本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種可以提高像素開口率的COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。如：液晶電視、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等。

通常液晶顯示裝置包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背光模組(Backlight module)。其中，液晶面板的結(jié)構(gòu)主要是由一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩色濾光片基板(Color Filter，CF)、以及配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

COA(Color filter On Array)是一種將CF基板上的色阻層制備于陣列基板上的技術(shù)，COA結(jié)構(gòu)因減小了像素電極與金屬走線的耦合，金屬線上信號(hào)的延遲狀況得到改善。COA結(jié)構(gòu)可明顯減小寄生電容大小，并提高面板開口率，改善面板顯示品質(zhì)。

參考圖1-2，其中，圖1為現(xiàn)有COA型液晶面板的像素設(shè)計(jì)示意圖，圖2為圖1所示導(dǎo)通孔處的剖面示意圖。所述COA型液晶面板的陣列基板上每一子像素區(qū)域包括第一金屬層21、設(shè)于所述第一金屬層21上的第一絕緣層22、設(shè)于所述第一絕緣層22上的半導(dǎo)體層23、設(shè)于所述半導(dǎo)體層23上的第二金屬層24、設(shè)于所述第二金屬層24上的第二絕緣層25、設(shè)于所述第二絕緣層25上的色阻層26、設(shè)于所述色阻層26上的第三絕緣層27、設(shè)于所述第三絕緣層27上的像素電極層28。所述第二絕緣層25、色阻層26及第三絕緣層27上對(duì)應(yīng)所述第二金屬層24的上方設(shè)有導(dǎo)通孔(VIA Hole)29，所述像素電極層28經(jīng)由所述導(dǎo)通孔29與所述第二金屬層24相接觸。

但是，在目前的成膜順序下，導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)需要通過在絕緣層和色阻層上挖孔實(shí)現(xiàn)，且在色阻層上的孔洞261直徑大于絕緣層上的孔洞直徑。這種導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)會(huì)損失掉很大一部分的像素開口率。

因此，需要對(duì)現(xiàn)有COA型液晶面板的像素設(shè)計(jì)方式進(jìn)行改進(jìn)，以簡(jiǎn)化制程，提高像素開口率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板，可以簡(jiǎn)化制程，提高像素開口率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種COA型液晶面板的制作方法，包括如下步驟：提供第一基板，并在所述第一基板上依次形成第一金屬層以及第一絕緣層；在所述第一絕緣層上依次形成色阻層以及第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成半導(dǎo)體層以及第二金屬層，并在所述第二金屬層上形成覆蓋所述第二絕緣層的第三絕緣層；在所述第三絕緣層上形成導(dǎo)通孔，并在所述第三絕緣層上形成像素電極層，其中，所述像素電極層經(jīng)由所述導(dǎo)通孔與所述第二金屬層相接觸。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種COA型液晶面板，包括陣列基板；所述陣列基板包括多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括依次設(shè)置的第一金屬層、第一絕緣層、色阻層以及第二絕緣層，設(shè)于所述第二絕緣層上的半導(dǎo)體層以及第二金屬層，設(shè)于所述第二金屬層上并覆蓋所述第二絕緣層的第三絕緣層，設(shè)于所述第三絕緣層上的像素電極層；所述第三絕緣層上設(shè)有導(dǎo)通孔，所述像素電極層經(jīng)由所述導(dǎo)通孔與所述第二金屬層相接觸。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過將色阻層的成膜和圖形化設(shè)置在第二金屬層之前，僅在第三絕緣層上挖洞便能形成導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)，避免在色阻層上挖洞，簡(jiǎn)化了制程，提高了像素開口率。

附圖說明

圖1，現(xiàn)有COA型液晶面板的像素設(shè)計(jì)示意圖；

圖2為圖1所示導(dǎo)通孔處的剖面示意圖；

圖3，本發(fā)明一實(shí)施例所述的COA型液晶面板的制作方法的流程圖；

圖4A-4C，本發(fā)明所述的COA型液晶面板的色阻層結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意圖

圖5，本發(fā)明所述的COA型液晶面板的導(dǎo)通孔處的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖以及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明提供的COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板作詳細(xì)說明。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參考圖3，本發(fā)明一實(shí)施例所述的COA型液晶面板的制作方法的流程圖；所述方法包括如下步驟：S31：提供第一基板，并在所述第一基板上依次形成第一金屬層以及第一絕緣層；S32：在所述第一絕緣層上依次形成色阻層以及第二絕緣層；S33：在所述第二絕緣層上形成半導(dǎo)體層以及第二金屬層，并在所述第二金屬層上形成覆蓋所述第二絕緣層的第三絕緣層；S34：在所述第三絕緣層上形成導(dǎo)通孔，并在所述第三絕緣層上形成像素電極層，其中，所述像素電極層經(jīng)由所述導(dǎo)通孔與所述第二金屬層相接觸；以下給出詳細(xì)解釋。

S31：提供第一基板，并在所述第一基板上依次形成第一金屬層以及第一絕緣層。

具體的，在所述第一基板上采用沉積并圖案化制程形成所述第一金屬層，之后在所述第一金屬層上沉積所述第一絕緣層；所述第一絕緣層可以為SiNx膜層。

具體的，所述第一基板可以為COA型液晶面板的陣列基板；所述第一金屬層包括柵極、所述第一絕緣層為設(shè)于所述柵極上的柵極絕緣層；所述陣列基板上還設(shè)有與所述柵極連接的掃描線。

S32：在所述第一絕緣層上依次形成色阻層以及第二絕緣層。

具體的，在所述第一絕緣層上采用涂布、曝光以及顯影制程形成所述色阻層，之后在所述色阻層上沉積所述第二絕緣層。所述第二絕緣層可以為SiNx膜層。

可選的，所述色阻層結(jié)構(gòu)采用單色阻層、雙色阻層以及三色阻層的任意一種。參考圖4A-4C，本發(fā)明所述的COA型液晶面板的色阻層結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意圖。其中，圖4A所示為單色阻層的色阻層結(jié)構(gòu)，單色阻層可為單獨(dú)的紅色、綠色或藍(lán)色；圖示采用藍(lán)色(B)。圖4B所示為雙色阻層的色阻層結(jié)構(gòu)，雙色阻層可為紅色、綠色、藍(lán)色中任選兩種顏色疊加，且疊加順序不限；圖示采用綠色、紅色依次疊加(G、R)。圖4C所示為三色阻層的色阻層結(jié)構(gòu)，三色阻層為紅色、綠色、藍(lán)色三種顏色復(fù)合，且疊加順序不限；圖示采用藍(lán)色、綠色、紅色依次疊加(B、G、R)。若采用三色阻層，則在COA制程中，需三次重復(fù)涂布、曝光以及顯影制程形成紅色、綠色、藍(lán)色三種顏色復(fù)合的三色阻層。

S33：在所述第二絕緣層上形成半導(dǎo)體層以及第二金屬層，并在所述第二金屬層上形成覆蓋所述第二絕緣層的第三絕緣層。

具體的，在所述第二絕緣層上沉積半導(dǎo)體薄膜并刻蝕形成半導(dǎo)體層，以及在所述第二絕緣層上采用沉積并圖案化制程形成第二金屬層，并在所述第二金屬層上沉積第三絕緣層。其中，所述第二金屬層與所述半導(dǎo)體層相接觸，所述第三絕緣層覆蓋所述第二絕緣層。所述第二絕緣層以及第三絕緣層均為SiNx膜層；所述半導(dǎo)體層的材料可以為非晶硅(a-Si)。

具體的，所述第一基板可以為COA型液晶面板的陣列基板；所述第二金屬層包括源/漏極、所述第三絕緣層為設(shè)于所述源/漏極上并覆蓋所述第二絕緣層的鈍化層，所述源/漏極與所述半導(dǎo)體層的相接觸。所述陣列基板上還設(shè)有與所述源/漏極連接的數(shù)據(jù)線；所述數(shù)據(jù)線設(shè)于所述第二絕緣層上且在水平方向上與所述掃描線垂直交叉排列。

步驟S33具體可以為：在所述柵極絕緣層上對(duì)應(yīng)柵極的位置依次沉積i-a-Si層及n-a-Si層、圖案化i-a-Si層；在所述第二絕緣層上采用沉積并圖案化制程形成源/漏極以及數(shù)據(jù)線，且源/漏極與所述半導(dǎo)體層相接觸，數(shù)據(jù)線與所述源/漏極連接；刻蝕n-a-Si層；沉積SiNx膜層。

S34：在所述第三絕緣層上形成導(dǎo)通孔，并在所述第三絕緣層上形成像素電極層，其中，所述像素電極層經(jīng)由所述導(dǎo)通孔與所述第二金屬層相接觸。

具體的，在所述第三絕緣層上對(duì)應(yīng)所述第二金屬層的上方通過圖案化制程形成所述導(dǎo)通孔，在所述第三絕緣層上采用沉積并圖案化制程形成所述像素電極層；所述像素電極層經(jīng)由所述導(dǎo)通孔與所述第二金屬層相接觸。具體的，所述像素電極層經(jīng)由所述導(dǎo)通孔與所述源/漏極相接觸；所述像素電極層的材料可以為氧化銦錫(ITO)。

至此，作為陣列基板的第一基板已制作完畢，之后將第一基板與第二基板對(duì)組并灌入液晶層，即完成整個(gè)COA型液晶面板的制作。所述第二基板上設(shè)有黑色矩陣、所述黑色矩陣上設(shè)有公共電極層；所述公共電極層的材料可以為氧化銦錫。

本發(fā)明所述的COA型液晶面板的制作方法，將色阻層的成膜和圖形化設(shè)置在第二金屬層之前，避免在色阻層上挖洞便能形成導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了制程，提高了像素開口率。

參考圖5，本發(fā)明所述的COA型液晶面板的導(dǎo)通孔處的剖面示意圖。所述的COA型液晶面板包括陣列基板；所述陣列基板包括多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括依次設(shè)置的第一金屬層51、第一絕緣層52、色阻層53以及第二絕緣層54，設(shè)于所述第二絕緣層54上的半導(dǎo)體層55以及第二金屬層56，設(shè)于所述第二金屬層56上并覆蓋所述第二絕緣層54的第三絕緣層57，設(shè)于所述第三絕緣層57上的像素電極層58；所述第三絕緣層57上設(shè)有導(dǎo)通孔59，所述像素電極層58經(jīng)由所述導(dǎo)通孔59與所述第二金屬層56相接觸。

具體的，第一絕緣層52、第二絕緣層54以及第三絕緣層57可以均為SiNx膜層；所述像素電極層材料可以為氧化銦錫(ITO)；所述半導(dǎo)體層的材料可以為非晶硅(a-Si)。

具體的，所述第一金屬層51包括柵極、所述第一絕緣層52為設(shè)于所述柵極上的柵極絕緣層；所述陣列基板上還設(shè)有與所述柵極連接的掃描線。所述第二金屬層56包括源/漏極、所述第三絕緣層57為設(shè)于所述源/漏極上并覆蓋所述第二絕緣層54的鈍化層，所述源/漏極與所述半導(dǎo)體層55相接觸(圖5中示出第二金屬層56位于半導(dǎo)體層55上方，在陣列基板上除導(dǎo)通孔59外的其它地方，第二絕緣層54上可以直接沉積并圖案化形成包括源/漏極的第二金屬層56)，所述像素電極層58經(jīng)由所述導(dǎo)通孔59與所述源/漏極相接觸。所述陣列基板上還設(shè)有與所述源/漏極連接的數(shù)據(jù)線；所述數(shù)據(jù)線設(shè)于所述第二絕緣層54上且在水平方向上與所述掃描線垂直交叉排列。

可選的，所述色阻層結(jié)構(gòu)采用單色阻層、雙色阻層以及三色阻層的任意一種。色阻層結(jié)構(gòu)可參考圖4A-4C以及對(duì)應(yīng)描述，此處不再贅述。

所述的COA型液晶面板還包括與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的玻璃基板、及位于所述陣列基板與玻璃基板之間的液晶層；所述玻璃基板上設(shè)有黑色矩陣、所述黑色矩陣上設(shè)有公共電極層；所述公共電極層的材料可以為氧化銦錫。

本發(fā)明所述的COA型液晶面板，色阻層的成膜和圖形化設(shè)置在第二金屬層之前，僅在第三絕緣層上挖洞便能形成導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了制程，提高了像素開口率。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。