專利名稱：低溫共燒介質(zhì)陶瓷制備方法及其材料和燒結(jié)助劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及介質(zhì)陶瓷材料領(lǐng)域，特別涉及一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料及其燒結(jié)助劑和采用上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料制備低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，電子線路的微型化、輕量化、集成化和高頻化對電子組件提出了小尺寸、高頻率、高可靠性和高集成度的要求，在眾 多微電子集成和組件整合技術(shù)中，低溫共燒陶瓷已經(jīng)成為目前電子組件集成化的主流方式。低溫共燒陶瓷(Low-temperature cofired ceramic,簡稱LTCC)技術(shù)就是將低溫燒結(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶，作為電路基板材料，在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿、精密導體漿料印刷等工藝制出所需要的電路圖形，并將多個無源元件埋入其中，然后疊壓在一起，在900°C燒結(jié)，制成三維電路網(wǎng)絡的無源集成組件，也可制成內(nèi)置無源元件的三維電路基板，在其表面可以貼裝IC和有源器件，制成無源/有源集成的功能模塊。LTCC最先由美國的休斯公司于1982年研制成功，其將陶瓷介質(zhì)材料經(jīng)流延獲得的生瓷帶疊壓在一起而制成的多層電路，內(nèi)有印制互連導體、無源元件和電路，并將該結(jié)構(gòu)燒結(jié)成一個集成式陶瓷多層材料。LTCC的生瓷帶利用常規(guī)的流延方法制備，把生瓷帶切成大小合適的尺寸，打出對準孔和內(nèi)腔，互連通孔采用激光打孔或機械鉆孔形成。將導體連同所需要的電阻器、電容器和電感器網(wǎng)印或光刻到各層陶瓷片上。然后各層瓷片對準、疊層、靜壓并在850°C左右共燒。制成三維電路網(wǎng)絡的無源集成組件，也可制成內(nèi)置無源組件的三維電路基板，在其表面可以貼裝IC和有源器件，制成無源/有源集成的功能模塊。利用現(xiàn)有的厚膜電路生產(chǎn)技術(shù)裝配基板和進行表面安裝。由于燒結(jié)溫度低，可以采用銀、銅等高電導率的材料作為互連材料，特別適合高頻電路使用。LTCC產(chǎn)品的應用領(lǐng)域很廣泛，如各種制式的手機、藍牙模塊、CPS、PDA、數(shù)碼相機、WLAN、汽車電子、光驅(qū)等。目前，LTCC技術(shù)最常被應用于手機的射頻系統(tǒng)上，射頻器件的基本單元——諧振器的長度與材料的介電常數(shù)的平方根成反比，所以當器件的工作頻率較低時(如數(shù)百兆赫茲)，如果用介電常數(shù)低的材料，器件尺寸將大得無法使用。由此可見，介電常數(shù)是LTCC材料較關(guān)鍵的性能，最好能使介電常數(shù)系列化以適用于不同工作頻率的需要。目前，國內(nèi)外制備低溫燒結(jié)陶瓷介質(zhì)材料一般采用的方法有1.在陶瓷粉料中添加玻璃混合物來作為燒結(jié)助劑，此方法生產(chǎn)工藝簡單，容易控制，但要把燒結(jié)溫度降到850°C左右，必須加入較大比例的該種燒結(jié)助劑，由于燒結(jié)助劑太多而容易引起材料電性能劣化，難以獲得性能良好的低溫燒結(jié)陶瓷介質(zhì)材料；2、通過高溫溶融的方法來獲得具有良好助溶效果的玻璃粉，在陶瓷粉料中添加這種玻璃粉作為燒結(jié)助劑，容易實現(xiàn)低溫燒結(jié)的目的，同時也能保證陶瓷介質(zhì)材料的良好介電性能，但該方法能耗較高，且生產(chǎn)工藝復雜，對生產(chǎn)設備及過程控制要求較高
發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種能夠提高低溫共燒介質(zhì)陶瓷的介電性能的燒結(jié)助劑及低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料及低溫共燒介質(zhì)陶瓷制備方法。—種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑，按質(zhì)量百分比，包括409Γ55%的二氧化硅、5% 16%的氧化硼、12°/Γ17%的氧化鋅、5°/Γ 5%的氧化鋁、3% 10%氧化鋰、0 5%的氧化銅、(Γ5%的四氧化三鈷及3°/Γ8%的通式為R2O3的氧化物；其中，R為鑭、釹、釤及鏑中的至少一種。在其中一個實施例中，所述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑包括47°/Γ55%的二氧化硅、5°/Γ 6%的氧化硼、129Γ16. 5%的氧化鋅、59Γ12. 2%的氧化鋁、3°/Γ 9%的氧化鋰、O. 5 5%的氧化銅、(Γ5%的四氧化三鈷及39Γ7. 5%的通式為R2O3的氧化物。一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，按質(zhì)量百分比，包括55°/Γ75%的鈦酸鹽、22°/Γ42%的上述燒結(jié)助劑及2°/Γ Ο%的改性劑；
其中，按質(zhì)量百分比，所述鈦酸鹽包括72% 90%的ZrvxMgxTiO3和10% 28%的Ba2Ti9O11,其中，O. 03 ^ X ^ O. 3 ;所述改性劑為二氧化鈦、二氧化錳、二氧化鋯、三氧化二鉍及五氧化二鈮中的至少一種。 在其中一個實施例中，包括58°/Γ75%的鈦酸鹽、22°/Γ38%的燒結(jié)助劑及2%飛％的改性劑。一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，包括如下步驟制備鈦酸鹽，按質(zhì)量百分比，所述鈦酸鹽包括72°/Γ90%的ZrvxMgxTiO3和10°/Γ28%的 Ba2Ti9O11,其中，O. 03 ^ X ^ O. 3 ；按照質(zhì)量百分比為55% 75%的所述鈦酸鹽、22°/Γ42%的上述燒結(jié)助劑及2% 10%的改性劑稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料；其中，所述改性劑為二氧化鈦、二氧化錳、二氧化鋯、三氧化二鉍及五氧化二鈮中的至少一種；及將所述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料成型，并在溫度為830°C 95(TC中保溫30分鐘 120分鐘進行燒結(jié)，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷。在其中一個實施例中，制備所述鈦酸鹽的方法為固相合成法；其中，制備所述鈦酸鹽包括如下步驟以亞微米級的氧化鋅、氧化鎂、碳酸鋇及二氧化鈦為原材料，按照所述鈦酸鹽中ZrvxMgxTiO3和Ba2Ti9O11的質(zhì)量百分比分別為72°/Γ90%和10°/Γ28%進行配料；及按照所述原材料的總質(zhì)量與去離子水的質(zhì)量比為1:1. 6^1. 8進行混合，經(jīng)球磨混合后，在溫度為900°C 1050°C中煅燒I小時I小時，得到所述鈦酸鹽。在其中一個實施例中，制備所述燒結(jié)助劑包括如下步驟以氯化鋁、氯化銅、氯化鈷及R的氯化物為原材料，分別配制成水溶液，并按照所述燒結(jié)助劑中所述氧化鋁、氧化銅、四氧化三鈷及通式為R2O3的氧化物的質(zhì)量百分比進行混合得到混合溶液，然后加入沉淀劑，采用化學共沉淀法生成前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅、氧化鋅、碳酸鋰、硼酸為原料，按照所述燒結(jié)助劑中所述二氧化硅、氧化鋅、氧化鋰、氧化硼的質(zhì)量百分比將所述二氧化硅、氧化鋅、碳酸鋰、硼酸與所述前驅(qū)體沉淀物混合，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到所述燒結(jié)助劑。在其中一個實施例中，所述沉淀劑為碳酸氫銨、碳酸鉀、氫氧化鉀、碳酸氫鉀、碳酸鈉、氫氧化鈉及碳酸氫鈉中的一種。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑用于低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料能夠降低低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)溫度，使低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料能在830°C、50°C的溫度下進行燒結(jié)；由于R2O3是一類具有高表面活性的氧化物，利用R2O3具有提高玻璃的斷裂韌性、導熱性、耐酸性的特點，并且對降低玻璃的介電損耗值、調(diào)整玻璃的介電-溫度特性具有明顯效果，上述配方的燒結(jié)助劑能促進鈦酸鹽陶瓷在燒結(jié)過程中晶粒的細化，增加晶界數(shù)量，提高燒結(jié)致密度，從而改善低溫共燒介質(zhì)陶瓷的絕緣、耐壓、介電損耗等性能，并具有高可靠性，且使得使用上述燒結(jié)助劑的低溫共燒介質(zhì)陶瓷能匹配銀等低熔點金屬導體，滿足低溫共燒介質(zhì)陶瓷多層線路基板等LTCC器件的應用需求。


圖I為一實施方式的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法的流程圖。
具體實施方式
下面主要結(jié)合附圖及具體實施例對低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料及其燒結(jié)助劑和低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法作進一步詳細的說明。一實施方式的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，按質(zhì)量百分比，包括55% 75%的鈦酸鹽、22°/Γ42%的燒結(jié)助劑及2°/Γ Ο%的改性劑。優(yōu)選地，按質(zhì)量百分比，低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料包括58°/Γ75%的鈦酸鹽、22°/Γ38%的燒結(jié)助劑及2%飛％的改性劑。其中，按質(zhì)量百分比，鈦酸鹽包括72°/Γ90% 的 ZrvxMgxTiOJP 10°/Γ28% 的 Ba2Ti9O11,其中，O. 03彡X彡O. 3。ZnTiO3是一種性能優(yōu)良的材料，但由于其成瓷溫度范圍太窄而難以推廣使用，通過用少量Mg取代Zn組成Zn-Mg-Ti化合物ZrvxMgxTiO3,能使低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的成瓷溫度范圍拓寬，易于控制燒結(jié)溫度來獲得性能良好的陶瓷體。且Ba-Ti系陶瓷介質(zhì)材料的性能優(yōu)異，介電常數(shù)適中(約等于40)，介電損耗低(小于O. 02%)，且燒結(jié)溫度范圍較寬。將ZrvxMgxTiO3和Ba2Ti9O11按質(zhì)量百分比分別為72°/Γ90%和10°/Γ28%的配比組合作為“陶瓷”部分，使介電常數(shù)L (20°C，lMHz)達到25 31，并保證低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料具有優(yōu)良的介電性能。其中，按質(zhì)量百分比，燒結(jié)助劑包括40°/Γ55%的二氧化硅(SiO2)、5°/Γ 6%的氧化硼(B2O3)>12%" 17%的氧化鋅(ZnO)、5% 15%的氧化鋁(Al2O3)、3% 10%的氧化鋰(Li20)、0 5%的氧化銅(Cu0)、(T5%的四氧化三鈷(Co3O4)及3°/Γ8%的通式為R2O3的氧化物。優(yōu)選地，按質(zhì)量百分比，燒結(jié)助劑包括47% 55%的二氧化硅(SiO2)、5% 16%的氧化硼(B2O3)、12% 16. 5%的氧化鋅(ZnO)、5% 12· 2%的氧化鋁(Al2O3)、3% 19%氧化鋰(Li20)、0. 5 5%的氧化銅(CuO)、(Γ5%的四氧化三鈷(Co3O4)及39Γ7. 5%的通式為R2O3的氧化物。其中，R為鑭(La)、釹(Nd)、釤(Sm)及鏑(Dy)中的至少一種。該配方的燒結(jié)助劑用于低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料不僅能夠降低低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)溫度，使低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料能在830°C、50°C的溫度下進行燒結(jié)，有利于采用低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料加工成基板。由于R2O3是一類具有高表面活性的氧化物，利用R2O3具有提高玻璃的斷裂韌性、導熱性、耐酸性的特點，并且對降低玻璃的介電損耗值、調(diào)整玻璃的介電-溫度特性具有明顯效果，上述配方的燒結(jié)助劑能促進鈦酸鹽陶瓷在燒結(jié)過程中晶粒的細化，增加晶界數(shù)量，提高燒結(jié)致密度，從而改善低溫共燒介質(zhì)陶瓷的絕緣、耐壓、介電損耗等性能，并具有高可靠性，且使得使用上述燒結(jié)助劑的低溫共燒介質(zhì)陶瓷能匹配銀等低熔點金屬導體，滿足低溫共燒介質(zhì)陶瓷多層線路基板等LTCC器件的應用需求。其中，改性劑為二氧化鈦(Ti02)、二氧化錳(Μη02)、二氧化鋯(Zr02)、三氧化二鉍(Bi2O3)及五氧化二銀(Nb2O5)中的至少一種。加入改性劑可進一步改善玻璃組分的性能,有效地抑制在燒結(jié)過程中玻璃組分的再結(jié)晶，防止燒結(jié)后陶瓷介質(zhì)材料的介電性能的劣化；另一方面可對陶瓷介質(zhì)材料的溫度系數(shù)進行微調(diào)，以達到設計的要求。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，包括鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑，上述鈦酸鹽中的ZrvxMgxTiO3能夠拓寬低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的成瓷溫度范圍，而鈦酸鹽中的Ba2Ti9O11的介電損耗低(小于O. 02%)，且燒結(jié)溫度范圍較寬，將ZrvxMgxTiO3和Ba2Ti9O11按質(zhì)量百分比分別為72% 90%和10% 28%的配比組合作為“陶瓷”部分，使介電常數(shù)ε r (20。。，IMHz)達到25 31，保證低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料具有優(yōu)良的介電性能；燒結(jié)助劑中上述配比的二氧化娃(Si02)、氧化硼(B203)、氧化鋅(ZnO)、氧化招(Al2O3)、氧化鋰(Li20)、氧化銅(CuO)、 四氧化三鈷(Co3O4)及通式為R2O3的氧化物，能夠降低低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)溫度，使低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料能在830°C、50°C的溫度下進行燒結(jié)，有利于采用低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料加工成多層線路基板；加入上述改性劑能夠進一步改善低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中的玻璃組分的性能，有效地抑制在燒結(jié)過程中玻璃組分的再結(jié)晶，防止燒結(jié)后介質(zhì)陶瓷材料的介電性能劣化，另一方面可對低溫共燒介質(zhì)陶瓷的溫度系數(shù)進行微調(diào)；而上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料將上述鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑按照質(zhì)量百分比分別為55°/Γ75%、229Γ42%及29TlO%的配比在830°C、50°C的溫度下進行燒結(jié)，也能夠有效的提高低溫共燒介質(zhì)陶瓷的介電性能。如圖I所示，一實施方式的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，包括如下步驟步驟SllO :制備鈦酸鹽。按質(zhì)量百分比，鈦酸鹽包括72°/Γ90%的ZrvxMgxTiO3和10% 28% 的 Ba2Ti9O11,其中，O. 03 彡 X 彡 O. 3。其中，制備鈦酸鹽的方法為固相合成法。且制備鈦酸鹽包括如下步驟以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中ZrvxMgxTiO3和Ba2Ti9O11的質(zhì)量百分比分別為72°/Γ90%和10°/Γ28%進行配料；然后，按照原材料的總質(zhì)量與去離子水的質(zhì)量比為1:1. 6^1. 8進行混合，經(jīng)球磨混合后，在溫度為900°C 1050°C中煅燒I小時小時，得到鈦酸鹽。步驟S120 :按照質(zhì)量百分比為55% 75%的鈦酸鹽、22% 42%的燒結(jié)助劑及2% 10%的改性劑稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。其中，改性劑為二氧化鈦(Ti02)、二氧化錳(Μη02)、二氧化鋯(Zr02)、三氧化二鉍(Bi2O3)及五氧化二鈮(Nb2O5)中的至少一種。其中，按質(zhì)量百分比，燒結(jié)助劑包括40°/Γ55%的二氧化硅(SiO2)、5°/Γ 6%的氧化硼(B2O3)>12%" 17%的氧化鋅(ZnO)、5% 15%的氧化鋁(Al2O3)、3% 10%的氧化鋰(Li20)、0 5%的氧化銅(Cu0)、(T5%的四氧化三鈷(Co3O4)及3°/Γ8%的通式為R2O3的氧化物，且R為鑭(La)、釹(Nd)、釤(Sm)及鏑(Dy)中的至少一種。其中，制備燒結(jié)助劑包括如下步驟以氯化鋁(A1C13)、氯化銅(CuCl2)、氯化鈷(CoCl2)及R的氯化物為原材料，分別配置成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中氧化鋁(Al2O3)、氧化銅(CuO)、四氧化三鈷(Co3O4)及通式為R2O3的氧化物的質(zhì)量百分比進行混合得到混合溶液，然后加入沉淀劑，采用化學共沉淀法生成前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3)為原料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比將二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2CO3)、硼酸(H3BO3)與前驅(qū)體沉淀物混合，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到燒結(jié)助劑。其中，煅燒溫度為680°C。上述燒結(jié)助劑中加入R2O3,并采用化學共沉淀法制備具有納米級顆粒的混合氧化物，形成納米摻雜，更加能促進鈦酸鹽陶瓷在燒結(jié)過程中晶粒的細化，增加晶界數(shù)量，提高燒結(jié)致密度，從而更好地改善低溫共燒介質(zhì)陶瓷的絕緣、耐壓、介電損耗等性能，提聞可罪性。其中，沉淀劑為本領(lǐng)域常用的沉淀劑，沉淀劑可以為碳酸氫銨(NH4HC03)、碳酸鉀(K2C03)、氫氧化鉀(Κ0Η)、碳酸氫鉀(K H C03)、碳酸鈉(Na2C03)、氫氧化鈉(NaOH)及碳酸氫鈉(NaHCO3)中的一種。其中，混合物料經(jīng)球磨后的平均粒徑小于2. 5微米。
步驟S130 :將低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料成型，并在溫度為830°C、50°C中保溫30分鐘 120分鐘進行燒結(jié)，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷。其中，低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料成型的方法可以為干壓成型或流延成型。其中，干壓成型法的步驟包括在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進行造粒，在5MPa 15MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C 450°C排膠后，進行燒結(jié)。其中，流延成型法的步驟包括在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入膠粘劑聚乙烯醇縮丁醛(PVB)及溶劑，混磨制成漿料，經(jīng)流延成型制成生瓷帶，得到的生瓷帶經(jīng)疊層、靜壓及切割后，經(jīng)350°C 450°C排膠后，進行燒結(jié)。其中，溶劑為甲苯與無水乙醇的混合液。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法簡單，制備出的低溫共燒介質(zhì)陶瓷具有較低的燒結(jié)溫度和較寬的燒結(jié)溫度范圍，為830°C、50°C，不僅便于精確控制低溫共燒介質(zhì)陶瓷的收縮率，解決了低溫共燒介質(zhì)陶瓷在燒結(jié)過程中的翹曲和開裂問題，從而能夠明顯提高成品率，保證質(zhì)量；且由于其較寬、且較低的燒結(jié)溫度范圍，使得采用上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法能夠?qū)崿F(xiàn)與全銀導電漿料的匹配。以下為具體實施例部分，其中，采用激光粒徑分析儀檢測漿料中的物質(zhì)的粒徑。實施例I本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。本實施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中Zna97Mga Cl3TiOjP Ba2Ti9O11的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照原材料的總質(zhì)量與去離子水的質(zhì)量比為I: I. 6進行混合，經(jīng)球磨混合、干燥后，在溫度為1050°C中煅燒4小時，得到鈦酸鹽。(2)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化鈷(CoCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化釹(NdCl3)原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進行混合，然后加入碳酸鈉(Na2CO3),采用化學共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、680°C煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進行造粒，在5MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)350°C排膠后，在溫度為830°C中保溫120分鐘進行燒結(jié)，得到本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能。
實施例2本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。本實施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中Zna89Mga21TiOjP Ba2Ti9O11的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照原材料的總質(zhì)量與去離子水的質(zhì)量比為I: I. 8進行混合，經(jīng)球磨混合、干燥后，在溫度為900°C中煅燒4小時，得到鈦酸鹽。(2)制備燒結(jié)助劑以氯化招(AlCl3)、氯化銅(CuCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進行混合，然后加入碳酸氫銨(NH4HCO3),采用化學共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、碳酸鋰(Li2CO3)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、680°C煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入膠粘劑聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、甲苯及無水乙醇，混磨制成漿料，經(jīng)流延成型制成生瓷帶，得到的生瓷帶經(jīng)疊層、靜壓及切割后，在450°C排膠，在溫度為950°C中保溫30分鐘進行燒結(jié)，得到本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后測試其介電性能。實施例3本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。本實施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中Zna85Mgai5TiOjPBa2Ti9O11的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照質(zhì)量比為I: I. 8在原材料中加入去離子水，經(jīng)球磨混合、干燥后，在溫度為1000°C中煅燒2小時，得到鈦酸鹽。
(2)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化銅(CuCl2)、氯化鈷(CoCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進行混合，然后加入碳酸鉀(K2CO3),采用化學共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、碳酸鋰(Li2CO3)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、680 V煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進行造粒，在15MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)400°C排膠后，在溫度為900°C中保溫60分鐘進行燒結(jié)，得到本實施例的低溫 共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能。實施例4本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。本實施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中Zna82Mgai8TiOjP Ba2Ti9O11的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照質(zhì)量比為I: I. 6在原材料中加入去離子水，經(jīng)球磨混合、干燥后，在溫度為920°C中煅燒2. 5小時，得到鈦酸鹽。(2)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化銅(CuCl2)、氯化鈷(CoCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化鏑(DyCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進行混合，然后加入氫氧化鉀(Κ0Η)，采用化學共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、碳酸鋰(Li2CO3)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、680 V煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入膠粘劑聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、甲苯及無水乙醇，混磨制成漿料，經(jīng)流延成型制成生瓷帶，得到的生瓷帶經(jīng)疊層、靜壓及切割后，在400°C排膠，在溫度為830°C中保溫50分鐘進行燒結(jié)，得到本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后測試其介電性能。實施例5本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。
本實施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中Zna8Mga2TiOjPBa2Ti9O11的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照質(zhì)量比為1:1. 7在原材料中加入去離子水，經(jīng)球磨混合、干燥后，在溫度為950°C中煅燒3. 5小時，得到鈦酸鹽。(2)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化銅(CuCl2)、氯化鈷(CoCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化釹(NdCl3)、氯化釤(SmCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進行混合，然后加入沉淀劑碳酸鈉(NaCO3),采用化學共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、680°C煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混 合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進行造粒，在8MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)370°C排膠后，在溫度為830°C中保溫100分鐘進行燒結(jié)，得到本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能。實施例6本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。本實施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中Zna76Mga24TiOjP Ba2Ti9O11的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照質(zhì)量比為I: I. 6在原材料中加入去離子水，經(jīng)球磨混合、干燥后，在溫度為960°C中煅燒3. 2小時，得到鈦酸鹽。(2)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化銅(CuCl2)、氯化鈷(CoCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化釹(NdCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，并按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進行混合，然后加入碳酸氫鉀(KHCO3),采用化學共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、680 V煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入膠粘劑聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、甲苯及無水乙醇的混合溶液，混磨制成漿料，經(jīng)流延成型制成生瓷帶，得到的生瓷帶經(jīng)疊層、靜壓及切割后，在420°C排膠，在溫度為920°C中保溫40分鐘進行燒結(jié)，得到本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后測試其介電性能。實施例7本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。本實施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中Zna72Mga28TiOjPBa2Ti9O11的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照質(zhì)量比為I: I. 8在原材料中加入去離子水，經(jīng)球磨混合、干燥后，在溫度為1000°C中煅燒2小時，得到鈦酸鹽。 (2)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化銅(CuCl2)、氯化鈷(CoCl2)、氯化鑭(LaCl3)、氯化釹(NdCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進行混合，然后加入碳酸氫鈉(NaHCO3),采用化學共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、680 V煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進行造粒，在15MPa的壓力下干壓成型，經(jīng)400°C排膠后，在溫度為900°C中保溫60分鐘進行燒結(jié)，得到本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后，測試其介電性能。實施例8本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。本實施例低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以亞微米級的氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、碳酸鋇(BaCO3)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鹽中Zna7Mga3TiOjPBa2Ti9O11的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照質(zhì)量比為I: I. 6在原材料中加入去離子水，經(jīng)球磨混合、干燥后，在溫度為920°C中煅燒2. 5小時，得到鈦酸鹽。(2)制備燒結(jié)助劑以氯化鋁(AlCl3)、氯化銅(CuCl2)、氯化鈷(CoCl2)、氯化釤(SmCl3)為原材料，將各原材料分別配制成水溶液，按照燒結(jié)助劑中各組份的質(zhì)量百分比進行混合，然后加入氫氧化鈉(NaOH)，采用化學共沉淀法生成各組份的前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、碳酸鋰(Li2CO3)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化娃(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鋰(Li20)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比加入二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ΖηΟ)、碳酸鋰(Li2C03)、硼酸(H3BO3),攪拌均勻，經(jīng)干燥、680°C煅燒后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入膠粘劑聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、甲苯及無水乙醇，混磨制成漿料，經(jīng)流延成型制成生瓷帶，得到的生瓷帶經(jīng)疊層、靜壓及切割后，在400°C排膠，在溫度為830°C中保溫50分鐘進行燒結(jié)，得到本實施例的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在本實施例制備的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后測試其介電性能。對比例
傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的組成見表I、表2及表3。傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備如下(I)制備鈦酸鹽以氧化鋅(ZnO)及二氧化鈦(TiO2)為原材料，按照鈦酸鋅(ZnTiO3)的質(zhì)量百分比進行配料；然后，按照質(zhì)量比為1:1. 2在原材料中加入去離子水，經(jīng)球磨、干燥后，在溫度為800°C中煅燒2. 5小時，得到鈦酸鋅。(2)制備燒結(jié)助劑以二氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、硼酸(H3BO3)為原材料，按照燒結(jié)助劑中二氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)的質(zhì)量百分比稱量各原材料，混合均勻后，裝入白金坩堝中，在溫度為1280°C中保溫90分鐘熔融成液相，然后經(jīng)淬火，粉碎后，得到燒結(jié)助劑。(3)按照鈦酸鹽、燒結(jié)助劑及改性劑的質(zhì)量百分比稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨，測得球磨后的混合物料的平均粒徑小于2. 5微米，然后干燥得到傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料。(4)在傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料中加入聚乙烯醇(PVA)進行造粒，在IOMPa的壓力下干壓成型，經(jīng)400°C排膠后，在溫度為900°C中保溫120分鐘進行燒結(jié)，得到對比例的傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷。電性能測試，在對比例制備的傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷進行涂銀、燒銀、清洗后測試其電性能。表I表示的是實施例f實施例8的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的質(zhì)量百分比的組成及對比例的傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的質(zhì)量百分比的組成。表2表示的是實施例f實施例8的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的鈦酸鹽的質(zhì)量百分比的組成及對比例的傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的質(zhì)量百分比的組成。表3表示的是實施例f實施例8的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)助劑的質(zhì)量百分比的組成及對比例的傳統(tǒng)的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料的質(zhì)量百分比的組成。表I
權(quán)利要求
1.一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑，其特征在于，按質(zhì)量百分比，包括40% 55%的二氧化硅、5% 16%的氧化硼、12% 17%的氧化鋅、5% 15%的氧化鋁、3% 10%氧化鋰、(Γ5%的氧化銅、(Γ5%的四氧化三鈷及3°/Γ8%的通式為R2O3的氧化物；其中，R為鑭、釹、釤及鏑中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑，其特征在于，包括47% 55%的二氧化硅、5% 16%的氧化硼、129Γ16. 5%的氧化鋅、5% 12. 2%的氧化鋁、3% 19%氧化鋰、O. 5 5%的氧化銅、0 5%的四氧化三鈷及39Γ7. 5%的通式為R2O3的氧化物。
3.—種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，其特征在于，按質(zhì)量百分比，包括:55% 75%的鈦酸鹽、22°/Γ42%的如權(quán)利要求I所述的燒結(jié)助劑及2°/Γ Ο%的改性劑； 其中，按質(zhì)量百分比，所述鈦酸鹽包括72°/Γ90%的ZrvxMgxTiO3和10°/Γ28%的Ba2Ti9O11,其中，0. 03 < X < O. 3 ;所述改性劑為二氧化鈦、二氧化猛、二氧化錯、三氧化二秘及五氧化二鈮中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料，其特征在于，包括58°/Γ75%的鈦酸鹽、22% 38%的燒結(jié)助劑及2% 6%的改性劑。
5.一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 制備鈦酸鹽；按質(zhì)量百分比，所述鈦酸鹽包括72% 90%的ZrvxMgxTiO3和10% 28%的Ba2Ti9O11,其中，O. 03 彡 X 彡 O. 3 ; 按照質(zhì)量百分比為559Γ75%的所述鈦酸鹽、229Γ42%的如權(quán)利要求I所述的燒結(jié)助劑及2% 10%的改性劑稱取各組分，加入水混合得到混合物料，經(jīng)球磨、干燥后，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料；其中，所述改性劑為二氧化鈦、二氧化錳、二氧化鋯、三氧化二鉍及五氧化二鈮中的至少一種；及 將所述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料成型，并在溫度為830°C、50°C中保溫30分鐘 120分鐘進行燒結(jié)，得到低溫共燒介質(zhì)陶瓷。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，制備所述鈦酸鹽的方法為固相合成法；其中，制備所述鈦酸鹽包括如下步驟 以亞微米級的氧化鋅、氧化鎂、碳酸鋇及二氧化鈦為原材料，按照所述鈦酸鹽中ZrvxMgxTiO3和Ba2Ti9O11的質(zhì)量百分比為72% 90%和10% 28%進行配料；及 按照所述原材料的總質(zhì)量與去離子水的質(zhì)量比為I : I. 6^1. 8進行混合，經(jīng)球磨混合后，在溫度為900°C 1050°C中煅燒I小時I小時，得到所述鈦酸鹽。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，制備所述燒結(jié)助劑包括如下步驟以氯化鋁、氯化銅、氯化鈷及R的氯化物為原材料，分別配置成水溶液，并按照所述燒結(jié)助劑中所述氧化鋁、氧化銅、四氧化三鈷及通式為R2O3的氧化物的質(zhì)量百分比進行混合得到混合溶液，然后加入沉淀劑，采用化學共沉淀法生成前軀體沉淀物，經(jīng)過濾、洗滌后，以二氧化硅、氧化鋅、碳酸鋰、硼酸為原料，按照所述燒結(jié)助劑中所述二氧化硅、氧化鋅、氧化鋰、氧化硼的質(zhì)量百分比將所述二氧化硅、氧化鋅、碳酸鋰、硼酸與所述前驅(qū)體沉淀物混合，攪拌均勻，經(jīng)干燥、煅燒后，得到所述燒結(jié)助劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述沉淀劑為碳酸氫銨、碳酸鉀、氫氧化鉀、碳酸氫鉀、碳酸鈉、氫氧化鈉及碳酸氫鈉中的一種。
全文摘要
一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑，按質(zhì)量百分比，包括40%~55%的二氧化硅、5%~16%的氧化硼、12%~17%的氧化鋅、5%~15%的氧化鋁、3%~10%氧化鋰、0~5%的氧化銅、0~5%的四氧化三鈷及3%~8%的通式為R2O3的氧化物；其中，R為鑭、釹、釤及鏑中的至少一種。上述低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料用燒結(jié)助劑能夠使低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料在830℃~950℃的溫度下進行燒結(jié)，并有效地提高低溫共燒介質(zhì)陶瓷的介電性能。此外，還要提供一種低溫共燒介質(zhì)陶瓷材料及低溫共燒介質(zhì)陶瓷的制備方法。
文檔編號C04B35/622GK102875159SQ20121035643
公開日2013年1月16日 申請日期2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月20日
發(fā)明者張火光, 肖澤棉, 唐浩, 宋永生, 吳海斌, 莫方策, 張彩云, 葉向紅 申請人:廣東風華高新科技股份有限公司