1.一種單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，包括襯底、光吸收單元和光發(fā)射單元；所述光發(fā)射單元的光激射波長(zhǎng)構(gòu)成光電芯片的發(fā)射光譜區(qū)，所述光吸收單元吸收波長(zhǎng)構(gòu)成光電芯片的吸收光譜區(qū)，所述吸收光譜區(qū)和所述發(fā)射光譜區(qū)不重疊；所述光吸收單元包括依次層疊于襯底上的第一半導(dǎo)體材料層、第二半導(dǎo)體材料層和第三半導(dǎo)體材料層；所述光發(fā)射單元包括第一反射鏡、光學(xué)腔和第二反射鏡，所述光學(xué)腔位于第一反射鏡上，所述第二反射鏡位于光學(xué)腔上；所述光吸收單元和光發(fā)射單元縱向垂直集成為一體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，所述第三半導(dǎo)體材料層上設(shè)有絕緣層，所述光吸收單元和光發(fā)射單元通過(guò)絕緣層電隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，所述光學(xué)腔由InxGayAl1-x-yAs、InxGayAs1-x-yP、InxGayAl1-x-yP、InxGayAl1-x-yN或InxGayAs1-x-yN中的一種材料層或多種不同材料層構(gòu)成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，且x+y≤1；所述光學(xué)腔中含有InxGayAl1-x-yAs，InxGayAs1-x-yP，InxGayAl1-x-yP，InxGayAl1-x-yN或InxGayAs1-x-yN材料構(gòu)成的多量子阱或多層量子點(diǎn)有源區(qū)，其中0≤x≤1，0≤y≤1，在被注入電流的情況下可激射的光波波長(zhǎng)為700nm～1700nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體材料層、第二半導(dǎo)體材料層或第三半導(dǎo)體材料層由InxGayAl1-x-yAs，InxGayAs1-x-yP，InxGayAl1-x-yP，InxGayAl1-x-yN或InxGayAs1-x-yN中的一種材料層或多種不同材料層構(gòu)成，其中0≤x≤1，0≤y≤1；其中含有由InxGayAl1-x-yAs、InxGayAs1-x-yP、InxGayAl1-x-yP、InxGayAl1-x-yN或InxGayAs1-x-yN半導(dǎo)體材料構(gòu)成的吸收層，所述吸收層為體結(jié)構(gòu)，多量子阱結(jié)構(gòu)或多層量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，且吸收700nm～1700nm波長(zhǎng)的入射光波，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，且x+y≤1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，所述光發(fā)射單元的光激射方向指向光吸收單元所在方向的反方向，所述吸收光譜區(qū)和發(fā)射光譜區(qū)位于光纖的850nm通信窗口、1310nm通信窗口或1550nm通信窗口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，所述絕緣層由絕緣膠構(gòu)成，或由InxAlyGa1-x-yAs、InxAlyGa1-x-yP或InxAlyGa1-x-yN半導(dǎo)體材料經(jīng)濕法氧化工藝轉(zhuǎn)變的絕緣材料構(gòu)成，其中，0≤x≤1，y≥0.94，且x+y≤1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，所述第一反射鏡和第二反射鏡為多層由不同材料構(gòu)成的布拉格反射鏡或亞波長(zhǎng)光柵反射鏡；所述構(gòu)成布拉格反射鏡或亞波長(zhǎng)光柵反射鏡的材料包括InxGayAl1-x-yAs、InxGayAs1-x-yP、InxGayAl1-x-yP，InxGayAl1-x-yN、InxGayAs1-x-yN半導(dǎo)體材料，SiO2、TiO2、MgF、Si介質(zhì)膜材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，且x+y≤1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，所述第一反射鏡、第二反射鏡中至少一個(gè)反射鏡含有至少一層InxAlyGa1-x-yAs、InxAlyGa1-x-yP或InxAlyGa1-x-yN半導(dǎo)體材料，其中0≤x≤1，y≥0.94，x+y≤1，且該層半導(dǎo)體材料經(jīng)濕法氧化工藝部分氧化為絕緣材料并構(gòu)成注入電流限制窗口。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片，其特征在于，所述光吸收單元為PIN光電探測(cè)器、雪崩光電探測(cè)器或單行載流子光電探測(cè)器。
10.一種集成芯片陣列，其特征在于，包括若干如權(quán)利要求1至9任一所述的單片集成收發(fā)一體光電芯片。