本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種顯示面板的制造方法及顯示面板。

背景技術：

品質優良的TFT-LCD液晶顯示面板應該具備呈現均一逼真畫面的能力，色偏現象是影響面板顯示品質的一個重大因素，導致色偏的發生有多方面的原因，比如CF基板側光阻材料厚度在面板內均一性差、cell側面內液晶的cellgap高度均一性差、上下偏光片本身的缺陷和TFT側TFT性能的差異等，這些因素都有可能導致色偏，就TFT側而言，導致色偏的一個比較常見的因素就是RGB三種像素對應的Best Vcom均一性差，三種像素對應的Best Vcom存在差異，而一般的面板設計中，我們只設計單個CF_COM，也就是說RGB三種像素共用一個公共電壓(如圖1及圖2所示)，因而當RGB像素的Best Vcom存在差異時，在同一公共電壓下，三種像素所呈現的亮度便會發生偏移，不能較好的匹配，從而導致色偏。

技術實現要素：

發明主要解決的技術問題是提供一種顯示面板的制造方法及顯示面板，實現對公共電壓的分別調節，降低色偏發生的風險。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種顯示面板的制造方法，所述制造方法包括：

在所述顯示面板上設置多個像素單元和與所述多個像素單元對應的公共電極，每一像素單元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素；

將與所述第一子像素、第二子像素及第三子像素對應的公共電壓電極分成至少兩塊公共電壓分區；及

所述至少兩塊公共電壓分區用于調整所述第一子像素、第二子像素及第三子像素對應的公共電壓值，使得所述第一子像素的公共電壓值、所述第二子像素的公共電壓值及所述第三子像素的公共電壓值一致。

其中，所述公共電壓電極通過激光切割分成所述至少兩塊公共電壓分區，且與掃描線側邊緣平行。

其中，“將與所述第一子像素、第二子像素及第三子像素對應的公共電壓電極分成至少兩塊公共電壓分區”的步驟包括：

提供一基板；

在所述基板上第一次涂布透明導電膜；

在所述透明導電膜上涂布第一子像素光阻；

對所述基板進行處理后獲得對應所述第一子像素的公共電壓分區；

在所述基板上第二次涂布透明導電膜；

在所述透明導電膜上涂布第二子像素光阻；

對所述基板進行處理后獲得對應所述第二子像素的公共電壓分區；

在所述基板上第三次涂布透明導電膜；

在所述透明導電膜上涂布第三子像素光阻；及

對所述基板進行處理后獲得對應所述第三子像素的公共電壓分區。

其中，“對所述基板進行處理”的步驟包括：

對所述基板進行曝光；

對曝光后的所述基板進行顯影；及

對顯影后的所述基板進行蝕刻。

其中，“將與所述第一子像素、第二子像素及第三子像素對應的公共電壓電極分成至少兩塊公共電壓分區”的步驟之后還包括：

在顯示屏外圍將對應所述第一子像素的公共電壓分區、對應所述第二子像素的公共電壓分區及對應所述第三子像素的公共電壓分區中的任意兩個公共電壓分區通過短路方式連接在一起。

其中，將對應所述第一子像素的公共電壓分區與對應所述第二子像素的公共電壓分區連接在一起。

其中，將對應所述第一子像素的公共電壓分區與對應所述第三子像素的公共電壓分區連接在一起。

其中，將對應所述第二子像素的公共電壓分區與對應所述第三子像素的公共電壓分區連接在一起。

其中，所述第一子像素為紅色子像素，所述第二子像素綠色子像素，所述第三子像素為藍色子像素，所述基板為彩膜基板。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種顯示面板，所述顯示面板根據如所述的顯示面板的制造方法制成。

本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明的顯示面板的制作方法及顯示面板通過將顯示面板中的公共電壓電極層分割成至少兩個公共電壓分區，以使得當分割成兩個公共電壓分區時，將其中任意兩個子像素對應的公共電壓分區相連接即可，當分割成三個公共電壓分區時，使得所述第一至第三子像素分別單獨對應一個公共電壓分區，進而可以對第一至第三子像素的各自公共電壓進行調節，使得第一至第三子像素的公共電壓值一致，進而降低色偏發生的風險。

附圖說明

圖1是現有技術顯示面板的結構示意圖；

圖2是現有技術顯示面板的公共電極的結構示意圖；

圖3是本發明顯示面板的制作方法的第一實施例的流程圖；

圖4是圖3的顯示面板的公共電壓分區的結構示意圖；

圖5是本發明顯示面板的制作方法的第二實施例的流程圖；

圖6是本發明顯示面板的制作方法的工藝流程圖；

圖7是圖5及圖6的顯示面板的公共電壓分區的結構示意圖；

圖8是本發明顯示面板制作方法的第三實施例的流程圖；

圖9是圖8的顯示面板的公共電壓分區的結構示意圖。

具體實施方式

請參閱圖3，是本發明的顯示面板的制作方法的第一實施例的流程圖。所述制作方法包括以下步驟：

步驟S1：提供一基板10。

需要說明的是，如圖4所示，所述顯示面板1上設置多個像素單元和與所述多個像素單元對應的公共電極，每一像素單元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素。在本實施例中，所述第一至第三子像素分別為紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素。本發明實施例所述的基板10可以為玻璃基板、塑料基板、石英基板等各種適用于制作陣列基板和彩膜基板的材料。其中，所述基板10為完成制作的基板，具體地，所述完成制作的基板具體為：在所述基板10的顯示區域12形成有薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)陣列和電極結構；或者在所述基板10的顯示區域12形成有彩色樹脂結構。所述形成有薄膜晶體管陣列和電極結構是針對陣列基板的制作而言的，即在制作陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結構；所述形成有彩色樹脂結構是針對彩膜(CF，Color Filter)基板的制作而言的，即在制作彩膜基板的基板上形成彩色樹脂和黑矩陣等結構；所述完成制作的基板還可以是彩膜集成于陣列基板，即在制作陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結構，且將制作彩膜的彩色樹脂和黑矩陣等結構集成于所述陣列基板。總之，本發明實施例所述完成制作的基板是指已完成在制作配向膜前的各種必要工序的基板。

已完成制作的陣列基板上應已完成柵極、漏極、像素電極、公共電極布線、以及絕緣保護層的制作。另外，已完成制作的ADS模式陣列基板需兩層透明電極層，一層為像素電極，一層為公共電極；已完成制作的IPS模式陣列基板只需一層透明電極層作為像素電極層。與現有技術相同，此處不再贅述。

已完成制作的彩膜基板上應已完成色阻層(Color Resin)、黑矩陣層(Black Matrix)、保護層(Over Coat層)和隔墊物(Photo Spacer)、公共電極層(TN、VA等垂直電場模式需要)的制作，與現有技術相同，此處不再贅述。

已完成制作的Color Filter on Array基板：其陣列基板除包括極、漏極、像素電極、公共電極、絕緣保護層，還包括色阻層(Color Resin)、黑矩陣層(Black Matrix)，彩膜基板上只包含保護層(Over Coat層)和隔墊物(Photo Spacer)、公共電極層(TN、VA等垂直電場模式需要)。

在本實施例中，所述基本優選為彩膜基板。

步驟S2：在所述基板10涂布公共電壓電極層。

其中，在完成制作的基板10上涂布公共電壓電極層，采用本領域常用的方式，在此不再贅述。

步驟S3：通過激光將所述公共電壓電極層切割分成所述至少兩塊公共電壓分區，且與掃描線側邊緣平行。

其中，所述至少兩塊公共電壓分區用于調整所述第一子像素、第二子像素及第三子像素對應的公共電壓值，使得所述第一子像素的公共電壓值、所述第二子像素的公共電壓值及所述第三子像素的公共電壓值一致。通過激光切割將所述公共電壓電極層分成與掃描線側邊緣平行的多個區域，區域的數量根據實際需要確定，基于這種設計，對所述顯示面板各個區域尤其是面板邊緣的公共電壓進行調整，進而改善由于制程原因導致的顯示面板邊緣與中心膜厚值不同而引起的色偏現象。

請參閱圖5，是本發明的顯示面板的制作方法的第二實施例的流程圖。所述制作方法包括以下步驟：

步驟S1：提供一基板10。

需要說明的是，如圖6及圖7所示，所述顯示面板1上設置多個像素單元和與所述多個像素單元對應的公共電極，每一像素單元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素。在本實施例中，所述第一至第三子像素分別為紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素。本發明實施例所述的基板10可以為玻璃基板、塑料基板、石英基板等各種適用于制作陣列基板和彩膜基板的材料。其中，所述基板10為完成制作的基板，具體地，所述完成制作的基板具體為：在所述基板10的顯示區域12形成有薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)陣列和電極結構；或者在所述基板10的顯示區域12形成有彩色樹脂結構。所述形成有薄膜晶體管陣列和電極結構是針對陣列基板的制作而言的，即在制作陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結構；所述形成有彩色樹脂結構是針對彩膜(CF，Color Filter)基板的制作而言的，即在制作彩膜基板的基板上形成彩色樹脂和黑矩陣等結構；所述完成制作的基板還可以是彩膜集成于陣列基板，即在制作陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結構，且將制作彩膜的彩色樹脂和黑矩陣等結構集成于所述陣列基板。總之，本發明實施例所述完成制作的基板是指已完成在制作配向膜前的各種必要工序的基板。

已完成制作的陣列基板上應已完成柵極、漏極、像素電極、公共電極布線、以及絕緣保護層的制作。另外，已完成制作的ADS模式陣列基板需兩層透明電極層，一層為像素電極，一層為公共電極；已完成制作的IPS模式陣列基板只需一層透明電極層作為像素電極層。與現有技術相同，此處不再贅述。

已完成制作的彩膜基板上應已完成色阻層(Color Resin)、黑矩陣層(Black Matrix)、保護層(Over Coat層)和隔墊物(Photo Spacer)、公共電極層(TN、VA等垂直電場模式需要)的制作，與現有技術相同，此處不再贅述。

已完成制作的Color Filter on Array基板：其陣列基板除包括極、漏極、像素電極、公共電極、絕緣保護層，還包括色阻層(Color Resin)、黑矩陣層(Black Matrix)，彩膜基板上只包含保護層(Over Coat層)和隔墊物(Photo Spacer)、公共電極層(TN、VA等垂直電場模式需要)。

在本實施例中，所述基板10優選彩膜基板。

步驟S2：在所述基板10上第一次涂布透明導電膜20。

其中，透明導電膜20，即氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)透明導電膜玻璃，多通過ITO導電膜玻璃生產線，在高度凈化的廠房環境中，利用平面磁控技術，在超薄玻璃上濺射氧化銦錫導電薄膜鍍層并經高溫退火處理得到的高技術產品。產品廣泛地用于液晶顯示器(LCD)、太陽能電池、微電子ITO導電膜玻璃、光電子和各種光學領域。ITO導電膜的主要參數包括表面電阻、表面電阻的均勻性、透光率、熱穩定性、加熱收縮率、加熱卷曲等。其中光透過率主要與ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面電阻有關。在基底材料相同的情況下，ITO膜的表面電阻越小，ITO膜層的厚度越大，光透過率相應的會有一定程度的減小。透明導電氧化膜TCO中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90％以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3＝1:9。

步驟S3：在所述透明導電膜20上涂布第一子像素光阻30。

其中，在本實施例中，所述第一子像素為紅色子像素，根據設計需要，所述第一子像素不限定于紅色子像素，也可能為綠色子像素或者藍色子像素。

步驟S4：對所述基板10進行處理后獲得對應所述第一子像素的公共電壓分區。

其中，對所述基板10進行處理的具體步驟包括：對所述基板10進行曝光；對曝光后的所述基板10進行顯影；對顯影后的所述基板10進行蝕刻。具體地，所述曝光、顯影及蝕刻工藝與現有技術相同，在此不再贅述。

步驟S5：在所述基板10上第二次涂布透明導電膜20。

其中，在步驟S5中使用的透明導電膜20與在步驟S2中使用的透明導電膜20相同。

步驟S6：在所述透明導電膜20上涂布第二子像素光阻40。

其中，在本實施例中，所述第二子像素為綠色子像素，根據設計需要，所述第二子像素不限定于綠色子像素，也可能為紅色子像素或者藍色子像素。

步驟S7：對所述基板10進行處理后獲得對應所述第二子像素的公共電壓分區。

其中，對所述基板10進行處理的具體步驟包括：對所述基板10進行曝光；對曝光后的所述基板10進行顯影；對顯影后的所述基板10進行蝕刻。具體地，所述曝光、顯影及蝕刻工藝與現有技術相同，在此不再贅述。

步驟S8：在所述基板10上第三次涂布透明導電膜20。

具體地，在步驟S8中使用的透明導電膜20與在步驟S2及步驟S5中使用的透明導電膜20相同。

步驟S9：在所述透明導電膜20上涂布第三子像素光阻50。

其中，在本實施例中，所述第三子像素為綠色子像素，根據設計需要，所述第三子像素不限定于藍色子像素，也可能為紅色子像素或者綠色子像素。

步驟S10：對所述基板進行處理后獲得對應所述第三子像素的公共電壓分區。

其中，對所述基板10進行處理的具體步驟包括：對所述基板10進行曝光；對曝光后的所述基板10進行顯影；對顯影后的所述基板10進行蝕刻。具體地，所述曝光、顯影及蝕刻工藝與現有技術相同，在此不再贅述。

本實施例中，通過增加兩次透明導電膜的涂布，并結合第一至第三子像素光阻涂布、曝光、顯影及刻蝕過程，以第一至第三子像素光阻作為絕緣層將不同公共電壓分區隔開，制備出獨立的對應所述第一至第三子像素的公共電壓分區，通過調整所述第一子像素、第二子像素及第三子像素對應的公共電壓值，使得所述第一子像素的公共電壓值、所述第二子像素的公共電壓值及所述第三子像素的公共電壓值一致，進而降低面板發生色偏的風險。

請參閱圖8，是本發明的顯示面板制作方法的第三實施例的流程圖。根據圖8及圖9所示，所述顯示面板的第三實施例的制作流程與上述顯示面板的第二實施例的制作流程的區別之處在于：在步驟S10之后，還包括步驟S11：在顯示屏外圍將對應所述第一子像素的公共電壓分區、對應所述第二子像素的公共電壓分區及對應所述第三子像素的公共電壓分區中的任意兩個公共電壓分區通過短路方式連接在一起，以形成對應所述第一至第三子像素的兩個公共電壓分區。

具體地，可以將對應所述第一子像素的公共電壓分區與對應所述第二子像素的公共電壓分區連接在一起；或者將對應所述第一子像素的公共電壓分區與對應所述第三子像素的公共電壓分區連接在一起；或者將對應所述第二子像素的公共電壓分區與對應所述第三子像素的公共電壓分區連接在一起。具體根據設計需要，當設計兩個公共電壓分區時，其中兩種像素(例如RG、RB或GB像素組合)共用一個公共電壓分區，剩下的一個公共電壓分區被剩下的子像素所使用。

本發明通過將顯示面板中的公共電壓電極層分割成至少兩個公共電壓分區，以使得當分割成兩個公共電壓分區時，將其中任意兩個子像素對應的公共電壓分區相連接即可，當分割成三個公共電壓分區時，使得所述第一至第三子像素分別單獨對應一個公共電壓分區，進而可以對第一至第三子像素的各自公共電壓進行調節，使得第一至第三子像素的公共電壓值一致，進而降低色偏發生的風險。

以上所述僅為本發明的實施方式，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。