本發(fā)明實施例屬于液晶面板制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示單元制程控制方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶面板制造技術(shù)也在不斷提升和改進，液晶面板因其良好的顯示效果在電視機、大型會場的顯示屏幕、PC(personal computer，個人計算機)機顯示器等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。制造液晶面板首先要制造液晶基板，常用的液晶基板制造過程通常包括第一基板制程、第二基板制程和顯示單元制程(即TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)玻璃基板與第二基板的貼合過程)。

然而，在現(xiàn)有的顯示單元制程中，經(jīng)常會出現(xiàn)將第一基板制程輸送的第一基板中的達(dá)標(biāo)基片與第二基板制程輸送的第二基板中的不良基片進行配對組立的情況，從而大大降低了顯示單元制程所產(chǎn)出的液晶基板的達(dá)標(biāo)率，從而大大降低了生產(chǎn)效率，且造成嚴(yán)重的成本浪費。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種顯示單元制程控制方法及系統(tǒng)，能夠大大提高顯示單元制程達(dá)標(biāo)率，從而有效提高生產(chǎn)效率并節(jié)約制造成本。

本發(fā)明實施例一方面提供一種顯示單元制程控制方法，其包括：

檢測第一基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第一預(yù)設(shè)個數(shù)的第一基板作為達(dá)標(biāo)第一基板；

按照所述達(dá)標(biāo)第一基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第一基板劃分為第二預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第一基板輸送至顯示單元制程；

檢測第二基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第三預(yù)設(shè)個數(shù)的第二基板作為達(dá)標(biāo)第二基板；

按照所述達(dá)標(biāo)第二基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第二基板劃分為第四預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第二基板輸送至顯示單元制程；

按照分選等級對所述達(dá)標(biāo)第一基板和所述達(dá)標(biāo)第二基板進行配對組合；

計算每個配對組合的達(dá)標(biāo)匹配度，選取所述達(dá)標(biāo)匹配度大于預(yù)設(shè)比例的配對組合輸送至組立制程。

本發(fā)明實施例另一方面還提供一種顯示單元制程控制系統(tǒng)，其包括：

第一基板良率檢測單元，用于檢測第一基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第一預(yù)設(shè)個數(shù)的第一基板作為達(dá)標(biāo)第一基板；

第一基板等級劃分單元，用于按照所述達(dá)標(biāo)第一基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第一基板劃分為第二預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第一基板輸送至顯示單元制程；

第二基板良率檢測單元，用于檢測第二基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第三預(yù)設(shè)個數(shù)的第二基板作為達(dá)標(biāo)第二基板；

第二基板等級劃分單元，用于按照所述達(dá)標(biāo)第二基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第二基板劃分為第四預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第二基板輸送至顯示單元制程；

配對組合單元，用于按照分選等級對所述達(dá)標(biāo)第一基板和所述達(dá)標(biāo)第二基板進行配對組合；

匹配度計算單元，用于計算每個配對組合的達(dá)標(biāo)匹配度，選取所述達(dá)標(biāo)匹配度大于預(yù)設(shè)比例的配對組合輸送至組立制程。

本發(fā)明實施例本申請?zhí)峁┮环N顯示單元制程控制方法及系統(tǒng)，通過在第一基板和第二基板進入顯示單元制程之前，根據(jù)第一基板和第二基板上不良基片數(shù)量，選擇不良基片數(shù)量小于預(yù)設(shè)個數(shù)的第一基板和第二基板作為達(dá)標(biāo)第一基板和達(dá)標(biāo)第二基板，并根據(jù)第一基板和第二基板上不良基片的位置，將達(dá)標(biāo)第一基板和達(dá)標(biāo)第二基板劃分為多個分選等級，并在顯示單元制程中，按照分選等級對第一基板和第二基板進行配對組合，并選取匹配度高的配對組合注入液晶制成液晶基板，能夠大大提高顯示單元制程達(dá)標(biāo)率，從而有效提高生產(chǎn)效率并節(jié)約制造成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明的一個實施例提供的顯示單元制程控制方法的流程框圖；

圖2是本發(fā)明的一個實施例提供的第一基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的一個實施例提供的達(dá)標(biāo)第一基板的分選等級示意圖；

圖4是本發(fā)明的一個實施例提供的達(dá)標(biāo)第二基板的分選等級示意圖；

圖5是本發(fā)明的一個實施例提供的顯示單元制程控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖；

圖6是本發(fā)明的一個實施例提供的顯示單元制程控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。

具體實施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“包括”以及它們?nèi)魏巫冃危鈭D在于覆蓋不排他的包含。例如包含一系列步驟或單元的過程、方法或系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備沒有限定于已列出的步驟或單元，而是可選地還包括沒有列出的步驟或單元，或可選地還包括對于這些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。此外，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等是用于區(qū)別不同對象，而非用于描述特定順序。

如圖1所示，本發(fā)明的一個實施例提供一種顯示單元制程控制方法。在本發(fā)明的一個實施例中，顯示單元可以是液晶顯示面板、OLED顯示面板或者其他具有顯示功能的顯示單元。本實施例所提供的顯示單元制程控制方法具體可包括：

步驟S101：檢測第一基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第一預(yù)設(shè)個數(shù)的第一基板作為達(dá)標(biāo)第一基板。

在本發(fā)明的一個實施例中，第一基板可以是玻璃基板或者塑料基板等板形材料，此處不對該第一基板的類型作特別限定。

在本實施例中，步驟S101中的第一基板具體是指多片基片以陣列形式排列在一起制作形成一大張陣列基板的結(jié)構(gòu)。在具體應(yīng)用中，通常會將6片、8片或18片基片制作在一起。第一基板上基片的具體數(shù)量可以根據(jù)實際需要決定。在一個實施例中，第一基板上的基片具體可以是TFT玻璃基板。

圖2中，示出了6片基片制作在一起構(gòu)成一大張陣列基板的結(jié)構(gòu)，其中，X表示不良基片(即不符合使用標(biāo)準(zhǔn)的基片)，O表示達(dá)標(biāo)基片(即符合使用標(biāo)準(zhǔn)的基片)，圖中示例性的示出了左上角的一片TFT玻璃基板為不良基片的情況。

在具體應(yīng)用中，第一預(yù)設(shè)個數(shù)可以根據(jù)制造要求自定義設(shè)置，若對第一基板的合格率要求較高，則可以將第一預(yù)設(shè)個數(shù)設(shè)置為一個相對較小的數(shù)值；反之，則可以將第一預(yù)設(shè)個數(shù)設(shè)置為一個相對較大的數(shù)值。

在一個實施例中，第一預(yù)設(shè)個數(shù)具體可以為兩個，即需要檢測到第一基板上不良基片的數(shù)量小于或等于兩個，才能將第一基板作為達(dá)標(biāo)第一基板。

步驟S102：按照達(dá)標(biāo)第一基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第一基板劃分為第二預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第一基板輸送至顯示單元制程。

在具體應(yīng)用中，第一預(yù)設(shè)個數(shù)與第二預(yù)設(shè)個數(shù)相關(guān)聯(lián)(即多片基片中不良基片的數(shù)量與其位置的數(shù)量之間具有關(guān)聯(lián)關(guān)系)，具體關(guān)聯(lián)關(guān)系如下：

定義所述第一預(yù)設(shè)個數(shù)為N，所述第二預(yù)設(shè)個數(shù)為M，其中，0≤N≤K，M≥1，且M，N和K均為整數(shù)，其中K為第一基板上第一基板上基片的數(shù)量；

所述第一預(yù)設(shè)個數(shù)與所述第二預(yù)設(shè)個數(shù)之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系為：

對于包括6片TFT玻璃基板的第一基板，若第一預(yù)設(shè)個數(shù)為2，則第二預(yù)設(shè)個數(shù)為22(即，6片基片中不良基片的數(shù)量小于或等于2時，不良基片在所述達(dá)標(biāo)第一基板中的位置包括22種)。

圖3示出了第一預(yù)設(shè)個數(shù)為2時，對包括6片基片的第一基板，按照所述達(dá)標(biāo)第一基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第一基板劃分為22個等級時的等級劃分情況示意圖，圖中X表示不良基片，O表示達(dá)標(biāo)基片。

步驟S103：檢測第二基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第三預(yù)設(shè)個數(shù)的第二基板作為達(dá)標(biāo)第二基板。

在本實施例中，步驟S103中的第二基板具體是指多片基片以陣列形式排列在一起制作構(gòu)成一大張第二基板的結(jié)構(gòu)，與圖2所示的結(jié)構(gòu)相同，此處不再單獨給出示意圖。在一個實施例中，第二基板上的基片具體可以是彩色濾光片。

在具體應(yīng)用中，第三預(yù)設(shè)個數(shù)可以根據(jù)制造要求自定義設(shè)置，若對第二基板的合格率要求較高，則可以將第三預(yù)設(shè)個數(shù)設(shè)置為一個相對較小的數(shù)值；反之，則可以將第三預(yù)設(shè)個數(shù)設(shè)置為一個相對較大的數(shù)值。

步驟S104：按照達(dá)標(biāo)第二基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第二基板劃分為第四預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第二基板輸送至顯示單元制程。

在具體應(yīng)用中，第二基板即為由多片基片按照陣列形式排列組成的一大張基板，第三預(yù)設(shè)個數(shù)與第四預(yù)設(shè)個數(shù)相關(guān)聯(lián)(即多片基片中不良基片的數(shù)量與其位置的數(shù)量之間具有關(guān)聯(lián)關(guān)系)，具體關(guān)聯(lián)關(guān)系如下：

定義所述第三預(yù)設(shè)個數(shù)為n，所述第四預(yù)設(shè)個數(shù)為m，其中，0≤n≤Q，m≥1，且m，n和Q均為整數(shù)，其中Q為第二基板上基片的數(shù)量；

所述第三預(yù)設(shè)個數(shù)與所述第四預(yù)設(shè)個數(shù)之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系為：

若第一預(yù)設(shè)個數(shù)為1，則第二預(yù)設(shè)個數(shù)為7(即，多片基片中不良基片的數(shù)量小于或等于1時，不良基片在所述達(dá)標(biāo)第一基板中的位置包括7種)。

圖4示出了第三預(yù)設(shè)個數(shù)為1時，對于包括6片基片的第二基板，按照所述達(dá)標(biāo)第二基板上不良的位置，將所述達(dá)標(biāo)第二基板劃分為7個等級時的等級劃分情況示意圖，圖中X表示不良基片，O表示達(dá)標(biāo)基片。

步驟S105：按照分選等級對達(dá)標(biāo)第一基板和達(dá)標(biāo)第二基板進行配對組合。

在具體應(yīng)用中，步驟S105具體包括：

步驟S201：對分選等級相同的所述達(dá)標(biāo)第一基板和所述達(dá)標(biāo)第二基板進行配對組合。

在具體應(yīng)用中，步驟S201具體是指將達(dá)標(biāo)第一基板和達(dá)標(biāo)第二基板上位置相同的不良基片配對組合在一起，對應(yīng)的，將達(dá)標(biāo)第一基板和達(dá)標(biāo)第二基板上位置相同的達(dá)標(biāo)基片配對組合在一起。可以使得在完成組立制程之后，對包括6個基板組合的一大塊面板進行切割之后，所得到的每塊基板組合均是達(dá)標(biāo)基片和達(dá)標(biāo)基片貼合在一起、不良基片和不良基片貼合在一起的情況，可以有效避免將不良基片和達(dá)標(biāo)基片貼合在一起的情況，以避免浪費生產(chǎn)成本，提高顯示單元制程的達(dá)標(biāo)率。

在本發(fā)明的一個實施例中，基板組合具體可以是液晶基板。

步驟S106：計算每個配對組合的達(dá)標(biāo)匹配度，選取所述達(dá)標(biāo)匹配度大于預(yù)設(shè)比例的配對組合輸送至組立制程。

在具體應(yīng)用中，預(yù)設(shè)比例可以根據(jù)實際需要進行選擇，比例越高，顯示單元制程的達(dá)標(biāo)率就越高。通過選取達(dá)標(biāo)匹配度大于預(yù)設(shè)比例的配對組合輸送至組立制程，可以有效避免對匹配度較低的配對組合進行組立，從而節(jié)省材料，達(dá)到節(jié)約成本的目的，同時也避免浪費制造時間，從而提高生產(chǎn)效率。

在一個實施例中，步驟S106之后還包括：將所述達(dá)標(biāo)匹配度小于或等于預(yù)設(shè)比例的配對組合作報廢處理或者采取回收補救措施。

本實施例通過在第一基板和第二基板進入顯示單元制程之前，根據(jù)第一基板和第二基板上不良基片數(shù)量將第一基板和第二基板劃分為多個分選等級，并在顯示單元制程中，按照分選等級對第一基板和第二基板進行配對組合，并選取匹配度高的配對組合進入組立制程，能夠大大提高顯示單元制程達(dá)標(biāo)率，從而有效提高生產(chǎn)效率并節(jié)約制造成本。

如圖5所示，本發(fā)明的一個實施例提供一種顯示單元制程控制系統(tǒng)100，用于執(zhí)行圖1所對應(yīng)的實施例中的方法步驟，其包括：

第一基板良率檢測單元101，用于檢測第一基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第一預(yù)設(shè)個數(shù)的第一基板作為達(dá)標(biāo)第一基板；

第一基板等級劃分單元102，用于按照所述達(dá)標(biāo)第一基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第一基板劃分為第二預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第一基板輸送至顯示單元制程；

第二基板良率檢測單元103，用于檢測第二基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第三預(yù)設(shè)個數(shù)的第二基板作為達(dá)標(biāo)第二基板；

第二基板等級劃分單元104，用于按照所述達(dá)標(biāo)第二基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第二基板劃分為第四預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第二基板輸送至顯示單元制程；

配對組合單元105，用于按照分選等級對所述達(dá)標(biāo)第一基板和所述達(dá)標(biāo)第二基板進行配對組合；

匹配度計算單元106，用于計算每個配對組合的達(dá)標(biāo)匹配度，選取所述達(dá)標(biāo)匹配度大于預(yù)設(shè)比例的配對組合輸送至組立制程。

在一個實施例中，配對組合單元105具體用于：

對分選等級相同的所述達(dá)標(biāo)第一基板和所述達(dá)標(biāo)第二基板進行配對組合。

在具體應(yīng)用中，本實施例所提供的顯示單元制程控制系統(tǒng)100可以為存儲在應(yīng)用于液晶制造的MES(manufacturing execution system)系統(tǒng)中的軟件程序，各單元為該軟件程序中的程序單元。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一預(yù)設(shè)個數(shù)與所述第二預(yù)設(shè)個數(shù)相關(guān)聯(lián)，所述第三預(yù)設(shè)個數(shù)與所述第四預(yù)設(shè)個數(shù)相關(guān)聯(lián)。

在本發(fā)明的一個實施例中，定義所述第一預(yù)設(shè)個數(shù)為N，所述第二預(yù)設(shè)個數(shù)為M，其中，0≤N≤K，M≥1，且M，N和K均為整數(shù)，其中K為第一基板上基片的數(shù)量；

所述第一預(yù)設(shè)個數(shù)與所述第二預(yù)設(shè)個數(shù)之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系為：

定義所述第三預(yù)設(shè)個數(shù)為n，所述第四預(yù)設(shè)個數(shù)為m，其中，0≤n≤Q，m≥1，且m，n和Q均為整數(shù)，其中Q為第二基板上基片的數(shù)量；

所述第三預(yù)設(shè)個數(shù)與所述第四預(yù)設(shè)個數(shù)之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系為：

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一預(yù)設(shè)個數(shù)為2，所述第三預(yù)設(shè)個數(shù)為1。

本實施例通過在第一基板和第二基板進入顯示單元制程之前，根據(jù)第一基板和第二基板上不良基片數(shù)量將第一基板和第二基板劃分為多個分選等級，并在顯示單元制程中，按照分選等級對第一基板和第二基板進行配對組合，并選取匹配度高的配對組合進入組立制程，能夠大大提高顯示單元制程達(dá)標(biāo)率，從而有效提高生產(chǎn)效率并節(jié)約制造成本。

如圖6所示，本發(fā)明的一個實施例提供一種顯示單元制程控制系統(tǒng)10，其包括：

處理器(processor)110，通信接口(Communications Interface)120，存儲器(memory)130，總線140和人機交互單元150。

處理器110，通信接口120，存儲器130和人機交互單元150通過總線140完成相互間的通信。

通信接口120，用于與外界設(shè)備，例如，個人電腦、智能手機等通信。

處理器110，用于執(zhí)行程序131；

在具體應(yīng)用中，人機交互單元150可以包括鍵盤、觸控顯示面板、鼠標(biāo)、實體或虛擬按鈕等，用于操作人員輸入相應(yīng)的數(shù)據(jù)。

具體地，程序131可以包括程序代碼，所述程序代碼包括計算機操作指令。

處理器110可能是一個中央處理器CPU，或者是特定集成電路ASIC(Application Specific Integrated Circuit)，或者是被配置成實施本發(fā)明實施例的一個或多個集成電路。

存儲器130，用于存放程序131。存儲器130可能包含高速RAM存儲器，也可能還包括非易失性存儲器(non-volatile memory)，例如至少一個磁盤存儲器。程序131具體可以包括：

第一基板良率檢測單元1311，用于檢測第一基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第一預(yù)設(shè)個數(shù)的第一基板作為達(dá)標(biāo)第一基板；

第一基板等級劃分單元1312，用于按照所述達(dá)標(biāo)第一基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第一基板劃分為第二預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第一基板輸送至顯示單元制程；

第二基板良率檢測單元1313，用于檢測第二基板上的不良基片的數(shù)量，選取不良基片的數(shù)量小于或等于第三預(yù)設(shè)個數(shù)的第二基板作為達(dá)標(biāo)第二基板；

第二基板等級劃分單元1314，用于按照所述達(dá)標(biāo)第二基板上不良基片的位置，將所述達(dá)標(biāo)第二基板劃分為第四預(yù)設(shè)個數(shù)的分選等級，并將所述達(dá)標(biāo)第二基板輸送至顯示單元制程；

配對組合單元1315，用于按照分選等級對所述達(dá)標(biāo)第一基板和所述達(dá)標(biāo)第二基板進行配對組合；

匹配度計算單元1316，用于計算每個配對組合的達(dá)標(biāo)匹配度，選取所述達(dá)標(biāo)匹配度大于預(yù)設(shè)比例的配對組合輸送至組立制程。

在一個實施例中，所述配對組合單元具體用于：

對分選等級相同的所述達(dá)標(biāo)第一基板和所述達(dá)標(biāo)第二基板進行配對組合。

本發(fā)明所有實施例中的單元，可以通過通用集成電路，例如CPU(Central Processing Unit，中央處理器)，或通過ASIC(Application Specific Integrated Circuit，專用集成電路)來實現(xiàn)。

本發(fā)明實施例方法中的步驟可以根據(jù)實際需要進行順序調(diào)整、合并和刪減。

本發(fā)明實施例裝置中的單元可以根據(jù)實際需要進行合并、劃分和刪減。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計算機程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，可包括如上述各方法的實施例的流程。其中，所述的存儲介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory，ROM)或隨機存儲記憶體(Random Access Memory，RAM)等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。