一種空氣凈化裝置及空氣凈化方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種空氣凈化裝置，包括放電正極板、與放電正極板相對(duì)設(shè)置的放電負(fù)極板、連接放電正極板的一側(cè)與放電負(fù)極板的一側(cè)且具備絕緣功能的第一絕緣壁、連接放電正極板的另一側(cè)與放電負(fù)極板的另一側(cè)且具備絕緣功能的第二絕緣壁，放電正極板、放電負(fù)極板、第一絕緣壁與第二絕緣壁四者構(gòu)建組成氣體通道，氣體通道的一端為進(jìn)氣口，另一端為出氣口，放電正極板與放電負(fù)極板上均設(shè)置有多個(gè)放電尖端。本發(fā)明還提供了一種空氣凈化方法。本發(fā)明凈化裝置降低了除塵、消毒所需的高電壓，縮小了空氣凈化裝置的體積，實(shí)現(xiàn)了空氣凈化裝置的一體化、集成化、便攜化。
【專利說明】一種空氣凈化裝置及空氣凈化方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于空氣凈化【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種空氣凈化裝置及空氣凈化方法。
【背景技術(shù)】
[0002]空氣中存在各種可吸入塵埃、病毒等，而這些塵埃、病毒等不可避免的伴隨人的呼吸過程進(jìn)入人體，引起各種疾病、傳染病的發(fā)生。
[0003]目前空氣凈化裝置均采用過濾膜的方式來清除空氣中的可吸入塵埃，凈化效果較好，但是濾膜為耗材，而且 容易產(chǎn)生二次污染，更重要的是無法殺滅空氣中的病毒，而空氣消毒器一般采用負(fù)離子技術(shù)來實(shí)現(xiàn)空氣的消毒目的，二者的等效合一將大大增加空氣凈化裝置的體積，且負(fù)離子發(fā)生器需要高電壓來實(shí)現(xiàn)，不利于空氣凈化裝置的微型化、便攜化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種空氣凈化裝置，降低除塵、消毒所需的高電壓，縮小空氣凈化裝置的體積，實(shí)現(xiàn)空氣凈化裝置的一體化、集成化、便攜化。
[0005]本發(fā)明同時(shí)還要提供一種空氣凈化方法。
[0006]為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明采取的一種技術(shù)方案是:
一種空氣凈化裝置，包括放電正極板、與放電正極板相對(duì)設(shè)置的放電負(fù)極板、連接放電正極板的一側(cè)與放電負(fù)極板的一側(cè)且具備絕緣功能的第一絕緣壁、連接放電正極板的另一側(cè)與放電負(fù)極板的另一側(cè)且具備絕緣功能的第二絕緣壁，放電正極板、放電負(fù)極板、第一絕緣壁與第二絕緣壁四者構(gòu)建組成氣體通道，氣體通道的一端為進(jìn)氣口，另一端為出氣口，放電正極板與放電負(fù)極板上均設(shè)置有多個(gè)放電尖端。
[0007]優(yōu)選地，出氣口外設(shè)置有帶正電的集塵板，集塵板與出氣口之間設(shè)置有供空氣流通的縫隙。
[0008]進(jìn)一步優(yōu)選地，集塵板與氣體通道相垂直設(shè)置。
[0009]進(jìn)一步優(yōu)選地，集塵板為金屬板或附有金屬薄膜的硅基板。
[0010]優(yōu)選地，放電正極板采用P型硅襯底，放電負(fù)極板采用N型硅襯底。
[0011]優(yōu)選地，第一絕緣壁與第二絕緣壁的材料均為二氧化硅。
[0012]優(yōu)選地，每個(gè)放電尖端上覆蓋有金屬層。
[0013]優(yōu)選地，放電尖端為錐形。
[0014]優(yōu)選地，放電正極板上的多個(gè)放電尖端與放電負(fù)極板上的多個(gè)放電尖端相--對(duì)
應(yīng)設(shè)置。
[0015]本發(fā)明采取的又一技術(shù)方案是:
一種空氣凈化方法,包括:
(I)空氣由進(jìn)氣口進(jìn)入由放電正極板、放電負(fù)極板、第一絕緣壁與第二絕緣壁四者構(gòu)建組成氣體通道，放電正極板與放電負(fù)極板產(chǎn)生的負(fù)離子對(duì)空氣進(jìn)行消毒，消毒后的空氣由出氣口排出；
(2)排出后的經(jīng)過消毒的空氣與集塵板相接觸，并由帶正電的集塵板將附著有負(fù)離子的空氣塵埃進(jìn)行富集，凈化空氣；
(3 )凈化后的空氣經(jīng)由設(shè)置在集塵板與出氣口之間的縫隙排出。
[0016]本發(fā)明還要提供一種空氣凈化裝置制造方法，包括以下步驟:
(1)選用電阻率在8~10Ω.cm之間的N型硅襯底，在上面熱生長(zhǎng)一層SiO2層，然后光刻腐蝕窗口陣列，窗口尺寸為4X4um，窗口中心距為16um，采用濕法刻蝕，刻蝕至錐尖帽將要脫落為止，實(shí)現(xiàn)錐尖的形成，繼續(xù)對(duì)帶帽硅錐尖進(jìn)行氧化銳化處理，接著采用HF緩沖溶液去除硅尖表面的SiO2層，得到放電尖端，放電尖端濺射一層金屬層，即得放電負(fù)極板；
(2)選用P型硅襯底，以上述同樣的工藝制得放電正極板；
(3)采用靜電鍵合的方法，將步驟(2)制得的放電正極板、步驟(1)制得的放電負(fù)極板、第一絕緣壁與第二絕緣壁四者構(gòu)建組成氣體通道，氣體通道的一端為進(jìn)氣口，另一端為出氣口 ； (4)在步驟(3)中的氣體通道的出氣口外設(shè)置帶正電的集塵板，集塵板與出氣口之間設(shè)置有供空氣流通的縫隙，即得本發(fā)明空氣凈化裝置。
[0017]由于以上技術(shù)方案的采用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):
(I)本發(fā)明采用MEMS工藝，更加精準(zhǔn)的控制放電尖端的對(duì)應(yīng)效果，增加放電尖端陣列的個(gè)數(shù)，增強(qiáng)放電效果，增加負(fù)離子產(chǎn)生量，增強(qiáng)了空氣塵埃附著負(fù)離子的效果及消毒效果，同時(shí)增大了氣體通道。
[0018](2)本發(fā)明凈化裝置在氣體通道的出氣口外附加一塊集塵板，用于將附著有負(fù)離子的空氣塵埃富集，達(dá)到了凈化空氣塵埃的目的。
[0019](3)本發(fā)明凈化裝置放電正極板與放電負(fù)極板之間的放電尖端距離很小，降低了正放電負(fù)極板之間所需的電壓，達(dá)到了小電壓、強(qiáng)電場(chǎng)的目的，同時(shí)大大縮小了凈化裝置的體積，實(shí)現(xiàn)了凈化裝置的集成化、便攜化。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明的主視圖；
圖2為本發(fā)明的側(cè)向剖視圖；
圖3為本發(fā)明制備流程圖；
其中:1、放電正極板；2、放電負(fù)極板；3、第一絕緣壁；4、第二絕緣壁；5、氣體通道；6、進(jìn)氣口 ；7、出氣口 ；8、放電尖端；9、集塵板。
【具體實(shí)施方式】
[0021]以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例是用于說明本發(fā)明的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)，而本發(fā)明不受以下實(shí)施例的范圍限制。實(shí)施例中采用的實(shí)施條件可以根據(jù)具體要求做進(jìn)一步調(diào)整，未注明的實(shí)施條件通常為常規(guī)實(shí)驗(yàn)中的條件。
[0022]實(shí)施例1
如附圖1至附圖2所示，本發(fā)明空氣凈化裝置，包括放電正極板1、與放電正極板I相對(duì)設(shè)置的放電負(fù)極板2、連接放電正極板I的一側(cè)與放電負(fù)極板2的一側(cè)且具備絕緣功能的第一絕緣壁3、連接放電正極板I的另一側(cè)與放電負(fù)極板2的另一側(cè)且具備絕緣功能的第二絕緣壁4，放電正極板1、放電負(fù)極板2、第一絕緣壁3與第二絕緣壁4四者構(gòu)建組成氣體通道5,氣體通道5的一端為進(jìn)氣口 6,另一端為出氣口 7,放電正極板I與放電負(fù)極板2上均設(shè)置有多個(gè)錐形放電尖端8，放電正極板I上的多個(gè)放電尖端8與放電負(fù)極板2上的多個(gè)放電尖端8相一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，每個(gè)放電尖端8上覆蓋有金屬層，出氣口 7外設(shè)置有帶正電的集塵板9，集塵板9與出氣口 7之間設(shè)置有供空氣流通的縫隙，集塵板9與氣體通道5相垂直設(shè)置，其中，放電正極板采用P型硅襯底，放電負(fù)極板采用N型硅襯底，第一絕緣壁與第二絕緣壁的材料均為二氧化硅，集塵板為金屬板。
[0023]基于上述實(shí)施例中提供的空氣凈化裝置，本發(fā)明還提供了一種空氣凈化方法，包括:
(1)空氣由進(jìn)氣口進(jìn)入由放電正極板、放電負(fù)極板、第一絕緣壁與第二絕緣壁四者構(gòu)建組成氣體通道，放電正極板與放電負(fù)極板產(chǎn)生的負(fù)離子對(duì)空氣進(jìn)行消毒，消毒后的空氣由出氣口排出；
(2)排出后的經(jīng)過消毒的空氣與集塵板相接觸，并由帶正電的集塵板將附著有負(fù)離子的空氣塵埃進(jìn)行富集，凈化空氣；
(3 )凈化后的空氣經(jīng)由設(shè)置在集塵板與出氣口之間的縫隙排出。
[0024]基于上述實(shí)施例中 提供的空氣凈化裝置，本發(fā)明還提供了一種空氣凈化裝置制造方法，包括以下步驟:
(1)選用電阻率在8~10Ω.cm之間的N型硅襯底，在上面熱生長(zhǎng)一層IOOnm厚的SiO2層，然后光刻腐蝕窗口陣列，窗口尺寸為4 X 4um,窗口中心距為16um，采用濕法刻蝕，刻蝕至錐尖帽將要脫落為止，實(shí)現(xiàn)錐尖的形成，繼續(xù)對(duì)帶帽硅錐尖進(jìn)行氧化銳化處理，接著采用HF緩沖溶液去除硅尖表面的SiO2層，得到放電尖端，放電尖端濺射一層I μ m的金屬層，即得放電負(fù)極板；
(2)選用P型硅襯底，以上述同樣的工藝制得放電正極板；
(3)采用靜電鍵合的方法，將步驟(2)制得的放電正極板、步驟(1)制得的放電負(fù)極板、第一絕緣壁與第二絕緣壁四者構(gòu)建組成氣體通道，氣體通道的一端為進(jìn)氣口，另一端為出氣口 ；
(4)在步驟(3)中的氣體通道的出氣口外設(shè)置帶正電的集塵板，集塵板與出氣口之間設(shè)置有供空氣流通的縫隙，即得本發(fā)明空氣凈化裝置。
[0025]實(shí)施例2
本實(shí)施例空氣凈化裝置與實(shí)施例1的區(qū)別在于集塵板為附有金屬薄膜的硅基板，其余均與實(shí)施例1相同。
[0026]本實(shí)施例空氣凈化方法與空氣凈化裝置制造方法與實(shí)施例1相同。
[0027]以上對(duì)本發(fā)明做了詳盡的描述，實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，其目的在于讓熟悉此領(lǐng)域技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種空氣凈化裝置，其特征在于:包括放電正極板、與所述放電正極板相對(duì)設(shè)置的放電負(fù)極板、連接所述放電正極板的一側(cè)與所述放電負(fù)極板的一側(cè)且具備絕緣功能的第一絕緣壁、連接所述放電正極板的另一側(cè)與所述放電負(fù)極板的另一側(cè)且具備絕緣功能的第二絕緣壁，所述放電正極板、放電負(fù)極板、第一絕緣壁與第二絕緣壁四者構(gòu)建組成氣體通道，所述氣體通道的一端為進(jìn)氣口，另一端為出氣口，所述放電正極板與所述放電負(fù)極板上均設(shè)置有多個(gè)放電尖端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣凈化裝置，其特征在于:所述出氣口外設(shè)置有帶正電的集塵板，所述集塵板與所述出氣口之間設(shè)置有供空氣流通的縫隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空氣凈化裝置，其特征在于:所述集塵板與所述氣體通道相垂直設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空氣凈化裝置，其特征在于:所述集塵板為金屬板或附有金屬薄膜的硅基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣凈化裝置，其特征在于:所述放電正極板采用P型硅襯底，所述放電負(fù)極板采用N型硅襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣凈化裝置，其特征在于:所述第一絕緣壁與第二絕緣壁的材料均為二氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣凈化裝置，其特征在于:每個(gè)所述放電尖端上覆蓋有金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣凈化裝置，其特征在于:所述放電尖端為錐形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣凈化裝置，其特征在于:所述放電正極板上的多個(gè)放電尖端與所述放電負(fù)極板上的多個(gè)放電尖端相對(duì)應(yīng)設(shè)置。
10.一種空氣凈化方法，其特征在于:包括: (1)空氣由進(jìn)氣口進(jìn)入由所述放電正極板、放電負(fù)極板、第一絕緣壁與第二絕緣壁四者構(gòu)建組成氣體通道，所述放電正極板與所述放電負(fù)極板產(chǎn)生的負(fù)離子對(duì)空氣進(jìn)行消毒，消毒后的空氣由出氣口排出； (2)排出后的經(jīng)過消毒的空氣與所述集塵板相接觸，并由帶正電的集塵板將附著有負(fù)離子的空氣塵埃進(jìn)行富集，凈化空氣； (3)凈化后的空氣經(jīng)由設(shè)置在所述集塵板與所述出氣口之間的縫隙排出。
【文檔編號(hào)】A61L9/22GK103933600SQ201410136697
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月8日
【發(fā)明者】梁鳳飛, 孫吉勇, 沈瑋棟, 唐紅陽, 周大農(nóng) 申請(qǐng)人:江蘇蘇凈集團(tuán)有限公司