本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種amoled像素驅動電路及amoled像素驅動方法。

背景技術：

有源矩陣有機發光二極管(activematrixorganiclightemittingdiode，amoled)能夠發光是由驅動薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)在飽和狀態時產生的電流所驅動，傳統的amoled驅動電路常為2t1c驅動電路。請參閱圖1，該2t1c電路包括兩個tft與一個電容(capacitor)，其中，t1為像素電路的驅動管，t2為開關管，掃描線gate開啟開關管t2，數據電壓date對存儲電容cst充放電，發光期間開關管t2關閉，電容上存儲的電壓使驅動管t1保持導通，導通電流使oled發光。若要實現穩定顯示，就要保持通過oled的電流穩定；但由于制作工藝的限制，使得驅動tft的閾值電壓均勻性非常差且有漂移，導致輸入相同的灰階電壓時產生不同的驅動電流，驅動電流不一致性使得發光器件的工作狀態不穩定，加之發光器件的老化使其開啟電壓增大，最終導致面板亮度均勻性很差，發光效率不高。

對于2t1c驅動電路存在的上述問題，現有技術有進一步的改進，通過添加新的tft或新的信號的方式來減弱甚至可以消除閾值電壓漂移帶來的影響。但，改進之后的電路通常需要很多的tft、電壓控制線以及額外的電源，控制時序也相對比較復雜，大大增加了成本。

故，有必要提供一種amoled像素驅動電路及amoled像素驅動方法，以解決現有技術所存在的問題。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種amoled像素驅動電路及amoled像素驅動方法，解決現有的驅動電路架構復雜的問題，同時消除驅動管閾值電壓對驅動電流的影響。

為達到上述目的，本發明提供的amoled像素驅動電路采用如下技術方案：

一種amoled像素驅動電路，其包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容及有機發光二極管；

所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第一節點，源極電性連接于第二節點，漏極電性連接于第三節點；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號，源極電性連接于第三節點，漏極電性連接于第一節點；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號，源極電性連接于有機發光二極管的陰極，漏極電性連接于第三節點；

所述第四薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號，源極接入電源正電壓，漏極電性連接于有機發光二極管的陰極；

所述第五薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號，源極接入數據信號，漏極電性連接于第二節點；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第四掃描信號，源極接入電源負電壓，漏極電性連接于第二節點；

所述電容的一端連接于第一節點，另一端接地；

所述有機發光二極管的陽極接入電源正電壓，陰極電性連接于第四薄膜晶體管的漏極及第三薄膜晶體管的源極。

在本發明的amoled像素驅動電路中，所述第一掃描信號、第二掃描信號、第三掃描信號以及第四掃描信號均通過外部時序控制器提供。

在本發明的amoled像素驅動電路中，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

在本發明的amoled像素驅動電路中，所述第一掃描信號、第二掃描信號、第三掃描信號以及第四掃描信號相組合先后對應于一電位初始化階段，一電位存儲階段、及一發光顯示階段。

在本發明的amoled像素驅動電路中，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為n型薄膜晶體管；

在所述電位初始化階段，所述第一掃描信號提供低電位，所述第二掃描信號提供高電位，所述第三掃描信號提供高電位，所述第四掃描信號提供低電位；

在所述電位存儲階段，所述第一掃描信號提供高電位，所述第二掃描信號提供高電位，所述第三掃描信號提供低電位，所述第四掃描信號提供低電位，所述數據信號提供顯示數據電位；

在所述發光顯示階段，所述第一掃描信號提供低電位，所述第二掃描信號提供低電位，所述第三掃描信號提供高電位，所述第四掃描信號提供高電位。

在本發明還提供了一種amoled像素驅動方法，技術方案如下：

步驟1、提供一amoled像素驅動電路；

所述amoled像素驅動電路包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容及有機發光二極管；

所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接于第一節點，源極電性連接于第二節點，漏極電性連接于第三節點；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號，源極電性連接于第三節點，漏極電性連接于第一節點；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號，源極電性連接于有機發光二極管的陰極，漏極電性連接于第三節點；

所述第四薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號，源極接入電源正電壓，漏極電性連接于有機發光二極管的陰極；

所述第五薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號，源極接入數據信號，漏極電性連接于第二節點；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第四掃描信號，源極接入電源負電壓，漏極電性連接于第二節點；

所述電容的一端連接于第一節點，另一端接地；

所述有機發光二極管的陽極接入電源正電壓，陰極電性連接于第四薄膜晶體管的漏極及第三薄膜晶體管的源極；

步驟2、進入電位初始化階段；

所述第一掃描信號控制第五薄膜晶體管關閉，所述第二掃描信號控制第二、及第四薄膜晶體管打開，所述第三掃描信號控制第三薄膜晶體管打開，所述第四掃描信號控制第六薄膜晶體管關閉，第一節點寫入電源正電壓并存儲在電容中，有機發光二極管不發光；

步驟3、進入電位存儲階段；

所述第一掃描信號控制第五薄膜晶體管打開，所述第二掃描信號控制第二、及第四薄膜晶體管打開，所述第三掃描信號控制第三薄膜晶體管關閉，所述第四掃描信號控制第六薄膜晶體管關閉，所述數據信號提供顯示數據電位，第二節點寫入顯示數據電位，利用電容放電使得第一節點的電壓為第二節點的電壓與第一薄膜晶體管的閾值電壓之和，并將第一節點的電壓存儲在電容中，有機發光二極管不發光；

步驟4、進入發光顯示階段；

所述第一掃描信號控制第五薄膜晶體管關閉，所述第二掃描信號控制第二、及第四薄膜晶體管關閉，所述第三掃描信號控制第三薄膜晶體管打開，所述第四掃描信號控制第六薄膜晶體管打開，利用電容的存儲作用，使得第一節點的電壓保持在顯示數據電位與第一薄膜晶體管的閾值電壓之和，第二節點寫入電源負電壓，第一薄膜晶體管打開，有機發光二極管發光，且流經所述有機發光二極管的電流與第一薄膜晶體管的閾值電壓無關。

在本發明的amoled像素驅動方法中，所述第一掃描信號、第二掃描信號、第三掃描信號以及第四掃描信號均通過外部時序控制器提供。

在本發明的amoled像素驅動方法中，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

在本發明的amoled像素驅動方法中，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為n型薄膜晶體管；

在所述電位初始化階段，所述第一掃描信號提供低電位，所述第二掃描信號提供高電位，所述第三掃描信號提供高電位，所述第四掃描信號提供低電位；

在所述電位存儲階段，所述第一掃描信號提供高電位，所述第二掃描信號提供高電位，所述第三掃描信號提供低電位，所述第四掃描信號提供低電位，所述數據信號提供顯示數據電位；

在所述發光顯示階段，所述第一掃描信號提供低電位，所述第二掃描信號提供低電位，所述第三掃描信號提供高電位，所述第四掃描信號提供高電位。

本發明的amoled像素驅動電路及amoled像素驅動方法，通過采用6t1c電路搭配簡單的驅動時序，能夠有效補償驅動管的閾值電壓，使流過發光器件的電流不受驅動管閾值電壓的影響，消除了發光器件自身老化對顯示亮度的影響，提高面板顯示均勻性，改善畫面的顯示效果；同時簡化構架，大大節約了成本。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發明的具體實施方式詳細描述，將使本發明的技術方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為現有的2t1c結構的amoled像素驅動電路的電路圖；

圖2為本發明的amoled像素驅動電路的電路圖；

圖3為本發明amoled像素驅動電路的時序圖；

圖4為本發明amoled像素驅動方法的步驟2的示意圖；

圖5為本發明amoled像素驅動方法的步驟3的示意圖；

圖6為本發明amoled像素驅動方法的步驟4的示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參閱圖2，本發明提供一種amoled像素驅動電路，該amoled像素驅動電路采用6t1c結構，包括：第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、電容c及有機發光二極管d1；

第一薄膜晶體管t1的柵極電性連接于第一節點g，源極電性連接于第二節點s，漏極電性連接于第三節點d；第二薄膜晶體管t2的柵極接入第二掃描信號scan2，源極電性連接于第三節點d，漏極電性連接于第一節點g；第三薄膜晶體管t3的柵極接入第三掃描信號scan3，源極電性連接于有機發光二極管d1的陰極，漏極電性連接于第三節點d；第四薄膜晶體管t4的柵極接入第二掃描信號scan2，源極接入電源正電壓ovdd，漏極電性連接于有機發光二極管d1的陰極；第五薄膜晶體管t5的柵極接入第一掃描信號scan1，源極接入數據信號data，漏極電性連接于第二節點s；第六薄膜晶體管t6的柵極接入第四掃描信號scan4，源極接入電源負電壓ovss，漏極電性連接于第二節點s；電容c的一端連接于第一節點g，另一端接地gnd；有機發光二極管d1的陽極接入電源正電壓ovdd，陰極電性連接于第四薄膜晶體管t4的漏極及第三薄膜晶體管t3的源極。

第一掃描信號scan1控制第五薄膜晶體管t5的打開與關閉，第二掃描信號scan2控制第二、及第四薄膜晶體管t2、t4的打開與關閉，第三掃描信號scan3控制第三薄膜晶體管t3的打開與關閉，第四掃描信號scan4控制第六薄膜晶體管t6打開與關閉，數據信號data用于控制有機發光二極管d1的發光亮度，電容c為存儲電容。進一步地，通過第二薄膜晶體管t2的打開將第一薄膜晶體管t1短路為二極管進行閾值電壓的補償；同時，本實施例中采用有機發光二極管d1上發光方式，即有機發光二極管d1的陽極端與電源正電壓ovdd直接相連，當然相應的發光器件也可選擇下發光方式，即有機發光二極管d1的陰極端與電源負電壓ovss直接相連，但是上發光方式與下方光方式相比有著更高的開口率，整體性能更好。

具體地，圖2中的第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、及第六薄膜晶體管t6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管，在本優選實施例中，上述6個薄膜晶體管均采用n型薄膜晶體管，方便電路的架構。

具體地，圖2中的第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2、第三掃描信號scan3以及第四掃描信號scan4均通過外部時序控制器提供。

圖3為本發明一實施例的像素驅動電路中各個控制信號的時序圖。請共同參照圖2與圖3，本實施例的第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2、第三掃描信號scan3以及第四掃描信號scan4相組合先后對應一電位初始化階段1、一電位存儲階段2、及一發光顯示階段3。

請參閱圖4至圖6，并結合圖2與圖3，本發明的amoled像素驅動電路的工作過程如下：

請參閱圖3與圖4，在電位初始化階段1，由于第二掃描信號scan2、第三掃描信號scan3提供高電位，控制第二、第三、及第四薄膜晶體管t2、t3、t4打開；第一掃描信號scan1、第四掃描信號scan4提供低電位，第五、第六薄膜晶體管t5、t6關閉；第一節點g即第一薄膜晶體管t1的柵極經由打開的第四、第三、第二薄膜晶體管t4、t3、t2寫入電源正電壓ovdd并存儲在電容c中，有機發光二極管d1不發光，完成對第一節點g即第一薄膜晶體管t1的柵極電位的初始化。

請參閱圖3與圖5，在電位存儲階段2，由于第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2提供高電位，控制第二、第四、第五薄膜晶體管t2、t4、t5打開；第三掃描信號scan3、第四掃描信號scan4為低電位，第三、第六薄膜晶體管t3、t6關閉；數據信號提供顯示數據電位vdata；由于第五薄膜晶體管t5的打開，使第二節點s即第一薄膜晶體管t1的源極寫入顯示數據電位vdata，打開的第二薄膜晶體管t2短接第一薄膜晶體管t1的柵極和漏極，第一節點g即第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓經第一薄膜晶體管t1的源極不斷放電，直到電位達到顯示數據電位vdata與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth之和，即vg＝vs+vth＝vdata+vth，其中，vg是第一薄膜晶體管t1的柵極電壓，vs是第一薄膜晶體管t1的源極電壓，vth是第一薄膜晶體管t1的閾值電壓，此時第一薄膜晶體管t1的柵極電壓存儲在電容c中，有機發光二極管d1不發光。

請參閱圖3和圖6，在發光顯示階段3，由于第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2提供低電位，第五、第四、第二薄膜晶體管t5、t4、t2關閉；第三掃描信號scan3、第四掃描信號scan4提供高電位，控制第三、第六薄膜晶體管t3、t6打開，利用電容c的存儲作用，使得第一節點g即第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓保持為顯示數據電位vdata與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth之和，第二節點s即第一薄膜晶體管t1的源極經由打開的第六薄膜晶體管t6寫入電源負電壓ovss，此時vs＝ovss，即vgs＝vg–vs＝vdata+vth–ovss，第一薄膜晶體管t1打開，有機發光二極管d1發光；

進一步地，已知流經有機發光二極管d1的電流滿足：

id1＝k(vgs-vth)²(1)

其中，id1為流過有機發光二極管d1的電流，常數k為本征導電因子，vgs為第一薄膜晶體管t1的柵極與源極的電壓差。

而(2)

將式(2)代入式(1)，

id1＝k(vgs-vth)²

＝k(vdata+vth-ovss-vth)²

＝k(vdata-ovss)²

由此可見，流經有機發光二極管d1的電流id1與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth、及有機發光二極管的閾值電壓無關，僅與數據信號電壓vdata以及電源負壓ovss有關，補償了驅動薄膜晶體管的閾值漂移，解決了由閾值電壓漂移導致的流過發光二極管的電流不穩定的問題，消除了發光器件自身老化對顯示亮度的影響，提高面板顯示均勻性。

請參閱圖4至圖6，并結合圖2與圖3，基于上述amoled像素驅動電路，本發明還提供了一種amoled像素驅動方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一amoled像素驅動電路；

該amoled像素驅動電路包括：第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、電容c及有機發光二極管d1；第一薄膜晶體管t1的柵極電性連接于第一節點g，源極電性連接于第二節點s，漏極電性連接于第三節點d；第二薄膜晶體管t2的柵極接入第二掃描信號scan2，源極電性連接于第三節點d，漏極電性連接于第一節點g；第三薄膜晶體管t3的柵極接入第三掃描信號scan3，源極電性連接于有機發光二極管d1的陰極，漏極電性連接于第三節點d；第四薄膜晶體管t4的柵極接入第二掃描信號scan2，源極接入電源正電壓，漏極電性連接于有機發光二極管d1的陰極；第五薄膜晶體管t5的柵極接入第一掃描信號scan1，源極接入數據信號data，漏極電性連接于第二節點s；第六薄膜晶體管t6的柵極接入第四掃描信號scan4，源極接入電源負電壓ovss，漏極電性連接于第二節點s；電容c的一端連接于第一節點g，另一端接地gnd；有機發光二極管d1的陽極接入電源正電壓ovdd，陰極電性連接于第四薄膜晶體管t4的漏極及第三薄膜晶體管t3的源極。

第一掃描信號scan1控制第五薄膜晶體管t5的打開與關閉，第二掃描信號scan2控制第二、及第四薄膜晶體管t2、t4的打開與關閉，第三掃描信號scan3控制第三薄膜晶體管t3的打開與關閉，第四掃描信號scan4控制第六薄膜晶體管t6打開與關閉，數據信號data用于控制有機發光二極管d1的發光亮度，電容c為存儲電容。進一步地，通過第二薄膜晶體管t2的打開將第一薄膜晶體管t1短路為二極管進行閾值電壓的補償；同時，本實施例中采用有機發光二極管d1上發光方式，即有機發光二極管d1的陽極端與電源正電壓ovdd直接相連，當然相應的發光器件也可選擇下發光方式，即有機發光二極管d1的陰極端與電源負電壓ovss直接相連，但是上發光方式與下方光方式相比有著更高的開口率，整體性能更好。

具體地，圖2中的第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、及第六薄膜晶體管t6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管，在本優選實施例中，上述6個薄膜晶體管均采用n型薄膜晶體管，方便電路的架構。

具體地，圖2中的第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2、第三掃描信號scan3以及第四掃描信號scan4均通過外部時序控制器提供。

圖3為本發明一實施例的像素驅動電路中各個控制信號的時序圖。請共同參照圖2與圖3，本實施例的第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2、第三掃描信號scan3以及第四掃描信號scan4相組合先后對應一電位初始化階段1、一電位存儲階段2、及一發光顯示階段3。

步驟2、進入電位初始化階段1；

請參閱圖3與圖4，由于第二掃描信號scan2、第三掃描信號scan3提供高電位，控制第二、第三、及第四薄膜晶體管t2、t3、t4打開；第一掃描信號scan1、第四掃描信號scan4提供低電位，第五、第六薄膜晶體管t5、t6關閉；第一節點g即第一薄膜晶體管t1的柵極經由打開的第四、第三、第二薄膜晶體管t4、t3、t2寫入電源正電壓ovdd并存儲在電容c中，有機發光二極管d1不發光，完成對第一節點g點即第一薄膜晶體管t1的柵極電位的初始化。

步驟3、進入電位存儲階段2；

請參閱圖3與圖5，由于第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2提供高電位，控制第二、第四、第五薄膜晶體管t2、t4、t5打開；第三掃描信號scan3、第四掃描信號scan4為低電位，第三、第六薄膜晶體管t3、t6關閉；數據信號提供顯示數據電位；由于t5晶體管的打開，使第二節點s即第一薄膜晶體管t1的源極寫入顯示數據電位vdata，打開的第二薄膜晶體管t2短接第一薄膜晶體管t1的柵極和漏極，第一節點g即第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓經第一薄膜晶體管t1的源極不斷放電，直到電位達到顯示數據電位vdata與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth之和，即vg＝vs+vth＝vdata+vth，其中，vg是第一薄膜晶體管t1的柵極電壓，vs是第一薄膜晶體管t1的源極電壓，vth是第一薄膜晶體管t1的閾值電壓，此時第一薄膜晶體管t1的柵極電壓存儲在電容c中，有機發光二極管d1不發光。

步驟4、進入發光顯示階段3；

請參閱圖3和圖6，第一掃描信號scan1、第二掃描信號scan2提供低電位，第五、第四、第二薄膜晶體管t5、t4、t2關閉；第三掃描信號scan3、第四掃描信號scan4提供高電位，控制第三、第六薄膜晶體管t3、t6打開，利用電容c的存儲作用，使得第一節點g即第一薄膜晶體管t1的柵極的電壓保持在顯示數據電位與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓之和，第二節點s即第一薄膜晶體管t1的源極經由打開的第六薄膜晶體管t6寫入電源負電壓ovss，此時vs＝ovss，即vgs＝vg–vs＝vdata+vth–ovss，第一薄膜晶體管t1打開，有機發光二極管d1發光；

進一步地，已知流經有機發光二極管d1的電流滿足：

id1＝k(vgs-vth)²(1)

其中，id1為流過有機發光二極管d1的電流，常數k為本征導電因子，vgs為第一薄膜晶體管t1的柵極與源極的電壓差。

而vgs＝vg-vs＝vdata+vth-ovss(2)

將式(2)代入式(1)，

id1＝k(vgs-vth)²

＝k(vdata+vth-ovss-vth)²

＝k(vdata-ovss)²

由此可見，流經有機發光二極管d1的電流id1與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓vth、及有機發光二極管的閾值電壓無關，僅與數據信號電壓vdata以及電源負壓ovss有關，補償了驅動薄膜晶體管的閾值漂移，解決了由閾值電壓漂移導致的流過發光二極管的電流不穩定的問題，消除了發光器件自身老化對顯示亮度的影響，提高面板顯示均勻性，改善畫面的顯示效果。

綜上所述，本發明提供的amoled像素驅動電路及amoled像素驅動方法，通過采用6t1c電路搭配簡單的驅動時序，不需要額外的電源，控制信號也比較少，不僅能夠有效補償驅動管的閾值電壓，使流過發光器件的電流不受驅動管閾值電壓的影響，消除了發光器件自身老化對顯示亮度的影響，提高面板顯示均勻性，改善畫面的顯示效果；同時簡化構架，大大節約了成本。

綜上，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。