專利名稱：一種交叉平面電阻抗成像測量裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電阻抗測量中的接觸及測量裝置，特別涉及一種對人體器官組織的電阻抗成像測量裝置及方法。
背景技術(shù)：
電阻抗成像是一種只需在物體表面進(jìn)行測量，而重構(gòu)出內(nèi)部阻抗分布的手段。它通過注入電流到一個(gè)目標(biāo)區(qū)域建立電場，隨后對目標(biāo)周邊產(chǎn)生的電壓進(jìn)行測量。傳統(tǒng)的電阻抗斷層成像技術(shù)中，電極的放置通常局限于某個(gè)平面，然而，電阻抗成像本質(zhì)上是一個(gè)三維問題，其電流不局限于在某個(gè)平面上流動(dòng)，因此，二維圖像重建通常會(huì)產(chǎn)生偽像。而三維電阻抗成像的主要問題是系統(tǒng)無法負(fù)擔(dān)復(fù)雜的算法，病態(tài)性使得算法有時(shí)難以實(shí)現(xiàn)，尤其是在邊緣區(qū)域，最終造成重建圖像中目標(biāo)位置難以判斷或形狀扭曲。開放式電阻抗成像系統(tǒng)能夠很好地實(shí)現(xiàn)物體的表層阻抗判定，但是受制于探測深度的因素，精度只能保證在2 3 厘米的范圍內(nèi)。為此開發(fā)的交叉平面電極陣列系統(tǒng)，通過交錯(cuò)的二維平面測量數(shù)據(jù)，能夠更有效地構(gòu)建三維成像模型，并在保證有效精度的前提下減小了直接三維重構(gòu)的計(jì)算量。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種，提供一種用于獲取物體表面由裝置激勵(lì)電流而引起的電壓，從而推導(dǎo)出物體內(nèi)部的三維電阻抗信息的裝置及方法。該方案從水平切面及垂直剖面上均可獲取電壓信息，分別進(jìn)行切面上的成像，進(jìn)而組合形成空間三維圖形；也可以通過對任意接觸點(diǎn)進(jìn)行激勵(lì)，獲取其余任意位置間電壓，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)多種組合測量方式，實(shí)現(xiàn)多元算法拓展，提高圖像精度。
本發(fā)明的目的之一是提出一種交叉平面電阻抗成像測量裝置；本發(fā)明的目的之二是提出一種交叉平面電阻抗成像測量方法。
本發(fā)明的目的之一是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明提供的一種交叉平面電阻抗成像測量裝置，包括框體、分布在框體上的測量單元和輸出單元，所述測量單元為分散設(shè)置于框體上用于獲取被測物體表面在激勵(lì)電流作用下而引起的電壓信號的測量電極，所述測量電極將獲取的電壓信號輸入到輸出單元。
進(jìn)一步，所述框體為半球體，所述測量電極等間距環(huán)狀地分布在半球體框體上，所述框體頂部中央設(shè)置有共用電極，所述共用電極與輸出單元連接；
進(jìn)一步，所述測量電極沿框體的縱向切面對稱分布形成豎直電極組，所述測量電極沿半球體的縱向切面設(shè)置2-8組豎直電極組。
進(jìn)一步，所述測量電極沿框體的水平切面對稱分布形成水平電極層，所述測量電極沿框體水平設(shè)置2-10層水平電極層。
進(jìn)一步，還包括中央控制處理器和成像系統(tǒng)，
所述中央控制處理器，用于接收并處理電壓信號通過三維重構(gòu)算法來得到被測物體內(nèi)部的電阻抗分布；
所述成像系統(tǒng)，用于輸出被測物體內(nèi)部的電阻抗分布信息。
進(jìn)一步，所述中央控制處理器包括激勵(lì)源控制單元、數(shù)字頻率合成單元、多路復(fù)用控制單元、高速相敏檢波單元、快速傅立葉變換解調(diào)測量信號單元；
所述運(yùn)算處理系統(tǒng)包括激勵(lì)源控制單元，用于通過相位累加器產(chǎn)生數(shù)字正弦信號;
所述數(shù)字頻率合成單元，用于將不同頻率的數(shù)字正弦信號進(jìn)行合成，通過注入合成后的電信號能夠提高測量效率，增加獲取的電阻抗信息；
所述多路復(fù)用控制單元，用于對激勵(lì)信號的注入位置及電壓采集點(diǎn)進(jìn)行控制；
所述高速相敏檢波單元，用于將采集到電壓信號的幅值和相位進(jìn)行分離與測量；
所述快速傅立葉變換解調(diào)測量信號單元，用于將的到的電壓信號通過抽樣截?cái)啵?將時(shí)間信號轉(zhuǎn)化為離散序列，以得到信號的頻域特性；
進(jìn)一步，還包括開關(guān)陣列，所述激勵(lì)源控制單元通過開關(guān)陣列與測量單元連接。
本發(fā)明的目的之二是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明提供的一種利用交叉平面電阻抗成像測量裝置來進(jìn)行的電阻抗成像測量方法，包括以下步驟
SI :輸入激勵(lì)信號；
S2 :選擇測量方式和激勵(lì)電極組；
S3 :獲取相應(yīng)測量電極間的電壓信號并輸入到運(yùn)算處理器進(jìn)行處理；
S4:根據(jù)選擇的測量方式，輪換激勵(lì)電極組，輪換相應(yīng)測量電極組，依次測得所有信號;
S5:當(dāng)相應(yīng)測量方式的所有激勵(lì)及測量組合完成后，根據(jù)所有信號完成被測物體在三維空間上的電阻抗圖像重構(gòu)。
進(jìn)一步，所述激勵(lì)信號通過發(fā)送指令給中央控制處理器所產(chǎn)生；所述激勵(lì)信號經(jīng)過信號預(yù)處理電路處理后轉(zhuǎn)換成模擬激勵(lì)信號再輸入到中央控制處理器中。
進(jìn)一步，所述輸入激勵(lì)信號及測量方式采用以下三種組合來進(jìn)行
方式一以框體頂部的共用電極為激勵(lì)電流流出點(diǎn)，以其他測量電極依次作為為激勵(lì)電流流入點(diǎn)，測量流入點(diǎn)與相應(yīng)測量電極間的電壓值，依次輪流，最終得到所有電壓數(shù)據(jù)，作為重構(gòu)矩陣元素；
方式二 首先分別測量各水平電極層中的測量電極，測量時(shí)依次以兩個(gè)測量電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有相鄰測量電極間的電壓值；然后分別測量各豎直電極組中的測量電極，測量時(shí)依次以兩個(gè)相鄰測量電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有相鄰測量電極間的電壓值；
方式三以跨平面，跨電極的任意兩個(gè)電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有測量電極的電壓值。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于
I)通過交錯(cuò)的電壓測量及后續(xù)的電阻抗重構(gòu)，能夠反映被測物體在空間上的微小變化，將增量信號放大則突出了微小的變化量，這樣僅用較低分辨率的模數(shù)轉(zhuǎn)換器就能檢測被測信號的微小變化，提高了測量精度。
2)該系統(tǒng)與皮膚表面的接觸阻抗小，且由于輸出阻抗自動(dòng)補(bǔ)償?shù)膽?yīng)用，使得該系統(tǒng)的抗干擾能力強(qiáng)，測量漂移小，穩(wěn)定性好。
3)該系統(tǒng)激勵(lì)采樣混頻數(shù)字信號發(fā)生，能夠?qū)崿F(xiàn)多頻疊加，能夠根據(jù)被測對象在不同頻率下電阻抗特性進(jìn)行設(shè)置，有效提高了測量的靈活性，同時(shí)也進(jìn)一步提高了測量精度。
4)該系統(tǒng)采用基于FPGA的數(shù)字相敏解調(diào)(DPSD)及FFT處理方式，通過將參考信號與測量信號疊加得到被測信號的幅度和相位值，反映了被測信號的微小變化，且具有速度快，對噪聲具有較強(qiáng)的抑制作用的特點(diǎn)。


為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，其中
圖I為本發(fā)明的交叉平面電極排布示意圖側(cè)視圖和俯視圖2為本發(fā)明的交叉平面電極排布示意圖側(cè)視圖和俯視圖3為本發(fā)明的一個(gè)應(yīng)用模型的示意圖4為本發(fā)明使用的測量電極示意圖5為本發(fā)明的系統(tǒng)原理框圖6為本發(fā)明的混合頻率激勵(lì)源發(fā)生器的原理示意圖7為本發(fā)明的FPGA上數(shù)字相敏檢波原理的示意圖8為基于本發(fā)明的交叉平面電極排布，而形成的信號激勵(lì)及檢測方式一；
圖9為基于本發(fā)明的交叉平面電極排布俯視圖，而形成的信號激勵(lì)及檢測方式 -* ;
圖10為基于本發(fā)明的交叉平面電極排布主視圖，而形成的信號激勵(lì)及檢測方式 -* ;
圖11為基于本發(fā)明的交叉平面電極排布，而形成的信號激勵(lì)及檢測方式三；
圖12為本發(fā)明的電阻抗自動(dòng)補(bǔ)償模塊電路中的激勵(lì)源輸出阻抗檢測電路圖13為本發(fā)明的電阻抗自動(dòng)補(bǔ)償模塊電路中的負(fù)阻抗補(bǔ)償電路電路圖14為使用本發(fā)明獲取的不同平面上的電阻抗信息分布圖15為使用本發(fā)明獲取的物體三維空間電阻抗信息分布；
圖16為使用本發(fā)明測量的操作流程圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述；應(yīng)當(dāng)理解，優(yōu)選實(shí)施例僅為了說明本發(fā)明，而不是為了限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
實(shí)施例I
圖I為本發(fā)明的交叉平面電極排布示意圖側(cè)視圖和俯視圖，圖2為本發(fā)明的交叉平面電極排布不意圖側(cè)視圖和俯視圖，圖3為本發(fā)明的一個(gè)應(yīng)用模型的不意圖，圖4為本發(fā)明使用的測量電極示意圖，圖5為本發(fā)明的系統(tǒng)原理框圖，如圖所示本發(fā)明提供的一種交叉平面電阻抗成像測量裝置，包括框體、分布在框體上的測量單元和輸出單元，所述測量單元為分散設(shè)置于框體上用于獲取被測物體表面在激勵(lì)電流作用下而引起的電壓信號的測量電極，所述測量電極將獲取的電壓信號輸入到輸出單元。
所述框體為半球體。所述測量電極等間距環(huán)狀地分布在框體上，所述測量電極沿框體的縱向切面對稱分布形成豎直電極組，所述測量電極沿半球體的縱向切面設(shè)置2-8組豎直電極組。所述測量電極沿框體的水平切面對稱分布形成水平電極層，所述測量電極沿框體水平設(shè)置2-10層水平電極層。所述框體頂部中央設(shè)置有共用電極，所述共用電極與輸出單元連接。還包括中央控制處理器和成像系統(tǒng)，所述中央控制處理器，用于接收并處理電壓信號通過三維重構(gòu)算法來得到被測物體內(nèi)部的電阻抗分布；所述成像系統(tǒng)，用于輸出被測物體內(nèi)部的電阻抗分布信息。所述中央控制處理器包括激勵(lì)源控制單元、數(shù)字頻率合成單元、多路復(fù)用控制單元、高速相敏檢波單元、快速傅立葉變換解調(diào)測量信號單元；所述運(yùn)算處理系統(tǒng)包括激勵(lì)源控制單元，用于通過相位累加器產(chǎn)生數(shù)字正弦信號；所述數(shù)字頻率合成單元，用于將不同頻率的數(shù)字正弦信號進(jìn)行合成，通過注入合成后的電信號能夠提高測量效率，增加獲取的電阻抗信息；所述多路復(fù)用控制單元，用于對激勵(lì)信號的注入位置及電壓采集點(diǎn)進(jìn)行控制；所述高速相敏檢波單元，用于將采集到電壓信號的幅值和相位進(jìn)行分離與測量；所述快速傅立葉變換解調(diào)測量信號單元，用于將的到的電壓信號通過抽樣截?cái)啵瑢r(shí)間信號轉(zhuǎn)化為離散序列，以得到信號的頻域特性；還包括開關(guān)陣列，所述激勵(lì)源控制單元通過開關(guān)陣列與測量單元連接。
本發(fā)明提供的實(shí)施例還提供了一種利用交叉平面電阻抗成像測量裝置來進(jìn)行的電阻抗成像的測量方法，包括以下步驟
SI :輸入激勵(lì)信號；
S2 :選擇測量方式和激勵(lì)電極組；
S3 :獲取相應(yīng)測量電極間的電壓信號并輸入到運(yùn)算處理器進(jìn)行處理；
S4:根據(jù)選擇的測量方式，輪換激勵(lì)電極組，輪換相應(yīng)測量電極組，依次測得所有信號;
S5:當(dāng)相應(yīng)測量方式的所有激勵(lì)及測量組合完成后，根據(jù)所有信號完成被測物體在三維空間上的電阻抗圖像重構(gòu)。
所述激勵(lì)信號通過發(fā)送指令給中央控制處理器所產(chǎn)生；所述激勵(lì)信號經(jīng)過信號預(yù)處理電路處理后轉(zhuǎn)換成模擬激勵(lì)信號再輸入到中央控制處理器中。
所述輸入激勵(lì)信號及測量方式采用以下三種組合來進(jìn)行
方式一以框體頂部的共用電極為激勵(lì)電流流出點(diǎn)，以其他測量電極依次作為為激勵(lì)電流流入點(diǎn)，測量流入點(diǎn)與相應(yīng)測量電極間的電壓值，依次輪流，最終得到所有電壓數(shù)據(jù)，作為重構(gòu)矩陣元素；
方式二 首先分別測量各水平電極層中的測量電極，測量時(shí)依次以兩個(gè)測量電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有相鄰測量電極間的電壓值；然后分別測量各豎直電極組中的測量電極，測量時(shí)依次以兩個(gè)相鄰測量電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有相鄰測量電極間的電壓值；
方式三以跨平面，跨電極的任意兩個(gè)電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有測量電極的電壓值。
實(shí)施例2
下面詳細(xì)描述交叉平面電阻抗成像測量裝置及測量方法7
圖6為本發(fā)明的混合頻率激勵(lì)源發(fā)生器的原理示意圖，圖7為本發(fā)明的FPGA上數(shù)字相敏檢波原理的示意圖，圖8為基于本發(fā)明的交叉平面電極排布，而形成的信號激勵(lì)及檢測方式一，圖9為基于本發(fā)明的交叉平面電極排布俯視圖，而形成的信號激勵(lì)及檢測方式二，圖10為基于本發(fā)明的交叉平面電極排布主視圖，而形成的信號激勵(lì)及檢測方式二， 圖11為基于本發(fā)明的交叉平面電極排布，而形成的信號激勵(lì)及檢測方式三，圖12為本發(fā)明的電阻抗自動(dòng)補(bǔ)償模塊電路中的激勵(lì)源輸出阻抗檢測電路圖，圖13為本發(fā)明的電阻抗自動(dòng)補(bǔ)償模塊電路中的負(fù)阻抗補(bǔ)償電路電路圖，圖14為使用本發(fā)明獲取的不同平面上的電阻抗信息分布圖，圖15為使用本發(fā)明獲取的物體三維空間電阻抗信息分布，如圖所示 本發(fā)明實(shí)施例2提供的交叉平面電阻抗成像測量裝置采用的信號發(fā)生電路由現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)芯片構(gòu)成。FPGA可選用ALTERA或是XILINX公司的芯片，比如ALTERA的 CYCLONEII。FPGA內(nèi)部實(shí)現(xiàn)直接數(shù)字合成器DDS，產(chǎn)生特定頻率和相位的數(shù)字波形信號。
本發(fā)明實(shí)施例中采用的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路模塊，即圖5中DAC&Filter所示。高速數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片可選用ADI或TI等公司的產(chǎn)品，比如TI的DAC2902。DAC2902將DDS產(chǎn)生的數(shù)字激勵(lì)信號轉(zhuǎn)換為模擬激勵(lì)信號。
本發(fā)明實(shí)施例中采用的阻抗檢測及阻抗自動(dòng)補(bǔ)償模塊，如圖5中所示，主要使用了 ADI公司的高頻差分放大器AD8130。
電阻抗自動(dòng)補(bǔ)償模塊的使用能夠根據(jù)被測物體的電阻抗及寄生電容大大小，自動(dòng)補(bǔ)償其不利影響，提高輸出阻抗值，原理如下所述。
如圖12所示，恒流源用一個(gè)理想的電流源并聯(lián)輸出電阻和輸出電容的電路模型表示，其中校正電阻Rcal=IOkQ。系統(tǒng)正常工作時(shí)，則兩個(gè)開關(guān)均打開；而用于調(diào)節(jié)阻抗時(shí)，模擬開關(guān)切換到有負(fù)載Rcal和無負(fù)載，用相敏檢波器測得的輸出電壓分別為V。/和
經(jīng)相敏檢波，在兩種不同負(fù)載情況下的測量值為
VcalH = VrH+jVqH (I)
VcalL = VrL+jVqL
式中，V。/表示接有校正電阻時(shí)的輸出電壓；ν/表示接有校正電阻時(shí)的同相電壓分量；vqH表示接有校正電阻時(shí)的正交電壓分量；ν。表示未接校正電阻時(shí)的輸出電壓；V, 表不未接校正電阻時(shí)的同相電壓分量表不未接校正電阻時(shí)的正交電壓分量；
而由電路計(jì)算得
權(quán)利要求
1.一種交叉平面電阻抗成像測量裝置，其特征在于包括框體、分布在框體上的測量單元和輸出單元，所述測量單元為分散設(shè)置于框體上用于獲取被測物體表面在激勵(lì)電流作用下而引起的電壓信號的測量電極，所述測量電極將獲取的電壓信號輸入到輸出單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的交叉平面電阻抗成像測量裝置，其特征在于所述框體為半球體，所述測量電極等間距環(huán)狀地分布在半球體框體上，所述框體頂部中央設(shè)置有共用電極，所述共用電極與輸出單元連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的交叉平面電阻抗成像測量裝置，其特征在于所述測量電極沿框體的縱向切面對稱分布形成豎直電極組，所述測量電極沿半球體的縱向切面設(shè)置2-8組豎直電極組。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的交叉平面電阻抗成像測量裝置，其特征在于所述測量電極沿框體的水平切面對稱分布形成水平電極層，所述測量電極沿框體水平設(shè)置2-10層水平電極層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的交叉平面電阻抗成像測量裝置，其特征在于還包括中央控制處理器和成像系統(tǒng)， 所述中央控制處理器，用于接收并處理電壓信號通過三維重構(gòu)算法來得到被測物體內(nèi)部的電阻抗分布； 所述成像系統(tǒng)，用于輸出被測物體內(nèi)部的電阻抗分布信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的交叉平面電阻抗成像測量裝置，其特征在于所述中央控制處理器包括激勵(lì)源控制單元、數(shù)字頻率合成單元、多路復(fù)用控制單元、高速相敏檢波單元、快速傅立葉變換解調(diào)測量信號單元； 所述運(yùn)算處理系統(tǒng)包括激勵(lì)源控制單元，用于通過相位累加器產(chǎn)生數(shù)字正弦信號； 所述數(shù)字頻率合成單元，用于將不同頻率的數(shù)字正弦信號進(jìn)行合成，通過注入合成后的電信號能夠提高測量效率，增加獲取的電阻抗信息； 所述多路復(fù)用控制單元，用于對激勵(lì)信號的注入位置及電壓采集點(diǎn)進(jìn)行控制； 所述高速相敏檢波單元，用于將采集到電壓信號的幅值和相位進(jìn)行分離與測量； 所述快速傅立葉變換解調(diào)測量信號單元，用于將的到的電壓信號通過抽樣截?cái)啵瑢r(shí)間信號轉(zhuǎn)化為離散序列，以得到信號的頻域特性信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的交叉平面電阻抗成像測量裝置，其特征在于還包括開關(guān)陣列，所述激勵(lì)源控制單元通過開關(guān)陣列與測量單元連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的一種交叉平面電阻抗成像測量裝置的測量方法，其特征在于包括以下步驟 51:輸入激勵(lì)信號； 52:選擇測量方式和激勵(lì)電極組； 53:獲取相應(yīng)測量電極間的電壓信號并輸入到運(yùn)算處理器進(jìn)行處理； S4:根據(jù)選擇的測量方式，輪換激勵(lì)電極組，輪換相應(yīng)測量電極組，依次測得所有信號; S5 :當(dāng)相應(yīng)測量方式的所有激勵(lì)及測量組合完成后，根據(jù)所有信號完成被測物體在三維空間上的電阻抗圖像重構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的交叉平面電阻抗成像測量方法，其特征在于所述激勵(lì)信號通過發(fā)送指令給中央控制處理器所產(chǎn)生；所述激勵(lì)信號經(jīng)過信號預(yù)處理電路處理后轉(zhuǎn)換成模擬激勵(lì)信號再輸入到中央控制處理器中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的交叉平面電阻抗成像測量方法，其特征在于所述輸入激勵(lì)信號及測量方式采用以下三種組合來進(jìn)行 方式一以框體頂部的共用電極為激勵(lì)電流流出點(diǎn)，以其他測量電極依次作為為激勵(lì)電流流入點(diǎn)，測量流入點(diǎn)與相應(yīng)測量電極間的電壓值，依次輪流，最終得到所有電壓數(shù)據(jù)，作為重構(gòu)矩陣元素； 方式二 首先分別測量各水平電極層中的測量電極，測量時(shí)依次以兩個(gè)測量電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有相鄰測量電極間的電壓值；然后分別測量各豎直電極組中的測量電極，測量時(shí)依次以兩個(gè)相鄰測量電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有相鄰測量電極間的電壓值； 方式三以跨平面，跨電極的任意兩個(gè)電極作為激勵(lì)的兩端，分別測量其余所有測量電極的電壓值。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種能通過獲取物體表面電壓信息，特別涉及人體器官組織，如頭部，乳房等，能改善電場空間分布不均勻性，較好地重構(gòu)物體內(nèi)部三維電阻抗分布的裝置及方法。該方案從水平切面及垂直剖面上均可獲取電壓信息，分別對各切面上成像，進(jìn)而組合形成空間三維圖形；也可以通過對表面上任意接觸點(diǎn)進(jìn)行激勵(lì)，獲取其余任意位置間電壓，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)多種組合測量方式，實(shí)現(xiàn)多元算法拓展，提高圖像精度。該設(shè)計(jì)主要包括65個(gè)分布在半球面上的特殊電極；以高性能FPAG為核心，使得激勵(lì)源控制，數(shù)字頻率合成，多路復(fù)用控制，高速相敏檢波，快速傅立葉變換解調(diào)測量信號等功能集成在單一的芯片中的整體設(shè)計(jì)；能夠?qū)崿F(xiàn)針對被測物體的自適應(yīng)調(diào)節(jié)輸出阻抗的電路設(shè)計(jì)。
文檔編號A61B5/053GK102973269SQ201210566200
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者冉鵬, 何為, 徐征, 李松濃 申請人:重慶大學(xué)