專利名稱：一種移位寄存器及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種移位寄存器及顯示裝置。
背景技術：
GOA (Gate Drive on Array，柵極集成驅動)，是指將LCD (Liquid CrystalDisplay, 液晶顯示)面板的柵極驅動集成在玻璃基板上。然后GOA電路與陣列基板的柵線連接，作為移位寄存器控制柵線信號。將相比傳統的COF(ChipOn Film，覆晶薄膜)和C0G(Chip On Glass，直接綁定玻璃上)工藝，GOA技術不僅節省了成本，而且可以將面板做得兩邊對稱， 實現窄邊框的設計，對產能和良率提升也較有利。但是，GOA的設計也存在一定的問題，其電路中的三極管的寄生電容會導致有較大的功耗和噪聲，而且陣列基板作為輸出負載很大，從而使得輸出信號延遲變形。圖1為每一級GOA電路的連接關系，由于第N-I行GOA單元的輸出端連接第N行 GOA單元的輸入端，第N行GOA單元的輸出端連接第N+1行GOA單元的輸入端，因此上一行的信號變形直接影響到下一行的輸出信號的質量。當很多GOA單元級聯時，信號的變形就會持續惡化，從而導致GOA的輸出信號嚴重變形，甚至不能輸出。

實用新型內容本實用新型實施例提供的一種移位寄存器及顯示裝置，可以降低柵極集成驅動輸出信號的變形程度，從而降低其對下一級柵極集成驅動的影響。本實用新型實施例提供的一種移位寄存器，包括多級柵極集成驅動電路31、和與所述柵極集成驅動電路數目相等的薄膜場效應晶體管TFT組件32 ；其中本級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311連接一 TFT組件32的輸入端，所述 TFT組件32包含至少一個TFT ；所述TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號VDD ；所述TFT組件32的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312。較佳的，所述TFT組件32包括一個以上依次連接的TFT。較佳的，依次連接的TFT中，第一個TFT的柵極作為TFT組件32的輸入端，連接本級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311，第一個TFT的漏極323連接下一個中間TFT的柵極321 ；各個中間TFT的漏極323均連接下一個中間TFT的柵極321 ；最后一個TFT的漏極323作為TFT組件32的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312;TFT組件32中所有TFT的源極322均連接直流高電平信號VDD。較佳的，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。較佳的，每級所述柵極集成驅動電路31的輸出信號端311連接陣列基板的柵線。[0018]本實用新型實施例提供了一種顯示裝置，包括移位寄存器和陣列基板；所述移位寄存器的信號輸出端連接所述陣列基板的柵線；所述移位寄存器包括多級柵極集成驅動電路31、和與所述柵極集成驅動電路數目相等的薄膜場效應晶體管TFT組件32 ；其中本級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311連接一 TFT組件32的輸入端，所述 TFT組件32包含至少一個TFT ；所述TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號VDD ；所述TFT組件32的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312。較佳的，所述TFT組件32包括一個以上依次連接的TFT。較佳的，依次連接的TFT中，第一個TFT的柵極作為TFT組件32的輸入端，連接本級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311，第一個TFT的漏極323連接下一個中間TFT的柵極321 ；各個中間TFT的漏極323均連接下一個中間TFT的柵極321 ；最后一個TFT的漏極323作為TFT組件32的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312;TFT組件32中所有TFT的源極322均連接直流高電平信號VDD。較佳的，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。本實用新型實施例提供的移位寄存器及顯示裝置，通過增加TFTCThinFilm Transistor，薄膜場效應晶體管)以及直流高電平信號，改善上一級柵極集成驅動電路的輸出信號變形，進而較好的避免了上級柵極集成驅動電路對本級柵極集成驅動電路的影響。

圖1為現有技術中多級GOA電路連接示意圖；圖2為本實用新型實施例中移位寄存器的結構示意圖；圖3為本實用新型另一實施例中移位寄存器的結構示意圖；圖4為本實用新型另一實施例中移位寄存器的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合說明書附圖對本實用新型實施例作進一步詳細描述。本實用新型實施例提供了一種移位寄存器，如圖2所示，其具體包括多級柵極集成驅動電路31、和與柵極集成驅動電路31數目相等的薄膜場效應晶體管TFT組件32 ；本級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311連接一 TFT組件32的輸入端，該TFT 組件32至少包含一個TFT ；該TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號VDD ；該TFT組件32的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312。較佳的，參考圖5所示，TFT組件32還可以包括一個以上依次連接的TFT。例如， 依次連接的TFT中，第一個TFT的柵極作為TFT組件32的輸入端，連接本級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311，第一個TFT的漏極323連接下一個中間TFT的柵極321 ；各個中間TFT的漏極323均連接下一個中間TFT的柵極321 ；最后一個TFT的漏極323作為TFT 組件32的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312 ；TFT組件32中所有 TFT的源極322均連接直流高電平信號VDD。較佳的，為了使TFT組件32輸出的信號更穩定，上述TFT的溝槽寬度可以大于常規TFT的溝槽寬度，例如大于100微米。較佳的，每級柵極集成驅動電路31的輸出信號端311連接陣列基板的柵線，以便向陣列基板的柵線輸入信號，控制柵線上的電壓。通過上述描述，可以看出，本實用新型提供的移位寄存器，通過增加TFT以及直流高電平信號，改善上一級柵極集成驅動電路的輸出信號變形，進而較好的避免了上級柵極集成驅動電路對本級柵極集成驅動電路的影響。下面通過具體實施例對本實用新型提供的移位寄存器進行詳細描述。如圖3所示，TFT組件32僅包括一個TFT時，本實用新型實施例提供的移位寄存器，其具體包括第N-I級柵極集成驅動電路31、第N級柵極集成驅動電路31和第N+1級柵極集成驅動電路31。第N-I級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311連接一個TFT的柵極321，該TFT的源極322連接直流高電平信號VDD，漏極323連接第N級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312。同理，第N級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311連接一個 TFT的柵極321，該TFT的源極322連接直流高電平信號VDD，漏極323連接第N+1級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312。由于直流高電平信號VDD的電壓穩定，因此，TFT漏極 323輸出的電壓也較為穩定，將其作為下一級柵極集成驅動電路的輸入信號，可以較好的避免本級柵極集成驅動電路輸出信號變形給下一級柵極集成驅動電路帶來的影響。為了達到更好的效果，可以將該TFT的溝槽制作的較寬，大于傳統的TFT溝槽寬度。當然，每級柵極集成驅動電路輸出端可以連接多個上述TFT，如圖4所示，第N-I級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311連接一個TFT的柵極321，該TFT的源極322連接直流高電平信號VDD，漏極323連接第二個TFT的柵極321，且該第二個TFT的源極322連接直流高電平信號VDD，漏極323連接第N級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312。同理，第N級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311連接一個TFT的柵極321，該TFT的源極322連接直流高電平信號VDD，漏極323連接第二個TFT的柵極321，且該第二個TFT的源極322連接直流高電平信號VDD，漏極323連接第N+1級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312。當每級柵極集成驅動電路31輸出端連接的TFT大于兩個時，各個TFT之間的連接關系可以參考上述描述的連接關系，即第一個TFT的源極322連接直流高電平信號VDDJI 極323連接第二個TFT的柵極321，該第二個TFT的源極322連接直流高電平信號VDD，漏極323連接第三個TFT的柵極321，依次類推，最后一個TFT的漏極323連接下一級柵極集成驅動電路31的輸入端312。通過上述描述，可以看出，本實用新型提供的移位寄存器，通過增加TFT以及直流高電平信號，改善上一級柵極集成驅動電路的輸出信號變形，進而較好的避免了上級柵極集成驅動電路對本級柵極集成驅動電路的影響。
5[0051]基于同一構想，本實用新型實施例提供了一種顯示裝置，包括移位寄存器和陣列基板；所述移位寄存器的信號輸出端連接所述陣列基板的柵線；所述移位寄存器包括多級柵極集成驅動電路31、和與所述柵極集成驅動電路數目相等的薄膜場效應晶體管TFT組件32 ；其中本級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311連接一 TFT組件32的輸入端，所述 TFT組件32至少包含一個TFT ；所述TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號VDD ；所述TFT組件32的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312。較佳的，TFT組件32包括一個以上依次連接的TFT。較佳的，依次連接的TFT中，第一個TFT的柵極作為TFT組件32的輸入端，連接本級柵極集成驅動電路31的信號輸出端311，第一個TFT的漏極323連接下一個中間TFT的柵極321 ；各個中間TFT的漏極323均連接下一個中間TFT的柵極321 ；最后一個TFT的漏極323作為TFT組件32的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路31的信號輸入端312;TFT組件32中所有TFT的源極322均連接直流高電平信號VDD。較佳的，所述TFT的溝槽寬度大于常規TFT的溝槽寬度，例如100微米。通過上述描述，可以看出，本實用新型實施例提供的移位寄存器及顯示裝置，通過增加TFT以及直流高電平信號，改善上一級柵極集成驅動電路的輸出信號變形，進而較好的避免了上級柵極集成驅動電路對本級柵極集成驅動電路的影響。顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種移位寄存器，其特征在于，包括多級柵極集成驅動電路(31)、和與所述柵極集成驅動電路數目相等的薄膜場效應晶體管TFT組件(32)；其中本級柵極集成驅動電路(31)的信號輸出端(311)連接一 TFT組件(3 的輸入端，所述TFT組件(32)包含至少一個TFT ；所述TFT組件(32)的電壓輸入端連接直流高電平信號VDD ；所述TFT組件(3 的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路(31)的信號輸入端(312)。
2.如權利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述TFT組件(32)包括一個以上依次連接的TFT。
3.如權利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，依次連接的TFT中，第一個TFT的柵極作為TFT組件(32)的輸入端，連接本級柵極集成驅動電路(31)的信號輸出端(311)，第一個TFT的漏極(323)連接下一個中間TFT的柵極(321)；各個中間TFT的漏極(323)均連接下一個中間TFT的柵極(321)； 最后一個TFT的漏極(32 作為TFT組件(3 的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路(31)的信號輸入端(312)；TFT組件(32)中所有TFT的源極(322)均連接直流高電平信號VDD。
4.如權利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。
5.如權利要求1-4中任一所述的移位寄存器，其特征在于，每級所述柵極集成驅動電路(31)的輸出信號端(311)連接陣列基板的柵線。
6.一種顯示裝置，包括移位寄存器和陣列基板，其特征在于， 所述移位寄存器的信號輸出端連接所述陣列基板的柵線；所述移位寄存器包括多級柵極集成驅動電路(31)、和與所述柵極集成驅動電路數目相等的薄膜場效應晶體管TFT組件(3 ；其中本級柵極集成驅動電路(31)的信號輸出端(311)連接一 TFT組件(3 的輸入端，所述TFT組件(32)包含至少一個TFT ；所述TFT組件(32)的電壓輸入端連接直流高電平信號VDD ；所述TFT組件(3 的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路(31)的信號輸入端(312)。
7.如權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述TFT組件(3 包括一個以上依次連接的TFT。
8.如權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，依次連接的TFT中，第一個TFT的柵極作為TFT組件(32)的輸入端，連接本級柵極集成驅動電路(31)的信號輸出端(311)，第一個TFT的漏極(323)連接下一個中間TFT的柵極(321)；各個中間TFT的漏極(323)均連接下一個中間TFT的柵極(321)； 最后一個TFT的漏極(32 作為TFT組件(3 的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路(31)的信號輸入端(312)；TFT組件(32)中所有TFT的源極(322)均連接直流高電平信號VDD。
9.如權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。
專利摘要本實用新型實施例涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種移位寄存器及顯示裝置，該移位寄存器包括多級柵極集成驅動電路、和與所述柵極集成驅動電路數目相等的薄膜場效應晶體管TFT組件；本級柵極集成驅動電路的信號輸出端連接一TFT組件的輸入端，該TFT組件包含至少一個TFT；該TFT組件的電壓輸入端連接直流高電平信號VDD；該TFT組件的輸出端連接下一級柵極集成驅動電路的信號輸入端。本實用新型實施例提供的移位寄存器及顯示裝置，通過增加TFT以及直流高電平信號，改善上一級柵極集成驅動電路的輸出信號變形，進而較好的避免了上級柵極集成驅動電路對本級柵極集成驅動電路的影響。
文檔編號G09G3/36GK202084307SQ20112014780
公開日2011年12月21日 申請日期2011年5月11日 優先權日2011年5月11日
發明者孫陽 申請人:京東方科技集團股份有限公司