像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置，該像素電路包括數(shù)據(jù)電壓寫模塊和兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊、兩個(gè)發(fā)光模塊；其中，數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、寫控制線以及兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊相連，根據(jù)寫控制線的輸入先將數(shù)據(jù)電壓線中的第一數(shù)據(jù)電壓寫入第一驅(qū)動(dòng)模塊，再將第二數(shù)據(jù)電壓寫入第二驅(qū)動(dòng)模塊；第一驅(qū)動(dòng)模塊與第一發(fā)光模塊相連，第二驅(qū)動(dòng)模塊與第二發(fā)光模塊相連；且兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊均與工作電壓線、驅(qū)動(dòng)控制線相連，用于在驅(qū)動(dòng)控制線的控制下驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的發(fā)光模塊發(fā)光。本發(fā)明中，使用一個(gè)電路來完成兩個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)，相鄰的兩個(gè)像素共用多條信號(hào)線路，能夠縮減顯示裝置中用于像素電路的信號(hào)線路數(shù)目，降低集成電路成本，并縮減像素間距，提高像素密度。
【專利說明】像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光顯示器（0LED)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器 相比，0LED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)。目前，在手機(jī)、 PDA、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域0LED已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的液晶（IXD)顯示屏。像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè) 計(jì)是0LED顯示器核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。
[0003] 與TFT(薄膜場效應(yīng)晶體管）-LCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，0LED屬于電流 驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光。
[0004] 由于工藝制程和器件老化等原因，在原始的2T1C驅(qū)動(dòng)電路（包括兩個(gè)薄膜場效應(yīng) 晶體管和一個(gè)電容）中，各像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓存在不均勻性，這樣就導(dǎo)致了流過 每個(gè)像素點(diǎn)0LED的電流發(fā)生變化使得顯示亮度不均，從而影響整個(gè)圖像的顯示效果。
[0005] 并且現(xiàn)有技術(shù)中，一個(gè)像素電路一般對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素，每個(gè)像素電路都至少包含 一條數(shù)據(jù)電壓線、一條工作電壓線和多條掃描信號(hào)線，這樣就導(dǎo)致相應(yīng)的制作工藝較為復(fù) 雜，并且不利于縮小像素間距。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 本發(fā)明的目的是解決顯示裝置顯示亮度不均的問題，并縮減顯示裝置中用于像素 電路的信號(hào)線路數(shù)目，降低集成電路成本，同時(shí)提高顯示裝置的像素密度。
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素電路，包括數(shù)據(jù)電壓寫模塊和兩個(gè)驅(qū) 動(dòng)模塊、兩個(gè)發(fā)光模塊；其中，數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、寫控制線以及兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊 相連，用于在同一幀內(nèi)，根據(jù)寫控制線的輸入先將數(shù)據(jù)電壓線中的第一數(shù)據(jù)電壓寫入第一 驅(qū)動(dòng)模塊，再將數(shù)據(jù)電壓線中的第二數(shù)據(jù)電壓寫入第二驅(qū)動(dòng)模塊；第一驅(qū)動(dòng)模塊與第一發(fā) 光模塊相連，第二驅(qū)動(dòng)模塊與第二發(fā)光模塊相連；且兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊均與工作電壓線、驅(qū)動(dòng)控 制線相連，用于在驅(qū)動(dòng)控制線的控制下驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的發(fā)光模塊發(fā)光。
[0008] 優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括第一子數(shù)據(jù)電壓寫模塊和第二子數(shù)據(jù)電壓寫模 塊，所述第一子數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、第一寫控制線以及第一驅(qū)動(dòng)模塊相連，所述 第二子數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、第二寫控制線以及第二驅(qū)動(dòng)模塊相連。
[0009] 優(yōu)選的，每一個(gè)子數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括一個(gè)寫晶體管，所述寫晶體管的柵極連接 到對(duì)應(yīng)的寫控制線，源極連接數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接到對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)模塊。
[0010] 優(yōu)選的，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊包括三個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容，其中，第一驅(qū)動(dòng)晶 體管的源極連接對(duì)應(yīng)的寫晶體管的漏極，柵極和漏極均與第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連；第 二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第三驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，源極與數(shù)據(jù)電壓線相連；第三驅(qū)動(dòng)晶 體管的柵極與驅(qū)動(dòng)控制線相連，漏極與發(fā)光模塊相連；所述存儲(chǔ)電容的第一端連接所述第 二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，第二端連接所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極。 toon] 優(yōu)選的，還包括第一重置晶體管和第二重置晶體管，第一重置晶體管的柵極連接 重置控制線，源極連接第一驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第一端，漏極連接重置低電平線；第二重 置晶體管的柵極連接重置控制線，源極連接第二驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第一端，漏極連接 重置低電平線。
[0012] 優(yōu)選的，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊包括四個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容；其中，第一驅(qū)動(dòng)晶 體管的柵極連接驅(qū)動(dòng)控制線，源極連接工作電壓線，漏極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；第二 驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接存儲(chǔ)電容的第一端，漏極連接第三驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；第三驅(qū)動(dòng)晶 體管柵極連接驅(qū)動(dòng)控制線，漏極連接發(fā)光模塊；第四驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體 管的漏極，漏極連接存儲(chǔ)電容的第一端；存儲(chǔ)電容的第二端接地；
[0013] 第一驅(qū)動(dòng)模塊的第四驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連接第一寫控制線，第二驅(qū)動(dòng)模塊的第四驅(qū) 動(dòng)晶體管柵極連接第二寫控制線。
[0014] 優(yōu)選的，還包括第一重置晶體管和第二重置晶體管，兩個(gè)重置晶體管的柵極均連 接重置控制線；第一重置晶體管的源極連接第一驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第一端，漏極連接 第一驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第二端；第二重置晶體管的源極連接第二驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容 的第一端，漏極連接第二驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第二端。。
[0015] 優(yōu)選的，還包括一個(gè)電容式觸控檢測模塊和一個(gè)光感式觸控檢測模塊，所述電容 式觸控檢測模塊包括第一觸控晶體管、第二觸控晶體管、第三觸控晶體管和第一感測電容， 第一觸控晶體管的柵極連接重置控制線，源極連接數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接第一感測電容的 第一端；第二觸控晶體管的柵極連接第一感測電容的第一端，源極連接第一感測電容的第 二端，漏極連接第三觸控晶體管的源極；第三觸控晶體管的柵極連接第一寫控制線，漏極連 接觸控信號(hào)讀取線；第一感測電容的第二端還連接檢測驅(qū)動(dòng)電壓線；
[0016] 所述光感式觸控檢測模塊包括第四觸控晶體管、第五觸控晶體管、第六觸控晶體 管，第七觸控晶體管和第二感測電容，第四觸控晶體管的柵極連接第二寫控制線，源極連接 數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接第二感測電容的第一端；第五觸控晶體管的柵極和漏極連接第二感 測電容的第一端，源極連接第二感測電容的第二端；第六觸控晶體管的柵極連接驅(qū)動(dòng)控制 線，源極連接第二感測電容的第二端，漏極連接觸控信號(hào)讀取線；第七觸控晶體管的柵極連 接重置控制線，源極連接第二感測電容的第一端，漏極接地；其中，所述第五觸控晶體管為 感光晶體管。
[0017] 優(yōu)選的，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊包括四個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容，第一驅(qū)動(dòng)晶體管 的柵極連接第一驅(qū)動(dòng)控制線，源極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管和第三驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連 接工作電壓線；第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接第二驅(qū)動(dòng)控制線，源極連接存儲(chǔ)電容的第一端； 第三驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接存儲(chǔ)電容的第一端，源極連接發(fā)光模塊；第四驅(qū)動(dòng)晶體管的柵 極和漏極連接存儲(chǔ)電容的第一端，源極連接對(duì)應(yīng)的寫晶體管；所述存儲(chǔ)電容的第二端連接 低電平線。
[0018] 優(yōu)選的，各個(gè)晶體管均為N溝道型薄膜場效應(yīng)晶體管TFT。
[0019] 優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括三個(gè)寫晶體管，其中，第一寫晶體管的柵極連接 第一寫控制線，源極連接數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接第二寫晶體管的源極；第二寫晶體管的柵極 連接第一驅(qū)動(dòng)模塊和第三寫晶體管的漏極，漏極連接第三寫晶體管的源極以及第二驅(qū)動(dòng)模 塊；第三寫晶體管的柵極連接第二寫控制線。
[0020] 優(yōu)選的，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊，包括兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容，其中，第一驅(qū)動(dòng) 晶體管的源極連接工作電壓線，漏極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；第二驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連 接驅(qū)動(dòng)控制線，源極連接第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接發(fā)光模塊；存儲(chǔ)電容連接在第一 驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間；
[0021] 第一驅(qū)動(dòng)模塊的第一驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連接第二寫晶體管的柵極，第二驅(qū)動(dòng)模塊的 第二驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連接第二寫晶體管的漏極。
[0022] 優(yōu)選的，還包括重置晶體管，重置晶體管柵極連接重置控制線，源極連接第二寫晶 體管的漏極，漏極連接重置低電平線。
[0023] 優(yōu)選的，各個(gè)晶體管均為P溝道型TFT。
[0024] 本發(fā)明還提供了一種用于驅(qū)動(dòng)權(quán)利要求上述任一項(xiàng)所述的像素電路的方法，包 括：每一幀包括第一充電階段2、第二充電階段3、發(fā)光階段4 ;
[0025] 在第一充電階段，在數(shù)據(jù)電壓線施加第一數(shù)據(jù)電壓，并在寫控制線施加第一掃描 電壓將所述第一數(shù)據(jù)電壓寫入第一驅(qū)動(dòng)模塊：
[0026] 在第二充電階段，在數(shù)據(jù)電壓線施加第二數(shù)據(jù)電壓，并在寫控制線施加第二掃描 電壓將所述第二數(shù)據(jù)電壓寫入第二驅(qū)動(dòng)模塊：
[0027] 在發(fā)光階段，在驅(qū)動(dòng)控制線中輸入掃描電壓使驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊發(fā)光。
[0028] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其特征在于，包上述任一項(xiàng)所述的像素電路。
[0029] 本發(fā)明提供的像素電路中，使用一個(gè)電路來完成兩個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)，相鄰的兩個(gè)像 素共用多條信號(hào)線路，能夠縮減顯示裝置中用于像素電路的信號(hào)線路數(shù)目，降低集成電路 成本，并縮減像素間距，提高像素密度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0030] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路中數(shù)據(jù)電壓寫模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖3本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033] 圖4為發(fā)明實(shí)施例一提供的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法中關(guān)鍵信號(hào)的時(shí)序圖；
[0034] 圖5a-如5c為本發(fā)明實(shí)施例一中的像素電路在不同時(shí)序下的電流流向和電壓值 的不意圖；
[0035] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖7為發(fā)明實(shí)施例二提供的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法中關(guān)鍵信號(hào)的時(shí)序圖；
[0037] 圖8a_圖8c為本發(fā)明實(shí)施例二中的像素電路在不同時(shí)序下的電流流向和電壓值 的不意圖；
[0038] 圖9為本發(fā)明實(shí)施例三提供的像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039] 圖10為發(fā)明實(shí)施例三提供的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法中關(guān)鍵信號(hào)的時(shí)序圖；
[0040] 圖11a-圖lid為本發(fā)明實(shí)施例三中的像素電路在不同時(shí)序下的電流流向和電壓 值的示意圖；
[0041] 圖12為本發(fā)明實(shí)施例四提供的像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042] 圖13為發(fā)明實(shí)施例四提供的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法中關(guān)鍵信號(hào)的時(shí)序圖；
[0043] 圖14a-圖14c為本發(fā)明實(shí)施例四中的像素電路在不同時(shí)序下的電流流向和電壓 值的示意圖；
[0044] 圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置中像素電路與像素的一種位置關(guān)系的示意 圖；
[0045] 圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置中像素電路與像素的一種位置關(guān)系的示意 圖；
[0046] 圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置中像素電路與像素的一種位置關(guān)系的示意 圖；
[0047] 圖18為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置中像素電路與像素的一種位置關(guān)系的示意 圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅 用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0049] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，如圖1所示，包括：數(shù)據(jù)電壓寫模塊100和第 一驅(qū)動(dòng)模塊210,第二驅(qū)動(dòng)模塊220,第一發(fā)光模塊310,第二發(fā)光模塊320 ;其中，數(shù)據(jù)電壓 寫模塊100與數(shù)據(jù)電壓線Vdata、寫控制線R相連以及兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊210和220相連，用于 在同一幀內(nèi)，根據(jù)寫控制線R的輸入先將數(shù)據(jù)電壓線Vdata中的第一數(shù)據(jù)電壓寫入第一驅(qū) 動(dòng)模塊210,再將數(shù)據(jù)電壓線Vdata中的第二數(shù)據(jù)電壓寫入第二驅(qū)動(dòng)模塊220 ;第一驅(qū)動(dòng)模 塊210與第一發(fā)光模塊310相連，第二驅(qū)動(dòng)模塊220與第二發(fā)光模塊320相連；且兩個(gè)驅(qū)動(dòng) 模塊均與工作電壓線Vdd、驅(qū)動(dòng)控制線S相連，用于在驅(qū)動(dòng)控制線S的控制下驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的發(fā) 光模塊發(fā)光。
[0050] 本發(fā)明中，使用一個(gè)電路來完成兩個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)，相鄰的兩個(gè)像素共用多條信號(hào) 線路，能夠縮減顯示裝置中用于像素電路的信號(hào)線路數(shù)目，降低集成電路成本，并縮減像素 間距，提高像素密度。
[0051] 具體的，發(fā)光模塊310包括兩個(gè)電致發(fā)光元件，每一個(gè)電致發(fā)光元件分別連接一 個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊。
[0052] 本發(fā)明實(shí)施例中，電致發(fā)光元件可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極管）或0LED(0rganic Light Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管）在內(nèi)的多 種電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件。在本發(fā)明實(shí)施例中，是以0LED為例進(jìn)行的說明。
[0053] 本發(fā)明提供的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法中，每一幀包括第一充電階段、第二充電階段、 發(fā)光階段；
[0054] 在第一充電階段，在數(shù)據(jù)電壓線施加第一數(shù)據(jù)電壓，并在寫控制線施加第一掃描 電壓將所述第一數(shù)據(jù)電壓寫入第一驅(qū)動(dòng)模塊：
[0055] 在第二充電階段，在數(shù)據(jù)電壓線施加第二數(shù)據(jù)電壓，并在寫控制線施加第二掃描 電壓將所述第一數(shù)據(jù)電壓寫入第二驅(qū)動(dòng)模塊：
[0056] 在發(fā)光階段，在驅(qū)動(dòng)控制線中輸入掃描電壓使驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊發(fā)光。
[0057] 在本發(fā)明提供的優(yōu)選的實(shí)施例一、二、三中，如圖2所示，數(shù)據(jù)電壓寫模塊100包括 第一子數(shù)據(jù)電壓寫模塊110和第二子數(shù)據(jù)電壓寫模塊120,寫控制線R包括第一寫控制線 R1和第二寫控制線R2,第一子數(shù)據(jù)電壓寫模塊110與數(shù)據(jù)電壓線Vdata、第一寫控制線R1 以及第一驅(qū)動(dòng)模塊210相連，第二子數(shù)據(jù)電壓寫模塊120與數(shù)據(jù)電壓線Vdata、第二寫控制 線R2以及第二驅(qū)動(dòng)模塊220相連。
[0058] 下面具體的電路結(jié)構(gòu)圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例一、二和三提供的像素電路分別進(jìn)行說 明。
[0059] 在本發(fā)明實(shí)施例一（參見圖3)和實(shí)施例二（參見圖6)和實(shí)施例三（參見圖9) 中，子數(shù)據(jù)電壓寫模塊110均可以包括一個(gè)寫晶體管T1，且寫晶體管T1的柵極連接到寫控 制線R1，源極連接數(shù)據(jù)電壓線Vdata，漏極連接到第一驅(qū)動(dòng)模塊210 ;相應(yīng)的，子數(shù)據(jù)電壓寫 模塊120可以包括一個(gè)寫晶體管ΤΓ，且寫晶體管ΤΓ的柵極連接到寫控制線R2,源極連接 數(shù)據(jù)電壓線Vdata，漏極連接到第二驅(qū)動(dòng)模塊220。
[0060] 本發(fā)明所指的寫晶體管，是指用于進(jìn)行寫控制的晶體管。
[0061] 實(shí)施例一
[0062] 如圖3所示，實(shí)施例一提供的像素電路中兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊的結(jié)構(gòu)相同，為了方便說 明，以下僅以第一驅(qū)動(dòng)模塊210的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，如圖3所示，第一驅(qū)動(dòng)模塊210包括第 一驅(qū)動(dòng)晶體管T2、第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3、第三驅(qū)動(dòng)晶體管T4,存儲(chǔ)電容C(對(duì)于第二驅(qū)動(dòng)模 塊220,其第一驅(qū)動(dòng)晶體管、第二驅(qū)動(dòng)晶體管、第三驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容在圖中依次表示為 T2'、T3'、T4'、C'），其中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極連接對(duì)應(yīng)的寫晶體管T1的漏極，柵極 和漏極均與第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極相連；第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏極與第三驅(qū)動(dòng)晶體管 T4的源極相連，源極與數(shù)據(jù)電壓線Vdata相連；第三驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極與驅(qū)動(dòng)控制線S 相連，漏極與0LED相連；存儲(chǔ)電容C的第一端a端（對(duì)于電容C'，其第一端為b端）連接 第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極，第二端連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3的源極。
[0063] 本發(fā)明所指的驅(qū)動(dòng)晶體管，是指驅(qū)動(dòng)模塊中所涉及的晶體管。
[0064] 本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，流經(jīng)電致發(fā)光單元的工作電流不受對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管的 閾值電壓的影響，徹底解決了由于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移導(dǎo)致顯示亮度不均的問題。 且本發(fā)明實(shí)施例中，兩個(gè)像素僅對(duì)應(yīng)使用三條控制線，一條工作電壓線和一條數(shù)據(jù)電壓線， 大大縮減了使用的信號(hào)線路的個(gè)數(shù)，從而能夠進(jìn)一步提高像素密度。
[0065] 優(yōu)選的，如圖3所示，實(shí)施例一提供的像素電路還包括第一重置晶體管T5和第二 重置晶體管T5'，第一重置晶體管T5的柵極連接重置控制線Reset，源極連接第一驅(qū)動(dòng)模塊 210的存儲(chǔ)電容C的第一端，漏極連接重置低電平線Vint (或者接地）；第二重置晶體管T5' 的柵極連接重置控制線Reset，源極連接第二驅(qū)動(dòng)模塊220的存儲(chǔ)電容C'的第一端，漏極連 接重置低電平線Vint。不難理解的是，這里的重置低電平線中輸入的電壓可以為負(fù)電壓或 者為零電壓（相當(dāng)于將重置晶體管的漏極接地）。
[0066] 本發(fā)明所指的重置晶體管，是指用于控制驅(qū)動(dòng)模塊重置的晶體管。
[0067] 通過設(shè)置重置晶體管將驅(qū)動(dòng)模塊中電容的電壓重置，能夠快速徹底的實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)模 塊的初始化。
[0068] 優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例一中所涉及的各個(gè)晶體管（包括寫晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和 重置晶體管）均為P溝道型薄膜場效應(yīng)晶體管TFT。
[0069] 使用同一類型的晶體管，能夠?qū)崿F(xiàn)工藝流程的統(tǒng)一，從而提高產(chǎn)品的良品率。本 領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，在實(shí)際應(yīng)用中，各個(gè)晶體管的類型也可以不完全相同，比如T5 和T5'可以為N溝道型晶體管，而T4和T4'可以為P溝道型晶體管，只要能夠使控制端連 接到同一掃描信號(hào)線的兩個(gè)開關(guān)單元的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)相同，即可實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù) 方案，本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。
[0070] 下面結(jié)合圖4和圖5對(duì)本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素電路的一種優(yōu)選的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn) 行說明，如圖4所示，對(duì)每一幀像素?cái)?shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)過程可分為第一充電階段2、第二充電階段3 以及發(fā)光階段4，
[0071] 在第一充電階段2,在數(shù)據(jù)電壓線Vdata中施加0LED在該幀內(nèi)發(fā)光所需要的第一 數(shù)據(jù)電壓VI，并在第一寫控制線R1施加低電平使T1和T2導(dǎo)通，同時(shí)在其他控制線（包括 第二寫控制線R2、重置控制線Reset，驅(qū)動(dòng)控制線S)施加高電平，使其他TFT關(guān)斷，如圖5a 所示，Vdata沿T1、T2向電容C充電，充電完成后a點(diǎn)的電壓為Vl-Vth2 (滿足T2柵源兩端 的電壓差為Vth2,其中Vthl為T2的導(dǎo)通閾值）。
[0072] 在第二充電階段3,在數(shù)據(jù)電壓線Vdata中施加0LED'在該幀內(nèi)發(fā)光所需要的第 二數(shù)據(jù)電壓V2,并在第二寫控制線R2施加低電平使ΤΓ和T2'導(dǎo)通，同時(shí)在其他控制線施 加高電平，使其他TFT關(guān)斷，如圖5b所示，Vdata沿ΤΓ、Τ2'向電容C'充電，充電完成后b 點(diǎn)的電壓為V2-Vth2'（滿足T2'柵源兩端的電壓差為Vth2'，其中Vth2'為T2'的導(dǎo)通閾 值）。
[0073] 在發(fā)光階段4,在驅(qū)動(dòng)控制線S施加低電平使T4和T4'導(dǎo)通，由于Vdd的電壓一般 遠(yuǎn)大于Vl-VTh2和Vl-VTh2'，則T3和T3也會(huì)導(dǎo)通，同時(shí)在其他控制線施加高電平，使其他 TFT關(guān)斷，如圖5c所示，Vdd分別沿T3-T4對(duì)0LED供電，沿T3 ' -T4 '對(duì)0LED '供電，使0LED 和0LED'發(fā)光。
[0074] 根據(jù)電流飽和公式，可以得到流經(jīng)0LED的電流I_D = K(VGS_Vth3)2 = K[Vdd- (Vl-Vth2)-Vth3]2〇
[0075] 其中Vth3為T3的閾值電壓，根據(jù)鏡像電路原理，認(rèn)為T2和T3的閾值電壓相等， 即 Vth2 = Vth3。
[0076] 貝丨」UED = K(Vdd-Vl)2。同樣的，可以得到流經(jīng)0LED'的電流UED, = K(Vdd_V2)2。
[0077] 由上式中可以看到此時(shí)流經(jīng)兩個(gè)電致發(fā)光單元的工作電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管閾值 電壓的影響，只與此時(shí)的數(shù)據(jù)電SV data有關(guān)。徹底解決了驅(qū)動(dòng)TFT由于工藝制程及長時(shí)間 的操作造成閾值電壓（V漂移的問題，消除其對(duì)流經(jīng)電致發(fā)光單元的電流的影響，保證電 致發(fā)光單元的正常工作。
[0078] 優(yōu)選的，在實(shí)施例一中的像素電路還包括重置晶體管時(shí)，在第一充電階段2之前， 該方法還可以包括：
[0079] 重置階段1，如圖4所示，在該階段，在重置控制線Reset上施加低電平信號(hào)，其他 控制線施加高電平信號(hào)，此時(shí)除T4和T4'開啟外，其他TFT均關(guān)斷，電容C的a端和電容C' 的b端接入重置低電平，使電容C的a端和電容C'的b端迅速達(dá)到低電平。
[0080] 通過這種方式，能夠消除上一幀在電容C和電容C'的電壓對(duì)本次發(fā)光的影響。
[0081] 實(shí)施例二
[0082] 如圖6所示，實(shí)施例二提供的像素電路中兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊的結(jié)構(gòu)也相同，為了方便 說明，以下同樣僅以第一驅(qū)動(dòng)模塊210的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，如圖3所示，第一驅(qū)動(dòng)模塊210包 括第一驅(qū)動(dòng)晶體管T2、第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3、第三驅(qū)動(dòng)晶體管T4,第四驅(qū)動(dòng)晶體管T5,存儲(chǔ)電 容C(對(duì)于第二驅(qū)動(dòng)模塊220,其第一驅(qū)動(dòng)晶體管、第二驅(qū)動(dòng)晶體管、第三驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ) 電容在圖中依次表示為T2'、T3'、T4'、T5'、C'），其中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極連接驅(qū)動(dòng) 控制線S，源極連接工作電壓線Vdd，漏極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管Τ3的源極；第二驅(qū)動(dòng)晶體管 T3的柵極連接存儲(chǔ)電容C的第一端al端（對(duì)于電容C'，其第一端為a2端），漏極連接第三 驅(qū)動(dòng)晶體管T4的源極；第三驅(qū)動(dòng)晶體管柵極T4連接驅(qū)動(dòng)控制線S，漏極連接OLED ;第四驅(qū) 動(dòng)晶體管T5的源極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏極，漏極連接存儲(chǔ)電容C的第一端al端； 存儲(chǔ)電容C的第二端bl端接地（對(duì)于電容C'，其第二端為b2端）。
[0083] 本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，流經(jīng)電致發(fā)光單元的工作電流不受對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管的 閾值電壓的影響，徹底解決了由于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移導(dǎo)致顯示亮度不均的問題。 且本發(fā)明實(shí)施例中，兩個(gè)像素僅對(duì)應(yīng)使用三條控制線，一條工作電壓線和一條數(shù)據(jù)電壓線， 大大縮減了使用的信號(hào)線路的個(gè)數(shù)，從而能夠進(jìn)一步提高像素密度。
[0084] 進(jìn)一步的,該像素電路也可以包括重置晶體管T6和T6'，重置晶體管T6和T6'的 柵極均連接重置控制線Reset,重置晶體管T6源極連接存儲(chǔ)電容C的第一端al，漏極連接 存儲(chǔ)電容C的第二端bl ;重置晶體管T6'源極連接存儲(chǔ)電容C'的第一端a2,漏極連接存儲(chǔ) 電容C'的第二端b2。
[0085] 同樣的，本發(fā)明實(shí)施例中，也能夠快速徹底的實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)模塊的初始化。
[0086] 優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路還包括：一個(gè)電容式觸控檢測模塊410和 一個(gè)光感式觸控檢測模塊420,電容式觸控檢測模塊410包括第一觸控晶體管Ml、第二觸控 晶體管M2、第三觸控晶體管M3和第一感測電容Cc，第一觸控晶體管Ml的柵極連接重置控 制線Reset,源極連接數(shù)據(jù)電壓線Vdata，漏極連接第一感測電容Cc的第一端a3端；第二觸 控晶體管M2的柵極連接第一感測電容Cc的第一端a3端，源極連接第一感測電容Cc的第 二端b3端，漏極連接第三觸控晶體管M3的源極；第三觸控晶體管M3的柵極連接第一寫控 制線R1，漏極連接觸控信號(hào)讀取線Y-read line ;第一感測電容Cc的第二端b3還連接檢測 驅(qū)動(dòng)電壓線Vcom ;
[0087] 光感式觸控檢測模塊420包括第四觸控晶體管M4、第五觸控晶體管M5、第六觸控 晶體管M6,第七觸控晶體管M7和第二感測電容Cp，第四觸控晶體管M4的柵極連接第二寫 控制線R2,源極連接數(shù)據(jù)電壓線Vdata，漏極連接第二感測電容Cp的第一端a4端；第五觸 控晶體管M5的柵極和漏極連接第二感測電容Cp的第一端a4端，源極連接第二感測電容Cp 的第二端b4端；第七驅(qū)動(dòng)晶體管M6的柵極連接驅(qū)動(dòng)控制線，源極連接第二感測電容Cp的 第二端b4端，漏極連接觸控信號(hào)讀取線Y-read line ;第七觸控晶體管M7的柵極連接重置 控制線Reset，源極連接第二感測電容Cp的第一端a4端，漏極接地；其中，第五觸控晶體管 M5為感光晶體管（photo Sensor)。
[0088] 這里的檢測驅(qū)動(dòng)電壓線是指用于提供驅(qū)動(dòng)脈沖的電壓線。這里的感光晶體管在不 同的光照強(qiáng)度下會(huì)產(chǎn)生不同的光電電流。
[0089] 本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，使用于觸控檢測的電路與用于像素補(bǔ)償?shù)碾娐饭灿每刂?線和數(shù)據(jù)電壓線，能夠進(jìn)一步縮減包含觸控檢測電路與像素補(bǔ)償電路所使用的信號(hào)線的數(shù) 目，提高像素密度。
[0090] 優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例二中所涉及的各個(gè)晶體管（包括寫晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和 重置晶體管）中除第六觸摸晶體管以外的其他晶體管均為P溝道型薄膜場效應(yīng)晶體管TFT， 第六觸摸晶體管為N溝道型TFT。
[0091] 下面結(jié)合圖7和圖8對(duì)本發(fā)明實(shí)施例二提供的像素電路的一種優(yōu)選的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn) 行說明，如圖7所示，對(duì)每一幀像素?cái)?shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)過程可分為第一充電階段2、第二充電階段3 以及發(fā)光階段4，
[0092] 在第一充電階段2,參見圖7,在R1施加低電平，其他控制線施加高電平，并在數(shù) 據(jù)電壓線Vdd施加第一數(shù)據(jù)電壓VI (這里的VI是指0LED發(fā)光所對(duì)應(yīng)的電壓，相應(yīng)的下文 的V2是指0LED'發(fā)光所對(duì)應(yīng)的電壓）。參見圖8a，此時(shí)，對(duì)于像素補(bǔ)償部分（包括重置晶 體管和驅(qū)動(dòng)模塊以及數(shù)據(jù)電壓寫模塊），ΤΙ、T3、T5導(dǎo)通，其他TFT斷開，Vdata信號(hào)通過 T1 - T3 - T5開始對(duì)al點(diǎn)進(jìn)行充電，一直將al點(diǎn)充電到VI - Vth3為止（滿足T3柵源兩極 之間的壓差為Vth3)，該過程中，由于bl點(diǎn)接地電位始終為0,所以當(dāng)充電完畢以后，al點(diǎn)的 電位會(huì)一直維持在VI - Vth3,另外由于T4和T4'的關(guān)閉使得電流不會(huì)通過0LED和0LED'， 間接降低了 0LED和0LED'的壽命損耗。
[0093] 在電容式觸控檢測模塊中，參見圖8a中，Ml關(guān)閉，M2和M3打開，此時(shí)此階段耦合 脈沖信號(hào)（Vint) -方面提供Cc 一端的電勢，形成耦合電容，另一方面充當(dāng)M2 (此時(shí)M2相 當(dāng)于放大TFT)的源極，手指的觸控直接導(dǎo)致M2柵極電勢降低（假設(shè)降低Vf)，當(dāng)M2的柵源 電壓滿足M0S管導(dǎo)通條件，這樣才會(huì)有信號(hào)通過M2,此時(shí)為觸控檢測單元緩沖階段，即"等 待"著M2柵極電勢降低，而降低的主要誘因就是手指的觸控。
[0094] 此時(shí)，光感式觸控檢測模塊中的各個(gè)晶體管全部斷開，光感式觸控檢測模塊處于 非工作狀態(tài)。
[0095] 此時(shí)如果有手指的觸摸，會(huì)直接導(dǎo)致d點(diǎn)的電勢降低，達(dá)到了 M2導(dǎo)通的條件，此時(shí) I&V特性曲線在放大區(qū)的時(shí)候，M2作為放大TFT會(huì)將耦合脈沖的信號(hào)導(dǎo)通并放大，由Y-Read Line采集Y方向的信號(hào)。而R1作為橫向（X方向）掃描信號(hào)就有采集功能（因?yàn)閮H在R1 為低電平的時(shí)刻能夠采集到Y(jié)方向的信號(hào)，且在特定的時(shí)刻特定的像素中的R1為低電平信 號(hào)，這樣就能夠根據(jù)采集到的Y方向信號(hào)的時(shí)刻確定X坐標(biāo)）。這樣就確定了手指觸摸位置 的X、Y坐標(biāo)。此過程只要手指參與觸控，坐標(biāo)位置隨時(shí)都可以采集到。
[0096] 可見，在本發(fā)明實(shí)施例中，寫控制線R1起到了X方向（X方向?qū)?yīng)于掃描方向）觸 控信號(hào)讀取線X-read line的作用。
[0097] 在第二充電階段3,如圖7所示，在R2施加低電平，其他控制線施加高電平，并在 數(shù)據(jù)電壓線Vdd施加第一數(shù)據(jù)電壓V2,在像素補(bǔ)償電路中，ΤΓ、T3'、T5'導(dǎo)通，其他TFT斷 開。如圖8b所示，Vdata信號(hào)通過ΤΓ -T3' 一T5'開始對(duì)a2點(diǎn)進(jìn)行充電，一直將a2點(diǎn) 充電到VI - Vth3'為止（滿足T3'柵源兩極之間的壓差為Vth3'），該過程中，由于a2點(diǎn)接 地電位始終為〇,所以當(dāng)充電完畢以后，b2點(diǎn)的電位會(huì)一直維持在V2 - Vth3'，另外由于T4 和T4'的關(guān)閉使得電流不會(huì)通過0LED和0LED'，間接降低了 0LED和0LED'的壽命損耗。
[0098] 此時(shí)，電容式觸控檢測模塊中的各個(gè)晶體管全部斷開，電容式觸控檢測模塊處于 非工作狀態(tài)。
[0099] 而在光感式觸控檢測模塊中，M5的柵源連接，M7截止，M4導(dǎo)通，輸出耦合電壓V2， 此時(shí)的電壓為V2, M4經(jīng)過自身電勢轉(zhuǎn)換，此時(shí)Cp儲(chǔ)存的電位差為定值，當(dāng)有光照射至此處 單元，感光晶體管M5接收到的光照強(qiáng)度增加，充電電流增加。會(huì)將電壓暫時(shí)儲(chǔ)存在Cp兩端， 等待下一階段的讀取過程。
[0100] 在發(fā)光階段4,在S施加低電平信號(hào)，其他控制線施加高電平信號(hào)，此時(shí)在像素補(bǔ) 償電路中，T2、T2'、T4、T4'均導(dǎo)通，如圖8c所示，Vdd分別沿T2-T4和T2-T4'向OLED和 0LED'供電，使兩個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
[0101] 根據(jù)電流飽和公式，可以得到流經(jīng)0LED的電流I_D = K(VGS-Vth3)2 = K[Vdd-(Vl-Vth3)-Vth3]2 = K(Vdd-Vl)2。
[0102] 同樣的，可以得到流經(jīng)0LED'的電流I_, = K(Vdd_V2)2。
[0103] 由上式中可以看到此時(shí)流經(jīng)兩個(gè)電致發(fā)光單元的工作電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管閾值 電壓的影響，只與此時(shí)的數(shù)據(jù)電SV data有關(guān)。徹底解決了驅(qū)動(dòng)TFT由于工藝制程及長時(shí)間 的操作造成閾值電壓（V漂移的問題，消除其對(duì)流經(jīng)電致發(fā)光單元的電流的影響，保證電 致發(fā)光單元的正常工作。
[0104] 在光感式觸控檢測模塊中，M6導(dǎo)通，其他TFT關(guān)斷，如圖8c所示，此時(shí)電容Cp中 存儲(chǔ)的電流經(jīng)M6輸出到Y(jié)-read line，如果此期間發(fā)生觸控動(dòng)作，將觸控前后光電信號(hào)強(qiáng) 度變化差值與無觸控閾值進(jìn)行比較，依此判斷是否有觸摸（光照射強(qiáng)度變化），至此，X方向 坐標(biāo)是由此時(shí)S輸出點(diǎn)確定，Y方向坐標(biāo)還是由Y-Read Line確定。此時(shí)第二次使用Read Line進(jìn)行觸控信號(hào)采集。
[0105] 此時(shí)，電容式觸控檢測模塊中的各個(gè)晶體管全部斷開，電容式觸控檢測模塊處于 非工作狀態(tài)。
[0106] 進(jìn)一步的，在第一充電階段2之前，還可以包括如圖7所述的重置階段1，此時(shí)在 Reset線施加低電平，其他控制線施加高電平，使T6、T6'、M7導(dǎo)通，分別將電容C、電容C'， 電容Cp的第一端電壓置為0。通過這種方式，能夠保證電容中的電壓快速置為0,避免對(duì)后 續(xù)的發(fā)光或者觸控檢測產(chǎn)生干擾。
[0107] 需要指出的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法中，第一充電階段2和 第二充電階段3的順序可以互換，兩個(gè)充電階段順序的顛倒并不影響本發(fā)明的實(shí)施。
[0108] 實(shí)施例三
[0109] 如圖9所示，實(shí)施例三提供的像素電路中兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊的結(jié)構(gòu)也相同，為了方便 說明，以下僅以第一驅(qū)動(dòng)模塊210的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，圖3所示，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊包括第一驅(qū) 動(dòng)晶體管T2、第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3、第三驅(qū)動(dòng)晶體管T4、第四驅(qū)動(dòng)晶體管T5和一個(gè)存儲(chǔ)電容 C(對(duì)于第二驅(qū)動(dòng)模塊220,其第一驅(qū)動(dòng)晶體管、第二驅(qū)動(dòng)晶體管、第三驅(qū)動(dòng)晶體管、第四驅(qū) 動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容在圖中依次表示為T2'、T3'、T4'、T5'、C'），第一驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極 連接第一驅(qū)動(dòng)控制線S1，源極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管T2和第三驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏極，漏極 連接工作電壓線Vdd ;第二驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極連接第二驅(qū)動(dòng)控制線S2,源極連接存儲(chǔ)電 容C的第一端a端（對(duì)于C'，其第二端表示為圖中所示的b端）；第三驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵 極連接存儲(chǔ)電容C的第一端a端，源極連接0LED ;第四驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極和漏極連接存 儲(chǔ)電容C的第一端a段，源極連接對(duì)應(yīng)的寫晶體管T1 ;存儲(chǔ)電容C的第二端連接低電平線。
[0110] 這里的低電平線中的電壓可以為一個(gè)電壓不為0的低電平，也可以為〇(即接地線 GND)。
[0111] 優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例一中的各個(gè)晶體管（包括寫晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管）均為N溝 道型薄膜場效應(yīng)晶體管TFT。
[0112] 下面結(jié)合圖10和圖11對(duì)本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素電路的一種優(yōu)選的驅(qū)動(dòng)方法 進(jìn)行說明，如圖4所示，對(duì)每一幀像素?cái)?shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)過程可分為重置階段1、第一充電階段2、 第二充電階段3以及發(fā)光階段4，
[0113] 在重置階段1，如圖10所示，在第一驅(qū)動(dòng)控制線S1和第二驅(qū)動(dòng)控制線S2施加高 電平信號(hào)，在第一寫控制線R1和第二寫控制線R2上均施加低電平信號(hào)，使T2、T3、T2'、T3' 均導(dǎo)通，其他TFT關(guān)斷，如圖1 la所示，此時(shí)工作電壓線Vdd沿Τ2-Τ3向電容C的a端充電， 并沿T2' -T3'向電容C'的b端充電，充電結(jié)束后，a端電勢和b端電勢均與Vdd中的電壓 相同，即為Vdd。
[0114] 在第一充電階段2,在數(shù)據(jù)電壓線Vdata中施加0LED在該幀內(nèi)發(fā)光所需要的第一 數(shù)據(jù)電壓VI，在第一驅(qū)動(dòng)控制線S1和第二驅(qū)動(dòng)控制線S2施加低電平信號(hào)，使T2、T3、T2'、 T3'均關(guān)斷，并在第一寫控制線R1施加高電平使T1導(dǎo)通，此時(shí)，如圖lib所示，T5的源極電 壓變成VI，由于T5的柵極電壓為較高的電壓Vdd，則T5導(dǎo)通，電容C向數(shù)據(jù)電壓線Vdata 放電，直至T5的柵極電壓降至Vl+Vth5 (保持柵極和源極兩端的壓差為T5的閾值電壓T5)。 這個(gè)過程相當(dāng)于對(duì)電容C的a端進(jìn)行重新充電。
[0115] 在第二充電階段3，在數(shù)據(jù)電壓線Vdata中施加0LED'在該幀內(nèi)發(fā)光所需要的第二 數(shù)據(jù)電壓V2,在第一驅(qū)動(dòng)控制線S1和第二驅(qū)動(dòng)控制線S2施加低電平信號(hào)，使T2、T3、T2'、 T3'均關(guān)斷，并在第二寫控制線R2施加高電平使ΤΓ導(dǎo)通，如圖11c所示，此時(shí)T5'的源極 電壓變成V2,由于T5'的柵極電壓為較高的電壓Vdd，則T5'導(dǎo)通，電容C'向數(shù)據(jù)電壓線 Vdata放電，直至T5'的柵極電壓降至Vl+Vth5'（保持柵極和源極兩端的壓差為T5'的閾 值電壓T5'）。這個(gè)過程相當(dāng)于對(duì)電容C'的b端進(jìn)行重新充電。
[0116] 在放電階段4,在第一驅(qū)動(dòng)控制線S1施加高電平信號(hào)，并在其他控制線施加低電 平信號(hào)，此時(shí)T2和T2'導(dǎo)通，另外由于a點(diǎn)和b點(diǎn)的電勢較高，T4和T4'也導(dǎo)通，Vdd沿 T2-T4向0LED供應(yīng)電流，使0LED發(fā)光，并沿T2' -T4'向0LED'供應(yīng)電流，使0LED'發(fā)光。
[0117] 根據(jù)電流飽和公式，可以得到流經(jīng)0LED的電流I_D = K(VGS_Vth4)2 = K[Vl+Vth5-V0LED-Vth4]2〇
[0118] 其中Vth4為T4的閾值電壓，根據(jù)鏡像電路原理，認(rèn)為T4和T5的閾值電壓相等， 即Vth4 = Vth5, V0LED為0LED的導(dǎo)通電壓。
[0119] 貝IJ I_ = K(V1-V_)2。同樣的，可以得到流經(jīng) 0LED' 的電流 I_, = K(V2-V_)2。
[0120] 由上式中可以看到此時(shí)流經(jīng)兩個(gè)電致發(fā)光單元的工作電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管閾值 電壓的影響，只與此時(shí)的數(shù)據(jù)電SV data有關(guān)。徹底解決了驅(qū)動(dòng)TFT由于工藝制程及長時(shí)間 的操作造成閾值電壓（V漂移的問題，消除其對(duì)流經(jīng)電致發(fā)光單元的電流的影響，保證電 致發(fā)光單元的正常工作。
[0121] 實(shí)施例四
[0122] 在本發(fā)明實(shí)施例四提供的另一種像素電路中，如圖12所示，數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括 三個(gè)寫晶體管，其中，第一寫晶體管T1的柵極連接第一寫控制線R1，源極連接數(shù)據(jù)電壓線 Vdata，漏極連接第二寫晶體管T2的源極；第二寫晶體管T2的柵極連接第一驅(qū)動(dòng)模塊210 和第三寫晶體管T3的漏極，漏極連接第三寫晶體管T3的源極以及第二驅(qū)動(dòng)模塊220 ;第三 寫晶體管T3的柵極連接第二寫控制線R2。
[0123] 優(yōu)選的，實(shí)施例四提供的像素電路中兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊的結(jié)構(gòu)相同，為了方便說明，以 下僅以第一驅(qū)動(dòng)模塊210的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，如圖12所示，第一驅(qū)動(dòng)模塊210包括兩個(gè)驅(qū)動(dòng) 晶體管T4和T5以及一個(gè)存儲(chǔ)電容C(對(duì)于第二驅(qū)動(dòng)模塊210,兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管在圖12中表 示為T4'和T5'，電容表示為C'），其中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管T4的源極連接工作電壓線Vdd，漏 極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管T5的源極；第二驅(qū)動(dòng)晶體管T5的柵極連接驅(qū)動(dòng)控制線S，源極連接 第一驅(qū)動(dòng)晶體管T4的漏極，漏極連接OLED ;存儲(chǔ)電容C連接在第一驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極 和源極之間；
[0124] 第一驅(qū)動(dòng)模塊210的第一驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極連接第二寫晶體管T2的柵極，第 二驅(qū)動(dòng)模塊220的第二驅(qū)動(dòng)晶體管T2柵極連接第二寫晶體管T2的漏極。
[0125] 本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，流經(jīng)電致發(fā)光單元的工作電流不受對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管的 閾值電壓的影響，徹底解決了由于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移導(dǎo)致顯示亮度不均的問題。 且本發(fā)明實(shí)施例中，兩個(gè)像素僅對(duì)應(yīng)使用三條控制線，一條工作電壓線和一條數(shù)據(jù)電壓線， 大大縮減了使用的信號(hào)線路的個(gè)數(shù)，從而能夠進(jìn)一步提高像素密度。
[0126] 進(jìn)一步的，該像素電路還可以包括重置晶體管T6,重置晶體管T6柵極連接重置控 制線Reset，源極連接第二寫晶體管T2的漏極，漏極連接重置低電平線Vint。
[0127] 優(yōu)選的，各個(gè)晶體管均為P溝道型晶體管。
[0128] 下面結(jié)合圖13和圖14對(duì)本發(fā)明實(shí)施例四提供的像素電路的一種優(yōu)選的驅(qū)動(dòng)方法 進(jìn)行說明，如圖13所示，對(duì)每一幀像素?cái)?shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)過程可分為第一充電階段2、第二充電階 段3以及發(fā)光階段4，
[0129] 在第一充電階段2,如圖13所示，在數(shù)據(jù)電壓線Vdata中施加0LED發(fā)光所需要的 第一數(shù)據(jù)電壓VI，在第一寫控制線R1和第二寫控制線R2施加低電平，其他控制線施加高電 平，此時(shí)T1和T3導(dǎo)通，T2作為驅(qū)動(dòng)TFT也導(dǎo)通，如圖14a所示，Vdata沿T1-T2-T3向電容 C'的a端充電，一直充電到Vl-Vth2為止（Vth2為T2的閾值電壓）。
[0130] 在第二充電階段3,如圖13所示，在數(shù)據(jù)電壓線Vdata中施加0LED'發(fā)光所需要 的第一數(shù)據(jù)電壓V2,在第一寫控制線R1施加低電平，其他控制線施加高電平，此時(shí)T1和T2 導(dǎo)通，如圖14b所示，Vdata沿T1-T2向電容C'的b端充電，一直充電到V2-Vth2為止。
[0131] 在發(fā)光階段4,如圖13所示，僅在驅(qū)動(dòng)控制線S施加低電平，在其他控制線施加高 電平，此時(shí)T5和T5'導(dǎo)通，如圖14c所示，Vdd經(jīng)T4-T5向0LED供電，沿T4' -T5'向0LED' 供電。
[0132] 由TFT飽和電流公式，可以得到流經(jīng)0LED的電流：
[0133] I〇led = K(VGS - V th2)2 = K[Vdd - (VI - Vth2) - Vth4]2
[0134] = K(Vdd-Vl)2
[0135] 公式中Vth4是T4的閾值電壓，根據(jù)鏡像電路原理，認(rèn)為Vth2與Vth4近似相等， 即 Vth2 = Vth4。
[0136] 根據(jù)鏡像電路原理，T2、T4和T4'位置較接近可以默認(rèn)為Vth2 = Vth4 = Vth4' ； Vth4'為T4'的閾值電壓。
[0137] 同理，流過 0LED' 的電流為 Ι_, = K(Vdd - V2)2。
[0138] 由上式中可以看到此時(shí)流經(jīng)兩個(gè)電致發(fā)光單元的工作電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管閾值 電壓的影響，只與此時(shí)的數(shù)據(jù)電SV data有關(guān)。徹底解決了驅(qū)動(dòng)TFT由于工藝制程及長時(shí)間 的操作造成閾值電壓（V漂移的問題，消除其對(duì)流經(jīng)電致發(fā)光單元的電流的影響，保證電 致發(fā)光單元的正常工作。
[0139] 進(jìn)一步的，在第一充電階段2之前，還可以包括如圖13所述的重置階段1，此時(shí)在 Reset控制線和第二線控制線R2上施加低電平，此時(shí)T6和T3導(dǎo)通，分別將電容C的a端、 電容C'的b端電壓置為0。通過這種方式，能夠保證電容中的電壓快速置為0,避免對(duì)后續(xù) 的發(fā)光或者觸控檢測產(chǎn)生干擾。
[0140] 基于相同的構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所示的像素電 路。
[0141] 優(yōu)選的，該顯示裝置中，一個(gè)像素電路對(duì)應(yīng)與兩個(gè)像素，如圖15所示，上述的像素 電路（圖中所述的PU)可以位于共用的數(shù)據(jù)電壓線的同一側(cè)，或者如圖16所示，上述的像 素電路PU位于共用的數(shù)據(jù)電壓線的兩側(cè)。
[0142] 優(yōu)選的，每一個(gè)像素的像素均區(qū)域包含一個(gè)發(fā)光模塊、一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊。
[0143] 進(jìn)一步的，在數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括兩個(gè)子數(shù)據(jù)電壓寫模塊時(shí)，每一個(gè)像素都對(duì)應(yīng) 一個(gè)子數(shù)據(jù)電壓寫模塊。這樣能夠使得元器件在相應(yīng)的基板上的分布更加均勻。
[0144] 進(jìn)一步的，在實(shí)施例二提供的像素電路還包括電容式觸控檢測模塊和光感式觸控 檢測模塊時(shí)，該像素電路對(duì)應(yīng)的兩個(gè)像素各包含一個(gè)觸控檢測單元。
[0145] 進(jìn)一步的，在實(shí)施例二提供的像素電路還包括電容式觸控檢測模塊和光感式觸控 檢測模塊時(shí)，包含該像素電路的顯示裝置中，電容式觸控檢測模塊C位于其中一個(gè)像素的 像素區(qū)域內(nèi)，光感式觸控檢測模塊P位于另一個(gè)像素的像素區(qū)域內(nèi)，此時(shí)兩個(gè)觸控檢測單 元可以如圖17所示位于信號(hào)讀取線Read line的同一側(cè)，或者如圖18所示位于信號(hào)讀取 線Read line的兩側(cè)。
[0146] 進(jìn)一步的，在實(shí)施例二提供的像素電路還包括電容式觸控檢測模塊和光感式觸控 檢測模塊時(shí)，如圖17或18所示，該像素電路呈周期性分布。在不包含本發(fā)明實(shí)施例提供的 像素電路的其他像素內(nèi)，可以布置普通的像素電路。這樣，能夠避免在每個(gè)像素中都設(shè)置一 個(gè)觸控檢測單元，降低制作復(fù)雜度和成本。
[0147] 顯示裝置可以為：電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相 框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0148] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾 也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種像素電路，其特征在于，包括：數(shù)據(jù)電壓寫模塊和兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊、兩個(gè)發(fā)光模 塊；其中，數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、寫控制線以及兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊相連，用于在同一幀 內(nèi)，根據(jù)寫控制線的輸入先將數(shù)據(jù)電壓線中的第一數(shù)據(jù)電壓寫入第一驅(qū)動(dòng)模塊，再將數(shù)據(jù) 電壓線中的第二數(shù)據(jù)電壓寫入第二驅(qū)動(dòng)模塊；第一驅(qū)動(dòng)模塊與第一發(fā)光模塊相連，第二驅(qū) 動(dòng)模塊與第二發(fā)光模塊相連；且兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊均與工作電壓線、驅(qū)動(dòng)控制線相連，用于在驅(qū) 動(dòng)控制線的控制下驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的發(fā)光模塊發(fā)光。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括第一子數(shù)據(jù) 電壓寫模塊和第二子數(shù)據(jù)電壓寫模塊，所述第一子數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、第一寫 控制線以及第一驅(qū)動(dòng)模塊相連，所述第二子數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、第二寫控制線 以及第二驅(qū)動(dòng)模塊相連。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，每一個(gè)子數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括一個(gè)寫 晶體管，所述寫晶體管的柵極連接到對(duì)應(yīng)的寫控制線，源極連接數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接對(duì)應(yīng) 的驅(qū)動(dòng)模塊。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊包括三個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管 和一個(gè)存儲(chǔ)電容，其中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接對(duì)應(yīng)的寫晶體管的漏極，柵極和漏極均 與第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連；第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與第三驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，源 極與數(shù)據(jù)電壓線相連；第三驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與驅(qū)動(dòng)控制線相連，漏極與發(fā)光模塊相連； 所述存儲(chǔ)電容的第一端連接所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，第二端連接所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管 的源極。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，還包括第一重置晶體管和第二重置晶 體管，第一重置晶體管的柵極連接重置控制線，源極連接第一驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第一 端，漏極連接重置低電平線；第二重置晶體管的柵極連接重置控制線，源極連接第二驅(qū)動(dòng)模 塊的存儲(chǔ)電容的第一端，漏極連接重置低電平線。
6. 如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊包括四個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管 和一個(gè)存儲(chǔ)電容；其中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接驅(qū)動(dòng)控制線，源極連接工作電壓線，漏 極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接存儲(chǔ)電容的第一端，漏極連接 第三驅(qū)動(dòng)晶體管的源極；第三驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連接驅(qū)動(dòng)控制線，漏極連接發(fā)光模塊；第四 驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接存儲(chǔ)電容的第一端；存儲(chǔ)電容的 第二端接地； 第一驅(qū)動(dòng)模塊的第四驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連接第一寫控制線，第二驅(qū)動(dòng)模塊的第四驅(qū)動(dòng)晶 體管柵極連接第二寫控制線。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，還包括第一重置晶體管和第二重置晶 體管，兩個(gè)重置晶體管的柵極均連接重置控制線；第一重置晶體管的源極連接第一驅(qū)動(dòng)模 塊的存儲(chǔ)電容的第一端，漏極連接第一驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第二端；第二重置晶體管的 源極連接第二驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第一端，漏極連接第二驅(qū)動(dòng)模塊的存儲(chǔ)電容的第二 端。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素電路，其特征在于，還包括一個(gè)電容式觸控檢測模塊和一 個(gè)光感式觸控檢測模塊； 所述電容式觸控檢測模塊包括第一觸控晶體管、第二觸控晶體管、第三觸控晶體管和 第一感測電容，第一觸控晶體管的柵極連接重置控制線，源極連接數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接第 一感測電容的第一端；第二觸控晶體管的柵極連接第一感測電容的第一端，源極連接第一 感測電容的第二端，漏極連接第三觸控晶體管的源極；第三觸控晶體管的柵極連接第一寫 控制線，漏極連接觸控信號(hào)讀取線；第一感測電容的第二端還連接檢測驅(qū)動(dòng)電壓線； 所述光感式觸控檢測模塊包括第四觸控晶體管、第五觸控晶體管、第六觸控晶體管，第 七觸控晶體管和第二感測電容，第四觸控晶體管的柵極連接第二寫控制線，源極連接數(shù)據(jù) 電壓線，漏極連接第二感測電容的第一端；第五觸控晶體管的柵極和漏極連接第二感測電 容的第一端，源極連接第二感測電容的第二端；第六觸控晶體管的柵極連接驅(qū)動(dòng)控制線，源 極連接第二感測電容的第二端，漏極連接觸控信號(hào)讀取線；第七觸控晶體管的柵極連接重 置控制線，源極連接第二感測電容的第一端，漏極接地；其中，所述第五觸控晶體管為感光 晶體管。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括三個(gè)寫晶體 管，其中，第一寫晶體管的柵極連接第一寫控制線，源極連接數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接第二寫 晶體管的源極；第二寫晶體管的柵極連接第一驅(qū)動(dòng)模塊和第三寫晶體管的漏極，漏極連接 第三寫晶體管的源極以及第二驅(qū)動(dòng)模塊；第三寫晶體管的柵極連接第二寫控制線。
10. 如權(quán)利要求9所述的像素電路，其特征在于，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊，包括兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體 管和一個(gè)存儲(chǔ)電容，其中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接工作電壓線，漏極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體 管的源極；第二驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連接驅(qū)動(dòng)控制線，源極連接第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連 接發(fā)光模塊；存儲(chǔ)電容連接在第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間； 第一驅(qū)動(dòng)模塊的第一驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連接第二寫晶體管的柵極，第二驅(qū)動(dòng)模塊的第二 驅(qū)動(dòng)晶體管柵極連接第二寫晶體管的漏極。
11. 如權(quán)利要求10所述的像素電路，其特征在于，還包括重置晶體管，重置晶體管柵極 連接重置控制線，源極連接第二寫晶體管的漏極，漏極連接重置低電平線。
12. 如權(quán)利要求3-7、9-11任一項(xiàng)所述的像素電路，其特征在于，各個(gè)晶體管均為P溝道 型 TFT。
13. 如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，每一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊包括四個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管 和一個(gè)存儲(chǔ)電容，第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接第一驅(qū)動(dòng)控制線，源極連接第二驅(qū)動(dòng)晶體管 和第三驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，漏極連接工作電壓線；第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接第二驅(qū)動(dòng)控 制線，源極連接存儲(chǔ)電容的第一端；第三驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接存儲(chǔ)電容的第一端，源極連 接發(fā)光模塊；第四驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和漏極連接存儲(chǔ)電容的第一端，源極連接對(duì)應(yīng)的寫晶 體管；所述存儲(chǔ)電容的第二端連接低電平線。
14. 如權(quán)利要求13所述的像素電路，其特征在于，各個(gè)晶體管均為N溝道型薄膜場效應(yīng) 晶體管TFT。
15. -種用于驅(qū)動(dòng)權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的像素電路的方法，其特征在于，包括：每 一幀包括第一充電階段、第二充電階段、發(fā)光階段； 在第一充電階段，在數(shù)據(jù)電壓線施加第一數(shù)據(jù)電壓，并在寫控制線施加第一掃描電壓 將所述第一數(shù)據(jù)電壓寫入第一驅(qū)動(dòng)模塊： 在第二充電階段，在數(shù)據(jù)電壓線施加第二數(shù)據(jù)電壓，并在寫控制線施加第二掃描電壓 將所述第二數(shù)據(jù)電壓寫入第二驅(qū)動(dòng)模塊： 在發(fā)光階段，在驅(qū)動(dòng)控制線中輸入掃描電壓使驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)發(fā)光模塊發(fā)光。
16. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的像素電路。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104112427SQ201410347992
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年7月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月21日
【發(fā)明者】楊盛際 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司