎng)工藝和掩模工藝，將設(shè)計(jì)好的多層環(huán)溝道刻蝕在襯底1上(附圖2(a))，即以x-y水平面中心為軸由內(nèi)至外在x、y軸線方向逐層周期延拓形成，再在對(duì)應(yīng)的環(huán)形溝道內(nèi)交替注入納米流體層3和間隔層5，實(shí)現(xiàn)n層納米流體環(huán)層(n≥1)2(附圖2(b))，金屬薄片4蓋在n層納米流體環(huán)層(n≥1)2的上表面，用于封裝納米流體和導(dǎo)入外界激勵(lì)(附圖2(c))，每個(gè)金屬蓋片4上表面都聯(lián)有導(dǎo)線7，導(dǎo)線7的另一端經(jīng)過控制單元8和供能單元9接地線10(附圖2(d))。

其中，納米流體環(huán)層的設(shè)計(jì)可以采用有限時(shí)域差分法、有限元法等算法。

通過操控控制單元8，可以調(diào)控供能單元9對(duì)每層納米流體環(huán)層的作用時(shí)間，進(jìn)而控制不同環(huán)層中納米流體的納米顆粒特性(粒度/粒度分布及形貌)、流體的結(jié)構(gòu)(顆粒體積分?jǐn)?shù)和分散穩(wěn)定性)以及納米顆粒的化學(xué)組成，可以使每層納米流體環(huán)層對(duì)應(yīng)不同的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率，實(shí)現(xiàn)隱身所需的二維介電常數(shù)和磁導(dǎo)率系數(shù)分布，進(jìn)而使光線繞過斗篷區(qū)域后，光場(chǎng)恢復(fù)原來的分布，實(shí)現(xiàn)光學(xué)隱身功能。最終實(shí)現(xiàn)一種基于多層納米流體環(huán)層的可調(diào)控二維光學(xué)隱身斗篷。

如圖3所示，當(dāng)一種基于多層納米流體環(huán)層的可調(diào)控二維光學(xué)隱身斗篷中的納米流體發(fā)生納米顆粒特性(粒度/粒度分布及形貌)、流體的結(jié)構(gòu)(顆粒體積分?jǐn)?shù)和分散穩(wěn)定性)以及納米顆粒的化學(xué)組成的變化，其介電常數(shù)和磁導(dǎo)率系數(shù)分布也會(huì)發(fā)生改變，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)光傳播方向的調(diào)控，包括開啟光學(xué)隱身功能：即為處在光學(xué)隱身斗篷中心的物體屏蔽掉外界光場(chǎng)干擾，同時(shí)不影響外界光場(chǎng)分布，不被外界所探測(cè)，即光通過該隱身斗篷后不改變其場(chǎng)分布(如圖3(a)所示)；關(guān)閉光學(xué)隱身功能：即光通過該光學(xué)隱身斗篷后其光場(chǎng)分布發(fā)生改變，導(dǎo)致光學(xué)隱身斗篷中心處所放的物體可以被外界所探測(cè)(如圖3(b)所示)。

以上所述是本發(fā)明應(yīng)用的技術(shù)原理和具體實(shí)例，依據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想所做的等效變換，只要其所運(yùn)用的方案仍未超出說明書和附圖所涵蓋的精神時(shí)，均應(yīng)在本發(fā)明的范圍內(nèi)，特此說明。