本發明屬于液晶顯示面板制作技術領域，具體地說，尤其涉及一種光配向方法、液晶顯示面板及其制作方法。

背景技術：

在TFT-LCD生產過程中，有摩擦配向和光配向兩種液晶配向方法。摩擦配向會產生靜電和顆粒污染。光配向是一種非接觸式的配向技術，利用線偏振光照射在光敏感的高分子聚合物配向膜上，從而在高分子聚合物配向膜上形成傾角。

在傳統像素設計中，光配向會在像素內部形成“卐字暗紋”或者“卍字暗紋”，統稱萬字暗紋，如圖1所示。萬字暗紋嚴重影響著像素的開口率，尤其是隨著面板每英寸具有的像素數目的提高，穿透率成為光配向技術的瓶頸。

技術實現要素：

為解決以上問題，本發明提供了一種光配向方法、液晶顯示面板及其制作方法，用以減少像素上的暗紋，提高顯示面板的穿透率。

根據本發明的一個方面，提供了一種光配向方法，包括：

在光配向過程中，以矩形像素的一條邊長為曝光寬度進行第一方向曝光，以矩形像素的另一條邊長的一半為曝光寬度進行第二方向曝光。

根據本發明的一個實施例，在進行曝光時進一步包括以下步驟：

S11、以矩形像素的短邊邊長為曝光寬度沿長邊上下曝光配向；

S12、以矩形像素的長邊邊長的一半為曝光寬度左右曝光配向。

根據本發明的一個實施例，在進行曝光時進一步包括以下步驟：

S21、以矩形像素的長邊邊長的一半為曝光寬度左右曝光配向；

S22、以矩形像素的短邊邊長為曝光寬度沿長邊上下曝光配向。

根據本發明的另一個方面，還提供了一種用于制作液晶顯示面板的方法，包括采用以上所述的光配向方法來對液晶分子進行配向。

根據本發明的一個實施例，在形成所述液晶顯示面板上的數據線時，使數據線對應像素內部靠近長邊邊緣的暗紋的部分在水平方向上偏向該暗紋。

根據本發明的一個實施例，在形成所述液晶顯示面板上的ITO薄膜時，將ITO薄膜與數據線偏向像素內部長邊邊緣的暗紋的部分重疊設置。

根據本發明的一個實施例，在形成所述液晶顯示面板上的掃描線時，使掃描線對應像素內部靠近長邊邊緣的暗紋的部分在水平方向上偏向該暗紋。

根據本發明的一個實施例，在形成所述液晶顯示面板上的ITO薄膜時，將ITO薄膜與掃描線偏向像素內部長邊邊緣的暗紋的部分重疊設置。

根據本發明的再一個方面，還提供了一種采用以上所述方法制作的液晶顯示面板。

根據本發明的一個實施例，

使數據線對應像素內部靠近長邊邊緣的暗紋的部分在水平方向上偏向該暗紋時，數據線上的偏向該暗紋部分沿掃描線鏡像對稱設置；使掃描線對應像素內部靠近長邊邊緣的暗紋的部分在水平方向上偏向該暗紋時，掃描線上的偏向該暗紋部分沿數據線鏡像對稱設置。

本發明的有益效果：

本發明通過采用一種新的光配向方法，可以減少像素上的暗紋，提高顯示面板的穿透率。

本發明的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是現有技術中一種顯示面板的像素萬字暗紋示意圖；

圖2是現有技術中一個像素的俯視示意圖；

圖3是現有技術中一個像素的萬字暗紋示意圖；

圖4是現有技術中的一種光配向流程示意圖；

圖5是根據本發明的一個實施例的光配向流程示意圖；

圖6是根據本發明的一個實施例的一個像素的暗紋示意圖；

圖7是根據本發明的一個實施例的液晶顯示面板俯視示意圖。

具體實施方式

以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發明的實施方式，借此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現過程能充分理解并據以實施。需要說明的是，只要不構成沖突，本發明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合，所形成的技術方案均在本發明的保護范圍之內。

如圖2所示為一個矩形像素的俯視示意圖，其長邊為b，寬邊為a。在采用傳統的光配向模式對圖2所示的像素進行配向時，TFT側(即陣列基板側)沿著像素的長邊進行上下曝光配向，曝光的寬度為對應的像素的寬邊的一半，即1/2a；CF側(即彩膜基板側)沿著像素的短邊進行左右曝光配向，曝光的寬度為對應的子像素的長邊的一半，即1/2b。其曝光過程如圖4所示，先進行上下方向的曝光(如圖4中的a小圖)，再經左右方向的曝光(如圖4中的b小圖)，其總體曝光產生的傾角(如圖4中的c小圖)，產生的暗紋效果(如圖4中的d小圖)。這樣導致每個子像素的內部都會形成如圖3所示的卐字暗紋，液晶顯示面板最終會形成如圖1所示的卐字暗紋，萬字暗紋會嚴重影響像素的穿透率。

因此，本發明提供了一種光配向方法，該方法用于對液晶分子進行光配向。其中，在光配向過程中，以矩形像素的一條邊長為曝光寬度進行第一方向曝光，以矩形像素的另一條邊長的一半為曝光寬度進行第二方向曝光。此處的第一方向和第二方向對應上下方向或左右方向，對應關系基于制作流程設定。

在采用以上方法進行曝光時，以矩形像素的一條邊長為曝光寬度進行曝光可以將曝光產生的大部分暗紋移至像素的內部邊沿。這樣，在像素內部形成如圖6所示的暗紋，該暗紋相對于圖1中的萬字暗紋，面積減小，可以增大像素的穿透率。

根據本發明的一個實施例，在進行光配向曝光時進一步包括以下兩個步驟：S11、以矩形像素的短邊邊長為曝光寬度沿長邊上下曝光配向；S12、以矩形像素的長邊邊長的一半為曝光寬度左右曝光配向。對應的曝光過程如圖5所示，先進行上下方向(此時對應第一方向)的曝光(如圖5中的a小圖)，再經左右方向(此時對應第二方向)的曝光(如圖5中的b小圖)，其總體曝光產生的傾角如圖5中的c小圖，產生的暗紋效果如圖5中的d小圖。

具體的，以圖2所示的矩形像素為例進行說明。此處為有利于方案說明，以圖2所示矩陣像素為基準定位本文所述的上下左右四個方位。首先，以矩形像素的短邊邊長為曝光寬度沿長邊上下曝光配向。也就是以矩形像素的長邊b為基準，以短邊a為寬度，上下進行曝光。在從上側以A方向進行曝光時，產生11和12兩條暗紋，在從下側以B方向進行曝光時，產生13和14兩條暗紋，這四條暗紋形成如圖6所示的暗紋。相對于圖1和圖3所示的萬字暗紋，本發明只在矩形像素的中間位置產生了一條暗紋13，其他暗紋位于矩形像素的內部邊沿并且靠近矩形像素周圍的數據線15或掃描線16，不占據像素的中間透光區域，因此可以增加像素面板的穿透率。

接著，以矩形像素的長邊邊長的一半為曝光寬度左右曝光配向。具體的，以矩形像素的短邊a為基準，以長邊b的一半為寬度，左右進行曝光。在從左側以C方向進行曝光時，產生的兩條暗紋分別與暗紋11和12重合，在從右側以D方向進行曝光時，產生的兩條暗紋分別與暗紋13和14重合。最終產生的暗紋圖案如圖6所示。

根據本發明的一個實施例，在進行光配向曝光時進一步包括以下兩個步驟：S21、以矩形像素的長邊邊長的一半為曝光寬度左右曝光配向；S22、以矩形像素的短邊邊長為曝光寬度沿長邊進行上下曝光配向。也就是說，對應圖6的暗紋圖案，先沿左右方向進行曝光，例如先沿C方向進行曝光，產生11和12兩條暗紋，再沿D方向進行曝光，產生13和14兩條暗紋。接著，沿上下方向進行曝光，例如先沿A方向曝光，產生的暗紋與暗紋11和12重合，再沿B方向曝光，產生的暗紋與暗紋13和14重合，最終產生的暗紋圖案如圖6所示。

根據本發明的另一個方面，還提供了一種用于制作液晶顯示面板的方法，其在進行液晶分子光配向時，采用上文所述的任一種光配向方法。

根據本發明的一個實施例，在形成液晶顯示面板上的數據線時，使數據線對應像素內部靠近長邊邊緣的暗紋的部分在水平方向上偏向該暗紋。對應圖6所示的暗紋，暗紋12和14在矩形像素內部，靠近像素的邊緣，并且不透光。而液晶顯示面板上的數據線15和掃描線16由金屬材料沉積形成，為不透光結構。因此，可以改變數據線15和掃描線16的布線走向，在形成液晶顯示面板上的數據線或掃描線時，將數據線或掃描線偏向像素內部邊緣的暗紋設置。由于通常沿矩形像素的長邊設置數據線，因此，對應圖6中的矩形像素，可以將靠近暗紋12和14處的數據線15向暗紋方向彎曲設計，此處的彎曲設置的前提是保證各層結構不變。當然也可以沿矩形像素的長邊設置掃描線，其設置方式與數據線相同，此處不加贅述。

根據本發明的一個實施例，在形成液晶顯示面板上的ITO薄膜時，將ITO薄膜與數據線偏向像素內部長邊邊緣的暗紋的部分重疊設置。如圖6所示，由于數據線15在靠近像素內部邊緣的暗紋處彎向暗紋設計，即按照正常的像素面積，數據線會進入像素區域。因此，在形成ITO薄膜時，可以將ITO薄膜覆蓋在數據線偏向至暗紋的上面，即在數據線與ITO薄膜在數據線偏向暗紋部分重疊設置，而重疊設置的寬度可以根據需要設定。

當然，也可以將掃描線向偏向像素內部邊緣的暗紋部分設計，將ITO薄膜覆蓋在掃描線彎曲至暗紋部分的上面，即在掃描線與ITO薄膜偏向掃描線的暗紋部分重疊設置，而重疊設置的寬度可以根據需要設定。

根據本發明的再一個方面，還提供了一種采用以上所述的液晶顯示面板制作方法制作的液晶顯示面板。該液晶顯示面板中各矩形像素內部的暗紋如圖6所示，相對于圖1所示面板中的萬字暗紋，本發明的液晶顯示面板有更高的穿透率。傳統方式的光配向的穿透率為100％時，本發明可以達到118.9％。

根據本發明的一個實施例，使數據線對應像素內部靠近長邊邊緣的暗紋的部分在水平方向上偏向該暗紋時，數據線上的偏向該暗紋部分沿掃描線鏡像對稱設置，如圖7所示。當然，使掃描線對應像素內部靠近長邊邊緣的暗紋的部分在水平方向上偏向該暗紋時，掃描線上的偏向該暗紋部分沿數據線鏡像對稱設置。

雖然本發明所公開的實施方式如上，但所述的內容只是為了便于理解本發明而采用的實施方式，并非用以限定本發明。任何本發明所屬技術領域內的技術人員，在不脫離本發明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節上作任何的修改與變化，但本發明的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求書所界定的范圍為準。